「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

水に溶解又は分散可能な樹脂としてはウレタン系樹脂が、固体潤滑剤としてはモリブデン原子を含む固体潤滑剤が好ましい。例文帳に追加

The water-soluble or water-dispersible resin is preferably a urethane resin, and the solid lubricant is preferably the one containing molybdenum atoms. - 特許庁

フロントエンド部１１９からバックエンド部１２０への指示系統として、情報伝達回路２０９と共有メモリ２０１を追加する。例文帳に追加

As an instruction system from a front end part 119 to a backend part 120, an information transmission circuit 209 and a shared memory 201 are added. - 特許庁

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant. - 特許庁

下部電極２０２を形成するステップ、下部電極２０２の上に配置される巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）メモリ膜２０４を形成するステップ、メモリ膜２０４の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層２０６（通常、金属酸化物）を形成するステップ、および半導体バッファ層２０６の上に配置される上部電極２０８を形成するステップを包含する。例文帳に追加

This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206. - 特許庁

これによって、伝動ベルト４が原動プーリ小径部２３ａ又は従動プーリ小径部３３ａに位置していても、両プーリの小径部側では伝動ベルト４の伝動面全体と密接させて、伝動ベルト４から両プーリにかかる面圧を略均一にする。例文帳に追加

Thus, even if a transmission belt 4 is positioned in the driving pulley small diameter part 23a or the driven pulley small diameter part 33a, bearing pressure applied to both pulleys from the transmission belt 4 is substantially uniformized by being brought into close contact with the whole transmission surface of the transmission belt 4 on the small diameter part side of both pulleys. - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明では、圧電基板の表面に、銅を主成分としてモリブデンを添加した合金、あるいは銅を主成分とし、モリブデンとアルミニウムとを添加した合金を電極材料として電極を形成する。例文帳に追加

The electrode is formed to the surface of the piezoelectric substrate with an electrode material of an alloy, the principal component of which is copper and in which molybdenum is added thereto or an alloy the principal component of which is copper and in which molybdenum and aluminum are added thereto. - 特許庁

重り部と検出部とで構成される圧電素子単板を含む加速度センサであり、重り部が受けた慣性力に応じて前記検出部に発生した電気信号を検出する検出電極と、検出電極を形成した面と対向する面に設けたグランド電極とを有する。例文帳に追加

This acceleration sensor including a piezoelectric single plate constituted of an overlapping part and a detection part, is provided with a detection electrode detecting an electric signal generated in the detection part according to inertia force applied to the overlapping part and a ground electrode arranged on the surface facing the surface for forming the detection electrode. - 特許庁

メモリブロックは、他のメモリブロックとウェル領域が分離され、ウェル領域に電気的に消去及び書き込み可能な不揮発性メモリセルが形成され、消去単位とされる。例文帳に追加

The well area of the memory block is separated from other memory blocks and nonvolatile memory cells which are electrically erasable and electrically writable are formed in the well area and the memory cells are made an erasure unit. - 特許庁

ショットキー電極としてクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属の炭化物層を形成し、更にその上にクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属層を形成することで、デバイス特性の変動を小さく抑える構成を有している。例文帳に追加

A carbide layer of a metal selected among Cr, Mo, W and their alloys is formed as a Schottky electrode, and a layer of a metal selected among Cr, No, W and their alloys is formed thereon to suppress the variations of the device characteristics to a lower extent. - 特許庁

この時の陰極１３２を酸化反応が起きないモリブデン（Ｍｏ）、あるいは仕事関数の低い金属層とモリブデン層の二重層で形成し、保護膜を除去する過程で、モリブデン層を除去することにより陰極１３２の酸化を防ぐ。例文帳に追加

The cathode 132 in this case is formed by molybdenum (Mo) for preventing an oxidation reaction from occurring, or a double layer of a metal layer having a small work function and a molybdenum layer, and the molybdenum layer is removed in a process for removing a protective film, thus preventing the cathode 132 from being oxidized. - 特許庁

シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。例文帳に追加

To secure sealing properties around electrodes forming a flow passage even when the electrodes are inserted or retreated into/from a cylinder in a cylinder block. - 特許庁

相変化メモリ電極は金属と非金属の混合物によって形成することができ、電極は金属原子よりも少ない窒素原子を持つ。例文帳に追加

The phase change memory electrode can be formed with a mixture of a metal and a non-metal, the electrode having less nitrogen atoms than metal atoms. - 特許庁

本発明のメモリセルでは、コントロールゲート電極ＣＧ上に絶縁膜ＩＦ１を介してブーストゲート電極ＢＧが形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor device, a memory cell has a boost gate electrode BG formed on a control gate electrode CG via an insulating film IF1. - 特許庁

電子メールを利用して、電話番号等のメモリ情報を外部端末にバックアップ可能な携帯端末を提供する。例文帳に追加

To provide a portable terminal capable of backing up memory information such as a telephone number or the like into an external terminal system by using an e-mail system. - 特許庁

繰り返し単位に含まれる一部のメモリセルの第２導電型のウェル内に第２導電型のウェルタップ領域が形成されている。例文帳に追加

The second conductivity type well tap region is formed in the second conductivity type well of a part of memory cell included in the repeated units. - 特許庁

携帯電話機に装着されたメモリ・カード内の画像データを反射波通信によりテレビ受像機などの外部機器に好適に伝送する。例文帳に追加

To desirably transmit image data inside a memory card installed in a cellphone to external equipment such as a television set by reflected wave communication. - 特許庁

メモリストリングＭＳは、柱状部を含むＵ字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。例文帳に追加

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer. - 特許庁

制御部１１ｄは、伝送時間計測部１１ｅによって、割当て時間内に親局１１と子局１３との間で伝送に要した時間である伝送時間を計測してメモリ１１ｆに記憶させる。例文帳に追加

A transmission time measurement section 11e measures a transmission time being a time required for transmission between a master station 11 and a slave station 13 within an assigned time and a control section 11d stores the measured time into a memory 11f. - 特許庁

本発明の方法は、ある面積を有する下部電極１０２を形成する工程と、下部電極の上に、非対称面積を有するＣＭＲメモリ膜１０６を形成する工程と、ＣＭＲ膜の上に、下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極１１０を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the asymmetrical area memory cell includes a step of forming a lower electrode 102 having a certain area, a step of forming a CMR memory film 106 having an asymmetrical area on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode 110 having an area narrower than the lower electrode area. - 特許庁

また、得られたモリブデン超微粉は、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で徐酸化処理することにより、表面にモリブデン酸化物被膜を形成させることが好ましい。例文帳に追加

Further, it is preferable that the obtained molybdenum ultrafine powder is subjected to gradual oxidation treatment in an inert gas atmosphere containing oxygen, so as to form a molybdenum oxide film on the surface. - 特許庁

可動電極３０は、略Ｘ字平面形状をなすように２本の棒３１ａ、３１ｂが交差してなる錘部３１と、錘部３１から延びる櫛歯状の電極部３２とを備える。例文帳に追加

The electrode 30 is equipped with a weight portion 31 comprising two bars 31a and 31b crossing each other so as to form an X-shaped flat surface and electrode parts 32 shaped like comb teeth and extending from the weight part 31. - 特許庁

本実施形態では、駆動電極を介して高周波電圧を印加することにより圧電体２５を振動させ、その振動を錘１３や梁１２などの可動部に伝えることによって錘を剥がす。例文帳に追加

In this embodiment, the piezoelectric body 25 is vibrated by applying a high-frequency voltage thereto via the drive electrode, and the vibration is transferred to the movable part such as the weight 13 or the beam 12, to thereby remove the weight. - 特許庁

第１メモリセルアレイは、ストライプ状に形成された下部電極３８と、下部電極３８と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３６と、下部電極３８と、上部電極３６との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。例文帳に追加

The first memory cell array contains a lower electrode 38 formed in a striped shape, an upper electrode 36 formed in the striped shape in the direction crossed with the electrode 38, the ferroelectric capacitors 34 arranged at least at the crossed section of the electrode 38 and the electrode 36, and a buried insulating layer 32 formed between the mutual capacitors 34. - 特許庁

第１メモリセルアレイ３０は、ストライプ状に形成された下部電極３６と、下部電極３６と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３８と、下部電極３６と、上部電極３８との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。例文帳に追加

The first memory cell array 30 includes a lower electrode 36 formed into a stripe shape, an upper electrode 38 formed in a stripe shape in a direction intersecting the lower electrode 36, a ferroelectric capacitor 34 arranged at the intersecting portion of the lower electrode 36 and the upper electrode 38, and an embedded insulation layer 32 formed between the ferroelectric capacitors 34. - 特許庁

本発明に係る携帯電話機１においては、メモリ６に、質問定型文テーブル、入力文字列格納テーブル、及びメッセージ定型文テーブルが設けられる。例文帳に追加

Concerning a portable telephone set 1 related to the invention, a memory 6 is provided with a routine question sentence table, an input character string storage table and a routine message sentence table. - 特許庁

そして、ボタン電話機３の相手携帯端末の発信時にはメモリ２Ｅにその相手携帯端末の電話番号に対に登録されたその携帯端末のキャリアと同一キャリアの内部携帯端末５から発信させる。例文帳に追加

When a key telephone set 3 calls the opposite mobile terminal, the key telephone system allows its internal mobile terminal 5 using the same carrier as that registered in the memory 2E in pairs with the telephone number of the opposite mobile terminal. - 特許庁

尚、本実施形態では、電源８がメモリドライブ装置２のコントローラ３、フラッシュメモリ７、及び充電回路５に電圧Ｖを供給している。例文帳に追加

In this implementation configurations, a power source 8 supplies a voltage V to a controller 3, a flash memory 7 and a charging circuit 5 of the memory drive device 2. - 特許庁

円板形状からなる単一部材（タンタルやモリブデン）の上方からは、その厚さ方向中心部まで矩形の上部彫り込み穴２が形成されている。例文帳に追加

A rectangular upper carved hole 2 is formed into a single discoid member (made of tantalum or molybdenum), from the upper surface of the member to the central part of the member in the thickness direction. - 特許庁

メモリセルキャパシタＣは、第１の水素バリア膜８の上に形成された下部電極７と、下部電極７の上に形成された強誘電体材料からなる容量絶縁膜９と、容量絶縁膜９の上に形成された上部電極１０を備える。例文帳に追加

The memory cell capacitor C comprises a lower electrode 7 formed on a first hydrogen barrier film 8, a capacity insulating film 9 made of a ferroelectric material formed on the electrode 7, and an upper electrode 10 formed on the film 9. - 特許庁

少なくともリチウム塩及び非水系有機溶媒を含有する非水系電解液であって、該非水系電解液が、ホスファゼン類及びリン酸エステル類から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有し、更に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする非水系電解液。例文帳に追加

A nonaqueous electrolyte at least containing a lithium salt and a nonaqueous organic solvent contains at least one compound selected from phosphazenes and phosphate esters, and further contains a compound represented by the following general formula (1). - 特許庁

タングステン電極とモリブデンコイル棒と導電性サーメット棒とを同一軸線上に接合した電極アセンブリを使用し、ランタノイドを含む金属ハロゲン化物および緩衝ガスが封入された発光部を有するセラミックメタルハライドランプを設計する際には、透光性スリーブの端面は、前記電極アセンブリのモリブデンコイル棒が配置された部分に位置するように設計する。例文帳に追加

When an electrode assembly joining a tungsten electrode, a molybdenum coil bar, and a conductive cermet bar on the same axis is used and a ceramic metal halide lamp having a light-emitting unit where metal halide including lanthanoid and a buffer gas are enclosed is designed, an edge of a translucent sleeve is designed to be positioned at a section where the molybdenum coil bar of the electrode assembly is arranged. - 特許庁

第２錘７の中心部に形成した突起７ａが前記圧電素子２のリング内に挿入され、前記突起７ａを介して錘接合ネジ８で第１錘６と第２錘７とが結合されている。例文帳に追加

A projection 7a formed in the middle of the second bob 7 is inserted in the ring of the piezoelectric element 2 and the first bob 6 and the second bob 7 are combined with a bob contact screw 8 by way of the projection 7a. - 特許庁

Ｘ線光電子分光分析により測定される該導電性樹脂被覆層の表面おける硫黄原子、モリブデン原子の存在率と、表面から２μｍの深さにおける硫黄原子、モリブデン原子の存在率が特定の関係を有する。例文帳に追加

The developer carrier has a specific relation between the proportion of the sulfur atoms and the molybdenum atoms present in the surface of the conductive resin coating layer measured by X-ray photoelectron spectroscopic analysis and the proportion of the sulfur atoms and the molybdenum atoms present at a depth of 2 μm from the surface. - 特許庁

例えば、第１保護管の先端部２２の組成はモリブデン７０質量％及びジルコニア３０質量％、基端部２１の組成はモリブデン７５質量％及びジルコニア２５質量％に形成されている。例文帳に追加

For example, the composition of the tip 22 of the first protective pipe is 70 mass% molybdenum and 30 mass% zirconia, and the composition of the base end 21 is 75 mass% molybdenum and 25 mass% zirconia. - 特許庁

モリブデン含有液を吸収させた吸収材をソーダ焙焼するので、モリブデン含有液に含まれる物質の濃度などに関係なく処理することができる。例文帳に追加

Since the absorbing material caused to absorb the molybdenum-containing liquid is subjected to sodium roasting, treatment can be performed irrespective of the concentration of a substance contained in the molybdenum-containing liquid, or the like. - 特許庁

メモリーカード８をスロット５に装着したときは、図示していないスロット５内に設けられた接続端子がメモリーカード８の電極に接触し、メモリーカード８が携帯電話無線機１の内部の回路に接続され、外部メモリーとして使用される。例文帳に追加

When the memory card 8 is loaded in the slot 5, connection terminals set in the slot 5 are in contact with electrodes of the memory card 8, so that the memory card 8 is connected to an internal circuit of a cellular phone radio unit 1 and used as an external memory. - 特許庁

タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびクロムは炭化物の形態でサーメット合金中に含まれている。例文帳に追加

Tungsten, tantalum, niobium, molybdenum and chrome are included in the cermet alloy in the form of carbide. - 特許庁

鋼材表面がモリブデン系化合物を含有するブチラール樹脂に覆われてなる表面処理鋼材。例文帳に追加

In this surface treated steel, the surface of steel is coated with a butyral resin containing a molybdenum compound. - 特許庁

また後者の被覆部の成形材料としてはソリッドタイプ高分子材料が適しており、特に二硫化モリブデン入りナイロンが好適である。例文帳に追加

A solid polymeric material is suitable to a forming material of the latter covering part, especially nylon containing molybdenum disulfide is suitable. - 特許庁

二硫化モリブデン含有投射用材料において、物質表面の摩擦係数を有効に低下せしめることができる材料を開発する。例文帳に追加

To develop molybdenum disulfide for projection, which can effectively reduce friction coefficient of the surface of a substance. - 特許庁

金属酸化物絶縁膜内に電荷保存ナノクリスタルを有する集積回路メモリ装置のゲート構造物及びその形成方法例文帳に追加

GATE STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE HAVING CHARGE STORING NANO CRYSTALS IN METAL OXIDE DIELECTRIC FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

また、廃トナー回収部材１５を、トレイ状に形成して廃トナー溜め１６を設け、さらに電界カット部材としても利用する。例文帳に追加

Also, the waste toner recovering member 15 is formed into a tray-like shape so as to provide a waste toner receiver 16, and is also used as an electric field cutting member. - 特許庁

本多層系はルテニウム、酸化アルミニウム、シリコンカーバイド、炭化モリブデン、炭素、窒化チタン、または二酸化チタンから作られる保護層を有する。例文帳に追加

The multilayer system has a protective layer formed from ruthenium, aluminum oxide, silicon carbide, molybdenum carbide, carbon, titanium nitride or titanium dioxide. - 特許庁

携帯電話の外部接続端子に着脱容易でＩＤナンバーとパスワードを記憶したメモリーを持ち、携帯電話の簡単なボタン操作でメモリー内容を携帯電話から発信する事ができる機能を持った短縮キー装置を用いて機器類の遠隔操作システムを構成する。例文帳に追加

The remote control system for equipment is configured by using an abbreviated key device, which is easily attachable to and detachable from the external connecting terminal of a portable telephone, has a memory storing the ID number and the password and has a function capable of transmitting memory contents from the portable telephone by the simple button operation of the portable telephone. - 特許庁

ＩＤナンバーとパスワードを記憶したメモリーを持ち、携帯電話の簡単なキー操作でメモリー内容を携帯電話から発信する事ができる機能を持った短縮キー装置を携帯電話の外部接続端子に着脱容易な形で装着する。例文帳に追加

The present invention is fitted with a memory in which an ID number and a password are stored and allows an abbreviated key device with a function capable of transmitting stored contents by a simple key operation of the portable phone to be attached to and removed from an external connection terminal of the portable phone in a simple manner. - 特許庁