「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

微細パターンでも安定して倒れの生じないイオン注入マスクを用い、良好な環状のイオン注入領域を形成することができるイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method for using an ion implantation mask which is stable even with a fine pattern without fall to form a good annular ion implantation region. - 特許庁

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。例文帳に追加

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate. - 特許庁

イオンビーム３１中のイオン種の割合が分かるので、質量分析せずにイオン注入を行うシャワー型イオン注入装置５を用いた場合に、注入深さ方向のイオン分布のシミュレーションを行えるようになる。例文帳に追加

Because the ratio of ions of a kind included in an ion beam 31 can be determined, the simulation of ion distribution in the implantation depth direction can be performed, when a shower-type ion implantation device 5 for executing ion implantation without carrying out the mass spectrometry analysis is used. - 特許庁

イオン分布特定ステップ３０は、既に実行されたｎ回（ｎは自然数）のイオン注入によって生じた既存のイオン分布を特定する。例文帳に追加

In a step 30 for identifying ion distribution, existing ion distribution generated with ion injections of n times (n: a natural number) already performed is identified. - 特許庁

イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation system and a method of manufacturing a semiconductor by the implantation of ion beams formed by N-type dopant cluster ions and the cluster of negatively charged cluster ion beams. - 特許庁

イオン分布算出ステップ３１は、第（ｎ＋１）回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。例文帳に追加

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated. - 特許庁

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。例文帳に追加

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose. - 特許庁

ボロンイオン流が、ＦＥＴの活性領域のような活性領域の側壁に対するボロンイオンのようなイオン注入に使用される。例文帳に追加

A boron ion flow is used for an ion implantation like a boron ion to the sidewall of an active region like the active region of the FET. - 特許庁

ウェハ処理工程１００では，Ｓｉ基板に対して，不純物イオンのイオン注入工程１１０とＳｉ＋イオンのイオン注入工程１２０と熱処理工程１３０とが順次行われる。例文帳に追加

An ion implantation process 110 of impurity ions, an ion implantation process 120 of Si+ ions and a heat treatment process 130 are performed in this order in a wafer treatment process 100 for an Si substrate. - 特許庁

イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥が低減され、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクおよびその安価な製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a stencil mask for ion implantation, having superior heat resistance or durability and improving the ion implantation accuracy by reducing the defect of a stencil mask for ion implantation, such as, membrane deflection due to the heating of an ion beam, and to provide a low-cost method for manufacturing the stencil mask for ion implantation. - 特許庁

図２７の、供給現像剤収容部のａからｆで示す領域にイオン化気体注入口８５を形成し、このイオン化気体注入口を通じて高電圧放電によってイオン化された気体をイオン化気体発生装置８０（図１２参照）から初期剤ボトル１５０内に注入するようにしている。例文帳に追加

An ionized gas inlet 85 is formed in the region shown by a to f in Fig.27 of a supplied developer storage part and gas ionized by a high-voltage discharge is injected into an initial agent bottle 150 from an ionized gas generator 80 (as shown in Fig.12) through the ionized gas inlet. - 特許庁

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。例文帳に追加

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all. - 特許庁

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。例文帳に追加

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted. - 特許庁

シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。例文帳に追加

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2. - 特許庁

引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。例文帳に追加

To prevent an ion beam, containing multiple types of ions generated in an ion source by discharge of an extraction electrode, from arriving at a target and ions having mass and energy, other than those of a desired ion, from being implanted in the target. - 特許庁

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。例文帳に追加

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W. - 特許庁

イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層７１，７２への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。例文帳に追加

Thermal treatment for crystal restoration after ion injection is carried out in a hydrogen atmosphere so that it is possible to extremely effectively suppress the generation of face roughness to ion injection layers 71 and 72 without carrying out pre-injection oxidization treatment. - 特許庁

その結果、埋込イオン注入層７１’，７２’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク６４として用いたイオン注入が実現される。例文帳に追加

As a result, in this method for manufacturing an epitaxial wafer having embedded ion injection layers 71' and 72', the saving of the pre-injection oxidization treatment and ion injection using only a photo-resist film as a mask 64 are enabled. - 特許庁

イオン発生源２と、該イオン発生源２から送出されたイオンを質量分離マグネット７で選択し、所定質量のイオンをエンドステーション８に導くためのビームライン１１とを備えたイオン注入装置である。例文帳に追加

This ion implanter is provided with an ion generation source 2 and a beam line 11 for selecting ions fed from the ion generation source 2 by means of a mass separation magnet 7 and leading ions with a predetermined mass to an end station 8. - 特許庁

加速エネルギーが設定値に対して正しく調整されているかについて、能率的に注入エネルギーを評価することが出来る有効なイオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an effective monitoring method of ion implantation energy capable of efficiently evaluating the implantation energy if an acceleration energy is accurately adjusted with respect to a set value, and also provide an ion implantation apparatus. - 特許庁

表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。例文帳に追加

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof. - 特許庁

改善されたイオン注入プロセスを用いて作成されたガラス絶縁体上半導体例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ON GLASS INSULATOR PREPARED BY USING IMPROVED ION IMPLATATION PROCESS - 特許庁

イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation. - 特許庁

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device. - 特許庁

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。例文帳に追加

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18. - 特許庁

これにより、まず、ｎ^+ 型半導体基板１の法線方向に対して傾斜させた状態でイオン注入が行われ、その後、法線を中心として、先に行われたイオン注入の傾斜の反対方向に傾斜させた状態でイオン注入が行われる。例文帳に追加

Thereby, first the ion implantation is carried out obliquely with respect to the normal direction of the n+-type semiconductor substrate 1, and thereafter the ion implantation is carried out with the inclination state thereof which is opposite to that to the prior ion implantation with respect to the normal as the central line. - 特許庁

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。例文帳に追加

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51. - 特許庁

半導体基板上に半導体回路を有し、上記半導体基板内における上記半導体回路の下に、上記半導体基板を劈開分離するイオンが注入されたイオン注入層を有する回路基板を製造するに際し、上記イオン注入層中のイオンを保持したまま上記半導体回路から該半導体回路中に存在する上記劈開分離のためのイオンを脱イオンする。例文帳に追加

In manufacturing the circuit substrate having: the semiconductor circuit on the semiconductor substrate; and an ion injection layer under the semiconductor circuit on the semiconductor substrate into which the ion for cleavage separating the semiconductor substrate is injected, the ion for the cleavage separation existing in the semiconductor circuit is removed from the semiconductor circuit while keeping the ion in the ion injection layer. - 特許庁

イオンビーム入射角方向に均一な指向性を持たせ、かつイオン注入ビ−ムの指向性を連続的に変化させることが可能なイオン注入装置を得る。例文帳に追加

To obtain an ion implanter having uniform directivity in an ion implantation beam incident angle direction, and capable of continuously varying the directivity of the ion implantation beam. - 特許庁

各トランジスタにおいて、窒素イオン及びホウ素イオンがそれぞれ注入されておれば、ニッケルシリサイド凝集反応が抑制される。例文帳に追加

Nickel silicide aggregation reaction is suppressed when the nitrogen ions and boron ions are implanted, respectively, in each transistor. - 特許庁

その後、イオン注入された部分の３層絶縁膜を除去し、また、レジストマスクを除去する。例文帳に追加

The three-layer insulating film in the portion of ion implantation is removed thereafter, and the resist mask is removed. - 特許庁

イオン注入の際に生じるイオンの横方向への広がりを考慮して、高効率な光導波路グレーティングを作成する為のマスク及びイオン注入法の提供。例文帳に追加

To provide a mask and an ion injecting method for forming a high- efficiency optical waveguide grating while taking into consideration the lateral spread of ions being injected. - 特許庁

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。例文帳に追加

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed. - 特許庁

結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting layer where the disturbance of crystal and the roughness of a crystal surface is reduced. - 特許庁

終端領域は、不純物の種類および注入エネルギーを固定した１段階のイオン注入によって形成される。例文帳に追加

The termination region is formed by single-step ion injection in which the kind of impurity and injection energy are fixed. - 特許庁

イオン注入されたホトレジストの残渣の処理方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PROCESSING RESIDUE OF IMPLANTED PHOTORESIST IONS - 特許庁

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、シリコン半導体基板に酸素イオンが注入される前のスペクトル波形と、酸素イオンが注入された後のスペクトル波形の差をスペクトル演算することでイオン注入量を正確に測定することができるとともに、これによりＳＩＭＯＸ製品のＢＯＸ層厚みを推定できる。例文帳に追加

Thus, the method can accurately measure the ion implantation amount and estimate the thickness of the BOX layer of the SIMOX product. - 特許庁

浅いイオン注入された領域を含む半導体デバイスとその形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SHALLOW ION-IMPLANTED REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

イオン注入装置及びこの装置を用いて作成された薄膜半導体装置例文帳に追加

ION-DOPING APPARATUS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURED BY THE APPARATUS - 特許庁

次に、イオンビームは、最適化された所定のスキャンパスに沿って最適化されて、基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成する。例文帳に追加

Then, the ion beam is optimized along the optimized predetermined scanning path to form an ion-implantation area in the predetermined area of the substrate. - 特許庁

イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING CONTAMINATED SURFACE IN ION INJECTOR - 特許庁

イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR CLEANING CONTAMINATED SURFACE IN IRON IMPREGNATING DEVICE - 特許庁

銅導電体の平坦化後に、これの表面層に少なくとも１つの元素がイオン注入される。例文帳に追加

After the copper electric conductor is planarized, at least one element is ion-implanted into these surface layers. - 特許庁

続いて、不純物イオンを注入されたイオン注入領域１２ａを有する半導体層１２に対して、温度が約７００℃以上の非酸化性雰囲気でアニールを行なうことにより、半導体層１２に注入された不純物イオンを活性化する。例文帳に追加

Subsequently, the impurity ions implanted in the semiconductor layer 12 are activated by annealing the semiconductor layer 12 including an ion-implanted region 12a, to which impurity ions are implanted under the non-oxidizing atmosphere at about 700°C or higher. - 特許庁

個別ＬＥＤはトレンチ又はイオン注入で電気的に互いに分離される。例文帳に追加

Individual LEDs are separated, electrically, from each other by a trench or ion implantation. - 特許庁