「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

実施形態の記憶装置は、不揮発性半導体メモリで構成された記憶部への電源の投入に伴い、経過時間のカウントを開始する。例文帳に追加

When power is supplied to a storage part comprising a nonvolatile semiconductor memory, a storage device of an embodiment starts counting of elapsed time. - 特許庁

上部電極１０と下部電極３０との間にメモリ層２０を含む不揮発性有機メモリ１００を製造するにおいて、上部電極１０と下部電極３０との間の有機物にイオン状態の伝導性粒子を分散させた後、これを有機物内で還元させて伝導性ナノ粒子を形成することにより、メモリ層２０を形成する。例文帳に追加

In manufacturing a nonvolatile organic memory device 100 which includes a memory layer 20 interposed between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, ions of the conductive particles are disposed in an organic material between the upper electrode 10 and the lower electrode 30, and then the conductive nanoparticles are formed by reducing the ions of conductive nanoparticles in the organic material, to form the memory layer 20. - 特許庁

メモリブロックが形成されるウェル領域と分離ゲートが形成されるウェル領域とを別々に設け、別々のバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

A well region in which a memory block is formed and a well region in which a separation gate is formed are provided separately, and separate bias voltage are applied. - 特許庁

強誘電体薄膜を用いたメモリセルキャパシタの面積拡大と電界集中の緩和をしつつ、下部電極からの引き出し位置及び電極形状の制約を緩和し、回路設計の自由度を高める。例文帳に追加

To relax limitations imposed on the extraction position and shape of a lower electrode so as to improve the degree of freedom of a circuit design while a memory cell capacitor using a ferromagnetic thin film is increased in area, and an electric field is restrained from concentrating on the memory cell capacitor. - 特許庁

陰極構造は、タングステンまたはモリブデンからなる電極基体の中心軸に、バリウム化合物が含浸した多孔質タングステンまたは多孔質モリブデンを同軸状に配置、形成する。例文帳に追加

In this cathode structure porous wolfram or molybdenum impregnated with a barium compound is coaxially arranged in a central axis of an electrode substrate made of wolfram or molybdenum. - 特許庁

下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。例文帳に追加

The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer. - 特許庁

そして、当該鋼には、直径１０ｎｍ以下のバナジウム炭化物およびモリブデン炭化物のうち少なくともいずれか一方が析出している。例文帳に追加

Also, at least either vanadium carbide or molybdenum carbide with a diameter of ≤10 nm is precipitated in the steel. - 特許庁

リチウム金属と接触させても硫化ケイ素との反応が抑制される硫化物系の無機固体電解質とその形成方法、リチウム電池部材並びにリチウム２次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a sulfide inorganic solid electrolyte restrained from reacting with silicon sulfide even if it is brought into contact with lithium metal and to provide its formation method, a lithium battery member and a lithium secondary battery. - 特許庁

炭化水素系の高分子電解質を用いても、良好な長期安定性の固体高分子形燃料電池を実現する高分子電解質膜を得ることができる高分子電解質組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a polymer electrolyte composition for obtaining a polymer electrolyte membrane realizing a solid polymer fuel cell having high long-term stability while using a hydrocarbon-based polymer electrolyte. - 特許庁

上記第１の課題を解決するために、強誘電体メモリセルに印加される電圧を決定するビット線対の電圧ＶＢＬとプレート線の電圧ＶＰＬをＶＢＬ＝ＶＰＬ＜ＶＤＤの関係を満足するように設定する。例文帳に追加

In order to solve the first problem, voltage VBL of a pair of bit lines and voltage VPL of plate lines deciding voltage applied to ferroelectric memory cells are set so that relation of VBL=VPL<VDD is satisfied. - 特許庁

本発明は、強誘電体キャパシタをそれぞれ有する複数のメモリセルが配置されたメモリセル領域を有する強誘電体メモリチップにおいて、メモリセル領域に外部からの電磁波をシールドする電磁波シールド層４６、５０、４０が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In a ferroelectric substance memory chip having a memory cell region in which a plurality of memory cells having ferroelectric substance capacitors are arranged, an electromagnetic wave shielding layer 46 for shielding external electromagnetic waves is formed on the memory cell region. - 特許庁

メモリ容量が少ない携帯電話機のような携帯通信端末におけるブックマークの利用に対し、メモリ容量を節約でき、処理に係る負荷を低減できるブックマーク管理システム及び携帯通信端末を提供する。例文帳に追加

To provide a bookmark management system and a portable communication terminal capable of saving memory capacity and reducing a load for a processing in use of a bookmark in the portable communication terminal such as a cellular telephone with small memory capacity. - 特許庁

携帯電話機の操作に伴う映写のブレを防止し、携帯電話機のメモリ容量の制限を受けず、携帯電話機の電池消費量の制限を受けずに、長時間の映写を可能にする。例文帳に追加

To attain a projection for a long time without being restricted by a memory capacity of a mobile phone and restricted by a battery consumption of the mobile phone by preventing the mobile phone from shaking caused by its operation. - 特許庁

このように、電池１０の起電力が低下した後には省電力モードに移行して電池１０の消耗を抑制して、その後にも流量計測部１による流量計測機能などのようなガスメータとしての機能を相当期間に亘り継続させる。例文帳に追加

After that, function as a gas meter like flow rate measuring function by a flow meter measuring part 1 is made to continue for a considerable period. - 特許庁

メモリ初期化回路６を設けて、電源検出部６１で検出されたメモリの電源ＶＣＣ２の立ち上がりに応じて、パワーアップシーケンス部６２でメモリに対してメモリ外部からの制御コマンドを受け入れ可能な状態とするためのパワーアップシーケンスを実行する。例文帳に追加

By providing a memory initialization circuit 6, a power up sequence to set a state that a control command from the outside of the memory is acceptable is executed to the memory by a power up sequence part 63 according to the buildup of the power source VCC2 of the memory detected by a power detecting circuit part 61. - 特許庁

導電性の粒子５は珪素、チタン、タングステン、鉄、マンガン、モリブデン、ジルコニウムの内の少くとも１つの化合物である。例文帳に追加

The electroconductive particle 5 is a compound of at least one among silicon, titanium, tungsten, iron, manganese, molybdenum and zirconium. - 特許庁

モリブデン系沈澱物を、ｐＨが６．５以下であり、少なくとも０．０１モル／Ｌ以上のアンモニウム根を含む酸性水溶液を用いて洗浄する。例文帳に追加

Precipitates of a molybdenum compound is washed with an acidic aqueous solution having a pH of ≤6.5 and including at least 0.01 mol/l of ammonium groups. - 特許庁

メモリ素子ＲＭの記憶層ＭＬを、下部電極ＢＥ側の第１の層ＭＬ１と上部電極ＴＥ側の第２の層ＭＬ２で形成する。例文帳に追加

A storage layer ML of a memory element RM is formed of a first layer ML1 on the side of a lower electrode BE and a second layer ML2 on the side of an upper electrode TE. - 特許庁

モリブデン化合物は、（Ａ）触媒にモリブデン化合物を担持させる方法；（Ｂ）担持型の触媒を使用し、その触媒中の担体にモリブデン化合物を担持させる方法；（Ｃ）液相酸化を行う反応液中に、モリブデン化合物を溶解および／または分散させる方法；などにより、液相酸化を行う反応系中に存在させることができる。例文帳に追加

The molybdenum compound can be made to be present in the liquid-phase oxidization reaction system by (A) a method to support the molybdenum compound on the catalyst; (B) a method to use a supported catalyst and support the molybdenum compound on the carrier in the catalyst; (C) a method to dissolve and/or disperse the molybdenum compound in the reaction liquid to perform the liquid-phase oxidization; etc. - 特許庁

植物効果発現促進剤は、固形化可能で且つ水溶性の基材と、該基材に含有されたモリブデン化合物とから成る棒状に成型されたもので、該基材１００重量部に対してモリブデン化合物が１重量部以上含有されている。例文帳に追加

The effect development promoting agent for plants is formed into a rod-like shape and comprises a base material which can be solidified and is water-soluble, and a molybdenum compound contained in the base material, in which at least 1 pt.wt. of the molybdenum compound is contained based on 100 pts.wt. of the base material. - 特許庁

ＤＲＡＭのメモリセルの下部電極５１となるルテニウム膜５５上に白金膜７９を形成し、さらにシリコン酸化膜７１を形成する。例文帳に追加

A platinum film 79 is formed on a ruthenium film 55 that becomes a lower electrode 51 of the memory cell of a DRAM, and, furthermore, a silicon oxide film 71 is formed. - 特許庁

見積処理サーバ１１０は、例えば見積依頼者Ｐから見積依頼があった時に、その見積依頼内容を登録し、見積依頼者Ｐの指定する区分に属する見積回答者の端末１３１、１３２に見積依頼の発生を知らせる電子メールを経路１０２で送信する。例文帳に追加

This estimate processing server 110 registers the contents of the request for estimate, for example, when the request for estimate is given by the customer P who asks the estimate, and transmits an electronic mail informing the existence of the request for estimate to terminals 131, 132 of estimate respondents belonging to a section indicated by the customer P through a route. - 特許庁

プリント基板に半導体メモリなどの電子部品を差し込むためのソケット部品を、その形状から「ゲタ」と呼ぶ。例文帳に追加

A socket component used to put electronic components such as semiconductor memory into the printed-circuit board is called 'Geta' from its shape.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

モリブデンとシリコンとの金属間化合物を必須的に含有するモリブデン−シリコン系金属材料からなるオキシナイトライドガラス溶製用耐火物材料である。例文帳に追加

The refractory material for smelting the oxynitride glass consists of a molybdenum-silicon-base metallic material essentially containing an intermetallic compound of molybdenum and silicon. - 特許庁

軟化点１２０℃以下の金属石けんを形成する脂肪酸及び金属化合物の存在下で、モリブデン化合物と脂肪酸を反応させることによりモリブデン石けん含有金属石けんを製造する。例文帳に追加

The metallic soap containing molybdenum soap is produced by reacting a fatty acid with a molybdenum compound in the presence of a fatty acid and a metal compound that form a metallic soap having ≤120°C softening point. - 特許庁

本発明の不揮発性メモリの製造方法は、下部電極１４と、下部電極１４の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層１５と、金属酸化物の層１５の表面に形成された上部電極１６と、を備えた不揮発性メモリ１０の製造方法である。例文帳に追加

The method to to manufacture a nonvolatile memory 10, the nonvolatile memory 10 has lower electrodes 14, a metal oxide layer 15 having variable resistance property formed on the surface of the lower electrodes 14, and upper electrodes 16 formed on the surface of the metal oxide layer 15. - 特許庁

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。例文帳に追加

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24. - 特許庁

第１種の強誘電体メモリ素子ＭＣ１は、例えば下部電極２４の下面に接触する密着層２５が酸化チタンで形成されており、第２種の強誘電体メモリ素子ＭＣ２は、下部電極２４の下面に接触する密着層２６が酸化タンタルで形成されている。例文帳に追加

The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide. - 特許庁

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ））の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。例文帳に追加

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal (such as molybdenum (Mo)) oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride. - 特許庁

メモリＬＳＩ３の動作に応じて、メモリＬＳＩ３の給電系に接続された容量値可変のデカップリングコンデンサ部品５の容量値を動的に制御することにより、少ないチップ部品でメモリＬＳＩ３の給電系の広帯域低インピーダンス化を実現する。例文帳に追加

Dynamic control of a capacitance value of a capacitance-variable decoupling capacitor component 5 that is connected with a power feeding system on a memory LSI3 depending on the operation of the memory LSI3 allows the wide bandwidth and low impedance of the power feeding system on the memory LSI3 with fewer chip components. - 特許庁

そこで、本発明では、マイカ基板１とモリブデン電極５との間にセラミック系材料の中間層２及びバインダ層４を介在させる。例文帳に追加

To cope with it, an intermediate layer 2 of ceramic material and a binder layer 4 are interposed between the mica substrate 1 and a molybdenum electrode 5. - 特許庁

メモリなどの半導体回路の保護層102の上に、誘電体粒子202を含有する誘電体分散層201を形成する。例文帳に追加

A dielectric scattering layer 201 containing dielectric particles 202 is formed on the protective layer 102 of a semiconductor circuit, such as the memory, etc. - 特許庁

したがって、軽量、細径、安価で、しかも電気特性も良好な直流電力ケーブルを得ることができる。例文帳に追加

The DC power cable having light weight, a small diameter, a low cost, and high electric characteristics can be obtained. - 特許庁

メモリ等の第１回路ブロック３０内には、この回路に給電する環状電源配線３２が形成されている。例文帳に追加

An encircling power wire 32 for supplying power to the circuit is formed within a first circuit block 30, such as a memory block. - 特許庁

拡張モジュール２は、その装着部２１が携帯電話機等の電子機器に、メモリカードに代えて装着される。例文帳に追加

In the extended module 2, a mounting part 21 is mounted on electronic equipment such as a portable telephone set instead of a memory card. - 特許庁

メモリ等の第１回路ブロック３０内には、この回路に給電する環状電源配線３２が形成されている。例文帳に追加

An annular power wiring 32 for feeding to the circuits of a first circuit block 30 is formed in the block 30, such as memories. - 特許庁

第１電極と第２電極間に有機活性層を含むメモリ素子であって、該有機活性層がヘテロ原子（ｈｅｔｅｒｏ ａｔｏｍ）を含む電気伝導性有機物によって形成される有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

A memory device includes an organic active layer between a first electrode and a second electrode, wherein the organic active layer is formed of an electroconductive organic including a hetero atom. - 特許庁

給油所の決済システム１０は、顧客は、給油に先立ち所有する携帯型電話機２０を携帯電話接続部２１ａに接続すると、制御部１９ａは、顧客の携帯型電話機２０のメモリに記憶された電話番号を携帯電話接続部２１ａを介して読み取る。例文帳に追加

In a settlement system 10 of the gas station, when a customer connects an owned portable telephone set 20 to a portable telephone connection part 21a prior to refueling, a control part 19a reads a telephone number stored in a memory of the portable telephone set 20 of the customer through the portable telephone connection part 21a. - 特許庁

前記抗菌性金属成分は、銀、白金、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト、モリブデン、クロムなどであってもよく、前記抗菌性有機成分は、抗カビ剤（イミダゾール系化合物、チオカルバメート系化合物、有機酸系化合物、チアゾロン系化合物、トロポロン系化合物等）などであってもよい。例文帳に追加

The antimicrobial metal component may be silver, platinum, copper, zinc, nickel, cobalt, molybdenum, chromium or the like, and the antimicrobial organic component may be an antifungal agent (an imidazole-based compound, a thiocarbamate-based compound, an organic acid-based compound, a thiazolone-based compound, a tropolone based compound or the like) or the like. - 特許庁

第１の内部電圧発生回路は、メモリバンクＢＡＮＫ０〜３のいずれかがアクティブ状態である場合に内部電圧ＶＰＥＲＩを供給し、第２の内部電圧発生回路は、対応するメモリバンクＢＡＮＫ０，１のいずれか又はＢＡＮＫ２，３のいずれかがアクティブ状態であって、且つ、バースト動作を行っている期間に内部電圧ＶＰＥＲＩを供給する。例文帳に追加

The first internal voltage generating circuit supplies internal voltage VPERI when any of memory banks BANK 0 to 3 is in an active state, the second internal voltage generating circuit supplies internal voltage VPERI in a period in which any of the corresponding memory banks BANK0, 1 or any of BANK 2, 3 is in an active state also burst operation is performed. - 特許庁

本発明は、１００℃における動粘度が１〜２０ｍｍ^２／ｓである潤滑油基油と、モリブデンジチオカーバメートと、モリブデンジチオホスフェートと、金属サリシレート系清浄剤とを含有するエンジン油組成物を提供する。例文帳に追加

The engine oil composition includes a lubricating base oil whose kinematic viscosity at 100°C is 1-20 mm^2/s, molybdenum dithiocarbamate, molybdenum dithiophosphate, and a metal salicylate-based cleaner. - 特許庁

また、ボス部１５の端面１５Ｃ、ブラケット部１７の端面１７Ｃにはそれぞれ二硫化モリブデン処理層２４、二硫化モリブデン処理層２５を形成する。例文帳に追加

Also a molybdenum disulfide treated layer 24 and a molybdenum disulfide treated layer 25 are formed on the end face 15C of the boss part 15 and the end face 17C of the bracket part 17, respectively. - 特許庁

重錘体に薄い板状の部材を形成して重錘体の上面の表面積を増加させ、重錘体と電極間の容量を増加させて素子の感度を上げることができるようにした静電容量型センサを提供すること。例文帳に追加

To provide a capacitance sensor with the sensitivity of its element enhanced by increasing the surface area of a top face of a weight through forming a thin plate-like member on the weight, thereby increasing capacitance between the weight and an electrode. - 特許庁

このようなフォトマスク３４を用いて、メモリセルアレイ形成領域における絶縁層に、キャパシタの下部電極が形成される開口部を形成し、メモリセルアレイ形成領域と周辺回路形成領域との境界における絶縁層に溝を形成する。例文帳に追加

Using the photo mask 34, openings for bottom electrodes of a capacitor are formed in an insulating layer in a memory cell array formation region, and grooves are formed in the insulating layer in a boundary between the memory cell array formation region and a peripheral circuit formation region. - 特許庁

不揮発性半導体メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に非晶質合金酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極とを備える非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The nonvolatile memory device containing an amorphous alloy oxide layer comprises a lower electrode, an oxide layer containing an amorphous alloy oxide and formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the oxide layer. - 特許庁