「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

スタック構造体は、イオン注入された電流閉じ込め領域〔２８〕を更に有し、ピーク注入濃度部が、空洞領域〔１２〕から長手方向に０．５μｍよりも長い距離だけ離間する。例文帳に追加

The stack structure body further has a current confining region 28 in which ion is implanted, and peak implantation concentration portion is estranged by a distance longer than 0.5μm in longitudinal direction from the cavity region 12. - 特許庁

Ｐイオンの注入に際しては、Ｎ^＋拡散層上のようにＣｏシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Ｃｏシリサイド膜を形成しにくい領域にのみＰイオンを注入する。例文帳に追加

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed. - 特許庁

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。例文帳に追加

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

基板の段差部におけるレジストパターン寸法の均一性が高く、段差部の埋込性が良好である、イオン注入工程用の樹脂組成物及び該イオン注入工程用の樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for an ion implantation process which is high in the uniformity of resist pattern dimension in a step part of a substrate and is excellent in an embedding property in the step part, and to provide a method of forming a pattern using the resin composition for the ion implantation process. - 特許庁

堆積する給送ガスがプラズマビームに注入される間、イオンソース給送ガスが導入される、陰となったギャップを有する、液冷のアノードと特徴とする、グリッドのないホール電流イオンソースが提供される。例文帳に追加

A gridless Hall-Current ion source which features a fluid-cooled anode with a shadowed gap through which ion source feed gases are introduced while depositing feed gases are injected into the plasma beam is provided. - 特許庁

極低エネルギーイオン注入法に伴う使用可能なエネルギーの限界を解消し、長時間の工程が要求される極低エネルギーイオン注入法の生産性低下を改善するのに好適のエピチャネル構造の半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element with an epichannel structure which eliminates a limit of usable energy in an extremely low energy ion injecting method and which is suitable for improving a decrease in productivity in a extremely low energy ion injecting method which requires a process of a long period of time. - 特許庁

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。例文帳に追加

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity. - 特許庁

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。例文帳に追加

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation. - 特許庁

段差の大きな斜面１６ａ上にホール素子であるエレメント２１を形成する際に、斜めイオン注入法を用い、斜面１６ａに対して平行か又は鋭角の角度β゜を成すように斜め方向から、基板１２全面にＮ形不純物イオンを注入する。例文帳に追加

When an element 21, a Hall element, is formed on a slope 16a having a large step, an n-type impurity ion is implanted on the whole surface of the substrate 12 from an oblique direction in parallel with or having a sharp angle β° with the slope 16a by the use of the oblique ion implantation. - 特許庁

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。例文帳に追加

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction. - 特許庁

注入物質を酸化チタン粉末へ、該酸化チタン粉末を構成する酸化粉体の全体にイオンを注入し、かつこれを経済的に行う光触媒の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for preparing a photocatalyst such that the substance to be injected is added to titanium oxide powder, ions are injected to the whole oxide powder constituting the titanium oxide powder, and this process is economically carried out. - 特許庁

酸素イオン注入の前後いずれかで、所定ドーズ量の水素イオンを注入することにより、低温短時間でアニール処理したとしても、SOI表面等のラフネスを同等以上に改善できるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a SIMOX wafer by which roughness of the SOI surface or the like stays equal or is improved even when annealing treatment is performed at low temperature in a short time, by implanting predetermined doses of hydrogen ions either before or after oxygen ion implantation. - 特許庁

注入工程Ｓ８は、半導体基板１２の表面１２ｂに、その表面１２ｂから離れた深さ５０に到達するエネルギーで水素イオンを注入する。例文帳に追加

At the implantation step S8, the hydrogen ions are implanted into the surface 12b of a semiconductor substrate 12 by energy so as to reach a depth 50 separated from a surface 12b. - 特許庁

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。例文帳に追加

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies. - 特許庁

注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を製造可能な製造方法、そのような製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method by which a magnetic storage medium can be manufactured by ion implantation with suppressed implantation amount, to provide a magnetic storage medium which can be manufactured by the manufacturing method and to provide an information storage medium. - 特許庁

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。例文帳に追加

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV". - 特許庁

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer. - 特許庁

単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hybrid scan type ion implantation device processing a single wafer, capable of uniformly injecting and having a simple structure, excellent durability and reliability. - 特許庁

垂直転送電極をマスクにしてイオン注入を行う場合、加工精度上の問題から、センサ部の開口形状にくびれが発生するため、一方向からのイオン注入ではこの領域に不純物未形成領域が発生する。例文帳に追加

To solve the problem that an impurity non-formation region is generated in a region by ion implantation from one direction since a shoulder is generated in an opening shape at a sensor part in terms of machining accuracy when ions are implanted with a vertical transfer electrode as a mask. - 特許庁

シャッタ２４を開位置にすると、イオンビーム２２ａが支流通路１３ｃに入り、加速・減速器１７で加速又は減速されてエンドステーション１９のウエハ２９に照射され、イオン注入が行なわれる。例文帳に追加

When the shutter 24 is set at an open position, the ion beams 22a enter the sub stream channel 13c, and are accelerated or decelerated by an accelerator-decelerator 17 to be irradiated on a wafer 29 of an end station 19 to have ion implantation carried out. - 特許庁

ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンを多段階で注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物濃度のピークが複数個形成された注入層１２を形成する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted into an SiC substrate 11 in a multistage manner, by which an implanted layer 12 having several concentration peaks of impurity ion is formed in the SiC substrate 11. - 特許庁

導電性微粒子２６０は、絶縁体２５０中に、上記導電性微粒子を形成するための物質を負イオン注入法によって注入して形成される。例文帳に追加

Substance for forming conductive fine particles are implanted in the insulator 250 through a negative ion implanting method for the formation of the conductive fine particles 260. - 特許庁

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。例文帳に追加

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method. - 特許庁

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。例文帳に追加

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method. - 特許庁

パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。例文帳に追加

Focused ion beam used as the pattern defect correcting means allows ion implantation into the buffer layer 3 of the portion having the corrected pattern defect. - 特許庁

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。例文帳に追加

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured. - 特許庁

本発明においては、レジストからのアウト・ガス成分が沈着しない程度に、加速電極を加熱しながらイオン注入を実行するので、イオン注入の際の異常放電や脱落遺物によるウエハ上レジストパターンの損傷等を低減することができる。例文帳に追加

Thus, the abnormal discharge in ion implantation and the damage or the like of the resist pattern on the wafer by falling are reduced. - 特許庁

集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。例文帳に追加

To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam. - 特許庁

高い注入量でイオン注入する際に用いられるフォトレジストを、残留物を残すことなく、容易にストリップできるフォトレジストのストリップ方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a stripping method for photoresist by which a photoresist used when ions are implanted by high implant dose can be easily stripped without leaving residue. - 特許庁

このイオン注入装置は、ターゲットよりも上流側に設けられていて、イオンビーム４の経路を挟んでＹ方向において相対向するように配置された第１および第２の永久磁石列４０、４２を備えている。例文帳に追加

The ion implantation device is provided with first/second permanent magnet rows 40, 42 that are respectively provided on the further upstream side than a target so as to face each other in the Y-direction across a path of an ion beam 4. - 特許庁

残りのイオンビーム２２ｃがメカニカルスリット１４を介して加速・減速器１６に入り、加速又は減速されてエンドステーション１８のウエハ２７に照射され、イオン注入が行なわれる。例文帳に追加

The rest of the ion beams 22c enters an accelerator-decelerator 16 through a mechanical slit 14, and is accelerated or decelerated to be irradiated on a wafer 27 of an end station 18 to have ion implantation carried out. - 特許庁

キャパシタは、イオン注入のような方法を使用して、イオンの層を埋め込むことにより、ドープされたペロブスカイト導電性グランド層を有する基板内に形成される。例文帳に追加

A capacitor is formed in a substrate having a doped Perovskite conductive ground layer by embedding an ion layer using a method such as an ion implantation technique. - 特許庁

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。例文帳に追加

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted. - 特許庁

ソースチャンバー１で発生したイオンは、アナライザー３と加速管２，４とドーズカウンタ８を通して半導体ウェハ７に照射されイオン注入が行われる。例文帳に追加

Ions generated in the source chamber 1 are applied through the analyzer 3, the acceleration pipes 2, 4, and a dose counter 8 to a semiconductor wafer 7 to perform ion implantation. - 特許庁

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。例文帳に追加

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed. - 特許庁

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。例文帳に追加

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen. - 特許庁

ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され（Ｓ４）、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる（Ｓ５）。例文帳に追加

When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5). - 特許庁

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。例文帳に追加

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam. - 特許庁

本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which prevents a silicon carbide surface from getting rough when heat treatment is conducted for activating various kinds of ions after ion implantation. - 特許庁

しきい値電圧調節のためのイオンが注入された領域のイオン濃度分布を一定にして素子の性能を向上させることを可能にする半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a device isolation film in a semiconductor device in which a performance of a device is improved by making a constant ion concentration distribution of a region where ions for controlling a threshold voltage are implanted. - 特許庁

また、ドープ剤を拡散させたり、イオン照射によってイオンを注入することにより、グランドプレーン膜の一部を超電導性を示さない領域に変化させてもよい。例文帳に追加

A part of the ground plane film may also be changed into a region exhibiting no superconductivity by diffusing a dopant or by injecting ions using ion irradiation. - 特許庁

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。例文帳に追加

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation. - 特許庁

バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。例文帳に追加

To improve uniformity of a dose even when a beam current of an ion beam has periodic variation during batch type ion implantation processing, and to make uniform characteristics of a semiconductor device manufactured using the same. - 特許庁

負イオン注入法によれば、シリコン酸化膜１１０の帯電が回避できるので、シリコン酸化膜１１０中の銀イオンの分布を高精度に設定でき、また、シリコン酸化膜１１０の劣化を回避できる。例文帳に追加

Since charging of the silicon oxide film 110 can be avoided by negative ion implantation, silver ion distribution in the silicon oxide film 110 can be set with high precision while avoiding deterioration of the silicon oxide film 110. - 特許庁