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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > けいかもりぶでんに関連した英語例文

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けいかもりぶでんの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2449



例文

制御回路は、データの読み出し時に、NAND列の選択されたメモリセルに隣接する非選択メモリセルの制御ゲートCG(k−1)、CG(k+1)に、その他の非選択メモリセルの制御ゲートに印加される読み出し電圧Vreadより低い第1の電圧Vread_1を印加する。例文帳に追加

A control circuit applies a first voltage Vread_1 lower than a reading voltage Vread to be applied to the control gate of other non selected memory cells to the control gate CG (k-1) and CG (k+1) of the non selected memory cell adjacent to the selected memory cell in the NAND column when reading data. - 特許庁

対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、低消費電力で駆動する低コスト、大記憶容量の低クロストークの特に携帯用機器のメモリとして最適な不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive, large storage capacity, low-crosstalk nonvolatile memory being driven with low power consumption and especially optimal as the memory of a portable apparatus, by providing a metal oxide having variable electric resistance between opposing electrodes. - 特許庁

照合後、送受信部9はアンテナを通じて商品情報、電話番号メモリ13に格納された電話番号及び個人属性メモリ15に格納された個人属性データを携帯電話会社に送信する。例文帳に追加

After collation, the transmission reception section 9 transmits the telephone number stored in the telephone number memory 13 and personal attribute data stored in the personal attribute memory 15 to a mobile phone company. - 特許庁

第一電極11と第二電極14との間に、駆動波形メモリに記憶された所定波形の駆動電圧を表示制御部が印加することにより、白色帯電粒子22を各画素の間で移動させてる。例文帳に追加

A driving voltage of a prescribed waveform which is stored on a driving waveform memory is applied between the first electrode 11 and a second electrode 14 by a display control part and, thereby, the white color charged particles 22 are moved between the respective pixels. - 特許庁

例文

CVD法などのプロセスを用いる必要なく、高配向の酸化モリデン薄膜を容易に形成することができる酸化モリデン薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a molybdenum oxide membrane capable of readily forming the molybdenum oxide membrane of high orientation, without having to use processes, such as CVD method. - 特許庁


例文

モリデン酸系顔料を電着塗料組成物中に0.01〜1.0重量%含有する電着塗料循環回路に対する腐蝕防止性に優れたカチオン電着塗料組成物。例文帳に追加

The composition of the cationic electrodeposition paint superior in a corrosion preventing property for the circulation way of the electrodeposition coating apparatus, which includes molybdate based pigment of 0.01-1.0 wt.% in the electrodeposition paint. - 特許庁

このように、モリデンを含有したステンレス鋼によってリチウム極集電体24を形成したので、電位が3.5V(vs.Li/Li^+)以上に達しても溶解することのないリチウム極集電体24が得られる。例文帳に追加

In this way, since the lithium electrode current collector 24 is formed of the stainless steel containing molybdenum, the lithium electrode current collector 24 is obtained that is not dissolved even if the electric potential reaches 3.5 V (vs. Li/Li^+) or more. - 特許庁

プラスチック製品を成形する金型の一部または全部に、硫化モリデン、二硫化モリデン又は二硫化タングステンを主成分とするコーティング層14、またはコーティング層14に接する金型表面に拡散層が形成されている。例文帳に追加

The mold for molding the plastic product comprises a coating layer 14 containing molybdenum sulfide, molybdenum disulfide or tungsten disulfide as a main component or a diffused layer formed partly or entirely on the surface of the mold brought into contact with the layer 14. - 特許庁

そして、瞬時電力計算部5は、アンテナ1a,1bを切り替える度に無線受信信号の瞬時無線電力を計算し、計算した瞬時無線電力値をアンテナ1a,1b毎にメモリ6に保存する。例文帳に追加

The momentary power calculating part 5 then calculates a momentary radio power of the radio receiving signal each time the antennas 1a, 1b are switched, and stores the calculated momentary radio power value in a memory 6 for each of the antennas 1a, 1b. - 特許庁

例文

電源42からの電源電圧Vhが、プリンタ出荷時の電源電圧Vh_0 に補正量√K2を乗算した値となるように、変圧器43が制御されるとともに、補正データがフラッシュメモリ46から読み出されてフレームメモリ34の画像データが補正され、画像がプリントされる。例文帳に追加

A transformer 43 is controlled to ensure that a power voltage Vh from a power supply 42 is a value obtained by multiplying a power voltage Vh_0 at the time of shipment of a printer by the correctionK2, and correction data is read from the flash memory 46, the image data of a frame memory 34 is corrected and an image is printed. - 特許庁

例文

電話回線とLAN2に接続された本発明の中継器1はメモリ13を有し、メモリ13はPC3のMACアドレスと携帯電話番号と暗証番号との1対1の対応を示すテーブルを記憶する。例文帳に追加

The repeater 1, connected to the telephone line and a LAN 2, has a memory 13, and the memory 13 stores a table denoting one-to-one correspondence between a MAC address of the PC 3 and a password of the mobile phone. - 特許庁

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極MG6nとp型ウエルPW1との間および制御ゲート電極CG4nとメモリゲート電極MG6nとの間には、内部に電荷蓄積層5bを有する絶縁膜5が形成されている。例文帳に追加

Insulating films 5 with charge storage layers 5b formed therein are formed between a memory gate electrode MG6n and a p-type well PW1 and between a control gate electrode CG4n and a memory gate electrode MG6n of a split-gate type nonvolatile memory. - 特許庁

極細導電繊維を含有する熱可塑性樹脂組成物を通常の成形方法、成形条件で成形しても、良好な表面抵抗率を有する導電性成形体と製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive molded product having a satisfactory surface resistivity even if molding a thermoplastic resin composition containing very fine conductive fibers by usual molding method and molding conditions, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

モリデン炭化物はモリデンと比べて抵抗温度係数が低いため、温度が上昇しても抵抗発熱体30の中心近傍部分35は外周部分34ほど発熱量が増加せず、外周部分33と中心近傍部分35との温度差の増大を抑制することができる。例文帳に追加

Since molybdenum carbide is lower in the resistance temperature coefficient compared with that of molybdenum, even if the temperature rises, since exothermic amount does not increase in the center vicinity part 35 of the resistance exothermic body 30 as much as in the outer peripheral part 34, increase in the temperature difference between the outer peripheral part 33 and the center vicinity part 35 can be suppressed. - 特許庁

ここで、ヘッド温度と電気−機械変換素子の振動時間との関係は、例えばあらかじめテーブルメモリ2にデータとして保持しておくものとする。例文帳に追加

Relation between the head temperature and the oscillation time of the electromechanical conversion element is prestored, in the form of data, in a table memory 2. - 特許庁

ボイドの発生が抑制され、表面平滑性に優れた半導電層を形成し得て、かつ導電性や、引張り伸びや加熱変形等の機械的特性も良好なシラン架橋半導電層用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a resin composition for silane-crosslinking semiconductive layers capable of forming semiconductive layers excellent in surface smoothness with supressing generation of voids and good in mechanical characteristics such as tensile elongation, heat deformation and the like. - 特許庁

窒化金属に誘電体を形成して得る容量素子について、窒化金属−誘電体界面に酸化物が形成されにく、容量ばらつきが抑えられ、リーク電流特性も良好にした容量素子を得る。例文帳に追加

To obtain a capacitor which is restrained from varying in capacity and enhanced in leakage current characteristics, and where an oxide is hardly formed on a metal nitride-dielectric interface, wherein the capacitor is manufactured in a manner where a dielectric is formed on a metal nitride. - 特許庁

このような圧力勾配が生じた成膜室11B内でモリデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリデン層を成膜することができる。例文帳に追加

By performing film deposition of molybdenum layer in the film deposition chamber 11B having the pressure gradient, the molybdenum layer having metal density gradient along the substrate side to the surface side can be deposited. - 特許庁

ゲート部の一部が強誘電体層で形成された電界効果型トランジスタを用いた半導体メモリ素子において、メモリ保持特性を改善することを目的とする。例文帳に追加

To improve a memory retention property of a semiconductor memory device, which uses a FET where part of the gate is constituted of a ferroelectric layer. - 特許庁

携帯電話機1とシステム情報やユーザ情報を記憶するメモリカード10を分離し、別々に管理できる様にすると共に、パスワードをメモリカード内に設けて、携帯電話機1から入力したパスワードがメモリカード内のパスワードと一致しなければ発信やユーザ情報の閲覧を止める。例文帳に追加

When a password entered from the portable telephone set 1 does not match the password set in the memory card, dialing and browsing of the user information are stopped. - 特許庁

携帯電話に表示されている文章画像の保存が指示されると、携帯電話は、現在表示中の文章画像とともに該文章画像の縮小画像を、閲覧中の文章ファイルに関連付けて内部メモリに保存する。例文帳に追加

When instructed to store a text image being displayed on a mobile phone, the mobile phone stores, in an internal memory, the text image being displayed and a reduced image of the text image as being related to a text file being browsed. - 特許庁

携帯電話1は、電話機本体2と、拡張メモリ11とバッテリ12とが一体的に収容されたバッテリ・メモリパック3と、電話機本体2に形成され、バッテリ・メモリパック3が装着されるパッケージ装着部18と、蓋体4とを備えている。例文帳に追加

A portable telephone 1 includes a telephone body 2, a battery/ memory pack 3 having an additional memory 11 and a battery integrally accommodated therein, a package mount 18 formed in the body 2 for the battery/ memory pack 3 to be mounted thereon, and a lid member 4. - 特許庁

強誘電体メモリの製造方法では、下部電極材料膜12上に形成された強誘電体材料膜14を、下部電極材料膜12が露出しないように、アンダーエッチングによってパターニングして、複数の強誘電体部22と、アンダーエッチング残膜24と、を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a ferroelectric memory, a ferroelectric material film 14 formed on a lower electrode material film 12 is patterned by underetching so as not to expose the lower electrode material film 12 to form a plurality of ferroelectric sections 22 and a residual underetched film 24. - 特許庁

モリカード等の外部記憶媒体へのデータの記録・読出しが可能な携帯電話において、外部記憶媒体に記録したデータが、その記録を行った携帯電話機以外の電話機で利用されるのを禁止できるようにする。例文帳に追加

To inhibit data recorded in an external storage medium such as a memory card by a portable telephone set capable of recording/reading out data in/from the external storage medium from being utilized for a telephone set other than the portable telephone set. - 特許庁

エンジンから排気系部材を介して車体に伝達される振動を抑制して、車体にこもり音が発生するのを抑制することができる排気系部材の支持構造を提供すること。例文帳に追加

To provide an exhaust system member supporting structure for suppressing the occurrence of booming noise in a vehicle body by suppressing the transmission of vibration from an engine via an exhaust system member to the vehicle body. - 特許庁

モリデンブルー法にて発色させた試料に四級アンモニウム塩を添加しイオン会合体を形成させる。例文帳に追加

Quarternary ammonium salt is added into a sample colored by a molybdenum blue method, thereby forming an ion association body. - 特許庁

また、これにさらに(C)二硫化モリデンと(D)硫化錫とを配合成分とすることにより、摩擦係数の安定性が一層向上する。例文帳に追加

Further addition of ingredients (C) molybdenum disulfide and (D) tin sulfide to the friction material can lead to more improved stability in friction coefficient. - 特許庁

電子部品1が実装されて凸部2が形成された基板3を内蔵するメモリーカードAの製造方法に関する。例文帳に追加

This method of manufacturing the memory card A incorporates a substrate 3 having the electronic components 1 mounted thereon and a projected part 2 formed thereon. - 特許庁

そして、二硫化モリデン処理層17が形成されたブッシュ15の内周側には連結ピン16を摺動可能に挿嵌する。例文帳に追加

The connection pin 16 is slidably fitted in the inner circumferential side of the bush 15 having the molybdenum disulfide treated layer 17 thereon. - 特許庁

左右のケーブル用ホイール20を介し、ワイヤロープ25と同系路で給電ケーブル11を掛け回して、錘り3に導く。例文帳に追加

A power supply cable 11 is extended in the same passage as the wire ropes 25 via the left/right cable wheels 20 to be introduced to the weight 3. - 特許庁

故障解析では、作成されたメモリブロック内部状態出力と比較して故障伝搬経路を追跡する。例文帳に追加

In the failure analysis, the failure propagation route is followed up by comparing the output with the created memory block internal state output. - 特許庁

発明の一実施形態において、メモリセルの読み込み動作の完了時間(TTC)値を閾値電圧(V_T)の分散の代替値として用いる。例文帳に追加

In an embodiment invention the time-to-completion (TTC) values for the read operation for the memory cells are used as a proxy for dispersion of the threshold voltages (V_T's). - 特許庁

本発明の実施形態において、メモリセルの読み込み動作の完了時間(TTC)値を閾値電圧(V_T)の分散の代替値として用いる。例文帳に追加

In an embodiment of the invention the time-to-completion (TTC) values for the read operation for the memory cells are used as a proxy for dispersion of the threshold voltages (V_T's). - 特許庁

各肉盛層内に、配管の母材と肉盛層の境界部から、肉盛層の溶接線に直交する方向(配管の軸方向)に伸びるデンドライトが形成される。例文帳に追加

Dendrites extended in a direction (the axial direction of the piping) orthogonal to the welding line of the overlayed layers from the boundary of the basic materials of the piping and the overlayed layers are formed in the respective overlayed layers. - 特許庁

最下部の発電ユニット13の下端側を海底の沈錘10に、最上部の発電ユニット13の上端側を海面に浮かぶ浮体構造物9にそれぞれ連結して、浮体構造物9の係留を行う。例文帳に追加

The floating structure 9 is moored by connecting a lower end side of the lowermost power generation unit 13 to a sinker 10 on the seabed and connecting an upper end side of the uppermost power generation unit 13 to the floating structure 9 floating on the sea surface. - 特許庁

トランジスタ構造体の不純物領域22b上に形成され、金属電極36及び金属酸化物電極35を含む下部電極40と、下部電極40を取り囲んで形成された強誘電体層37と、強誘電体層37上に形成された上部電極38と、を含むトランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタである。例文帳に追加

A memory device capacitor, including a transistor structure, comprises a lower electrode 40, which is formed above an impurity region 22b of the transistor structure and includes a metal electrode 36 and a metal oxide electrode 35; a ferroelectric layer 37, which is formed so that it surrounds the lower electrode 40; and an upper electrode 38 formed on the ferroelectric layer 37. - 特許庁

携帯メモリ電話帳DB7と、電話番号等の個人情報がユーザ別に記録されている個人情報DB11とを持つ人物紹介サーバ5を備え、ユーザ携帯電話1A、1B、…には、メモリ電話帳送信部2を備える。例文帳に追加

In the system for searching matching information, a person introducing server 5 having a portable memory telephone diary DB7 and a personal information DB11 where personal information, which is telephone numbers and the like by users, is recoded, is equipped, and in users portable telephones 1A, 1B, etc., a memory telephone diary transmitting section 2 is equipped. - 特許庁

潤滑油基油に、(a)硫黄系極圧剤、(b)有機亜鉛化合物及び/又は有機モリデン化合物、及び(c)イミド系添加剤を配合してなる金属加工油組成物である。例文帳に追加

The metalworking oil is obtained by compounding a lubricating base oil with (a) a sulfur-containing extreme pressure agent, (b) an organic zinc compound and/or organic molybdenum compound, and (c) an imide additive. - 特許庁

窒化タングステン膜(WN)上で物理的蒸着法(PVD)でない化学気相蒸着法(CVD)で形成されたタングステンをゲート電極で用いる高集積メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate electrode of a high-density integrated memory device formed on a tungsten nitride film (WN) by chemical vapor deposition rather than physical vapor deposition. - 特許庁

薄肉部の厚みを0.3mmよりも薄くするのが容易であり、外形寸法が規格化されたメモリーカードの内部に電子部品や基板が占める容積を大きく確保し、従来のようなメモリーカード用成形品の貼着工程等を省略できるメモリーカードの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a memory card capable of easily reducing the thickness of a thin-walled part to less than 0.3 mm, largely assuring a volume occupied by electronic components and substrates in the memory card having standardized outside dimensions, and eliminating a conventional process for sticking a formed product for memory card. - 特許庁

負極合材35は、正極活物質251よりもリチウムの吸蔵電位及び脱離電位が低い複合酸化物からなる負極活物質351と、炭素系材料からなる導電剤353と、バインダー355とを含有する。例文帳に追加

The negative mix 35 contains a negative active material 351 comprising a composite oxide having lithium storage potential and lithium releasing potential lower than those of the positive active material 251, a conductor 351 comprising carbonaceous material, and a binder 355. - 特許庁

デジタルカメラや携帯電話機などの電子機器とは別にメモリカード変換アダプタを携行しなくとも、コンピュータ等の外部機器へデータ転送が可能な電子機器用電池蓋、デジタルカメラおよび携帯電話機を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a battery cover for electronic apparatus, digital camera, and portable telephone capable of transferring data to an external device such as a computer, without having to carry a memory card conversion adaptor, separately from the electric apparatus, such as, digital camera and portable telephone. - 特許庁

下層にアルミニウム系合金、上層にモリデン系合金の構成の配線を有する薄膜トランジスタ回路装置において、モリデン系合金の大気中における腐食が進行し難い薄膜トランジスタ回路装置及びその製造方法が要求される。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor circuit device and a method for manufacturing the same having a wire composed of a lower layer made of aluminum base alloy and an upper layer made of molybdenum base alloy, in which the molybdenum base alloy is hard to corrode in the atmosphere. - 特許庁

タングステンまたはモリデンからなる有底筒状のカップ電極および封着材を抵抗溶接によって接続強度を十分確保することができる電極部材およびこの部材を有する冷陰極蛍光ランプを提供する。例文帳に追加

To provide an electrode member capable of fully ensuring bond strength between a cup electrode having a bottomed cylindrical shape of tungsten or molybdenum and a sealing material by resistance welding and a cold cathode fluorescent lamp having this member. - 特許庁

このメモリ用供給制御回路37、38は、メモリ33、34に対するアクセスが一定時間以上ない場合には、メモリ33、34の電源PWとクロック信号CLKの供給を一部を残して遮断する。例文帳に追加

When any access to the memories 33 and 34 is not performed in a fixed time or more, the supply control circuits 37 and 38 for the memories interrupt the supply of the power source PW and the clock signal CLK to the memories 33 and 34 while leaving one part. - 特許庁

電子部品の端子が嵌る端子穴1a,1bの両側には電子部品記号(コンデンサー記号)2a,2bを対にして形成し、しかも両電子部品記号2a,2bの向きを互いに逆方向としている。例文帳に追加

Moreover, directions of both electronic component symbols 2a, 2b are inverted with each other. - 特許庁

電子機器は、底壁4aを有する筐体4と、筐体の内部に形成され、底壁に開口された開口部41を有するメモリ収容部35と、このメモリ収容部に開口部を介して取り外し可能に収容され、動作中に発熱を伴う電子部品38とを備えている。例文帳に追加

The electronic instrument is provided with the case 4 having a bottom wall 4a, a memory receiving unit 36 formed in the case and provided with an opening 41 opened in the bottom wall, and an electronic component 38 removably received into the memory receiving unit through the opening while accompanying heat generation during operation. - 特許庁

該溝加工用ロールに、炭化クロムおよび/または炭化モリデンを含有する炭化タングステン−ニッケル系の高耐食性超硬合金を用いる。例文帳に追加

A tungsten carbide - nickel based high corrosion resistant cemented carbide containing chromium carbide and/or molybdenum carbide is used for the grooving roll. - 特許庁

該酸化防止金属層が、亜鉛、モリデン等から選ばれる1種以上からなり、該耐熱性樹脂層が、ポリイミド系樹脂を含む。例文帳に追加

The antioxidant metallic layer is composed of one or more selected from zinc, molybdenum and the like, and the heat-resistant resin layer contains a polyimide-based resin. - 特許庁

例文

本発明は、外部からのメモリへのアクセスに対しても高いセキュリティが得られる携帯可能電子装置及びアクセス管理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a portable electronic equipment by which high security is obtained even for an access from the outside to a memory. - 特許庁

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