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にゅうびけっしょうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7626



例文

微量試料で迅速かつ経済的に多種類の結晶化条件で結晶化を行うことができ、析出した結晶の回収における信頼性が高い簡便な結晶の回収方法。例文帳に追加

To provide a convenient method for recovering crystal which is capable of promptly and economically crystallizing a small amount of a sample under various types of crystallizing conditions and which has high reliability in recovering a deposited crystal. - 特許庁

樹脂の結晶化速度及び結晶化温度を高くすることができ、透明性が高い樹脂用結晶核剤を、容易に製造できる樹脂用結晶核剤の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for readily producing a crystal nucleating agent for a resin, with which crystallization rate and crystallization temperature of the resin are heightened to obtain a highly transparent resin. - 特許庁

種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびSiC単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。例文帳に追加

To enable to suppress the generation of a dissimilar polymorphic or a different orientation crystal by controlling the surface shape in the middle of the growth of a seed crystal and an SiC single crystal, even not arranging the seed crystal shifting from the center axis of a crucible. - 特許庁

高純度フッ化タンタル酸カリウム結晶又は高純度フッ化ニオブ酸カリウム結晶の製造方法及びそれらの製造方法で用いる再結晶槽並びにそれらの製造方法で得られたフッ化タンタル酸カリウム結晶又は高純度フッ化ニオブ酸カリウム結晶例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY POTASSIUM FLUOTANTALATE CRYSTAL OR HIGH PURITY POTASSIUM FLUONIOBATE CRYSTAL, RECRYSTALLIZATION TANK USED FOR THE PRODUCTION METHOD AND POTASSIUM FLUOTANTALATE CRYSTAL OR POTASSIUM FLUONIOBATE CRYSTAL OBTAINED BY THE PRODUCTION METHOD - 特許庁

例文

木質材料の粒子により、より高い温度からの結晶性熱可塑性樹脂の結晶化の開始、結晶化速度の上昇、および最終的な結晶化度の向上の少なくとも1つ、好ましくは全てが達成される。例文帳に追加

The wood material particles enable the achievement of at least one, preferably all, of the start of the crystallization of the crystalline thermoplastic resin material from a higher temperature, the increase of a crystallization rate, and the improvement of the final crystallization degree. - 特許庁


例文

坩堝及びその製造方法、並びに結晶シリコン粒子の製造装置例文帳に追加

CRUCIBLE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CRYSTAL SILICONE PARTICLE - 特許庁

血小板採取装置1は、血小板採取操作前に入力される供血者のヘマトクリット値データおよび血小板濃度データと目標血小板採取数もしくはその関連値より、血小板採取サイクル数および採取予測血小板数もしくはその関連値を演算する血小板採取装置である。例文帳に追加

A platelet collection device 1 is a device that calculates the number of platelet collection cycles and the expected number of platelets to be collected or their associated levels from the hematocrit data, the platelet concentration data and the target collection number of platelets of a donor to be inputted prior to the procedure of collecting platelets. - 特許庁

単結晶製造装置10は、種結晶3と、単結晶6の原料5が収容される容器1と、種結晶3及び容器1が収容される炉2を構成する本体部21、蓋体部22及び保持部23とを備え、気相法により単結晶6を製造する。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing a single crystal 10 is equipped with a seed crystal 3, a container 1 which contains a raw material 5 of a single crystal 6, a main body 21 which composes a furnace 2 containing the seed crystal 3 and the container 1, a lid 22, and a holder 23, and the single crystal 6 is manufactured by a vapor phase deposition. - 特許庁

本発明は、従来開示されていない、アスタキサンチンの特定の結晶形の混合物、ならびに結晶形IおよびIIと指定される個々の結晶形を、その結晶形を作製するための方法と合わせて記載する。例文帳に追加

The present invention describes a mixture of new, previously undisclosed crystal forms of astaxanthin, and the individual crystal forms designated as crystal form I and crystal form II, together with methods for preparing the crystal forms. - 特許庁

例文

難結晶性樹脂であるPET樹脂と、易結晶性樹脂であるPBT樹脂と、結晶化核剤とを所定の配合割合に混合することによって、PET樹脂の結晶化温度を引き下げる。例文帳に追加

The mixing of a slightly crystallizable resin of a PET resin, an easily crystallizable resin of a PBT resin, and a crystallization nucleating agent in a predetermined blend ratio leads to the lowering of the crystallization temperature of the PET resin. - 特許庁

例文

このため、多結晶のエッチングレートと単結晶のエッチングレートとに差がある水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、多結晶13bを選択的にエッチングし、単結晶13aを終点検出に用いるようにする。例文帳に追加

The polycrystal 13b is etched by using a tetramethylammonium hydroxide selectively with different etching rates between single- and poly-crystal, and the single crystal is used as a termination detection of etching. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板例文帳に追加

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

第1単結晶および第2単結晶を具える双結晶の基板上にある超電導配線を、これらの第1単結晶および第2単結晶の境界線を跨って形成する場合、この境界線上でこの超電導配線を流れる電流の臨界電流密度を減少させないようにすること。例文帳に追加

To prevent decrease of critical current density of a current flowing in a superconducting wiring on a boundary line, when the superconducting wiring on a substrate of twin having a first single crystal and a second single crystal is formed bridging the boundary line of the first single crystal and the second single crystal. - 特許庁

縮退系大環状化合物、並びに、その結晶及び製造方法例文帳に追加

DEGENERATE MACROCYCLIC COMPOUND, AND CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁

ポリ乳酸樹脂用結晶核剤及びポリ乳酸樹脂組成物例文帳に追加

CRYSTAL NUCLEUS AGENT FOR POLYLACTIC ACID RESIN, AND POLYLACTIC ACID RESIN COMPOSITION - 特許庁

炭酸ストロンチウム結晶及びその製造方法、並びに樹脂組成物例文帳に追加

STRONTIUM CARBONATE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND RESIN COMPOSITION - 特許庁

多結晶シンチレータ及びその製造方法並びに放射線検出器例文帳に追加

POLYCRYSTAL SCINTILLATOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RADIATION DETECTOR - 特許庁

不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a nitride semiconductor crystal, for producing a nitride semiconductor crystal while by suppressing intrusion of impurities, and to provide a nitride semiconductor crystal, and an apparatus for producing a nitride semiconductor crystal. - 特許庁

高い結晶成長温度であっても特別な装置を必要とせず単結晶中の多結晶の混入確率およびボイド密度を低減し得るSiC単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a SiC single crystal in which the mixing probability of a polycrystal in a single crystal and a void density can be reduced without the need for a special apparatus even when a crystal growth temperature is high. - 特許庁

また、少血小板血漿および細胞を含む液体を多孔性材料内に導入し、少血小板血漿をゲル化させてなる生体組織補填体を提供する。例文帳に追加

In addition, the biological tissue compensation material introducing a liquid including the platelet poor plasma and cells into the porous material in which the platelet poor plasma is gelated is provided. - 特許庁

成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。例文帳に追加

To suppress the inhibition of the relative movement of a seed crystal by a grown single crystal itself and the inhibition of the relative movement of the seed crystal by the crystal deposition at a sliding part. - 特許庁

表面の粒径に比べて中心部の粒径が大きい単結晶質多結晶体、およびその多結晶体の中心部分から切り出した単結晶を用いる。例文帳に追加

The single crystalline polycrystal in which the particle size of the central part is larger in comparison with the particle size of the surface and the single crystal which is cut off from the central part of the single crystalline polycrystal are used. - 特許庁

結晶粒の大きさや結晶粒界の分布が均一であり、薄膜トランジスタを形成した際に優秀な特性が得られる多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polycrystalline silicon layer that is uniform in the size of a crystal particle and distribution in a crystal grain boundary and can obtain improved characteristics when forming a thin-film transistor, to provide a manufacturing method of the polycrystalline silicon layer, and to provide a plane display. - 特許庁

成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal in which development of microscopic defects extending in a grown single crystal are inhibited, and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same. - 特許庁

この接合材を構成するガラスは、ガラスマトリックス中に少なくともフォーステライト結晶が析出しており、あるいは、ガラスマトリックス中に酸化マグネシウム結晶と、クリストバライト結晶、リューサイト結晶およびフォーステライト結晶から選択される少なくとも一種とが析出している。例文帳に追加

In the glass to constitute this bonding material, at least forsterite crystal is precipitated in a glass matrix, or magnesium oxide crystal and at least one selected from cristobalite crystal, leucite crystal, and the forsterite crystal are precipitated in the glass matrix. - 特許庁

粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式(1)を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射条件を非結晶部分におけるレーザ光照射条件とは変えて、レーザアニールを実施する。例文帳に追加

Laser annealing is executed under conditions where a granular crystal part and an amorphous part are melted and a lateral crystal part is not melted. - 特許庁

複数の結晶面で構成される単結晶超砥粒であって、複数の結晶面のうち(111)面と(100)面に微小突起を形成し、微小突起を形成した結晶面はPV値が0.1〜5μmの表面粗さとする。例文帳に追加

This single crystal superabrasive grain is constituted by a plurality of crystalline planes, minute projections are formed on 111 plane and 100 plane among a plurality of crystalline planes, respectively, and the crystalline plane forming the minute projection has surface roughness obtained by a PV value of 0.1-5 μm. - 特許庁

粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式(1)を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。例文帳に追加

Laser annealing is executed under conditions where a granular crystal part and an amorphous part are melted and a lateral crystal part is not melted. - 特許庁

2種類の細胞(赤血球と白血球)、および時に血小板を含む例文帳に追加

either of two types of cells (erythrocytes and leukocytes) and sometimes including platelets  - 日本語WordNet

短時間で結晶化し、成形したガラスの形状と表面状態を保持しつつ結晶化する結晶性ガラス、及び、機械的強度が優れ、建材用結晶化ガラスとして好適な熱膨張係数を有し、アルカリ金属酸化物の含有量が少なく優れた化学的耐久性を有する結晶化ガラス、並びに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide crystallizable glass which crystallizes in a short time and crystallizes while retaining the shape and surface state of a glass molding thereof, crystallized glass having excellent mechanical strength, a coefficient of thermal expansion suitable for use as crystallized glass for building materials, a low alkali metal oxide content and excellent chemical durability, and a method for producing the crystallizable glass and crystallized glass. - 特許庁

第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−V族窒化物系半導体結晶を成長する。例文帳に追加

A first semiconductor crystal substrate is prepared, then the first semiconductor crystal substrate is fixed on a susceptor by bonding, and a group III-V nitride-based semiconductor crystal is grown on the first semiconductor crystal substrate. - 特許庁

ミキシング効率に優れる、結晶微粒子の製造方法およびその装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING FINE CRYSTAL PARTICLES HAVING EXCELLENT MIXING EFFICIENCY - 特許庁

超微細結晶粒層は、加工工具を用いた摩擦加工などにより形成することができ、100nm〜1μmのサブミクロン結晶粒、100nm未満のナノ結晶粒が存在する超微細結晶粒層が形成される。例文帳に追加

The ultrafine crystal grain layer can be formed by friction working, etc., using a working tool, and the ultrafine crystal grain layer in which sub-micron crystal grains of 100 nm to 1 μm and nano-crystal grains of <100 nm are present is formed. - 特許庁

この光学結晶10に、励起光をDASC結晶10b側から入射するとDAST結晶10aに起因するテラヘルツ波が発生し、励起光をDAST結晶10b側から入射するとDASC結晶10bに起因するテラヘルツ波が発生する。例文帳に追加

A terahertz wave due to the DAST crystal 10a is generated when excitation light is made incident on the optical crystal 10 from the side of the DASC crystal 10b, and a terahertz wave due to the DASC crystal 10b is generated when excitation light is made incident on the optical crystal 10 from the side of the DAST crystal 10a. - 特許庁

炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fixing a silicon carbide seed crystal and a method for producing a silicon carbide single crystal, for producing a high-quality silicon carbide single crystal free of penetration defects in the process of growing a single crystal of silicon carbide on a silicon carbide seed crystal by supplying a sublimated gas of a silicon carbide raw material. - 特許庁

結晶性オリゴマー及び硬化性樹脂組成物並びに接着シート例文帳に追加

CRYSTALLINE OLIGOMER, CURABLE RESIN COMPOSITION AND ADHESIVE SHEET - 特許庁

本発明の一観点によると、少なくともM元素と、Al元素と、ケイ素、酸素及び窒素とを含有する無機組成物であり、当該無機組成物は少なくとも2種の結晶相を有する粒子を有し、当該少なくとも2種の結晶相はM_2SiO_4結晶と同一の第1の結晶相と、β−サイアロン(Sialon)結晶である第2の結晶相とを含む複合結晶蛍光体を提供する。例文帳に追加

Based on one viewpoint, there is provided a complex crystal fluorescent substance which is an inorganic composition containing at least M element, Al element, silicon, oxygen and nitrogen, which inorganic composition has particles having at least two kinds of crystal phases which comprise a first crystal phase identical with M_2SiO_4 crystal and a second crystal phase of β-sialon crystal. - 特許庁

単結晶引上げ時の熱履歴を制御し、単結晶中の微小欠陥を有効に制御することによって、品質の安定した単結晶を製造する単結晶引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for pulling up a single crystal to produce a single crystal with stable quality, by controlling thermal history in pulling the single crystal so as to effectively control minute defects in the single crystal. - 特許庁

これによって、多孔質シリカに金属が高分散し、また、多孔質シリカが結晶性樹脂との混合により破砕され分散するため、金属が結晶性樹脂中に非常に高分散した状態となり、それを結晶核生成の起点して、結晶化が促進され微小な結晶が生成する。例文帳に追加

Consequently, the metal is highly dispersed into the porous silica and the porous silica is pulverized and dispersed by mixing with the crystalline resin, and accordingly the metal enters a state of extremely high dispersion in the crystalline resin and the formation of a crystal nucleus starts at this state to accelerate crystallization and fine crystals are produced. - 特許庁

多結晶SiCの混入を防止した高品質な単結晶SiCをエピタキシャルに成長させる単結晶SiCの製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶SiC、さらに、多結晶SiCの混入を防止し、高品質な単結晶SiCをエピタキシャルに成長させることができる単結晶SiCの製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing high-quality single crystal SiC preventing mixing of polycrystalline SiC by epitaxial growth, and to provide high-quality single crystal SiC obtained by the method, and a manufacturing device for single crystal SiC that can epitaxially grow high-quality single crystal SiC while preventing mixing of polycrystalline SiC. - 特許庁

チタニア微結晶の集合体の製造方法及び色素増感太陽電池例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF TITANIA MICROCRYSTAL AGGREGATE AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL - 特許庁

次いで、第2の結晶部材2に定在波30を導入するとともに、第1の結晶部材2と第2の結晶部材3とを、少なくとも第1の結晶部材1及び第2の結晶部材2の前記格子間隔以上の大きさで相対運動させる。例文帳に追加

Then, the standing wave 30 is imported into the crystal member 2 while the first and second crystal members 2 and 3 are caused to make relative motion with at least a magnitude not less than the lattice intervals of the crystal members 1 and 2. - 特許庁

種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびSiC単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるSiC単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal where the occurrence of a different polymorphic crystal and a different orientation crystal is suppressed by forming a temperature distribution to a surface on the way of growing a seed crystal and the SiC single crystal without arranging the seed crystal shifting from the center axis of a crucible. - 特許庁

その後この乳化液は冷却装置に入り、再び結晶化して循環する。例文帳に追加

Thereafter, this emulsified liquid enters the cooling system, is crystallized again and circulated. - 特許庁

窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。例文帳に追加

The silicon nitride sintered compact has a crystal phase being mainly silicon nitride crystal particles and an amorphous grain boundary phase existing in the grain boundary of the silicon nitride crystals. - 特許庁

結晶粒大きさの均一性および結晶粒界の規則的な分布を実現できることにより、優秀な特性を備える多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法および多結晶シリコン層を用いた平板表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polycrystalline silicon layer having improved characteristics by realizing uniformity in the size of a crystal particle and regular distribution in a crystal grain boundary, and to provide a polycrystalline silicon layer manufacturing method and a plane display using the polycrystalline silicon layer. - 特許庁

2MgO・SiO_2を主結晶相とし、副結晶相としてMgFe_2O__4、Fe_3O_4及びFe_2O_3から選ばれる少なくとも1種の結晶とMgOの結晶とを有する焼結体からなる半導電性セラミックスである。例文帳に追加

The semiconducting ceramic is composed of a sintered compact having 2MgO.SiO_2 as an essential crystal phase and at least one kind of a crystal selected from MgFe_2O_4, Fe_3O_4 and Fe_2O_3 and the crystal of MgO as sub-components. - 特許庁

微小結晶を樹脂中に配向分散し、その交流磁化測定を行う。例文帳に追加

Microcrystals are oriented, dispersed in resin, and the AC susceptibility measurement is carried out. - 特許庁

結晶性熱可塑性樹脂の結晶化速度を高め、しかも機械的性質に優れた成形体(結晶性熱可塑性樹脂組成物)を製造しうる結晶性熱可塑性樹脂用核剤および結晶性熱可塑性樹脂用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a nucleating agent for crystalline thermoplastic resin which increases the rate of crystalli-zation of the crystalline thermoplastic resins and, in addition, can produce a molded product (a crystalline thermoplastic resin composition) having excellent mechanical properties, and a crystalline thermoplastic resin composition. - 特許庁

例文

炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、1台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, in which production of a single crystal raw material of silicon carbide and growth of a silicon carbide single crystal can be continuously carried out by using a single apparatus, and there is no possibility of intrusion of impurities into the obtained single crystal raw material or the silicon carbide single crystal. - 特許庁

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