「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。例文帳に追加

The zinc oxide-based transparent conductive film-forming material is an oxide sintered compact composed substantially of zinc, molybdenum and oxygen, wherein molybdenum is contained so as to be Mo/(Zn+Mo)=≥0.02 but ≤0.1 in atomic ratio. - 特許庁

また、先端部６３には、二硫化モリブデン（ＭｏＳ_２）により皮膜が形成されている。例文帳に追加

A film of molybdenum disulfide (MoS_2) is formed at the tip 63. - 特許庁

さらに、面取り部１０の表面に二硫化モリブデンの硬質皮膜層１１を形成する。例文帳に追加

Furthermore, a hard coating layer 11 of molybdenum disulfide is formed on the surface of the chamfer 10. - 特許庁

モリブデンを含む潤滑油中において低摩擦係数を示す低摩擦摺動部材を提供する。例文帳に追加

To provide a low-frictional sliding member exhibiting a low coefficient of friction in a lubricating oil containing molybdenum. - 特許庁

ＬＳＩメモリ回路の動作電圧並である数Ｖで板状部材の傾斜方向を制御する。例文帳に追加

To control the tilting direction of a plate member by a few volts which is equivalent to the operation voltage of an LSI memory circuit. - 特許庁

窒化ケイ素質セラミックス中に、その粒径が０より大きく１０μｍ以下である珪化モリブデン炭化物を含有した窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体である。例文帳に追加

This silicon nitride-based molybdenum silicide carbide complex contains a molybdenum silicide carbide having >0 and ≤10 μm particle diameter in a silicon nitride-based ceramic. - 特許庁

メモリセル領域に形成されているメモリセルには、コントロールゲート電極ＣＧの側壁に電位障壁膜ＥＶ１、電荷蓄積膜ＥＣおよび電位障壁膜ＥＶ２を介して、サイドウォール形状のメモリゲート電極ＭＧが形成されている。例文帳に追加

A memory cell formed in a memory cell region has a memory gate electrode MG formed in a side wall shape on a side wall of a control gate electrode CG with a potential barrier film EV1, a charge storage film EC, and a potential barrier film EV2 interposed. - 特許庁

ＣＩＧＳ系太陽電池の裏面電極を形成するための組成物は、トリス（アセトニトリル）トリカルボニルモリブデンに代表されるモリブデン錯体及び有機溶媒を含有するものである。例文帳に追加

The composition for forming the back electrode of a CIGS-based solar cell contains a molybdenum complex typically such as a Tris (acetonitrile) tricarbonyl molybdenum and an organic solvent. - 特許庁

ケイモリブデン酸逆抽出法およびケイモリブデン酸（青）吸光光度法によるケイ素定量法において、微量ケイ素の高感度・高精度な定量が行える。例文帳に追加

To determinate a very small amount of silicon with high sensitivity/high precision in a back extraction method of silicomolybdic acid, and a silicon quantifying method using silicomolybdic acid (blue) absorptiometric method. - 特許庁

送信部２は、ユーザ携帯電話に登録された電話帳情報であるメモリ電話帳と、該ユーザ携帯電話の宛先電話番号である送信元携帯電話番号とのセットを、人物紹介サーバ５に送出する。例文帳に追加

The transmitting section 2 transmits a set of the memory telephone diary which is telephone diary information registered in the user-carried telephones 1A, 1B, etc., and transmitting origin mobile telephone numbers which are destination telephone numbers of the users portable telephones 1A, 1B, etc., to the server 5. - 特許庁

硬化層に二硫化モリブデンの微粒子を高速噴射して固体潤滑被膜を形成する。例文帳に追加

Then, minute particles of molybdenum disulfide are ejected to the hardened layers, thereby forming solid lubricating coats. - 特許庁

基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機メモリ層、前記有機メモリ層上に形成された第２電極、及び前記有機メモリ層にメモリ活性領域を形成するエンボス構造物を含む。例文帳に追加

This organic memory device comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic memory layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic memory layer, and an embossed structure forming an active memory region in the organic memory layer. - 特許庁

前記セラミックマトリックス中の非酸化物粒子が、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステン、珪化タングステン、炭化モリブデンおよび珪化モリブデンから選ばれる少なくとも１種の結晶粒子であるのが好ましい。例文帳に追加

The nonoxide particle in the ceramic matrix is preferably at least one crystalline particle selected from silicon nitride, silicon carbide, titanium carbide, titanium nitride, tungsten carbide, tungsten silicide, molybdenum carbide and molybdenum silicide. - 特許庁

軸受５は、二硫化モリブデンを添加したリン青銅合金で形成され、軸６は、オーステナイト系ステンレス鋼から形成されている。例文帳に追加

The bearing 5 is formed of a phosphor bronze alloy with molybdenum disulfide added thereto and the shaft 6 is formed of austenite stainless steel. - 特許庁

下部電極１６の上には、窒化アルミニウムからなる圧電膜２３が形成され、圧電膜２３の上にはモリブデンからなる上部電極２４が形成されている。例文帳に追加

A piezoelectric film 23 constituted of aluminum nitride is formed on the lower electrode 16, and an upper electrode 24 constituted of molybdenum is formed on the piezoelectric film 23. - 特許庁

制御部６は、電流計測部４の計測結果と、現在の日時を対応付けた計測データを所定のメモリに保存する。例文帳に追加

The control unit 6 stores measurement data, in which a result of measurement by a current measurement unit 4 and a current date and time are associated with each other, in a predetermined memory. - 特許庁

錘部２６の下面には、上部可動電極１８ａ〜１８ｄと導通した下部可動電極２４が形成されている。例文帳に追加

On the undersurface of the weight part 26, a lower moving electrode 24 electrically connected to the upper moving electrodes 18a-18d is formed. - 特許庁

設計装置は、初期見積部と概略電源ノイズ解析部とレイアウト設計部と詳細見積部と詳細電源ノイズ解析部とレイアウト調整部とを備える。例文帳に追加

A designing apparatus includes an initial estimation unit, a general power supply noise analysis unit, a layout design unit, a detailed estimation unit, a detailed power supply noise analysis unit, and a layout adjustment unit. - 特許庁

前記蛍光体にモリブデン又はバナジウム添加剤を加えることによって、残光が低減される。例文帳に追加

Addition of a molybdenum or vanadium additive to a phosphor reduces afterglow. - 特許庁

メモリセル領域Ｍに複数のアシストゲート電極部２１が互いに間隔を隔てて形成される。例文帳に追加

A plurality of assist gate electrodes 21 are formed apart from one another in a memory cell region M. - 特許庁

ドリル加工性に優れたモリブデン合金成形体およびその製造方法例文帳に追加

MOLYBDENUM ALLOY-FORMED BODY HAVING EXCELLENT MACHINABILITY OF DRILLING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a variable resistance memory element having a buffer layer formed on a lower electrode. - 特許庁

第１金型は、タングステン基合金またはモリブデン基合金から形成される。例文帳に追加

The first die is formed of the tungsten-based alloy or the molybdenum-based alloy. - 特許庁

第２金型は、タングステン基合金またはモリブデン基合金から形成される。例文帳に追加

The second die is formed of the tungsten-based alloy or the molybdenum-based alloy. - 特許庁

酸化鉄系吸着剤の製造方法及びそれを用いるモリブデン含有排水の浄化方法例文帳に追加

METHOD OF PREPARING IRON-OXIDE ADSORBENT, AND METHOD OF CLEANING MOLYBDENUM-CONTAINING WASTE WATER USING THE ADSORBENT - 特許庁

利用者が携帯電話を充電器に接続すると、携帯電話機の通信事業者、機種を判別した上、携帯電話種別に最適なＵＲＬを携帯電話内部のメモリに書き込む。例文帳に追加

When a user connects the cellular phone to the charger, the optimal URL by every model of the cellular phone is written in a memory inside the cellular phone upon discriminating a communication company and a model of the cellular phone. - 特許庁

メモリカード装填部を本体に備える携帯電子機器において、本体内のメモリカード装填部における高密度実装を実現する。例文帳に追加

To make a memory card loading section in a main body high in packaging density in a mobile electronic apparatus provided with the memory card in the main body. - 特許庁

図１に示すように、本実施の形態１に係る携帯電話機は、携帯電話機本体Ａ１０と電池パックモジュールＢ１０とで概略構成され、電池パックモジュールＢ１０は電池パック１と外部メモリＩＦ制御部１５と外部メモリカード１７とを備える。例文帳に追加

The portable telephone set, related to a form 1 of this embodiment is roughly configured with a portable telephone set body A10 and a battery pack module B10 as shown in Figure 1, and the battery pack module B10 is provided with a battery pack 1, the external memory IF control section 15 and the external memory card 17. - 特許庁

基体１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２を覆って形成された強誘電体層１４と、強誘電体層１４上に形成された上部電極１６と、からなる強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリ１５である。例文帳に追加

The ferroelectric memory 15 has a ferroelectric capacitor consisting of the lower electrode 12 formed on a base 10, a ferroelectric layer 14 formed to cover the lower electrode 12, an upper electrode 16 formed on the ferroelectric layer 14. - 特許庁

バリア層１５を構成するモリブデン又はモリブデン合金層の表面に窒素雰囲気中での高速熱処理（高速熱アニール）で形成されたモリブデン酸窒化膜１８を設ける。例文帳に追加

A molybdic acid nitride film 18 formed by high-speed heat treatment (high-speed annealing) in a nitrogen atmosphere is provided on the surface of the molybdenum or molybdenum alloy layer constituting the barrier layer 15. - 特許庁

核形成剤は、モリブデン化合物およびタンタル化合物からなる群より選ばれた一種以上の金属化合物からなる。例文帳に追加

The nucleating agent is composed of at least one metal compound selected from the group of molybdenum compounds and tantalum compounds. - 特許庁

モリブデンからなる金属箔片の縁辺を予めモリブデンを５．０ｍｇ／ｍｌ以上の割合で融解した硫酸系電解研磨液中で電界研磨して封着金属箔２０を製造する。例文帳に追加

The sealing metal foil 20 is manufactured by performing an electrolytic polishing of the edge side of a metal foil piece made of molybdenum in the sulfuric acid series electrolytic polishing liquid in which molybdenum is previously dissolved in the proportion of 5.0 mg/ml or more. - 特許庁

正極活物質としてモリブデン酸化物、好ましくは正極集電体上に堆積して形成したモリブデン酸化物薄膜を用い、負極活物質として負極集電体上に堆積して形成したシリコン薄膜を用いることを特徴としている。例文帳に追加

As the positive electrode active substance, molybdenum oxide, preferably molybdenum oxide thin film which is accumulated and formed on the positive electrode current collector is used, and as the negative electrode active substance, a silicon thin film which is accumulated and formed on the negative electrode current collector is used. - 特許庁

駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ、及び検出アーム１６Ａ，１６Ｂのそれぞれの先端部には，錘層１８，２０と電極膜１７とから形成された質量調整用の調整部である第一錘部１９と第二錘部２３とが形成されている。例文帳に追加

First weight parts 19 and second wight parts 23, adjusting parts for mass adjustment, made of wight layers 18 and 20 and electrode films 17 are each formed at tip parts of the driving arms 15A-15D and the detecting arms 16A and 16B. - 特許庁

最後に、通常の真空蒸着等の方法を用いて、圧電膜４の上面及び下面にモリブデンからなる電極５を形成する。例文帳に追加

Finally, electrodes 4 made of molybdenum are formed on the upper and lower surfaces of the piezoelectric film 4 by using a method, such as a normal vacuum deposition, etc. - 特許庁

油溶性又は油分散性3核モリブデン-硫黄化合物は、極性媒質内で3核モリブデンコアを有するアニオンを含む反応体モリブデン化合物と系内で生成したジチオカルバメートとを反応させることにより製造される。例文帳に追加

An oil-soluble or oil-dispersible trinuclear molybdenum-sulfur compound is produced by reacting a reactant molybdenum compound containing an anion having trinuclear molybdenum core in a polar medium with a dithiocarbamate produced in the system. - 特許庁

また、基板１７の材質には、シリコン以外にモリブデン、ケイ化鉄などを用いることができる。例文帳に追加

Molybdenum, iron silicide or the like other than silicon can be used as a material for the substrate 17. - 特許庁

電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得るメモリカートリッジを提供する。例文帳に追加

To provide a memory cartridge sufficiently reducing influence of the unwanted radiation of electromagnetic waves. - 特許庁

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。例文帳に追加

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate. - 特許庁

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。例文帳に追加

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate. - 特許庁

抵抗発熱体層８２は、例えば、モリブデン珪化物、タングステン珪化物等で形成される。例文帳に追加

The resistance heating element layer 82 is formed of a molybdenum silicide, a tungsten silicide or the like. - 特許庁

携帯電話端末は、外部メモリ１７の未使用領域を予約領域ＥＲとして確保する。例文帳に追加

A mobile phone terminal secures the unused area of an external memory 17 as a reserved area ER. - 特許庁

可動電極６０は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分６５が形成されている。例文帳に追加

The movable electrode 60 is silicified by high melting point metal such as tungsten or molybdenum, etc. and a silicide part 65 is formed. - 特許庁

相変化物質膜を有する可変抵抗メモリ装置の加熱電極の形成方法とこれを利用する可変抵抗メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a heating electrode of a variable-resistance memory device having a phase-variable matter film and a variable-resistance memory utilizing it. - 特許庁

電子印鑑、リムーバブルメモリ媒体、事前認証システム、携帯機器、携帯電話装置および車両始動制御装置例文帳に追加

ELECTRONIC SEAL, REMOVABLE MEMORY MEDIUM, ADVANCE AUTHENTICATION SYSTEM, PORTABLE DEVICE, CELLULAR TELEPHONE SYSTEM, AND VIHICULAR STARTING CONTROLLER - 特許庁