「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

吐出板２２に設けられた小径の吐出穴２３から導電性ペースト２６を押し出し、導電性ペースト２６の盛り上がり３２を形成し、この盛り上がり３２を電子部品本体２７の端面２９の一部に接触させる。例文帳に追加

A conductive paste 26 is pushed out from a small-diameter exit hole 2 provided on an exit plate 22 and protruded part 32 of the conductive paste 26, and the protruded part 32 is made to contact the part of the end surface of an electronic component body 27. - 特許庁

波形メモリ４０は、ボイスコイルモータ１１０の駆動電流Ｉｄｒｖの時間波形を記述するデジタルの波形データＷＤを格納する。例文帳に追加

A waveform memory 40 stores digital waveform data WD describing a time waveform of the driving current Idrv of the voice coil motor 110. - 特許庁

タブ電極２の上面全体に複数の四角錘形状の凸部４１からなる凹凸が形成される。例文帳に追加

Irregularities formed of a plurality of square pyramid-shaped projecting parts 41 are formed on the whole top surface of the tab electrode 2. - 特許庁

まず、メモリセル主要部が形成された基体を用意した後（Ｓ１０１）、この基体にポリシリコン膜からなる下部電極を形成する（Ｓ１０２）。例文帳に追加

A substrate where the major portion of a memory cell is formed is first prepared (S101), and a lower electrode comprising a polysilicon film is then formed on the substrate (S102). - 特許庁

タブ電極２の上面全体に複数の四角錘形状の凸部４１からなる凹凸が形成される。例文帳に追加

Irregularities formed of a plurality of square pyramid-shaped convex portions 41 are formed on an entire top surface of each tab electrode 2. - 特許庁

メモリマクロ３の外部から入力される信号（ＬＰＭ設定信号）をメモリマクロ３の各内部電位発生回路に接続し、各内部電位発生回路の電流貫通経路を遮断された待機状態とする。例文帳に追加

A signal (LPM setting signal) inputted from the outside of a memory-macro 3 is connected to each internal potential generating circuit of the memory-macro 3, and the device is made into a standby state where current through paths of each internal potential generating circuit are cut off. - 特許庁

可動錘部４０は、複数の可動電極部と同一の層に形成され、複数の可動電極部を連結する連結部４２と、複数の可動電極部及び連結部とは異なる層に形成され、連結部に接続された付加錘部４６とを含む。例文帳に追加

The movable weight 40 includes a connecting portion 42 which is formed to be the same layer as the plurality of movable electrodes and connects the plurality of movable electrodes and an additional weight 46, which is formed as a layer different from the plurality of movable electrodes and the connecting portion, and is connected to the connecting portion. - 特許庁

また、携帯電話１０の機種変更の際には、もとの携帯電話の内部メモリ１６に記憶される副ＩＤコード１６ａを含むデータ等を新たな携帯電話の内部メモリ１６に移し替えれば、自身の携帯電話として車両ドアの施解錠を行うことができる。例文帳に追加

In addition, when a model of the mobile phone 10 is changed, data including the secondary ID code 16a stored in the internal memory 16 of the original mobile phone is transferred to the internal memory 16 of a new mobile phone so as to lock/unlock the vehicle door as own mobile phone. - 特許庁

メモリゲート電極１２の側面において、電荷蓄積膜９と絶縁膜１１との間に絶縁膜１０を形成し、メモリゲート電極１２側面の絶縁膜１０および１１の合計の厚さを、メモリゲート電極１２下部の絶縁膜１１の厚さよりも厚く形成する。例文帳に追加

On a side surface of a memory gate electrode 12, an insulating film 10 is formed between a charge storage film 9 and an insulating film 11, and a total thickness of the insulating films 10 and 11 on the side surface of the memory gate electrode 12 is made larger than a thickness of the insulating film 11 under the memory gate electrode 12. - 特許庁

低抵抗の金属電極材料からなる電極層、モリブデン−タングステン合金からなりかつ該電極層の上表面に形成されるトップバリア層、およびモリブデン−タングステン合金からなりかつ該電極層の下表面に形成されるボトムバリア層を有する、バリア層としてモリブデン−タングステン合金を用いる金属電極。例文帳に追加

The metal electrode using a molybdenum-tungsten alloy as a barrier layer comprises: an electrode layer made of a low resistance metal electrode material; a top barrier layer made of the molybdenum-tungsten alloy and formed on the upper surface of the electrode layer; and a bottom barrier layer made of the molybdenum-tungsten alloy and formed on the lower surface of the electrode layer. - 特許庁

メモリ５は、ミラー部１の複数のチルト角と、電圧を印加する駆動部３の１または複数の電極との関係を記憶する。例文帳に追加

The memory 5 stores a relationship of a plurality of the tilt angles of the mirror part 1 and one or the plurality of the electrodes of the drive part 3 for applying the voltage. - 特許庁

毒劇物を使用することなくモリブデン系金属材料の電解加工を可能とするための手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a device that electrolytically machines a molybdenum-based metallic material without using a poisonous substance. - 特許庁

全体或いはピン部１０４を含む先端部１０６を、モリブデン相またはモリブデン固溶体と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムの炭化物セラミックスのうち、少なくともいずれかの１種類から成るセラミックスとから成るモリブデン基二相合金により形成している。例文帳に追加

In the tool, the entirety or a tip end part 106 including a pin part 104 is formed by using molybdenum group two-phase alloy comprising a molybdenum phase or molybdenum solid solution and ceramics composed of at least one kind among carbide ceramics of titanium, zirconium and hafnium. - 特許庁

矩形状の開口部１４を有する枠部１５には、錘部２１及び錘部２１と一体化した可動電極２４が弾性的に支持され、錘部２１は加速度印加に応じて変位方向Ｙに変位する。例文帳に追加

A frame 15 having a rectangular opening 14 elastically supports a weight 21 and movable electrodes 24 integrated with the weight 21 to displace the weight in a displacing direction Y according to an applied acceleration. - 特許庁

携帯電話内部のメモリエリアに定期的にサーバからの商品データを受信，保持し、バーコードリーダからのデータ受信時にこのデータを携帯電話内部プログラムで加工して結果を携帯電話の画面に表示する。例文帳に追加

When receiving data from a bar code reader, the data are worked according to the program in the cellular phone, and the result is displayed on a screen of the cellular phone. - 特許庁

例えば、正規のメモリ領域ＮＭＬ＿ＡＲとチェック用のメモリ領域ＣＨＫ＿ＡＲを設け、ＣＨＫ＿ＡＲに対してＮＭＬ＿ＡＲの書き込み電圧Ｖ０よりも低い書き込み電圧Ｖ１〜Ｖｎで書き込みを行わせる。例文帳に追加

For instance, a normal memory area NML_AR and a checking memory area CHK_AR are set, and a writing is carried out for the CHK_AR by writing voltages V1-Vn lower than a writing voltage V0 of the NML_AR. - 特許庁

発電部２０は、カンチレバー部１２の厚み方向の一面側に形成された圧電体２１と、圧電体２１における錘部１３側の側面に形成された電極２３と、圧電体２１における支持部１１側の側面に形成された電極２２とを備えている。例文帳に追加

The power generating part 20 comprises: a piezoelectric body 21 formed on one surface side of the cantilever part 12 in the thickness direction thereof; an electrode 23 formed on a side surface of the piezoelectric body 21 on the weight part 13 side; and an electrode 22 formed on a side surface of the piezoelectric body 21 on the support part 11 side. - 特許庁

リード棒２４は、モリブデンからなる円柱形状を有しており、一方の端面２４ａには、円柱状の凸部２４ｂが形成されている。例文帳に追加

The lead stick 24 has the pillar form, which consists of molybdenum, and a pillar-like convex part 24b is formed in one end face 24a. - 特許庁

これにより、特定動作モード時、リーク電流経路の存在するメモリブロックを対応のセンスアンプ帯（ＳＡＢ＜Ｋ＞）から分離する。例文帳に追加

Thus, on the specific operation mode, a memory block in which a leakage current path is present is separated from a corresponding sense amplifier band (SAB<K>). - 特許庁

携帯電話機の電話帳データの一部または全部が消失した場合、あるいは携帯電話機を買い換えた場合には、利用者は再び携帯電話機とサーバーを接続し、サーバーから電話帳データを受信し、携帯電話機のメモリに登録する。例文帳に追加

If the telephone directory data of the portable telephone set are partially or entirely lost, or when a new portable telephone set is bought, the user reconnects the portable telephone set to the server, receives the telephone directory data and registers the telephone directory data in a memory of the portable telephone set. - 特許庁

電子機器（１）は、導電性の底壁（４ａ）を有する筐体（４）と、筐体の内部に形成され、底壁に開口された開口部（１６）を有するメモリ収容部（１０）と、メモリ収容部に収容されたメモリモジュール（１１）と、底壁の開口部を取り外し可能に覆う導電性の蓋（２５）とを備えている。例文帳に追加

An electronic apparatus (1) is provided with a casing (4) having a conductive bottom wall (4a), a memory housing part (10) having an opening (16) which is opened on the bottom wall, a memory module (11) which is housed in the memory housing part, and a conductive lid (25) for removably covering the opening on the bottom wall. - 特許庁

制御部1は、CPU及びメモリ等から構成され、メモリに記憶されている制御プログラムに従い、携帯電話機の動作の制御を行う。例文帳に追加

A control section 1 consists of a CPU and a memory or the like, and controls operations of the mobile phone according to a control program stored in the memory. - 特許庁

バナジウム酸化物と、予め調製されたチタンとモリブデンからなる二元系均密混合酸化物、および／または、予め調製されたチタン、ケイ素およびモリブデンからなる三元系均密混合酸化物とを含有する、排ガス処理用触媒。例文帳に追加

The catalyst for treating the waste gas contains vanadium oxide and a previously prepared binary intimately mixed oxide consisting of titanium and molybdenum and/or a previously prepared ternary homogeneously dense mixed oxide consisting of titanium, silicon and molybdenum. - 特許庁

デジタルカメラを小型軽量化し、二次電池への充電と、各種外部機器への接続と、メモリカード間の画像データ交換を容易にする。例文帳に追加

To make a digital camera small-sized and lightweight and facilitate charging to a secondary battery, connection to various external devices and image data exchange between memory cards. - 特許庁

内部リード線にモリブデン箔が接合され、モリブデン箔の他端部に外部リード線が接合されたものを、透明石英ガラス管に挿入して赤外線電球が形成される。例文帳に追加

To the inner lead wires are bonded molybdenum foils, at the other end of which outer lead wires are bonded, which are then inserted in a transparent quartz glass tube to make up an infra-red light bulb. - 特許庁

絶縁性物質の酸化ケイ素を主成分とする絶縁層１１、絶縁性物質の酸化ケイ素および導電性物質のモリブデンまたはタングステンを混合した導電層１２、絶縁性物質の酸化ケイ素および導電性物質のモリブデンまたはタングステンを混合し、熱膨張率を段階的に変えた中間層１３を放電プラズマ焼結装置を用いて一体的に結合する。例文帳に追加

The insulating layer 11 containing silicon oxide of an insulating substance as a main constituent, a conductive layer 12 with silicon oxide of an insulating substance and molybdenum or tungsten of a conductive substance mixed therein, and an intermediate layer 13 gradually changing a coefficient of thermal expansion by mixing silicon oxide of an insulating substance and molybdenum or tungsten of a conductive substance therein are integrally connected by using a discharge plasma sintering device. - 特許庁

該セラミックは、アルミナ、酸化クロム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニウム等であり、該金属は、モリブデン、タングステン、タンタル等からなる。例文帳に追加

As the ceramic, alumina, chromium oxide, silicon nitride, silicon carbide, zirconium, etc. are selected, and as the metal, molybdenum, tungsten, tantalum, etc are selected. - 特許庁

内部メモリ３６には、あらかじめ測定された、経過時間とＣＣＤ１８の暗電流ノイズの補正量との関係を記憶しておく。例文帳に追加

A relation between previously measured elapsed time and a correction amount of dark current noise of a CCD 18 is stored in an internal memory 36. - 特許庁

電子管が備えるコレクタ電極を、モリブデンと銅の複合材料、またはタングステンと銅の複合材料を用いて形成する。例文帳に追加

The collector electrode provided by the electron tube is formed with the use of a composite material of molybdenum and copper, or a composite material of tungsten and copper. - 特許庁

温度・非充電量メモリテーブル４は、一時的に充電できない電気量を温度との対応関係により記録している。例文帳に追加

A temperature/non-chargeable electrical quantity memory table 4 records a temporarily non-chargeable electrical quantity in relation with temperature. - 特許庁

更に、無電解メッキ２を形成したチャック１の頭部１Ａ表面に二硫化モリブデンを塗布する。例文帳に追加

The surface of the head part 1A of the chuck 1, on which the electroless plating 2 is formed, is coated with a molybdenum disulfide. - 特許庁

このメモリセルでは、ラッチ回路１０と出力回路３２とに別系統の電源電圧Ｖ_RET，Ｖ_DDがそれぞれ供給される。例文帳に追加

In a memory cell, power supply voltages V_RET and V_DD, which are mutually separated systems, are respectively supplied to a latch circuit 10 and an output circuit 32. - 特許庁

このメモリセルでは、ラッチ回路１０と出力回路３２とに別系統の電源電圧ＶＲＥＴ，ＶＤＤがそれぞれ供給される。例文帳に追加

In this memory cell, supply voltages VRET and VDD, which are different in system from each other, are supplied to a latch circuit 10 and an output circuit 32, respectively. - 特許庁

この半導体メモリは、実質的にＬ字形状の断面を有する下部電極５と、下部電極５上に形成されたＳＢＴ膜６と、ＳＢＴ膜６上に形成された上部電極７とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor memory has lower electrodes 5 having a substantially L-shaped cross section, SBT films 6 formed on the lower electrodes 5 and upper electrodes 7 formed on the SBT films 6. - 特許庁

抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子において、下部電極と、下部電極上に遷移金属から形成されたナノワイヤーと、ナノワイヤー上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ素子を提供する不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The nonvolatile memory device that provides a nonvolatile memory device comprising a lower electrode, a nano wire formed on the lower electrode from a transition metal, an oxidation layer formed on the nano wire including a transition metal oxide, and an upper electrode formed on the oxidation layer in a memory device comprising an oxidation layer formed from a resistance conversion substance. - 特許庁

その後、素子形成基板２０ａの上記一表面側に上部電極２４ｃを形成することで発電部２４を形成してから、素子形成基板２０ａを加工してフレーム部２１、カンチレバー部２２および錘部２３を有するカンチレバー形成基板２０を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an upper electrode 24c is formed on the one surface side of the element formation substrate 20a, thereby a power generation part 24 is formed, and thereafter a cantilever formation substrate 20 including a frame part 21, a cantilever part 22 and a weight part 23 is formed by processing the element formation substrate 20a. - 特許庁

携帯電話装置１の筐体の一部にＩＣメモリカードの幅寸法及び厚さ寸法に等しい寸法形状を筐体部３に設け、この筐体部３の一端部にＩＣメモリカードコネクタを配設する。例文帳に追加

Dimensional shape equivalent to width dimension and thickness dimension of an IC memory card is provided at a part of a casing part 3 of the cellular telephone system 1 and an IC memory card connector is arranged at one end part of the casing part 3. - 特許庁

携帯電話装置１の筐体の一部にＩＣメモリカードの幅寸法及び厚さ寸法に等しい寸法形状を筐体部３に設け、この筐体部３の一端部にＩＣメモリカードコネクタを配設する。例文帳に追加

A case body 3, shaped with dimensions equal to the width dimension and thickness dimension of an IC memory card, is formed at a part of the case body of a portable telephone device 1, and an IC memory card connector is arranged at one edge part of the case body part 3. - 特許庁

携帯電話装置１の筐体の一部にＩＣメモリカードの幅寸法及び厚さ寸法に等しい寸法形状を筐体部３に設け、この筐体部３の一端部にＩＣメモリカードコネクタを配設する。例文帳に追加

A part whose dimension is equal to that of an IC memory card, such as width and thickness is provided at a part of a housing 3 of the portable telephone system 1, and an IC memory card connector is arranged at one end of the housing 3. - 特許庁

酸素系漂白剤と、モリブデン化合物と、ケイ酸塩とを有効成分とする洗浄剤組成物であり、好ましくは、ケイ酸塩がオルトケイ酸塩とメタケイ酸塩の混合物である。例文帳に追加

This detergent composition contains an oxygen-based breaching agent, a molybdenum compound and a silicic acid salt as active ingredients, and the silicic acid salt is preferably a mixture of an orthosilicic acid salt and a metasilicic acid salt. - 特許庁

重心座標間伝搬特性推定部６は、該経路情報を参照し、反射係数や、回折係数などを用いて、全ての経路における複素電界を算出して加算し、経路情報メモリ５に記憶する。例文帳に追加

An inter-barycentric-coordinate propagation characteristic estimation part 6 refers to the route information, calculates and adds complex electric fields in all the routes using a reflection coefficient and a diffraction coefficient, etc., and stores them in the route information memory 5. - 特許庁

付加誘導心電図演算手段１６は、誘導間の関係を表す係数αを用いて、心電図メモリ１２に記憶された心電信号から、付加誘導心電図Ｖ７〜Ｖ９を演算する。例文帳に追加

An additional lead ECG calculating means 16 calculates extended lead ECGs V7-V9 from the ECG signals stored in the ECG memory 12, using coefficients α representing relationship among leads. - 特許庁

配線形成用ターゲットは、原子パーセントでタングステン25〜 45%、残部モリブデンおよび不可避的不純物よりなり、例えばタングステンとモリブデンを粉末冶金法や溶解法などで複合一体化したＭｏ−Ｗ材からなる。例文帳に追加

The target for wiring formation is composed of the Mo-W material having a composition consisting of 25-45 atomic % tungsten and the balance molybdenum with inevitable impurities and prepared, e.g. by integrally compounding tungsten and molybdenum by a powder metallurgy method, a melting method, etc. - 特許庁

第１、第２の電流経路で、メモリセルに流れる電流とリファレンス電流レベル９１，９２とを比較するとともに、メモリセルに流れる電流に応じた電荷をそれぞれ第１、第２の蓄積部に蓄える。例文帳に追加

A current flowing in the memory cell is compared with reference current levels 91, 92 in the first and the second current paths, while electric charges corresponding to the current flowing the memory cell are accumulated respectively in first and second accumulation parts. - 特許庁

また、温度感知線はゲート線と同一層に形成されており、アルミニウムからなる下部膜とモリブデンからなる上部膜とを含む。例文帳に追加

Temperature sensing is formed in the same layer with a gate line and includes a lower film, formed of aluminum and an upper film formed of molybdenum. - 特許庁