「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

真空中で保持された基板Ｓに対し、加速器１６により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、Ｘ、Ｙ方向に走査させて所定のイオンを注入する。例文帳に追加

An ion beam having given energy adjusted through acceleration by an accelerator 16 is emitted onto a substrate S held in a vacuum space, where the ion beam scans the substrate S in X and Y directions to inject ions. - 特許庁

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。例文帳に追加

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer. - 特許庁

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。例文帳に追加

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2. - 特許庁

ステンシルマスクを用いたイオン注入工程においても、所望の位置にイオンが注入されたか否かを検査できる検査装置および検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection device and inspection method capable of inspecting whether or not ions are injected to a desired position in an ion injection process by use of a stencil mask. - 特許庁

この斜めのイオン注入１５ａ、１５ｂにより、開口１３における半導体基板１０の中央部にイオンが注入されない領域１６ｃが形成される。例文帳に追加

By the oblique ion implantations 15a and 15b, a region 16c where ions are not implanted is formed at the center of the semiconductor substrate 10 in the opening 13. - 特許庁

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。例文帳に追加

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)). - 特許庁

本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、 前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。例文帳に追加

In the ion implantation method for implanting impurities into a workpiece 410, impurities are implanted into the workpiece 410 through a buffer plate 30 spaced apart therefrom. - 特許庁

直接基板内へ注入する酸素イオン１６ｂは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン１６ａは基板表面近傍に位置する。例文帳に追加

The oxygen ions 16b implanted directly into the substrate reaches deep region of substrate, and oxygen ions 16a implanted via the mask pattern are located in the region near the substrate surface. - 特許庁

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。例文帳に追加

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a). - 特許庁

注入されるイオンは、グランド層物質内のドーパントを補償して、十分な濃度の注入イオンが生じる領域内において、グランド層物質を絶縁性にするように、種類と濃度が選択される。例文帳に追加

Kind and density of the ion to be implanted are selected such that it compensates for a dopant in a ground layer material to cause the ground layer material to be insulative in an area where the implanted ion of substantial density develops. - 特許庁

イオン注入によって、イオン注入後に成膜される膜と成形面との密着強度を向上させるとともに、それとは異なる方法で平滑な成膜面で高密着強度を有する光学素子成形用型を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical element molding die which has a molding surface improved in adhesion to a film formed by ion implantation and a film-forming surface formed in a method different from that and having high adhesive strength. - 特許庁

本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。例文帳に追加

The irradiation damage generated with this is serially and continuously annealed by irradiating with laser beams simultaneously with ion injection. - 特許庁

イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。例文帳に追加

An internal protecting member for the ion implantation apparatus, mounted in the ion implantation apparatus, is formed of a semiconductive material doped with the impurities. - 特許庁

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。例文帳に追加

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface. - 特許庁

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。例文帳に追加

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。例文帳に追加

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface. - 特許庁

本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０は、一方の主面２０ｍ側であって主面２０から所定の深さＤで形成されているイオン注入領域２０ｉを含み、５００μｍ以上の厚さＴを有する。例文帳に追加

This ion implantation group III nitride semiconductor substrate 20 includes an ion implantation region 20i which resides at one principal plane 20m side and is formed by a predetermined depth D from the principal plane 20, and has a thickness T of 500 μm or larger. - 特許庁

また、イオン注入を行なうため、絶縁物のイオンは半絶縁性基板１に深く進入し、段差部４の下部に絶縁注入部６が形成される。例文帳に追加

Also, since the ion implantation is conducted, the ions of the insulator advances deep in the semi-insulating substrate 1 and an insulation injection part 6 are formed at the lower part of the step part 4. - 特許庁

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。例文帳に追加

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes. - 特許庁

短時間で視覚的なモニタリングによってイオン注入角度の変化を認識することができるイオン注入角度モニタリングウェハとそれを用いたモニタリング方法を提供し、製品の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a product, by providing an ion implantation angle monitoring wafer where change of ion implantation angle can be recognized in a short time by visual monitoring, and to provide a monitoring method which uses the product. - 特許庁

次に、トレンチ５の側面及び底面において露呈されたＰ型シリコン基板１にシリコンイオンを注入し、イオン注入領域６を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an ion-implanted region 6 is formed by implanting silicon ions into the exposed portion of the substrate 1 on the side and bottoms faces of the trench 5. - 特許庁

プロファイル良好で、膜厚変動時の線幅変化が小さく、露光ラチチュードが広い、イオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition for an ion implantation process which ensures a good profile, a small change in line width at the time of variation in film thickness, and large exposure latitude, and an ion implantation method using the same. - 特許庁

室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。例文帳に追加

The ion implantation boron at room temperature is enriched from a shallow domain to a deep domain in accordance with the rise of ion implantation temperature. - 特許庁

半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。例文帳に追加

A periphery insulating film 13 is formed with a film thickness through which a P-type impurity ion which is injected into an N-type region 5 in an ion implantation step of a post step on a periphery of a semiconductor wafer 1. - 特許庁

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region. - 特許庁

異なった向きに配置されるバイポーラトランジスタの側面へのイオン注入時にも、確実なイオン注入を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which ion implantation is ensured even when ions are implanted into the side surface of a bipolar transistor arranged in the different direction. - 特許庁

なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。例文帳に追加

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate with use of the embrittlement layer formed in the semiconductor substrate by implanting H^+ ions generated from a hydrogen gas using an ion implanting apparatus into the substrate. - 特許庁

イオン注入領域を定める開口部が形成されたマスク部材を介して被処理基板へイオン注入する場合において、チャージアップにより被処理基板上の素子が受ける悪影響を排除すること。例文帳に追加

To eliminate harmful effect influenced on an element on a base board to be processed caused by a charge-up generated when implanting ion on the base board to be processed through a mask member formed at an opening part determining an ion implantation region. - 特許庁

差分計算ステップ３２は、イオン分布算出ステップ３１によって算出された第（ｎ＋１）回目のイオン注入によるイオン分布と、イオン分布特定ステップ３０によって特定された既存のイオン分布との差分を計算する。例文帳に追加

In a step 32 for the calculation of a difference between the ion distribution with the (n+1)th ion injection calculated in the step 31 for calculation ion distribution and the existing ion distribution identified in the step 30 for identifying ion distribution is performed. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハの表面からイオン注入を行い、このイオン注入されたウェーハに５００℃以上、シリコンの融点（１４１０℃）以下の温度で熱処理を施す。例文帳に追加

Ion implantation is performed from the surface of a silicon single crystal wafer and then the wafer is heat treated at a temperature between 500°C and the melting point of silicon (1,410°C). - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。例文帳に追加

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90. - 特許庁

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上のＳｉＧｅ層ＳＧとを備え、前記Ｓｉ基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域１ａを有する。例文帳に追加

The semiconductor substrate has an Si substrate 1, the SiGe layer SG formed on the surface of the substrate 1, and an implanted region 1a, into which hydrogen ions or helium ions are implanted near the surface of the substrate 1. - 特許庁

基板１の上にレジスト２を塗布し、リソグラフィ工程により、イオン注入を行いたい場所のレジスト２を除去しておき、所定の強さでイオン注入を行う。例文帳に追加

A resist 2 is applied onto a substrate 1, then, the resist 2 on a place to be subjected to ion implantation is eliminated according to a lithography step and, subsequently, the ion implantation is performed with a prescribed impact. - 特許庁

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。例文帳に追加

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10. - 特許庁

トレンチ溝２の周囲にオフセットドレイン領域３を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝２の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。例文帳に追加

At formation of the offset drain region 3 around the trench 2, the impurity ions are implanted only to the side face part of the trench 2 through oblique ion implantation. - 特許庁

マスク枚数を削減するために、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とＰ型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク（ホトレジスト層８）を用いて行うことに着目した。例文帳に追加

In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region. - 特許庁

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。例文帳に追加

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped. - 特許庁

第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12. - 特許庁

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。例文帳に追加

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer. - 特許庁

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。例文帳に追加

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously. - 特許庁

オクタデカボランＢ_１８Ｈ_２２のような大きなサイズのクラスター型分子イオン注入であっても、高精度かつ高速に計算ができるイオン注入分布のシミュレーション方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a simulation method of ion implantation distribution capable of performing calculations with high accuracy and at high speed even when ion implantation for large cluster-type molecule, such as octadecaborane B_18H_22 or the like, is carried out. - 特許庁

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。例文帳に追加

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'. - 特許庁

そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。例文帳に追加

Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22. - 特許庁

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。例文帳に追加

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20. - 特許庁

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。例文帳に追加

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3. - 特許庁