「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

プレアモルファス工程の後に、上記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は上記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。例文帳に追加

After the pre-amorphous step, at least any one of steps of implanting ions of boron in the amorphous region and converting the amorphous region to a silicide region is carried out. - 特許庁

半導体基板２００による吸収波長のレーザ６３０を半導体基板２００に対して照射することにより、半導体基板２００の水素イオン注入層２０５において半導体基板２００を分離する。例文帳に追加

A semiconductor substrate 200 is separated in the hydrogen ion implantation layer 205 thereof by irradiating the semiconductor substrate 200 with a laser beam 630 having an absorption wavelength of the semiconductor substrate 200. - 特許庁

材料またはハイブリッドスカベンジレス現像ワイヤの摩擦帯電特性を調整するためのイオン注入を用いる静電潜像を現像する装置及び電極構造例文帳に追加

DEVICE AND ELECTRODE STRUCTURE FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC LATENT IMAGE USING ION IMPLANTATION FOR TRIBOELECTROSTATIC CHARGE CHARACTERISTIC OF MATERIAL OR HYBRID SCANVENGELESS DEVELOPING WIRE AND ELECTRODE STRUCTURE - 特許庁

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成した後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。例文帳に追加

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorus ions in order to form a source-drain region. - 特許庁

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented. - 特許庁

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。例文帳に追加

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted. - 特許庁

その後、ゲート電極１０２の側面にサイドウォール１０６を形成した後、シリコン基板１００に対してイオン注入を行なってソース・ドレイン領域１０５を形成した後、熱処理を実施する。例文帳に追加

Then a sidewall 106 is formed on the side face of the gate electrode 102, ions are injected to the silicon substrate 100 to form a source/drain area 105, and then heat treatment is performed. - 特許庁

ｎ^-型エピ層２にソース領域４、ドレイン領域５を形成するためのｐ型不純物のイオン注入を行う前あるいは後、ｎ^-型エピ層２の上にキャップ層としてシリコン酸化膜６を成膜する。例文帳に追加

Before or after implanting p-type impurity ions for forming a source region 4 and a drain region 5 in an n^-type epitaxial layer 2, a silicon oxide film 6 is formed on the n^-type epitaxial layer 2 as a cap layer. - 特許庁

これらの素子は、ゲート電極を通してイオン注入せずに作成することが出来るため、ガラス基板上にマスクＲＯＭを作り込むことができるようになる。例文帳に追加

Since the elements can be formed without ion implantation through a gate electrode, the mask ROM can be formed on the glass substrate. - 特許庁

アルカリ骨材反応抑制効果の大きいリチウムイオン含有ゼオライトからなるひび割れ注入材と水蒸気透過性の高い水性のシラン系含浸材を組み合わせるアルカリ骨材反応対策工法を提供する。例文帳に追加

To provide an alkali-aggregate reaction countermeasure construction method in which a crack injection material composed of zeolite containing lithium ions having a large effect of suppressing an alkali-aggregate reaction and an aqueous silane-based impregnation material having a high water-vapor permeability are combined. - 特許庁

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。例文帳に追加

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing. - 特許庁

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。例文帳に追加

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14. - 特許庁

ゲートスタック７と側壁絶縁膜９からなる所定の幅のスペーサをマスクとする不純物のイオン注入と活性化アニールにより、２つのソース・ドレイン領域１０をＰウェル３に形成する。例文帳に追加

In a method for manufacturing an insulated gate field effect transistor, two source-drain regions 10 are formed in a P well 3 by performing impurity ion implantation and activation annealing while using a gate stack 7 and a spacer of a sidewall insulating film 9 having a predetermined width as a mask. - 特許庁

ゲート電極５の側壁上にサイドウォール８を形成し、ソース・ドレインとしてのｎ^+型半導体領域９を形成するためにイオン注入９ａを行う。例文帳に追加

A sidewall 8 is formed on the sidewall of the gate electrode 5, and for forming an n^+-type semiconductor area 9 as the source/drain, ion implantation 9a is carried out. - 特許庁

このため、被覆絶縁膜を介して基板にイオン注入することにより形成したソース・ドレインエクステンション領域の拡散プロファイルが均一となる。例文帳に追加

As a result, diffusion profile can be made uniform in the source/drain extension area that is formed by implanting ions to the substrate by means of the covering insulating film. - 特許庁

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds. - 特許庁

無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるＳｉ半導体微細構造体の加工方法及びその方法による集積回路、デバイス及びマイクロマシーンコンポーネント例文帳に追加

MACHINING METHOD OF Si SEMICONDUCTOR FINE STRUCTURE DUE TO ION BEAM IMPLANTATION LITHOGRAPHY OF INORGANIC MULTILAYER RESIST AND INTEGRATED CIRCUIT, DEVICE, AND MICROMACHINE COMPONENT THEREBY - 特許庁

ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。例文帳に追加

A drain region and a source region are formed at the position sandwiching the gate electrode by conducting the ion implantation to the surface of the semiconductor substrate exposed by the etching of the LOCOS film. - 特許庁

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。例文帳に追加

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorous ions for forming a source-drain region. - 特許庁

その後は分離層に達するまで基板裏面を研削し（ステップＳ５）、第２導電型不純物のイオン注入とアニールによりコレクタ層を形成する（ステップＳ６）。例文帳に追加

Then the rear of the substrate is ground to the separate layer (step S5) and a collector layer is formed by second conductive impurity ion injection and annealing (step S6). - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19. - 特許庁

ＤＭＯＳトランジスタにおいて、斜めイオン注入によりボディ層を形成する際に、リーク電流を低減するとともに、トランジスタのオフ時のソースドレイン間耐圧を向上する。例文帳に追加

To enhance a source-drain breakdown voltage at turning off of a transistor, while reducing the leakage current, when a body layer is formed through oblique ion implantation in a DMOS transistor. - 特許庁

このイオン注入層２０により、コレクタ層１３とエミッタ層１４との間で、半導体基板の面内方向に不純物の濃度勾配を形成する。例文帳に追加

The method further comprises a step of forming a concentration gradient of the impurity by the layer 20 along the in-plane direction as the substrate between the collector layer 13 and the emitter layer 14. - 特許庁

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region. - 特許庁

また、抵抗素子領域８，８，…は、互いに隣接する外縁の間の距離が、イオン注入時のマスクのフォトレジストの最小間隔になっている。例文帳に追加

Also, the distance between the outer peripheral edges of the adjacent resistance-element regions 8, 8 to each other is brought into the minimum space of the photoresist of a mask used in the case of the foregoing ion-implantation. - 特許庁

各イオン注入の後には、半導体基板１１を、約２００℃／秒の昇温レートで且つ８５０℃〜１０５０℃程度にまで昇温し、ピーク温度を最大で１０秒間程度保持する急速熱処理を行なう。例文帳に追加

After each ion implantation, quick heat treatment is performed wherein the temperature of the semiconductor substrate 11 is increased up to about 850-1050°C at the temperature-up rate of about 200°C/s, and the peak temperature is kept for 10 seconds at maximum. - 特許庁

その後、絶縁膜１７及びサイドウォール１６ａ、１６ｂをマスクにして、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型ソース領域１９ａ、１９ｃ及びＮ型ドレイン領域１９ｂを形成する。例文帳に追加

Thereafter, n-type impurity ions are implanted through the insulating film 17 and the side walls 16a and 16b as mask, so as to form n-type source regions 19a and 19c and an n-type drain region 19b. - 特許庁

その後、全面に絶縁膜４１を形成した後、トランジスタ形成領域をフォトレジスト膜４２で覆い、ポリシリコン膜３５ａに導電性不純物をイオン注入する。例文帳に追加

After an insulating film 41 is formed over the entire surface, the transistor forming region is covered with a photoresist film 42 and conductive impurities are ion-implanted to the polysilicon film 35a. - 特許庁

次に、ゲート電極７ａ及びスペーサー８ａをマスクとしてリン等をイオン注入しＮ型埋め込みドリフト層５内にＮ＋型ドレイン層１１を形成する。例文帳に追加

Then, phosphor etc. is ion-doped using the gate electrode 7a and the spacer 8a as masks to form an N+ type drain layer 11 is formed in the N type embedded drift layer 5. - 特許庁

半導体基板１に垂直溝４を形成し、垂直溝４に埋め込んだレジスト膜５をマスクとして、ボロン（Ｂ^＋）をイオン注入、熱拡散して、ｐ型のベース領域６を形成する。例文帳に追加

A vertical groove 4 is formed in a semiconductor substrate 1, and a p-type base region 6 is formed in the substrate 1 by injecting boron (B^+) into the substrate 1 through ion implantation and thermally diffusing the boron in the substrate 1 by using a resist film 5 embedded in the groove 4 as a mask. - 特許庁

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。例文帳に追加

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion. - 特許庁

０.００１質量％（１ｐｐｍ）以上のフッ素イオンを含有するｐＨ１〜５の酸性水溶液を、ステンレス鋼製セパレータを介して燃料電池内に注入する。例文帳に追加

Acid aqueous solution with pH 1-5 containing fluorine ions of 0.001 mass% (1 ppm) or more is filled in a fuel cell through a stainless steel separator. - 特許庁

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置およびその製造方法であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which ion implantation is conducted before the silicide process and leak current in MISFET can be controlled more reliably. - 特許庁

次に、Ｎウェルイオン注入マスクを利用して前記酸化膜１２０を選択的にエッチングし、前記スクライブレーン領域１１１に領域キー及び第１整列キーを同時に形成する。例文帳に追加

Then, the oxide film 120 is selectively etched using a N well-ion-implantation mask, and a region key and a first alignment key are formed in the scribe lane region 111 simultaneously. - 特許庁

ＲＯＭコードのプログラミングを実施する際に、チャネル領域にイオン注入する不純物の均一性を向上することができ、これによりプログラミング欠陥を抑制できるＮＯＲ型マスクＲＯＭとその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an NOR-type mask ROM and its manufacturing method of, whereby in programming ROM codes uniformity of an impurity ion implanted in channel regions can be sufficiently improved to suppress programming defects. - 特許庁

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam. - 特許庁

トランジスタのゲート酸化膜の破壊を生ずるおそれがなく、かつイオン注入によらずにモード信号の設定ができるオプション設定回路を提供する。例文帳に追加

To provide an option-setting circuit that precludes the possibility of the causing a breakdown of gate oxide film of transistors(TRs) and can set a mode signal without relying on ion implantation. - 特許庁

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device that performs ion implantation before silicide process, and can control a leakage current in MISFET more reliably. - 特許庁

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。例文帳に追加

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation. - 特許庁

このように、高濃度イオン注入のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響を不純物拡散計算中に考慮することにより、半導体の製造プロセスをより正確にシミュレーションすることができる。例文帳に追加

As explained above, the manufacturing process of a semiconductor can be simulated more accurately by considering the effect on the phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of implanting high concentration ions when the impurity diffusion is calculated. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。例文帳に追加

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element. - 特許庁

この際、低濃度ソース領域１ｂ、９５、および低濃度ドレイン領域１ｃ、９３が下地絶縁膜１２に届く条件でイオン注入する。例文帳に追加

In this case, the ion injection is carried out under a condition that the low density source region 1b, 95 and the low density drain region 1c, 93 are able to reach a base insulating film 12. - 特許庁

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。例文帳に追加

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a. - 特許庁

次に、ソース−ドレイン領域３の内部に選択的にボロンをイオン注入することにより、低濃度のｎ型領域となるボロン導入領域２を形成する。例文帳に追加

Then boron-introduced areas 2 which become low-concentration n-type areas are formed by selectively implanting boron ions into the source-drain areas 3. - 特許庁

その後、第１のレジストパターン５１をマスクとして、半導体基板１１に、保護絶縁膜１３を介してホウ素イオンを注入することにより第１のＰウエル１４を形成する。例文帳に追加

Thereafter, with the first resist pattern 51 as a mask, by implanting boron ions through the protective insulating film 13 to the semiconductor substrate 11, a first P well 14 is formed. - 特許庁