「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

微細成形型１は、基材１３の表面１３ａから注入した注入イオンの濃度が他の部分よりも高い高濃度注入イオン層１４が基材１３の表面１３ａから凹部１１の底部１１ｂまでの間に形成されている。例文帳に追加

In the mold 1 for fine molding, a high concentration injection ion layer 14 in which a concentration of an injection ion injected from the surface 13a of the base material 13 is higher than that of the other part is formed from the surface 13a of the base material 13 toward the bottom 11b of the recess 11. - 特許庁

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。例文帳に追加

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12. - 特許庁

注入阻止層形成工程では、炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を形成する。例文帳に追加

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer having a pattern exposing a region to which ions are implanted is formed in a silicon carbide substrate. - 特許庁

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。例文帳に追加

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices. - 特許庁

イオンビームのメンブレンへの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むというイオン注入用ステンシルマスクの欠点を改善し、優れた耐熱性や耐久性を具備することでイオン注入の位置精度を向上させたイオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a stencil mask for ion implantation improved in position precision of ion implantation by having superior heat resistance and durability and by improving a fault of a stencil mask for ion implantation that a membrane bends due to heat generation caused by a collision of an ion beam with the membrane, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。例文帳に追加

On the piezoelectric substrate, a micro cavity is generated along the ion implantation layer by heating and in a terminal part of the ion implantation layer, a separating surface is generated by generating a crack between a boundary between an ion implanted area and a non-implanted area and a boundary between the insulating film and a recess where the insulating film is not formed. - 特許庁

したがって、イオン注入されるイオンが、レジスト１８に邪魔されることなく、シリコン層１３と埋め込み絶縁層１７の端部の一部が露出した露出面に到達し、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことができる。例文帳に追加

Accordingly, ions to be implanted reach an exposed surface, where ends of a silicon layer 13 and the embedded insulation layer 17 are exposed without being interrupted by the resist 18, and the parasitic channel suppression ion implantation can be performed efficiently. - 特許庁

本発明は、高記録密度ハードディスク（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体をイオン注入法において製造する方法において、注入イオンのにじみ現象（垂直注入時に水平方向へ注入イオンが散乱する現象）を抑制することを課題とし、高密度磁気記録の要求にあった磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic recording medium which meets a request for high-density magnetic recording by suppressing a blooding phenomenon of implanted ions (phenomenon in which the implanted ions are scattered in a horizontal direction in vertical implantation) in a method for manufacturing the recording medium to be used for a high-recording density hard disk (HDD), etc. by ion implantation; and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium. - 特許庁

このイオン注入の工程において、斜めイオン注入の注入方向と半導体基板１表面の法線とがなす角度をθとし、マスク層１７の厚みと層間絶縁膜８の厚みとの和をＤとした場合に、Ｌ１／Ｄ≧ｔａｎθ＞Ｓ１／Ｄが満たされる。例文帳に追加

In the ion implanting step, when θ is the angle defined by the obliquely ion implanting direction and a normal of a surface of a semiconductor substrate 1 and D is the sum of the thickness of the mask layer 17 and the thickness of the interlayer insulating film 8, L1/D ≥tanθ>S1/D is satisfied. - 特許庁

基板11と、基板上に形成され、超紫外線を反射させうる材料からなる反射層12と、反射層に超紫外線に対する吸収物質のイオンがイオン注入法によって注入されて所定パターンをなすイオン部20と、を備える。例文帳に追加

The reflective photomask has a substrate 11; a reflective layer 12 being formed on the substrate and including a material that reflects extreme ultraviolet rays; and an ion portion 20 in which ions of a substance of absorbing the extreme ultraviolet rays are injected into the reflective layer to form a predetermined pattern. - 特許庁

結果として，ウェハ処理工程１００では，イオン注入工程１２０で導入されたＳｉ＋イオンが，イオン注入工程１１０で生じる空格子欠陥と結合し，空格子欠陥に起因する結晶欠陥の発生が抑制される。例文帳に追加

As a result, in the wafer treatment processing 100, the Si+ ions introduced at the ion implantation processing 120 are bonded to a vacant lattice defects, produced in the ion implantation process 110, thereby crystal defect generation caused by the vacant lattice defect is prevented. - 特許庁

イオンソース部１からのイオンビームが質量分析部２で特定のイオン種が選択され、そのイオンビームが加速部３で加速されて所定の注入エネルギーとなされた状態で、エンドステーション部６内の半導体基体１１の面上に到達することで、半導体基体へのイオン注入が行われる。例文帳に追加

A method for measuring the ion implantion amount comprises the steps of selecting specific ion species by an ion beam from an ion source 1 by a mass analyzer 2, accelerating the beam by an accelerator 3 to become a prescribed implanting energy state, so as to arrive at a surface of a semiconductor base 11 in an end station 6, and thus ion implanting in the semiconductor base. - 特許庁

スリット９を「開」状態にして大電流のイオンビーム１０ａによるイオン注入開始後、温度センサ６の検出温度とチャージセンサ８の検出電荷のいずれか一方又は両方が、イオン注入の途中で予め設定した所定値を越えたときは、スリット９が閉じられる。例文帳に追加

An ion implantating process is started by the use of an ion beam 10a of large current with a slit 9 being kept open, and when the detection temperature of a temperature sensor 6 and/or the detection charge of a charge sensor 8 exceeds a previously set value while ions are implanted, the slit 9 is closed. - 特許庁

半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオン注入する方法であって、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加し、それによって側壁に対するイオン注入方向を制御することを特徴とするイオン注入法。例文帳に追加

In the method of implanting ions into the side wall of a semiconductor layer lifting on the semiconductor substrate, the implanting direction of the ions into the side wall of the semiconductor layer is controlled by impressing an electric field which accelerates the ions in one direction and a magnetic field in parallel with a plane intersecting the direction with a fixed angle. - 特許庁

その測定値とあらかじめ作成していた見かけのレジスト膜厚と注入エネルギーの関係を示す検量線とを比較することで、イオン注入の注入エネルギーを求める。例文帳に追加

The measured value is compared with a calibration curve created beforehand which indicates relation of an apparent resist film thickness and implantation energy, thereby implantation energy of the ion implantation is found. - 特許庁

生産井出口より下流側の流路を通流するカルシウム及びシリカを含有した流体にキレート剤を注入することにより金属イオンを不活性化する金属イオン不活性化工程と、前記金属イオン不活性化工程と同時あるいは前記金属イオン不活性化工程より後に前記流体へアルカリ剤を注入するアルカリ剤注入工程とを行うことによりスケール発生を抑制する。例文帳に追加

Scale development is suppressed by performing a metal ion inactivation process of inactivating metal ion by pouring a chelating agent into the fluid containing calcium and silica and circulating through a flow passage on the side downstream of a production well outlet, and an alkaline agent pouring process of pouring the alkaline agent into the fluid at the same time as the metal ion inactivation process or after the metal ion inactivation process. - 特許庁

本発明に係るイオン注入装置は、表面に半導体ウェハ１が配置されるディスク２０と、ディスク２０の表面に設けられ、半導体ウェハ１の周囲に位置する凸状のガード部材２２と、半導体ウェハ１にイオンを注入するイオン源とを具備する。例文帳に追加

The ion implanter comprises a disk 20 in which a semiconductor wafer 1 is arranged on the surface; a projecting guard member 22 that is provided on the surface of the disk 20 and is positioned around the semiconductor wafer 1; and an ion source for implanting ions to the semiconductor wafer 1. - 特許庁

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。例文帳に追加

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved. - 特許庁

イオン源（１１）と、イオン注入装置（１２）と、特殊形付きの電極（１４，１６）によって限定される電場発生手段と、イオンを検出するための検出器（１８）とを有する質量分析計が提供される。例文帳に追加

This is the mass spectrometer having an ion source (11), an ion injection device (12), an electric field generation means restricted by specially shaped electrodes (14, 16), and a detector (18) for detecting ions. - 特許庁

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。例文帳に追加

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation. - 特許庁

このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。例文帳に追加

In this regard, a large quantity of hydrogen ions are implanted into the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 serving as a mask by implanting ions, produced by plasma decomposing hydrogen diluted gas of phosphorus, while accelerating using an ion doping method without separating mass. - 特許庁

イオンインプランタすなわちイオン注入装置は、単一の走査端末ステーションに接続された少なくとも２つの独立したイオン発生装置１０，２２を備えている。例文帳に追加

This ion implanter (a device for implanting ions) is provided with at least two independent ion generation devices 10, 22 connected to a single scanning terminal station. - 特許庁

イオン源３によりイオンを含むプラズマが発生し、プラズマ中の正イオンが加速され、電極体１０を通過してディスク９に注入される。例文帳に追加

Plasma containing ions is generated from an ion source 3, and the positive ions in the plasma are accelerated to pass through the electrode body 10 and injected into the disk 9. - 特許庁

すなわち、混成イオン伝送装置は、注入されるイオンを伝送し、イオンがイオン伝送方向軸の中心に集中可能に電圧をかける静電レンズと、静電レンズに接続され、イオン伝送方向軸の中心に集中された前記イオンを通過させるＲＦイオン伝送管がゲート弁を介して接続されるような構成を有する。例文帳に追加

That is, the hybrid ion transmitting device has a structure in which the electrostatic lens for transmitting injected ions and applying a voltage so that the ions can be focused on the center of the ion transmitting direction axis and the RF ion transmitting tube connected to the electrostatic lens to pass the ions focused on the center of the ion transmitting direction axis are connected through the gate valve. - 特許庁

前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。例文帳に追加

The ion injection device further has: an ion source 7 ionizing an impure gas; a mass analyzer 8 extracting the impure ions to be injected into the wafer 2 among ionized impure ions; an acceleration tube 9 accelerating the extracted impure ions; and a lens 10 forming the accelerated impure ions in a desired beam shape. - 特許庁

これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。例文帳に追加

By this, since ion dissociation or neutralization can be formed by making the ion beam IB collide with the gas, the concentration profile of the impurities implantated into the semiconductor substrate 30 can be controlled freely. - 特許庁

イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。例文帳に追加

A turbo molecular pump 13a provided on the ion source 12 evacuates an arc-chamber 12a of an ion source 12 arranged for an exchange in a predetermined position of an ion implantation device. - 特許庁

基板へイオン注入するため、イオンビームをスキャンする際、基板がイオンビームに関して、一様に移動し及び／あるいは回転される装置及び方法の提供。例文帳に追加

To provide a device where a substrate is uniformly moved and/or rotated relative to an ion beam when the ion beam is scanned to inject an ion into the substrate, and a method of the same. - 特許庁

よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。例文帳に追加

Hence, different portions of a substrate, or different substrates, can be implanted respectively by different shaped ion beams without going through using multiple fixed apertures or retuning the ion beam each time. - 特許庁

ウエハ２０の端部まで充分に不純物イオンを注入するためにウエハ２０の面積より広い領域にイオンビーム照射することによって、プラテン１０にもイオンビームが照射される。例文帳に追加

By irradiating ion beams to a region wider than the area of the wafer 20 in order to sufficiently implant impurity ions to the edge part of the wafer 20, ion beams are irradiated even to the platen 10. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。例文帳に追加

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90. - 特許庁

イオンビーム加工装置のイオン発生装置において、イオン源１へガスを注入する操作をフラッシュ状に短時間で複数回行なうように構成される。例文帳に追加

In the ion generating device of the ion beam processing device, operation of injecting a gas into an ion source 1 in a flash state in a short time for a plurality of times. - 特許庁

半導体基板に第１イオンでイオン注入工程を行って第１ウェル領域を形成した後、前記第１イオンよりマスの大きい第２イオンでイオン注入工程を行い、前記形成された第１ウェル領域に第２ウェル領域を形成する段階と、前記結果物にアニール工程を行ってウェル領域を形成する段階とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a first well region by implanting first ions into a semiconductor substrate and then forming a second well region by implanting second ions in a larger mass than that of the first ions, and a step of annealing the products to form the well region. - 特許庁

低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multivalent ion irradiation device capable of controlling spatially precisely and accurately ion injection amount or the like using low-speed multivalent ions, and a manufacturing method of a fine structure using the same. - 特許庁

ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後（Ｓ３）、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する（Ｓ５）。例文帳に追加

A recipe for plug-ion implantation for a junction contact of a transistor is adjusted, (S3), based on the measured critical dimension of a gate electrode formed on a wafer, then the plug ions for the junction contact are implanted (S5) using the adjusted recipe for plug-ion implantation for a junction contact. - 特許庁

微細粉末を溶媒中に分散させた分散液を、基板表面に塗布する塗布ステップと、前記基板表面に塗布された塗布層に含まれる微細粉末に、イオン注入を行うイオン注入ステップと、イオン注入された微細粉末を前記基板表面から剥離する剥離ステップと、を備える。例文帳に追加

The ion implantation method to fine powder includes: an application step where a dispersion liquid obtained by dispersing fine powder into a solvent is applied to the surface of a substrate; an ion implantation step where ion implantation is performed to the fine powder comprised in an application layer applied to the surface of the substrate; and a peeling step where the fine powder subjected to the ion implantation is peeled from the surface of the substrate. - 特許庁

イオンビーム１の注入動作により、演算回路にてパラメータ信号に変換したイオンビーム電流量、イオンビーム電流検出板２がイオンビーム１を受けた時間、イオンビーム１の加速電圧値およびイオンの質量数から、積算回路１１にてイオンビーム電流検出板２の削れ量を積算する。例文帳に追加

By implanting operation of an ion beam, an amount of wear of the ion beam current detecting plate is integrated in an integrating circuit 11 from ion beam current amount converted into a parameter signal in an arithmetic circuit 9, time when the ion beam current detecting plate receives the ion beam, an accelerating voltage value of the ion beam and an atomic mass number of ion. - 特許庁

すると、パターニングしたフォトレジスト膜３４だけでなく斜面１６ａについてもイオン注入用マスクとして機能し、斜面１６ａにはＮ形不純物イオンが注入されず、底面１５および各斜面１６ｂ〜１６ｄにＮ形不純物イオンが注入され、高濃度Ｎ形不純物領域１８，２０が形成される。例文帳に追加

As a result, not only a patterned photo resist film 34 but also the slope 16a function as a mask for an ion implantation, the n-type impurity ion is not implanted into the slope 16a but implanted into a bottom face 15 and each slope 16b to 16d to form high concentration n-type impurity regions 18, 20. - 特許庁

アクチュエータ装置の製造方法において、酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、酸化ジルコニウム膜に、酸化ジルコニウム膜と下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、金属がイオン注入された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、を備える。例文帳に追加

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming a zirconium oxide film on a silicon oxide film, a step for implanting ions of such a metal as exhibiting adhesion to the zirconium oxide film and a lower electrode into the zirconium oxide film, a step for heat treating a layer into which the metal ions are implanted, and a step for forming the lower electrode on the zirconium oxide film into which the metal ions are implanted. - 特許庁

イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。例文帳に追加

The ion implanter 1 forms an ion beam X having a spreading angle through an ion source 10, an ion analyzer 12 and a multipole lens 14, and also, the ion beam X is made into an near-parallel beam to be a wide-shape ion beam by suppressing a spread in a width direction of the ion beam X formed by a quadrupolar device 16. - 特許庁

鉄鋼材料を製造するために用いる連続鋳造用鋳型において、鋳型内面側表面の少なくとも鋳型上端から高さ３００ｍｍまでの範囲に、クロム、モリブデン及びタングステンのいずれか一種以上のイオンを、好ましくはイオン注入層の厚みが０．０１〜１．０μｍであると共に、イオン注入量が１×１０^１６イオン／ｃｍ^２以上となるように注入してイオン注入層を形成したことを特徴とする連続鋳造用鋳型。例文帳に追加

In the mold for continuous casting, used for the production of the steel material, one or more of ions among chromium, molybdenum and tungsten, are poured so that desirably the thickness of the ion poured layer is 0.01-1.0 μm and the ion pouring amount becomes ≥1×10^16 ion/cm^2 to form the iron poured layer on the mold for continuous casting. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオン８を引出し電圧Ｖ_E で引き出すイオン源２と、それからのイオンを加速電圧Ｖ_A で加速する加速管１２と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット１４とを備えていて、目的のイオンをターゲット１６に入射させる構成をしている。例文帳に追加

This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16. - 特許庁

抵抗体５には導電率を制御するためのドーパントがイオン注入され、さらにドーパントを活性化させるための熱処理が施される。例文帳に追加

Thereafter, dopant ions for controlling the conductivity are implanted into the resistor 5 and activated by heat treatment. - 特許庁

次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。例文帳に追加

Next, from the IR waveforms after the hydrogen ions are implanted, the IR waveform of the FZ crystal semiconductor substrate is acquired by the difference spectrum method, and a difference is acquired between this IR waveform and the FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions, as acquired above, thereby accurately measuring the hydrogen implant dose implanted into the semiconductor substrate. - 特許庁

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。例文帳に追加

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method. - 特許庁