「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

透明基板と、透明基板上に設けられた透明導電膜からなり、透明導電膜にプラズマ化された酸素イオンが注入された透明電極を提供する。例文帳に追加

A transparent electrode composed of a transparent substrate and a transparent conductive film, formed on the transparent substrate, into which oxygen ion in the state of a plasma is injected, is provided. - 特許庁

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。例文帳に追加

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed. - 特許庁

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。例文帳に追加

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically. - 特許庁

すると、予め硬化されたレジスト１０４は、レジスト１０６を露光・現像する際に収縮しないため、注入されるイオンを遮蔽し、横方向拡散長を抑制する。例文帳に追加

Then, the resist 104 that is previously cured is hardly shrunk when the resist 106 is exposed to light and developed, so that implanted ions are blocked and restrained from diffusing long in the lateral direction by the resist 104. - 特許庁

また、ベース領域３５に形成されたＮ^＋型ソース領域３７は、溝４５を含むベース領域３５の表面からの斜めイオン注入により形成されている。例文帳に追加

An n^+-type source region 37 formed in the base region 35 is formed by oblique ion implantation from the surface of the base region 35 including the groove 45. - 特許庁

それにより、パッド電極９ａの表面層に、イオン注入により損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、その下層のアモルファス化されたアルミニューム（Ａｌ）膜からなるＵＢＭコンタクト層１０を形成する。例文帳に追加

Accordingly, a UBM contact layer 10 including an alumina (Al_2O_3) film damaged by ion implantation and an amorphous aluminum (Al) film in a lower layer is formed in the surface layer of the pad electrode 9a. - 特許庁

このように注入された水素イオン２３は、光ファイバ２１のコア２５中に停止し、その結果、偏波状態が解消された光を供給する光ファイバが得られる。例文帳に追加

These injected hydrogen ions 23 are stopped in the core 25 of the optical fiber 21, so that the optical fiber for supplying light released from the polarized state is obtained. - 特許庁

不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。例文帳に追加

The impurities are made by electroplating copper after copper seed is deposited on inside the holding place and ion is implanted, or by electrodepositing the copper composition including the impurities and diffusing the impurities inside the copper seed layer after the copper layer is deposited, or by implanting dopant ion after the deposition of a barrier layer and then depositing the copper seed layer. - 特許庁

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。例文帳に追加

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface. - 特許庁

本発明では、イオン源から引出したイオンビームが注入される真空容器の内部に、回転ディスクを設け、該回転ディスク上に少なくとも一個以上ウエハホルダを配置し、該ウエハホルダ上に導電性のウエハ保持部を備えることを特徴とする。例文帳に追加

A rotating disc is installed inside the vacuum container into which the ion beam drawn from the ion source is injected, and at least one or more wafer holders are arranged on the rotating disc and a conductive wafer holder part is provided on the wafer holder. - 特許庁

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。例文帳に追加

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b. - 特許庁

窒素イオンの注入に当たっては、少なくとも刃先の表面部には黒皮や、ＣＶＤ等で被覆された膜が存在せず、研削もしくはラッピングされた表面であることとする。例文帳に追加

For the implantation of nitrogen ion, there exists no film coated with a black film or CVD, etc., at least on the surface part of the edge of the blade and the the surface should be ground or lapped. - 特許庁

中和攪拌槽１１に供給された排水のｐＨを適正範囲に調整すると共に、酸化剤を注入して攪拌することから、排水のｐＨがいずれの状態であるかに関わりなく、酸化剤による排水中の金属イオンの酸化を効率よく進行させて金属イオンの酸化析出を促進させられ、中和析出と合わせて排水中の金属イオンを確実に析出させられる。例文帳に追加

The pH of wastewater supplied to a neutralizing and stirring tank 11 is adjusted to a proper range and an oxidizing agent is injected in wastewater under stirring to efficiently advance the oxidation of metal ions in wastewater by the oxidizing agent regardless of the pH state of wastewater to accelerate the oxidizing precipitation of metal ions and metal ions in wastewater are certainly precipitated in combination with neutralizing precipitation. - 特許庁

マスクを用いずに、Ｐ型の不純物イオンが注入され、Ｎウェル１６内のソース・ドレイン領域３６ａと連続する再拡散領域４３が形成される。例文帳に追加

P-type impurity ions are implanted without a mask to form a rediffusion region 43 continuous with a source and drain region 36a in an N well 16. - 特許庁

本発明は、シリコン基板１０、イオン注入によりシリコン基板１０上に形成されたドープ・ガラス層３０、およびドープ・ガラス層３０の上部に形成された薄いシリコン層３２を含む構造を提供する。例文帳に追加

The inventive structure comprises a silicon substrate 10, a doped glass layer 30 formed thereon by ion implantation, and a thin silicon layer 32 formed on the doped glass layer 30. - 特許庁

半導体ウェハ表面にシリサイド層を形成する際に、シリサイド層の端部が高濃度の不純物イオンが注入された領域上に形成されないように制御する。例文帳に追加

To perform control such that when a silicide layer is formed on a surface of a semiconductor wafer, an end of the silicide layer is not formed on a region into which impurity ions of high concentration are implanted. - 特許庁

反応層、及びマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る。例文帳に追加

Ions are implanted into at least surface parts of the reaction layer and the unit resist to which the shape of a microlens is given, to obtain a heat-resistant microlens. - 特許庁

（ｃ）工程（ｂ）においてマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る。例文帳に追加

Ion implantation is performed on at least a surface portion of the unit resist given the form of the micro-lens in the step (a) and a heat-resistant micro-lens is obtained (c). - 特許庁

また、イオン注入の不具合で酸化膜が途切れても、エピタキシャル膜１４のピットの発生が抑制され、膜１４の表面欠陥が低減される。例文帳に追加

The occurrence of a pit of an epitaxial film 14 is restrained to decrease the surface defect of the film 14 even though the oxide film ends because of a problem in the ion implantation. - 特許庁

Ｎ型ウェル並びにゲート絶縁膜３２及びゲート電極３３が形成された半導体基板３１に対し、リンをイオン注入することにより、半導体基板３１の表面にＮ型ポケット層３４を形成する。例文帳に追加

An n-type pocket layer 34 is formed in a surface of a semiconductor substrate 31 by performing ion implantation of phosphorous to the semiconductor substrate 31 in which an n-type well, a gate insulating film 32, and a gate electrode 33 are formed. - 特許庁

このようにして形成される陽極層１０は５．５ｅＶ以上のイオン化ポテンシャルを有し、隣接する発光層や正孔輸送層に燐光発光ホスト剤や導電性高分子などのイオン化ポテンシャルが高い物質を用いても正孔注入障壁の増大を抑制できる。例文帳に追加

The obtained anode layer 10 has an ionizing potential of 5.5 eV or more, so that an increase of the hole injection barrier can be suppressed even though a material having a high ionizing potential such as phosphorescent host agent or conductive highpolymer is used as the adjoining light emitting layer or hole transport layer. - 特許庁

圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。例文帳に追加

The piezoelectric body 20 is heated, the piezoelectric body 20 is separated at the ion implantation layer 22, and a piezoelectric body film structure 10t for which a piezoelectric body film 24 separated from the piezoelectric body 20 and the insulator 34 are bonded is formed. - 特許庁

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。例文帳に追加

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides. - 特許庁

シリコン基板（１１）中の不純物イオンが注入されて結晶性が乱れた領域に、Ｘｅ光源（２０）から偏光子（２１）によって直線偏光された測定光を斜め方向から入射する。例文帳に追加

A region of a silicon substrate (11) where an impurity ion is implanted to cause disturbance of crystallinity is diagonally irradiated with a measurement light which is, coming from an Xe light source (20), linearly polarized with a polarizer (21). - 特許庁

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method. - 特許庁

イオン注入中、真空計１０９の測定結果が上記所定の値を下回ったとき、ワークステーション１１１はビームコントローラ１１２に対し、例えばイオン源１０１の動作に関わる電源を通常より低く制御するよう命令を出す。例文帳に追加

While ions are being implanted, when the measured result of the vacuum gage 109 is lower than the prescribed value, the work station 111 issues an order to a beam controller 112 so as to control a power supply relating to the operation of an ion source 101 for example lower than usual. - 特許庁

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron. - 特許庁

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。例文帳に追加

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction. - 特許庁

この結果、半導体ウェーハの表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成されるとともに、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルが除去される。例文帳に追加

As a result, an element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface of the semiconductor wafer and particle adhering to the surface of the semiconductor wafer is removed. - 特許庁

このとき、酸化膜サイドウォール１５の上部にはこのイオン注入により酸化膜構造の乱れた状態の層２０が形成されるが、その層２０を酸化膜の異方性エッチングにより除去する。例文帳に追加

By conduction ion implantation, layers 20 having disturbed state oxide film structures are formed on the tops of the sidewalls 15 due to the ion implantation, but the layers 20 are removed through anisotropic etching, which is performed on the oxide film. - 特許庁

その後、溝５の内壁に熱酸化膜２１を形成する際にイオン注入多結晶シリコン層１６の露出部分も酸化され、多結晶シリコン酸化領域２１ａが比較的広い形成幅で形成される。例文帳に追加

Thereafter, at the time of forming a thermal oxidation film 21 on an inner wall of a groove 5, an exposed part of the silicon layer 16 is also oxidized so that a polycrystalline silicon oxidation region 21a is formed relatively wide. - 特許庁

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。例文帳に追加

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner. - 特許庁

LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。例文帳に追加

The LDMOS transistor also includes a source region and a drain region at both sides of the asymmetric conductive spacer, and a channel region formed by ion implantation on the asymmetric conductive spacer. - 特許庁

これにより、表示画素領域中では、珪素イオンが注入された単結晶シリコン膜２１０ｃはポリシリコン化されポリシリコン膜２１０ｄとなる。例文帳に追加

Thereby, in the display pixel region the single crystal silicon film 210c with injected silicon ions is converted into polysilicon to form a polysilicon film 210d. - 特許庁

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。例文帳に追加

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D. - 特許庁

本発明は上記目的を達成するために、イオン注入工程で加速エネルギーを無段階あるいは多段階で変化させながら連続注入を行うことにより、高エネルギー注入による方法の不純物の分布を制御しやすいという利点を活かしつつ、ハイスループットに拡散層を形成することが可能になる。例文帳に追加

The diffused layer can be formed in a high throughput while the advantages of easily controlling the distribution of the impurity of a method for injecting a high energy are utilized by continuously injecting an acceleration energy in an ion implanting step while the acceleration energy is changed steplessly or in multiple steps. - 特許庁

本発明は、第１不純物がイオン注入された第１領域と第２不純物を含有する第２領域とが面方向において周期的に形成された半導体層を有する半導体基板の製造方法である。例文帳に追加

A method is for manufacturing the semiconductor substrate including a semiconductor layer wherein a first region, in which a first impurity is ion-implanted, and a second region containing a second impurity are formed cyclically in a surface direction. - 特許庁

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible. - 特許庁

ゲート電極３２１が形成された半導体基板３１０にイオン注入を行って光電変換部３１６とオーバーフローバリア３１７の境界位置をゲート電極３２１の端部に一致させる。例文帳に追加

Ions are implanted to a semiconductor substrate 310 where a gate electrode 321 is formed and a boundary position of a photoelectric conversion part 316 and an overflow barrier 317 is matched with an end of the gate electrode 321. - 特許庁

反応槽４０には、添加物タンク５０から塩化バリウムが注入され、炭酸イオンと反応して、難溶性塩である炭酸バリウムが形成される。例文帳に追加

Barium chloride is poured into a reaction tank 40 from an additive tank 50 and reacts on carbonate ion for the formation of barium carbonate as non-soluble salt. - 特許庁

この拡散抑止層２１が形成された側から、ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層２１よりも浅くｐ型カウンタ層６Ａを形成する。例文帳に追加

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21. - 特許庁

イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。例文帳に追加

To provide a method, a device, and a chemical substance for minimizing the effects of undesirable chemical changes to a resist when removing an ion implanted resist. - 特許庁

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。例文帳に追加

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105. - 特許庁

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。例文帳に追加

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate. - 特許庁