「けいかもりぶでん」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

電子回路３１は、通常モードにおいて外部メモリ３４とアクセス可能な制御部４１と、外部メモリより消費電力の少ない内部メモリ４４と、ネットワークＩ／Ｆ６７と、省電力モードにおいて、ネットワークＩ／Ｆ６７から内部メモリ４４へのアクセスを可能とする第２アクセス経路Ｇ２，Ｆ２と、経路切替部６５とを含む。例文帳に追加

The electronic circuit 31 includes: a control part 41 capable of accessing an external memory 34 in a normal mode; an internal memory 44 whose power consumption is less than that of the external memory 34; a network I/F 67; second access routes G2, F2 capable of accessing the internal memory 44 from the network I/F 67; and a route switching part 65. - 特許庁

前記放出性活性化合物が、害虫防除剤、滑剤、帯電防止剤および防曇剤からなる群より選ばれる化合物である成形体。例文帳に追加

The releasable active compound is selected from the group consisting of an insect pest control agent, a lubricant, an antistatic agent, and an anti-fogging agent. - 特許庁

溶射過程での二硫化モリブデンの熱分解防止を図ることができ、二硫化モリブデンを含有する溶射皮膜の形成を可能とする溶射用粉末及びその製造方法並びに該溶射用粉末を用いた溶射方法を提供する。例文帳に追加

To provide powder for thermal spraying which can prevent thermal decomposition of molybdenum disulfide in a thermal spraying process and permits formation of a thermally sprayed film containing the molybdenum disulfide, a method for manufacturing the same, and a thermal spraying method using the powder for thermal spraying. - 特許庁

自己整合スプリットゲート型メモリセルのサイドウォールゲート電極高さがロジック部のゲート電極高さを上回るように、サイドウォールを形成するメモリ部選択ゲート電極をロジック部ゲート電極より高く形成する。例文帳に追加

A memory selection gate electrode for forming a side wall is formed higher than a logic gate electrode, so that a side wall gate electrode of a self-matching split-gate memory cell becomes higher than a logic gate electrode. - 特許庁

一方、燃料電池８０から取り出された電力は、「駆動系電源」として供給されるとともに、記録制御部１００にも供給され、主に記録制御部１００を動作させるための「制御系電源」としても利用される。例文帳に追加

On the other hand, a power fetched from a fuel battery 80 is supplied as a "driving system power source", and supplied to a recording control part 100, and used as a "control system power source" for mainly operating the recording control part 100. - 特許庁

時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time. - 特許庁

前記基準電圧に温度係数（Ｖ／℃）を持たせることにより、出力高電圧の温度係数（Ｖ／℃）がメモリトランジスタへの高電圧印加をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳスイッチングトランジスタのしきい値電圧の温度係数（Ｖ／℃）に等しくなるように基準電圧生成回路の回路定数を決める。例文帳に追加

Circuit constant of the reference voltage generating circuit is decided so that a temperature coefficient (V/°C) of the output high voltage is equalized to a temperature coefficient of threshold voltage of a MOS switching transistor performing ON/OFF of applying high voltage for a memory transistor by giving a temperature coefficient (V/°C) to the reference voltage. - 特許庁

信号線からメモリ部への画像データの書き込みと、メモリ部から液晶セル部への画像データの読み出しとを同じ経路で行うと、メモリ部に画像データを書き込むときに、メモリ部内の保持データが画素電位の影響を受けて書き換わってしまう。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device in which an influence of a pixel potential when writing a data in a memory part is eliminated, and a large margin for dispersion of the transistors composing pixel circuits is allowed, and to provide a portable terminal device using the same. - 特許庁

素子分離構造体及び第１のゲート絶縁膜上に、第１の導電膜を形成し、メモリセル部上の部分を除去する。例文帳に追加

A first conductive film is formed on the element isolation structure and the first gate insulation film, and a part on a memory cell portion is eliminated. - 特許庁

電源状態に応じて不揮発性メモリのブロック回収を行う装置は、所定のデータが格納される不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに割り当てられた物理ブロックを携帯用装置の電源状態に基づいて回収する電源管理部とを含む。例文帳に追加

The apparatus collects garbage block of the nonvolatile memory according to the power state includes: the nonvolatile memory in which predetermined data is stored; and a power managing unit which collects a physical block allocated to the nonvolatile memory based on the power state of the portable device. - 特許庁

低温かつ短時間で比抵抗の小さい導電性被膜を形成することができ、耐熱性の低い基材にも良好に導電性被膜を形成することができる導電性組成物および該導電性組成物を用いた導電性被膜の形成方法ならびに導電性被膜の提供。例文帳に追加

To provide a conductive composition capable of forming a conductive coating film of low specific resistance at a low temperature in a short time, and capable of forming satisfactorily the conductive coating film even on a base material of low heat resistance, to provide a method of forming the conductive coating film using the conductive composition, and to provide the conductive coating film. - 特許庁

低温かつ短時間で比抵抗の小さい導電性被膜を形成することができ、耐熱性の低い基材にも良好に導電性被膜を形成することができる導電性組成物および該導電性組成物を用いた導電性被膜の形成方法ならびに導電性被膜の提供。例文帳に追加

To provide a conductive composition which is capable of forming a conductive coating whose specific resistance is small at a low temperature in a short time, and also capable of favorably forming the conductive coating even on a base material low in heat resistance. - 特許庁

低温かつ短時間で導電性被膜を形成することができ、耐熱性の低い基材にも良好に導電性被膜を形成することができる導電性組成物および該導電性組成物を用いた導電性被膜の形成方法ならびに導電性被膜の提供。例文帳に追加

To provide a conductive composition, a forming method for a conductive film, and a conductive film capable of forming a conductive film at low temperature and during a short period and suitably forming the conductive film on a base material with low heat resistance. - 特許庁

また、累積度数分布の形状が概略直線であるＯＴＰメモリにおいては、この累積度数分布を用いてメモリ素子の書き込みに最適な電圧の値を推定し、メモリ素子の書き込みに最適な電圧を設定することにより、消費電力を低減させたＯＴＰメモリを提供することができる。例文帳に追加

In the OTP memory where a shape of the cumulative frequency distribution is substantially linear, the OPT memory of reduced power consumption is provided, by estimating the value of a voltage optimal for writing of the memory element by using the cumulative frequency distribution, and setting a voltage optimal for writing of the memory element. - 特許庁

不揮発性メモリのメモリセルＭＣは、半導体基板１の上部に、絶縁膜１７を介して形成された選択ゲート電極ＳＧと、電荷蓄積機能を有するＯＮＯ積層膜からなる絶縁膜２１を介して形成されたメモリゲート電極ＭＧとを有している。例文帳に追加

A memory cell MC of the nonvolatile memory has a selection gate electrode SG which is formed via an insulating film 17, and a memory gate electrode MG which is formed via an insulating film 21 composed of an ONO laminated film having a charge storage function, respectively, at the upper part of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

ウェーブパイプライン構造の出力回路では、同期式メモリ装置の高周波モード時にデータを伝達する経路と、同期式メモリ装置の低周波モード時にデータを伝達する経路とが分離される。例文帳に追加

In the wave pipelined output circuit, paths for transferring data in a high frequency mode of the synchronous memory device are separated from paths for transferring the data in a low frequency mode of the synchronous memory device. - 特許庁

本発明の液晶表示装置一体型メモリは、画素回路基板２６の画像非表示領域に、画素表示回路２７１（画素表示回路部２７に形成される）とは電気的に分離したメモリ回路２８１（メモリ回路部２８に形成される）が、マトリクス形成されてなることを特徴とする。例文帳に追加

In this liquid crystal display device integrated type memory, a memory circuit 281 (which is formed in a memory circuit part 28) which is separated electrically from a pixel display circuit 271 (which is formed a pixel display circuit part 27) is formed in a matrix shape in the pixel non-display area of a pixel circuit board 26. - 特許庁

さらに、電極がラベル面の反対側にあるメモリカードを基板上側に装着し、電極とラベル形成部が同一面にあるメモリカードを基板下側に装着するようにメモリカードホルダを実装する。例文帳に追加

Further, the memory card holders are mounted so that a memory card, whose electrodes are on the opposite side of a label surface, is installed on the upper side of the board, and the memory card, whose electrodes and label formed part are on the same surface, is installed on the lower side of the board. - 特許庁

このようにして形成される白金−モリブデン微粒子をカーボン粒子に担持して燃料電池用触媒とする（ステップＳ３）。例文帳に追加

The platinum-molybdenum particulate formed this way is carried in a carbon particle to make the catalyst for the fuel cell (step S3). - 特許庁

導電性、溶接性に優れ、しかも良好なプレス成形性を備えた導電部品用クラッド材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cladding material for conductive components excellent in conductivity and weldability, provided with a good press moldability, and its manufacturing method. - 特許庁

直径の異なる一対の電線を圧着する際にも両者を正確に位置決めできるように改良された電線のダブル圧着装置を提供する。例文帳に追加

To provide an improved double crimping device capable of precisely positioning a pair of wires with different diameters in crimping the same. - 特許庁

アクチュエータ１１の電極５２の周辺部は、電圧の印加に応じて光軸方向に盛り上がるように変形する。例文帳に追加

The periphery part of the electrode 52 of the actuator 11 is deformed to be swollen in an optical axis direction according as voltage is applied thereto. - 特許庁

時間が経過した後にも利用者の記憶によって目的の電子メールを容易に検索する電子メールシステムとその分類方法を提供する。例文帳に追加

To provide an e-mail system with which a target e-mail can be easily retrieved by user's memory even after time elapse and its classifying method. - 特許庁

異なる複数の素材電子文書から１つの統合電子文書を作成し、素材電子文書と統合電子文書との関係を容易に把握することができる情報処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリを提供する。例文帳に追加

To provide an information processor, its processing method and a computer-readable memory such that a relation between a material electronic document and an integrated electronic document is easily grasped by preparing the single integrated electronic document from plural different material electronic document. - 特許庁

ＳＩＭカード及びメモリカードを互いに分離するメモリカードソケット、及びＳＩＭカードを固定するために使用されるＳＩＭ固定部材の厚さが著しく小さく、薄型携帯電話への適応性を改善する、携帯電話用のメモリカード及びＳＩＭカード用取付けソケットを提供すること。例文帳に追加

To provide a mounting socket for a memory card and a SIM card for a cellular phone for improving adaptability to a thin cellular phone with extremely thin a SIM fixing member to be used for fixing a memory card socket which separates the SIM card and the memory card. - 特許庁

下部電極２０上には、メモリセル部でのゲート間絶縁膜７０と同一工程で形成された絶縁膜７０を介して、制御ゲート電極７５と同一工程で形成される上部電極３５が設けられている。例文帳に追加

Above the lower electrode 20, an upper electrode 35 formed in the same process as that of a control gate electrode 75 is disposed via an insulation film 80 formed in the same process as that of an intergate insulation film 55 in the memory cell section. - 特許庁

メモリゲート８は、一部が選択ゲート６の一方の側面に形成され、他部がメモリゲート８の下部に形成されたＯＮＯ膜７を介して選択ゲート６およびｐ型ウエル２と電気的に分離されている。例文帳に追加

A portion of the memory gate 8 is formed on the one side surface of the selection gate 6, and other portion of the memory gate 8 is electrically isolated from the selection gate 6 and a p-type well 2, with an oxide-nitride-oxide (ONO) film 7 formed in a lower portion of the memory gate therebetween. - 特許庁

メモリゲート８は、一部が選択ゲート６の一方の側面に形成され、他部がメモリゲート８の下部に形成されたＯＮＯ膜７を介して選択ゲート６およびｐ型ウエル２と電気的に分離されている。例文帳に追加

One part of the memory gate 8 is formed on one side face of the selection gate 6 and the other part is electrically separated from the selection gate 6 and a p-type well 2 through an ONO film 7 formed at the lower part of the memory gate 8. - 特許庁

本発明は、電気化学的または化学的にリチウムを吸蔵、放出可能な活物質を集電体上に堆積して形成したリチウム２次電池用電極材料としての銅箔であって、該銅箔は表面にモリブデン含有層が形成されているリチウム２次電池電極用銅箔である。例文帳に追加

In the copper foil as a electrode material for a lithium secondary battery formed by putting an active material capable of electrochemically or chemically absorbing and releasing lithium on a current collector, a molybdenum-containing layer is formed on the surface. - 特許庁

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。例文帳に追加

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer. - 特許庁

メモリ部１３Ａは情報作成部１１からの速度制御情報に基づいて電文を形成し、カウンタ１３Ｂのカウント動作と連動して形成した電文を最初から送信する。例文帳に追加

The memory part 13A forms a telegraphic message on the basis of the speed control information from the information preparing part 11 and it sends the formed telegraphic message from the beginning in association with counting action of the counter 13B. - 特許庁

モリブデン酸又は酸化モリブデンを予め含有させたリン酸溶液を電解質として備え、リン酸溶液に含有されるモリブデン酸又は酸化モリブデンの含有濃度が、運転経過に伴って上昇しても、積算運転時間が目標時間に達した時点においては許容値以下になるように、運転初期における含有濃度が定められている。例文帳に追加

As electrolyte the phosphoric acid type fuel cell uses phosphoric acid solution in which molybdic acid or oxidated molybdenum is contained previously, wherein the concentration of the molybdic acid or oxidated molybdenum in the solution in the initial period of operation is determined so that it becomes below the allowable value when the cumulated operating time has attained the target time even in the case the concentration rises in the course of operation. - 特許庁

その後ダミーゲートＤＧを除去し、ダミーゲートＤＧが配置されていた箇所に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを順に形成することで、メモリゲート電極の側方下部にメモリソース・ドレイン領域ＳＤｍが配置された構造を形成する。例文帳に追加

Then the dummy gate DG is removed, and a charge storage film and a memory gate electrode are formed in order at a place where the dummy gate DG has been disposed to form a structure having the memory source-drain region SDm disposed at a lower part in the side of the memory gate electrode. - 特許庁

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer. - 特許庁

基板１０上に、下部電極３２、強誘電体薄膜３４及び上部電極３６がこの順に形成されてメモリ容量３０が構成され、該メモリ容量３０を覆って層間絶縁膜４０が形成され、該絶縁膜４０上に多結晶シリコンＴＦＴ２０が形成されている。例文帳に追加

A lower electrode 32, a ferroelectric-material thin film 34 and an upper electrode 36 are formed in this order on a substrate 10 to constitute a memory capacity 30, an interlayer insulating film 40 is formed covering the memory capacity 30, and polycrystal silicon TFT20 is formed on the insulating film 40. - 特許庁

窒素ガスの雰囲気中または窒素と不活性ガスとの混合ガスの雰囲気中アーク放電を行い、生成する直流アークプラズマをモリブデン金属塊に照射して球状モリブデン金属粒子を形成する。例文帳に追加

Arc discharge is performed in an atmosphere of gaseous nitrogen or a gaseous mixture of gaseous nitrogen and inert gas, and the generated d.c. arc plasma is emitted on a molybdenum metal lump, so as to form spherical molybdenum metal particles. - 特許庁

粗化処理面を有する銅箔に、モリブデン酸とクエン酸塩混合浴で陰極電解処理を施してモリブデン酸皮膜を形成し、防錆処理層とした。例文帳に追加

A molybdic acid film is formed by performing cathode electrolytic treatment to the copper foil, having a roughened treated surface in the mixed bath of molybdic acid and citrate as the rustproof treatment layer. - 特許庁

本発明の酸化防止剤組成物は、有機モリブデン化合物と、芳香族系溶剤と、を含有することを特徴とする。例文帳に追加

The antioxidant composition contains an organomolybdenum compound and an aromatic solvent. - 特許庁

正孔輸送性材料を含む層３１２は、正孔輸送性を示す有機化合物と酸化モリブデンとの混合物を用いて形成する。例文帳に追加

The layer 312 containing the hole transporting material is formed using a mixture of the organic compound showing a hole transporting property and molybdenum oxide. - 特許庁

金属酸化物触媒から遊離したモリブデン化合物が接触する気相反応装置の接触面を、水溶液系における酸化反応の標準電極電位が−０．２Ｖ以上、２．８Ｖ以下であるものとする。例文帳に追加

The catalytic surface, with which the molybdenum compound liberated from the metal oxide catalyst comes into contact, of the vapor phase reaction apparatus is set to -0.2-2.8 V in the standard electrode potential of oxidation reaction in an aqueous solution system. - 特許庁

導電性被膜の形成時間が短く、耐熱性の低い基材にも良好に導電性被膜を形成することができる導電性組成物および該導電性組成物を用いた導電性被膜の形成方法ならびに導電性被膜の提供。例文帳に追加

To provide a conductive composition capable of reducing a formation time of a conductive coating, and of properly forming the conductive coating even on a base material low in heat resistance; to provide a formation method of a conductive coating using the conductive composition; and to provide a conductive coating. - 特許庁

静電容量型加速度センサーは、固定部としての固定枠部１１０と、弾性変形部１３０と、可動錘部と、固定枠部に固定された固定電極部１５０ａと、可動錘部と一体的に移動する可動電極部１４０ａとを有する。例文帳に追加

A capacitive acceleration sensor includes: a fixation frame 110 as a fixation section; elastically deformable sections 130, a movable weight; a fixed electrode 150a fixed to the fixation frame; and a movable electrode 140a moving integrally with the movable weight. - 特許庁

フラッシュメモリ２４２は、光学系により生じる歪曲収差を電気的に補正するための補正係数テーブルＥを格納している。例文帳に追加

A flash memory 242 is configured to hold a correction coefficient table E used to electrically correct distortion aberration produced by an optical system. - 特許庁

シリカ系酸化物の含有量が５ｖｏｌ以上２５ｖｏｌ％以下の発熱部１０と、３０ｖｏｌ以上６０ｖｏｌ％以下の端子部２０を接合して二珪化モリブデン系セラミック発熱体とする。例文帳に追加

A heating part 10 that has 5 to 25 vol% based oxide content and a terminal part 20 that has 30 to 60 vol% are joined together and made into the molybdenum-disilicide based ceramic exothermic body. - 特許庁

発呼側の電話機から携帯電話機５０に着信があると、制御部２は発呼側の電話機の電話番号と許可電話番号メモリ６に格納されている電話番号との照合を行う。例文帳に追加

A mobile phone 50 receives a call from a caller telephone set, a control section 2 collates the telephone number of the caller telephone set with telephone numbers stored in a permissible telephone number memory 6. - 特許庁