「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。例文帳に追加

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible. - 特許庁

使用時における口腔軟部組織損傷などの事故対策と細菌などによる感染対策が施されており、スポンジ、ブラシ等の清掃体の選択ができ、多量の水や電解イオン水の注入が可能であり、清掃体と一体化して使用することで口腔内を清潔にできる口腔ケア用清掃器具を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning instrument for oral cavity care provided with countermeasures against an accident such as the damage of soft tissue of the oral cavity during use and countermeasures against infection by bacteria or the like, allowed to select a cleaning body such as sponge or a brush and to inject a large quantity of water or electrolytic ionic water and used integrally with the cleaning body to clean the oral cavity. - 特許庁

絶縁膜９０５を付着させゲイト電極１０８を堆積し、エッチングによりトレンチ１０５を開口しスペーサ１０３を付着させた後ｎ型イオン注入してドレイン領域１０６を基板１０上部ゲート１０８に隣接して形成し、開口部１０５に導電体を充填してコンタクトとする。例文帳に追加

An insulating film 905 is attached, a gate electrode 108 is deposited, a trench 105 is cut by etching, a spacer 103 is attached, then N-type ions are implanted to form a drain region 106 adjacent to the upper gate 108, and the opening 105 is filled up with conductor to serve as a contact. - 特許庁

大気圧より大きい圧力の酸素雰囲気下において、吸収液が注入された耐圧容器内で前記試料を燃焼する工程と、前記吸収液を回収してｐＨ５．０〜５．５の範囲内に調整する工程と、ｐＨを調整した前記吸収液の電位をフッ素イオン電極により測定する工程により、試料に含まれるフッ素の定量を精度よく、かつ迅速に定量することができるようになる。例文帳に追加

Fluorine contained in the sample determined precisely and rapidly by processes for: burning the sample in a pressure-resistant container, in which an absorbing liquid is injected, under an oxygen atmosphere having pressure higher than atmospheric pressure; recovering the absorbing liquid to adjust the pH thereof to 5.0-5.5; and measuring the potential of the absorbing liquid adjusted in its pH. - 特許庁

使用ガス漏洩の有無をモニターする使用ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器３００と、複数種類の使用ガスを使用するイオン注入装置１００から出力された使用中の使用ガスのガス種を示す出力信号１０２と、出力信号１０２によりモニターするガス検知器３００を切り替えるモニター切替ユニット２００とを有する。例文帳に追加

This gas detection system has a plurality of types of gas detectors 300 corresponding to types of gases of used gases monitoring the presence or absence of a leakage of used gas, an output signal 102 indicating type of used gas during use outputted from an ion implantation device 100 using a plurality of types of gases, and a monitor switching unit 200 switching monitoring gas detectors 300 by the output signal 102. - 特許庁

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。例文帳に追加

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5. - 特許庁

必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can manufacture the epitaxial wafer having an ion implantation layer with required minimum process, can attaine both reduction in contamination and cost during an additional process, can highly sensitively evaluat/certify contamination with metallic impurities during the manufacture, and can efficiently manufacture a wafer with little contamination. - 特許庁

本発明は、ボンドウェーハとして、通常のドーパント濃度のウェーハを用いてイオン注入剥離法で作製された貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、シード層のドーパント濃度を高めた後にエピ成長させることによって、ＳＯＩ層の底部に高濃度層を有する構造のＳＯＩウェーハを低コストで製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI wafer with a high-concentration layer at a bottom of an SOI layer at lost cost in a manner that a bonded SOI wafer manufactured by an ion implantation separation method with a wafer with general dopant concentration used as a bonding wafer is subjected to epitaxial growth after the dopant concentration of a seed layer is increased. - 特許庁

第一鉄イオンの添加で生成した不溶化物を除去した後の水は、アゾール系銅用防食剤のみならず、懸濁物質も除去されたものであるため、オゾンによる促進酸化分解処理にあたり、オゾンの無駄な消費を防止して、少ないオゾン注入量で残留するアゾール系銅用防食剤を含むＴＯＣ成分を高度に分解除去することができる。例文帳に追加

Water after the removal of the insoluble material produced by the addition of ferrous ion is obtained by removing not only the anti-corrosive for the azole-based copper but a suspension and in the acceleration oxidation degradation by ozone, the futile use of ozone is prevented and a remaining TOC component containing the anti-corrosive for the azole-based copper is highly decomposed and removed with a small injected ozone. - 特許庁

第１の媒質１と、第１の媒質上に積層されている第２の媒質と、第１，第２の媒質との界面に配置されたＩＤＴ電極２とを備える積層体を用意し、第２の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the elastic boundary wave device comprises processes of: preparing a laminate body including a first medium 1, a second medium laminated on the first medium and an IDT electrode 2 disposed at an interface between the first and the second mediums; charging ions from the outside of the second medium; and adjusting a frequency. - 特許庁

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのｐ形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープＩｎＧａＡｓ層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたＢｅイオン注入法を用い、ｐ形光吸収層にＢｅドープすることを特徴とする。例文帳に追加

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction. - 特許庁

本発明はフローティングボディトランジスタの製造過程でランディングプラグの下部を上部より狭く形成し、フローティングボディの体積が減少するのを防止し、フローティングボディの下部にイオン注入を介して濃度を高めることによりパンチスルー現象を防止することができる方法と、それに伴い製造された半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method which prevents the reduction in volume of a floating body by forming a landing plug so as to have a lower part narrower than an upper part in a manufacturing process of a floating body transistor and is capable of preventing a punch-through phenomenon by raising a density through ion implantation to a lower part of the floating body, and to provide a semiconductor storage device fabricated by this method. - 特許庁

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。例文帳に追加

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10. - 特許庁

ＬＤＤ構造のエミッタ８３及びコレクタ８４は、ＭＯＳＦＥＴ形成領域１００にpoly-siゲート２１０を形成するときに、ラテラルＰＮＰトランジスタ形成領域２００にもpoly-siゲート２１０、２１１を形成し、領域２００に対しても領域１００に対してと同様に二回のイオン注入を行なうことによって製造される。例文帳に追加

The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures are manufactured by forming poly-si gates 210 and 211 in a lateral pnp transistor forming region 200 at the time of forming a poly-si gate 210 in a MOSFET forming region 100, and implanting ions twice in the region 200 in the same way as in the region 100. - 特許庁

画素サイズの微細化など素子構成要素の微細化が進んでも、光電変換部や電荷転送部などの隣接するイオン注入領域の相対位置の製造バラツキを小さく抑えることができ、これにより、高品質なＣＣＤデバイスなどの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the semiconductor device such as a CCD device of high quality is manufactured by reducing manufacture variations in relative positions of adjacent ion implantation regions of a photoelectric conversion portion, a charge transfer portion or the like even when stuffs constituting elements are more microfabricated, for example, a pixel size is made finer. - 特許庁

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。例文帳に追加

After each gate electrode 14 and each gate insulating film 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and the ferroelectrics FET are formed, respectively, the formation of each source region 15 and each drain region 16 of the nMOSFET and the ferroelectrics FET and the formation of each source region 17 and each drain region 18 of the pMOSFET are carried out separately by ion implantation of impurities. - 特許庁

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。例文帳に追加

After gate electrodes 14 and gate insulating films 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and a ferrodielectric FET are formed individually, source regions 15 and drain regions 16 of the nMOSFET and the ferrodielectric FET are formed separately with the formation of source regions 17 and drain regions 18 of the pMOSFET by ion implantation of impurities. - 特許庁

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。例文帳に追加

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof. - 特許庁

ｎ形の半導体基板１の表面層にｐウエル領域２を形成し、ｐウエル領域２の表面層にＡｓのイオン注入でｎエミッタ領域３を形成し、半導体基板１とｎエミッタ領域３に挟まれたｐウエル領域２の表面にゲート絶縁膜４を介して、ポリシリコンのゲート電極５を形成する。例文帳に追加

P-type well regions 2 are formed in the surface layer of an N-type semiconductor substrate 1, N-type emitter region 3 are formed in the surface layer of each of the regions 2 by an As ion implantation and polysilicon gate electrodes 5 are formed on the surfaces, which are held between the substrate 1 and the regions 3, of the regions 2 via a gate insulating film 4. - 特許庁

地盤改良領域全体におけるシリカ注入材の反応生成物の影響を低減し、コンクリート構造物または土中埋設物に接する硫酸イオンを減少させることにより、コンクリート構造物等を保護すると共に、シリカのゲル耐久性がより優れた固結を可能にする地盤改良工法を提供する。例文帳に追加

To provide a soil improvement method in which an effect of a reaction product of a silica injection material in an overall soil improvement area is reduced so that sulfuric acid ions in contact with a concrete structure or a buried object is reduced so as to protect the concrete structure and others while the consolidation with more excellent durability of silica against gel is enabled. - 特許庁

半導体装置の製造の検査工程で得られた構造が管理スペックから離れている場合でも、イオン注入工程において、補正することにより、最終的な電気特性のばらつきをウェハ面内で抑制でき、製品歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造システムと製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing system and manufacturing method for a semiconductor device that can suppress variation in final electric characteristics in a wafer surface by making corrections in an ion implantation step even when a structure obtained in an inspection step of manufacture of the semiconductor device deviates from management specifications to improve the product yield. - 特許庁

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer. - 特許庁

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11. - 特許庁

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。例文帳に追加

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body. - 特許庁

半導体基板２１の表面部分に溝２２が形成され、膜２３で埋め込まれており、溝２２の内部のＡ点まで膜２２に対してエッチングを行う場合、Ａ点まで不純物イオンを注入することで、基板表面のＢ点からＡ点までのエッチング速度が、Ａ点から溝底面のＣ点までの速度よりも速くなる。例文帳に追加

In this method of manufacturing, grooves 22 formed on a surface of a semiconductor substrate 21 are filled with film 23, and in etching the film 23 down to point A inside grooves 22, etching rate from point B at the substrate surface to point A can be higher than the rate from point A to point C at the bottom of the grooves by implanting impurity ions down to point A. - 特許庁

ＳＯＩ層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層ＳＯＩ基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。例文帳に追加

A multilayer SOI substrate having an amorphous or polycrystal semiconductor layer formed beneath an SOI layer through a gate insulation film is employed, the semiconductor layer is implanted with ions in a pattern reverse to that of an upper gate electrode, and a buried gate is formed in self- alignment with the upper gate. - 特許庁

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate. - 特許庁

また、レジスト膜Ｒ１をマスクとして、第１領域のスルー酸化膜２０の除去を行うことから、レジスト膜Ｒ１を除去した後には、第２領域には、スルー酸化膜２０が残るので、その後の第２領域の半導体基板１０中への、閾値調整用イオン注入等のときに、このスルー酸化膜２０を使用することができる。例文帳に追加

Also, since the through oxide film 20 at a first region is eliminated with a resist film R1 as a mask, the through oxide film 20 remains in the second region after the resist film R1 is eliminated, so that the through oxide film 20 can be used for ion implantation or the like for adjusting thresholds into the semiconductor substrate 10 in the second region thereafter. - 特許庁

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。例文帳に追加

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole. - 特許庁

ｐＭＯＳトランジスタＱ１とｎＭＯＳトランジスタＱ２で構成されるインバータ回路１を含む半導体集積回路装置において、注入イオンのドーズ量を素子単位に設定してマルチＶｔｈプロセスを実行することにより、トランジスタＱ２のしきい値電圧をトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも低くする。例文帳に追加

In a semiconductor integrated circuit device which includes an inverter circuit composed of a pMOS transistor and an n MOS transistor Q2, the threshold voltage of the transistor Q2 is made lower than the threshold of the transistor Q1 by setting the dosage of implanted ions to the units of elements and executing a multi-Vth process. - 特許庁

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。例文帳に追加

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece. - 特許庁

基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。例文帳に追加

The method includes: a first process of forming a resist pattern 3 on a substrate 1; a second process of irradiating the substrate 1 with UV rays while heating in an inert gas and nitrogen atmosphere or of immersing the substrate in an alkali solution while heating; a third process of implanting ions; and a fourth process of stripping the resist pattern 3. - 特許庁

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。例文帳に追加

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated. - 特許庁

時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter comprising a beam current measuring unit which can measure the value of a substantial beam current, with which a target is irradiated, depending on the pressure variation in a processing chamber changing every moment, and can measure an accurate beam current without being affected by a fluctuation caused by the charge up of a target. - 特許庁

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。例文帳に追加

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61. - 特許庁

複数のＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタとが同じ半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、ＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタのベースのイオン注入工程を共通化して安価に製造することができ、小型で、論理回路設計の自由度が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, wherein a plurality of IIL devices and a bipolar transistor are formed on the same semiconductor substrate, by which ion implantation process into bases of the IIL devices and the bipolar transistor is made common to manufacture at low cost, the device is compact, and the flexibility of the design of a logic circuit will not deteriorate, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。例文帳に追加

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask. - 特許庁

ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３の上部に開孔部１２８を有するレジストマスク７を多結晶Ｓｉ膜６上に形成した後、Ｓｉイオン１０注入を行い、ゲート絶縁膜５を構成するＳｉＯＮ膜の原子同士の結合を弱める。例文帳に追加

After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded. - 特許庁

本発明の固体撮像素子１は、光電変換を行う受光部３と、電荷読み出し部４と、垂直電荷転送部５と、前記垂直電荷転送部５の転送電極１７を覆う遮光膜１９とを備え、前記遮光膜１９の直下の界面にイオン注入による凹凸面３１が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

The solid-state imaging element 1 includes: a light receiving unit 3; an electric charge read unit 4; a vertical electric charge transfer unit 5; and a light shield film 19 for covering a transfer electrode 17 of the vertical electric charge transfer unit 5, and a rugged face 31 by ion implantation is formed on a boundary face immediately below the light shield film 19. - 特許庁

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。例文帳に追加

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed. - 特許庁

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。例文帳に追加

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes. - 特許庁

微量の酸化性物質でも効率よく分解除去でき、活性炭塔の後段のイオン交換樹脂や逆浸透膜を劣化させることがなく、また、還元剤の注入量を低減でき、残留還元剤濃度も極めて低く、安定した純水製造を行いうる純水の製造方法及び装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a pure water production method and a device thereof by which even a trace of acidic substance can be efficiently decomposed and removed, an ion exchange resin and a reverse osmosis membrane in the post stage of an activated carbon tower are not deteriorated and a pouring quantity of a reducing agent can be reduced, concentration of a residual reducing agent is greatly low, and pure water is stably produced. - 特許庁

支持基板５００の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、（Ａ）半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層２２０を形成する工程と、（Ｂ）半導体層２２０による吸収波長のレーザを半導体層２２０に対して照射することにより、半導体層２２０の表層部を溶融させる工程とを有する。例文帳に追加

The production method of an electro-optical device comprises a step for sticking a semiconductor substrate to the surface of a supporting substrate 500, step (A) for forming a semiconductor layer 220 by separating the semiconductor substrate in a hydrogen ion implantation layer, and step (B) for melting the surface layer part of the semiconductor layer 220 by irradiating it with a laser beam having an absorption wavelength of the semiconductor layer 220. - 特許庁

ｈｉｇｈ−ｋ膜を含むＦＥＴにおいて、低抵抗金属として高融点金属を用いた場合のイオン注入時のゲートにおけるドーパント突き抜けの問題と、低抵抗金属のグレインサイズの下地依存に起因したＰＭＩＳトランジスタとＮＭＩＳトランジスタとのゲート抵抗の差を解決する。例文帳に追加

To solve the problems of penetration of dopant in a gate at ion implantation when a refractory metal is used as a low resistance metal, and of difference in gate resistance of a PMIS transistor and an NMIS transistor caused by dependence on a base of a grain size of the low resistance metal, in a FET containing a high-k film. - 特許庁

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。例文帳に追加

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed. - 特許庁