「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。例文帳に追加

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1. - 特許庁

この方法により、イオン注入などの標準技術を用いてカウンタ・ドープ部を形成することができ、さらに、移動度を劣化させずに高移動度チャネルをカウンタ・ドープ部に近接させることができる。例文帳に追加

This method forms a counter doped portion by using a standard technique such as ion implantation and bringing a high-mobility channel close to the counter doped portion without reducing a mobility. - 特許庁

こうして３回のイオン注入が終了すると、上記単結晶シリコン膜３０内で不純物を拡散させるとともにこれを活性化すべく、熱処理を行う。例文帳に追加

Upon ending three times of ion implantation, impurities are diffused in the single crystal silicon film 30 and activated by heat treatment. - 特許庁

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution. - 特許庁

酸化物超伝導物質を基板上に形成した後で、ジョセフソン接合を作成したい部分に、酸化物超伝導物質膜を貫通するような速度で、従来イオン注入に用いられてきたイオンよりも比較的軽い質量のイオンを打ち込むことでジョセフソン素子を形成する方法を開発した。例文帳に追加

A method is developed for forming a Josephson element by implanting ions of relatively lighter weight than the ions which have been used traditionally for ion-filling in such a speed as penetrating an oxide superconductive film into the part to form Josephson junctions after forming an oxide superconductor on a substrate. - 特許庁

半導体上に形成されたゲート部およびマスク材をマスクとして、イオン照射を行うことによって不純物を前記半導体に注入して、一方の不純物領域を形成する。例文帳に追加

One impurity area is formed by implanting an impurity into a semiconductor by performing ion irradiation with a gate part formed on the semiconductor and a mask member as a mask. - 特許庁

コンクリート構造物のアルカリ骨材反応対策工法において、リチウムイオン含有ゼオライトを主成分としたひび割れ注入材１２と、水蒸気透過性の高い水性のシラン系含浸材１３を組み合わせる。例文帳に追加

In the alkali-aggregate reaction countermeasure construction method of a concrete structure, a crack injection material 12 mainly composed of lithium-containing zeolite and an aqueous silane-based impregnation material 13 having a high water-vapor permeability are combined. - 特許庁

ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。例文帳に追加

Since an amorphous silicon region formed on a wafer surface layer by ion-implantation has a higher light absorption coefficient than a single crystal silicon, only the amorphous silicon region can be melted at a heating temperature lower than a silicon wafer. - 特許庁

さらに、残存第2半導体層にゲート電極をマスクとしてイオン注入を行って、ドレイン領域及びソース領域を形成した後、基板コンタクト領域、ドレイン領域、及びソース領域を活性化するアニールを行う。例文帳に追加

An element isolating insulation layer is formed on the exposed surface of the support substrate to form a gate oxide film and gate electrodes on the remaining second semiconductor layer. - 特許庁

イオン注入におけるチャネリングを回避し、不純物が下層の絶縁膜に損傷を与えるのを防止するとともに、結晶化された非晶質半導体膜の結晶粒径の大粒径化を抑制する。例文帳に追加

To prevent channeling in ion implantation, and to prevent any impurity from damaging an insulating film in a lower layer, and to reduce the increase of the crystal grain diameter of a crystallized amorphous semiconductor film. - 特許庁

側壁膜を形成したゲート電極に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入し、第１のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第２のソース・ドレイン領域（２１ｐ、２１ｎ）を形成する。例文帳に追加

Second source-drain regions (21p, 21n) deeper than the first source-drain regions are formed, by implanting ions of the first conductivity impurity, in a self-aligned manner to the gate electrode with the sidewall film formed therein. - 特許庁

圧縮成形用金型１０のメス型１１の内面１１ａおよびオス型１２の外面１２ａのうち少なくとも一部の表面に炭素イオンが注入されている。例文帳に追加

A carbon ion is injected into at least a partial surface in the inner surface 11a of the female mold 11 and the outer surface 12a of the male mold 12 of the compression mold 10. - 特許庁

ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily providing an asymmetrical SOI (Silicon On Insulator) field effect transistor formed with an inactive ion implantation region only on a source region side. - 特許庁

搬入アセンブリは、複数のウェハプレートのうちの次のウェハプレートを、ロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に搬入するように構成される。例文帳に追加

The transport assembly is configured to transport the subsequent wafer plate of the plurality of wafer plates from the load lock chamber into the ion implantation target chamber. - 特許庁

生分解性プラスチックフィルムの少なくとも片面に、ケイ素系化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層を有するガスバリア性フィルム、及びその製造方法。例文帳に追加

There are provided a gas barrier film having a layer, which is obtained by implanting ions into a layer containing a silicon compound, on at least one face of a biodegradable plastic film, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。例文帳に追加

Thereafter, by selectively introducing impurities into the polysilicon thin film 12 via the gate insulation film 13 by ion implantation method or the like, an LDD region 19 and a source/drain region 18 are formed at the same time. - 特許庁

レジストマスク７を除去し、水素雰囲気中で例えば１１００℃で３時間の熱処理を行い、イオン注入され元素の結合が弱い部分のゲート絶縁膜５の一部を還元する。例文帳に追加

The resist mask 7 is removed, heat treatment is carried out for 3 hours at 1,100°C, for example, in hydrogen atmosphere and a part of the gate insulating film 5 in a part where the bonding of element is weak through ion implantation is reduced. - 特許庁

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles. - 特許庁

第２のフォトレジスト層６は、イオン注入エネルギーが低いため、薄く形成してよく、微細な開口部８を形成できるため、チャンネルストップ領域４０Ａを成すｐ型領域３６Ａを微細化することができる。例文帳に追加

Since the regions 36A can be formed thin and the openings 8 can be made fine in size due to low-energy ion implantation, the p-type regions A constituting the channel stop regions 40A can be made fine in size. - 特許庁

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate. - 特許庁

陽極４の上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが１μｍ以上の膜厚でイオンプレーティング法により赤色発光の透過率が向上したプラズマ重合膜として成膜される。例文帳に追加

A hole injection CuPc organic film 5a is formed on the anode 4 as a plasma polymerized film having an improved transmission factor of red luminescence at the thickness of 1 μm or above by an ion plating method. - 特許庁

イオン注入工程を経たフォトレジスト膜の表面は硬化されているので，ある程度の大きな粒径のドライアイス粒子をある程度の大きな圧力で吹き付ける（ブラスト）ことが必要である。例文帳に追加

Since the surface of the photoresist film after an ion implantation step is hardened, it is necessary to blast dry ice particles of a particle size as large as a certain degree at a pressure of as high as a certain degree. - 特許庁

いわゆるオフ基板を使用して形成されるＡｌＧａＡｓ系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。例文帳に追加

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate. - 特許庁

このようにして、イオン注入をおこなわずに、外部ベース領域の下に絶縁領域４を設けることによって、ベース−コレクタ間の接合容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させる。例文帳に追加

Thus, the insulating region 4 is provided under the exterior base region without ion implantation, and thereby the junction capacity Cbc between the base and collector is reduced and the maximum oscillation frequency fmax can be improved. - 特許庁

あるいは、非活性ガスは、電子ビームが標本に当たる点で走査電子顕微鏡に注入されて、電子ビームによる不活性ガスのイオン化によって標本上の電荷蓄積を中和化し得る。例文帳に追加

Alternatively, an inert gas can be injected into the scanning electron microscope at the point where the electron beam impinges the specimen to neutralize a charge build-up on the specimen by the ionization of the inert gas by the electron beam. - 特許庁

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。例文帳に追加

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed. - 特許庁

（ａ）に示すように、不純物イオン注入で整えられたシリコン基板１０上にゲート酸化膜（トンネル酸化膜）１１、ポリシリコン層１２及び窒化膜１３を積層する。例文帳に追加

As shown in the figure (a), a gate oxide film (tunnel oxide film) 11, a polysilicon layer 12, and a nitride film 13 are stacked in layers on a silicon substrate 10 which is well conditioned by implantation of impurity ions. - 特許庁

イオン注入装置等のビーム処理装置に適用されるビーム偏向走査装置において、ビーム軌道を間にして対向し合うように一対の走査電極２１Ａ、２１Ｂを配置する。例文帳に追加

In the beam deflection scanning device to be applied for a beam treatment device such as an ion implantation device, a pair of scanning electrodes 21A, 21B are provided to face each other with a beam orbit in between. - 特許庁

非晶質化しない半導体基板上のゲートポリ酸化膜２４０は薄く形成されるので、低いエネルギのイオン注入を行って浅い接合を形成できる。例文帳に追加

Since the gate poly-oxide film 240 on the semiconductor wafer which is not non-crystallized is formed thin, shallow bonding can be formed by the ion implantation of low energy. - 特許庁

深いtilt角度をパラメータに持ち、不純物のイオン注入を高ドーズで行うことによって結晶性基板の表層に形成される非晶質層の厚さを精確に予想する非晶質層評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous layer evaluation method having a deep tilt angle as a parameter, which accurately predicts the thickness of an amorphous layer formed on the surface layer of a crystalline substrate by performing ion-implantation with impurities at a high dose. - 特許庁

不純物イオンを注入することにより、分離酸化膜６の表面に、分離酸化膜６のエッチング特性とは異なるエッチング特性を有する改質層７が形成される。例文帳に追加

By implanting impurity ions, a reformed layer 7, having an etching characteristic different from that of the isolating oxide film 6, is formed on the surface of the isolating oxide film 6. - 特許庁

半導体装置の狭スペース素子と広スペース素子にそれぞれソース・ドレイン領域のイオン注入に最適な膜厚のゲート側壁を形成する。例文帳に追加

To enable a gate side wall which has an optimum thickness for implanting ions to form source/drain regions to be provided to a narrow space element and a wide space element included in a semiconductor device respectively. - 特許庁

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。例文帳に追加

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure. - 特許庁

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。例文帳に追加

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)). - 特許庁

レーザアニールを施した多結晶シリコン膜に対して、イオン注入処理を行なうことによって特定方位を有する種結晶を形成し、その後固相成長させることによって結晶配向を制御することが出来る。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film where laser annealing is made is subjected to ion implantation for forming a seed crystal having a specific orientation, and then solid-phase growth is made, thus controlling the crystal orientation. - 特許庁

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。例文帳に追加

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown. - 特許庁

シリコン合金およびドープシリコン膜が、ＩＩＩ族およびＶ族の原子の供給源としてＳｉを含有する化学前駆体を用いたイオン注入法によって調製される。例文帳に追加

A silicon alloy and doped silicon film are prepared by an ion implanting method using a chemical precursor containing Si as the supply source of the atom of group III and group V. - 特許庁

低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。例文帳に追加

To accurately predict an impurity concentration profile formed in a semiconductor substrate, by implanting impurities into the substrate through an amorphous film in a low-energy ion implantation method using an analytical model. - 特許庁

イオン注入において意図せずに打ち込まれた不純物の量（濃度）を容易な処理により短時間で適切に検査することのできる検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection method capable of properly inspecting the quantity (a concentration) of impurities driven unintentionally in ion implantation in a short time by easy treatment. - 特許庁

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。例文帳に追加

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching. - 特許庁

イオン注入阻止用マスク２９は、半導体素子の構成要素、例えばＭＯＳトランジスタのゲート制御部２５と同じ構成で形成される。例文帳に追加

A mask 29 for obstructing ion implantation is formed with the component of a semiconductor element, for example with the same configuration as a gate control section 25 in a MOS transistor. - 特許庁

また、イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜のオーバーラップ量を３μｍ以上とすれば、より結晶欠陥の発生割合を高めることができる。例文帳に追加

If the overlapping length of the ion implantation region and the LOCOS oxide film is 3 μm or more, the occurrence of the crystal defects can be increased further. - 特許庁

次に、コンタクトホール１０を介して、イオン注入し、ポリシリコン抵抗層４上に低抵抗領域１５ａ〜１５ｃ（高濃度に不純物が導入された領域）を形成する。例文帳に追加

Then, ions are implanted through the contact hole 10, and low resistance regions 15a-15c (regions where impurities are introduced in a high concentration) are formed on the polysilicon resistance layer 4. - 特許庁

光導波路（光ファイバ、平板型の光導波路を含む）のクラッド１に、高エネルギーで加速したイオンを注入することにより、クラッド１中に誘起される密度変化を用い、応力付与部２を形成する。例文帳に追加

Stress-imparted parts 2 are formed by using a density variation induced in a clad 1 by implanting ions accelerated at high energy onto a clad 1 of an optical waveguide (including an optical fiber and a planar optical waveguide). - 特許庁

たとえば、トランジスタの酸化膜２、ゲート電極５の表面をレジスト７にてマスクし、ドレイン層３およびソース層４にＰイオンを注入する。例文帳に追加

For example, an oxide film 2 of the transistor, and the surface of a gate electrode 5 are masked by resist 7, and P ions are injected into drain and source layers 3 and 4. - 特許庁