「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

比表面積５０００ｃｍ^2／ｇ以上の微粒子セメントおよびカルシウムイオン捕捉剤を必須成分とするＡ剤と、アルミン酸アルカリ金属塩を必須成分とするＢ剤とからなる地盤注入用材、これを用いた地盤注入材および地盤注入工法である。例文帳に追加

The grouting material using the above material and a grouting method using the grouting material are also provided. - 特許庁

フォトレジスト１０３、ゲート構造１０，１４、及び素子分離絶縁膜５ｂ，５ｃを注入マスクに用いて、Ｎ型不純物１０４をイオン注入する。例文帳に追加

A photoresist 103, the gate structures 10 and 14 and element separating insulation films 5b and 5c are used for an implantation mask and the ion implantation of N-type impurities 104 is performed. - 特許庁

半導体上に形成されたゲート部およびマスク材をマスクとして、前記ゲート部に隣接する前記半導体へのイオン注入によってイオンを導入し、一方の不純物領域を形成する。例文帳に追加

One impurity area is formed by introducing ions by implanting ions into a semiconductor adjacent to a gate part formed on the semiconductor with the gate part and a mask member as a mask. - 特許庁

質量分析部で質量分析された各イオンを、質量分析部以降に設けた複数のビーム経路に導くことにより同時に複数のイオン注入を可能にする。例文帳に追加

The ions subjected to mass spectrometry by a mass spectrometry part are respectively guided to a plurality of beam paths following the mass spectrometry part to permit the implantation of the plurality of ions at the same time. - 特許庁

チャネリング効果を利用したイオン注入（チャネリング注入）でソース・ドレイン領域を形成するに際し、チャネリング注入時にマスクの一部となるゲート電極側壁膜を成膜し直すことなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To form a source-drain region by ion implantation (channeling injection) utilizing the channeling effect without forming a gate electrode sidewall film which becomes a part of a mask in the case of channeling injection when forming the source/drain region. - 特許庁

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding. - 特許庁

固定されたイオンビームスキャンの間でのワークピースの回転は、より一様なイオン注入処理を進めるのに十分な、一時的な温度の放散を可能にする。例文帳に追加

The rotation of a work piece during the fixed ion beam scanning makes temporary temperature dissipation sufficient for promoting more uniform ion implantation treatment possible. - 特許庁

規則的に配列した複数の微細な開口部ＯＰを有するフィルタＦＬを通過したイオンビーム２２をレンズ２６で収束して半導体ウエハ１Ｗに照射することにより、チャネルドープイオン注入を行なう。例文帳に追加

Channel doping ion implantation is done by converging an ion beam 22 passed through a filter FL with multiple fine openings OP regularly arranged by a lens 26 and by irradiating a semiconductor wafer 1W with the ion beam. - 特許庁

このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。例文帳に追加

The ion implantation apparatus is provided with a plurality of gas introducing parts 38 introducing raw material gas 34 into an ion source 2 generating a ribbon-shape ion beam 4 and arranged in the Y-direction, and a plurality of flow regulators 36 controlling the flow of the introducing raw material gas 34. - 特許庁

ブロッキングマスク材料の堆積工程後に、ドーパントイオンが注入され、ブロッキングマスク材料が、部分的または完全に、フィンの上面をドーパントイオンからブロックする。例文帳に追加

After the process for depositing the blocking material, dopant ions are implanted, whereby the blocking mask material partially or completely blocks the top surface of the fin from these dopant ions. - 特許庁

これらのパラメータを制御することにより、どのような特定の注入に対しても最適なイオンビーム電流、エネルギー、サイズ及び形状を与えるようにイオンビームを調整することができる。例文帳に追加

Control of the parameters can tune the ion beam to provide an optimum ion beam current, energy, size and shape for any particular implantation. - 特許庁

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。例文帳に追加

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield. - 特許庁

半導体装置を製造する方法は、チャンバ２０１内でイオンを生成する段階，イオンを用いてチャンバ２０１内でターゲット２４１，２４２からスパッタリングされる材料を生成する段階，チャンバ２０１内でスパッタリングされた材料から他のイオンを生成する段階，チャンバ２０１から他のイオンを抽出する段階および他のイオンをウェハ１１１内に注入する段階を備える。例文帳に追加

This method comprises steps of generating ions in a chamber 201, generating materials sputtered from targets 241 and 242 in the chamber 201 using the ions, generating other ions from the materials sputtered in the chamber 201, extracting the other ions from the chamber 201, and implanting the other ions in a wafer. - 特許庁

半導体デバイスを形成する方法が、半導体層の上に保護層を形成するステップと、半導体層の注入領域を形成するために、第１の導電性タイプを有するイオンを保護層を通して半導体層内に注入するステップと、注入されたイオンを活性化させるために、半導体層および保護層をアニーリングするステップとを含む。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor device comprises the steps of forming the protective layer on a semiconductor layer; implanting an ion having a first conductivity type into the semiconductor layer through the protective layer for forming the implanted region of the semiconductor layer; and annealing the semiconductor layer and the protective layer for making the implanted ions activate. - 特許庁

イオン注入装置１００は、イオンソース部１０１からビームライン部１０２を介してエンドステーション部１０３に至る機構が構成されている。例文帳に追加

This ion implantation device 100 is composed by structuring a mechanism from an ion source part 101 through a beam line part 102 to an end station part 103. - 特許庁

本発明のイオン注入装置の構成部品は、イオンビームが通過するときに発生するＸ線の量を低下するために、ＲＦリニア加速器20の電極72が被膜材料で被膜されている。例文帳に追加

As the constitutional parts for the ion implantation device, the electrode 72 for the RF linear accelerator 20 is filmed with a film material. - 特許庁

ダミーモート領域に高濃度のｐ型不純物イオンを注入することによって金属イオン汚染をゲッタリングし、漏れ電流を低減できるようにしたＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CMOS image sensor which can getter metallic ion contamination having high concentration by implanting a p-type impurity ion into a dummy moat region, thereby reducing leakage current, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

引き続き、フォトレジスト８，第１の層間絶縁膜１０７をマスクにして、ｐ型ドーパントイオンをイオン注入した後、活性化アニールを施すことで、トレンチ９の下方にｐ型不純物拡散領域１２を形成する。例文帳に追加

In succession, while a photoresist 8 and the film 107 are used as a mask, p-type dopant ions are ion-implanted, activation annealing operation is then executed, and a p-type diffused region 12 is formed in the lower part of the trench 9. - 特許庁

リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。例文帳に追加

To realize an ion injection device which is easy to handle and can reduce power consumption with a simple structure by an assembly which can adjust uniformity of the current density of a ribbon form continuous ion beam. - 特許庁

また、他の単結晶ＳｉＣは、Ｓｉ基板２の表面にＣイオンをイオン注入してＳｉＣ注入層８を形成し、このＳｉＣ注入層８に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を有するＳｉ基板２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。例文帳に追加

The SiC single crystal is otherwise obtained as follows: an SiC injection-layer 8 is formed by injecting C ion to the surface of an Si substrate 2, an exciting-layer 12 is formed by irradiating the layer 8 with the exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer by heating the SiC substrate 2 which includes the SiC exciting layer 12. - 特許庁

ビーム検出部２０によりウェハ１６へのイオン注入量が計測されると共に、静電スキャン制御部１４Ｂでは、計測されたイオン注入量をもとにして、図４（Ｃ）に示したように、領域ａ_1 〜ｄ_1 のそれぞれの領域内部ではイオンビームの走査速度が一定になるよう制御する一方、異なる領域ａ_1 〜ｄ_1 間では走査速度が変化するように制御する。例文帳に追加

The amount of ion implanted to the wafer 16 is measured by a beam detection section 20. - 特許庁

表面が平滑化されているＳｉＣ層であるｎ型ドリフト層２の一部にアルミニウムイオン５を打ち込んで、イオン注入層６を形成する。例文帳に追加

An ion implantation layer 6 is formed by driving aluminum ion 5 into a part of an SiC layer with a smoothed surface or an n-type drift layer 2. - 特許庁

複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。例文帳に追加

In an ion implantation process of irradiating a plurality of wafers with the ion beam while rotating a wafer disk where the plurality of wafers are loaded, the beam current of the ion beam is measured to determine whether the beam current has periodic variation. - 特許庁

貯蔵施設の載置台兼用電極７の上に載置貯蔵された海産物Ｓにマイナスイオン発生電極５を接触あるいは接近させた状態とし、マイナスイオン発生電圧供給装置９からマイナスイオン発生電圧を供給し、マイナスイオン発生電極５から海産物Ｓにマイナスイオンを注入することにより海産物を貯蔵する。例文帳に追加

The marine product is stored by making a state in which the marine product S placed on an electrode 7 used combinedly as a carrying platform in a storage installation is contacted with or approached by an anion- generating electrode 5 to apply an anion-generating voltage thereto from an anion-generating voltage-applying device 9, and pouring the anion to the marine product S from the anion-generating electrode 5. - 特許庁

本発明により，電解液の注入時間および寿命特性，および量産性等が向上したリチウムイオン二次電池用電解液と，それを含むリチウムイオン二次電池が可能となる。例文帳に追加

The electrolyte for the lithium ion secondary battery shortens the electrolyte filling time, enhances the life characteristics and mass production properties, and the lithium ion secondary battery containing this electrolyte is realized. - 特許庁

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。例文帳に追加

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less. - 特許庁

これにより、ディスク２４をイオンビーム２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程を連続的に行えるようにした。例文帳に追加

As a result, the disk 24 is tilted in a prescribed direction while keeping the incident angle of the ion beam 28, and the ion beam 28 is made to impinge on the semiconductor wafer 22 from different directions, so that ions are continuously implanted into the semiconductor wafers 22. - 特許庁

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process. - 特許庁

イオン注入量制御部５は、このイオンビーム電流計測部４を通して計測された電流値とこの時の条件に最適な理論値の条件イオンビーム電流値とを比較し、これらの差分により補正係数を算出する。例文帳に追加

An ion dosage control part 5 compares the current measured by the ion beam current measuring part 4 to the conditional ion beam current of logical value optimized to the measuring condition, and them calculate a correction coefficient by the difference of the current value. - 特許庁

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。例文帳に追加

In the minute part analyzer using the focused ion beam, Ga whose ion kind is Ga is poured on a surface of a sample 4 by pre-radiating Ga focused ion beam 3 to make it a reference element for measuring a surface temperature of the sample 4, and the temperature of the minute part on the surface of the sample 4 during analysis is determined. - 特許庁

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。例文帳に追加

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them. - 特許庁

レオメータ用ダイスは、その、少なくともサンプルに接触する表面に、イオン成膜処理、およびイオン注入処理のうち少なくとも一方の処理を施した。例文帳に追加

In the dies for a rheometer, the surface in contact with a sample is treated with at least either of ion deposition treatment or ion implantation treatment. - 特許庁

イオン注入装置において、試料基体とビーム走査電極との間に断続的および／または連続的に移動が可能なイオンビーム遮蔽用のマスクを設ける。例文帳に追加

In ion implantation device, a mask for shielding an ion beam movable intermittently and/or continuously between the sample base body and a beam scanning electrode is provided. - 特許庁

プラズマを励起された処理室内において、保持台上に設けられた処理基板へ前記プラズマ内の正イオンを加速して打ち込むプラズマイオン注入する際、前記保持台に、４ＭＨｚ以上の周波数を有するＲＦ電力を印加して処理基板表面にセルフバイアス電圧を発生させて、イオン注入を行う。例文帳に追加

When performing plasma ion implantation accelerating and applying positive ions within plasma to a treatment substrate provided on a holding base inside a treatment chamber wherein the plasma is excited, RF power having a frequency ≥4 MHz is impressed to the holding base and a self-bias voltage is generated on the surface of the treatment substrate for ion implantation. - 特許庁

イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。例文帳に追加

In the ion implantation, at least one of scanning of an ion beam IB by electric field or magnetic field or translation movement of the substrate is carried out by simultaneously rotating the substrate W centered on a rotating axis RA crossing the surface on which the ion beam IB is irradiated. - 特許庁

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。例文帳に追加

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer. - 特許庁

半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。例文帳に追加

The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD. - 特許庁

注入方法に関し、第１の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第２の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。例文帳に追加

The implantation method has a step of scanning a substrate with an ion beam along a series of scan lines extending in a first direction, a step of providing relative rotation between the substrate and the ion beam, and a step of scanning the substrate with the ion beam along a series of second scan lines in a different direction. - 特許庁

複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。例文帳に追加

An ion implanter includes ion irradiation means capable of applying a plurality of types of ions, a plurality of stages where semiconductor wafers are installed, transfer means for transferring each stage relative to the ion irradiation means, transportation means for installing semiconductor wafers on the stages, control means, and input means for supplying a type of ion to the control means. - 特許庁

また、ゲート電極１２ｄが高濃度不純物層形成工程で不純物イオンを注入するときに不純物イオンの透過を妨げる厚さに形成されるため、同じゲート電極１２ｄをマスクにして半導体基板１０に不純物イオンを注入し、高濃度不純物層２２を形成することができる。例文帳に追加

Further, the gate electrode 12d is formed to such a thickness that impurity ions are stopped from being transmitted when the impurity ions are injected in a high-density impurity layer forming stage, a high-density impurity layer 22 can be formed by injecting the impurity ions into the semiconductor substrate 10 while using the same gate electrode 12d as a mask. - 特許庁

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region. - 特許庁

第１導電型の基板１上に形成された第２導電型のボディ領域３内に注入マスクを用いたイオン注入により第１導電型のソース領域４を形成する第１の工程と、前記注入マスクを用いて第２導電型のボディ領域３内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域１３を形成する第２の工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor element comprises: a first process for forming a first conductive type source region 4 in a second conductive type body region 3 formed on a first conductive type substrate 1 through ion pouring employing a pouring mask; and a second process for forming a doped region 13 doped by pouring acceptor impurities into the second conductive type body region 3 employing the pouring mask. - 特許庁

本発明のイオン注入方法では、ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ＋２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ^＋イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ＋２の整数）を生成する。例文帳に追加

In the inventive ion implantation method, CmHy^+ ions (m is an integer of 4≤m≤6, y is an integer of 1≤y≤2m+2) are generated using a raw material for ion generation represented by CnHx(n is an integer of 4≤n≤6, x is an integer of 1≤x≤2n+2). - 特許庁

金属汚染評価対象であるイオン注入処理（工程Ｓ２）を行う前に、シリコン基板表面（シリコンウエハ１の表面）に非晶質シリコン層２を形成する（工程Ｓ１）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ１の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。例文帳に追加

Before an ion injecting process (stage S2) as an object of metal contamination evaluation is performed, an amorphous silicon layer 2 is formed (stage S1) on a silicon substrate surface (a surface of a silicon wafer 1) to suppress a crystal defect induced nearby the surface of the silicon wafer 1 due to injection energy in the silicon injection stage S2. - 特許庁

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask. - 特許庁