「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。例文帳に追加

The ion implantation step implants ions into the thin film processed into the prescribed shape. - 特許庁

この酸素イオンの注入は、バケット型イオン源を用いて行われる。例文帳に追加

Oxygen ion is injected by using a bucket ion source. - 特許庁

イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。例文帳に追加

Then the ion beam is forced to pass in the reflector 5 and ion implantation is performed. - 特許庁

イオン注入されたレジストの超酸による剥離例文帳に追加

ION IMPLANTED RESIST STRIP WITH SUPERACID - 特許庁

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。例文帳に追加

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'. - 特許庁

その後、生成されたイオンをウエハに注入する。例文帳に追加

Subsequently, the ions thus generated are implanted in a wafer. - 特許庁

本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。例文帳に追加

This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support. - 特許庁

このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。例文帳に追加

In the ion implanting method, contaminant ions of first dose as a part of whole dose of the contaminant ions planed to be implanted is implanted by a perpendicular ion implantation (520), and contaminant ions of remaining dose formed by removing the first dose from the whole dose is processed in the tilt ion implantation (530). - 特許庁

イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ２０面内の特性を均一にする。例文帳に追加

To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part. - 特許庁

これにより、イオン注入面からｈ≒１００ｎｍ前後の深さの一帯に、イオン濃度が局所的に高いイオン注入層が形成される。例文帳に追加

Thereby, an ion injected layer having locally high ionic concentration is formed over an area to a depth (h) of about 100 nm from the ion injected surface. - 特許庁

どのトランジスターのゲート１３にイオン注入をするかはフォトレジストのイオン注入孔１６で決め、イオン注入する位置・面積を正確に決めるのにアルミニウム膜のイオン注入孔１５を使う。例文帳に追加

Since the ion implantation holes 15 of the aluminum film are provided to gates 13 of all transistors independently of a program code, the holes are not subjected to the optical proximity effect. - 特許庁

イオン注入装置１０は、イオンソース部１１からビームライン部１２を介してイオン注入室１３に至る機構が構成されている。例文帳に追加

This ion implantation device 10 comprises a mechanism from an ion source part 11 through a beam line part 12 to an ion chamber 13. - 特許庁

イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。例文帳に追加

In the ion beam guide tube in the ion implanter, the guide tube 16 is arranged in the vicinity of the semiconductor wafer being implanted in the ion implanter. - 特許庁

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation. - 特許庁

イオン注入法によりエピ層が設けられた領域に不純物が注入される。例文帳に追加

An impurity is implanted in a region on which the epilayer is provided by an ion implanting method. - 特許庁

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。例文帳に追加

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation. - 特許庁

注入エネルギーの抑制に基づき例えばイオン注入機の消費電力は低く抑えられる。例文帳に追加

For example, power consumption of an ion injector is suppressed to be low, based on the suppression of injection energy. - 特許庁

酸素イオンまたは炭素イオンを注入されたＳｉ結晶からなるＸ線光学素子。例文帳に追加

An X-ray optical element consisting of Si crystal to which oxygen ion or carbon ion are injected. - 特許庁

半導体デバイスの作製におけるイオン注入工程で使用するイオン注入用ステンシルマスクであって、イオン照射耐性に優れ、長時間に渡って、高精度かつ高純度のイオン注入を安定して行うことができるイオン注入用ステンシルマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a stencil mask for ion implantation, which is used in an ion implantation process in the manufacture of a semiconductor device, has excellent ion irradiation resistance, and stably carries out high precision and high purity ion implantation for a long period of time. - 特許庁

電鋳によって形成された電鋳材１にイオン２が注入されて形成されたイオン注入層を有する部材である。例文帳に追加

The ion-implanted electroformed structural material is made of an electroformed body 1 formed by electroforming and has an ion-implanted layer formed by implanting ions 2 into the electroformed body 1. - 特許庁

検出されたイオン励起発光をフィードバックとして用いるイオン注入システム。例文帳に追加

To provide an ion implantation system utilizing detected ion induced luminescence as feedback. - 特許庁

イオン注入によるトレンチ内の自己整合された差別的酸化例文帳に追加

SELECTIVE OXIDATION WITH SELF-ALIGNMENT IN TRENCH BY ION IMPLANTATION - 特許庁

特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。例文帳に追加

The resist stripper comprises ammonia and acetonitrile. - 特許庁

水素イオンは引き付けられ、および急速に太陽電池中に注入される。例文帳に追加

Hydrogen ions are attracted and quickly implanted into the solar cells. - 特許庁

イオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法例文帳に追加

METHOD OF REMOVING RESIST ON WHICH CARBON LAYER IS FORMED BY ION IMPLANTATION - 特許庁

イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。例文帳に追加

To provide an ion beam guide tube which is arranged in the vicinity of a semiconductor wafer implanted in an ion implanter. - 特許庁

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。例文帳に追加

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8. - 特許庁

イオン注入装置の汚染された表面を除去する装置および方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINATED SURFACE IN ION-IMPLANTATION SYSTEM - 特許庁

イオン注入システム（１０）は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。例文帳に追加

The ion implantation system (10) is described as to the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing. - 特許庁

半導体基板の部分内に、イオン注入部が形成される。例文帳に追加

An ion implantation part is formed in a part of the semiconductor substrate. - 特許庁

イオン注入装置１５は、前記演算装置により演算されたドーズ量のデータに基づき、前記ウェハにイオンを注入する。例文帳に追加

An ion implantation device 15 implants ions into the wafer on the basis of the data on the dosage computed by the arithmetic unit. - 特許庁

イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。例文帳に追加

On the basis of the ion implantation condition set to the ion implanter, adjustment target setting data are retrieved. - 特許庁

カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。例文帳に追加

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on a surface of the substrate into which the ions are injected in the ion injection step. - 特許庁

基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成するためのイオン注入方法及びデバイスが提供される。例文帳に追加

To provide a method and device for ion-implantation to form an ion-implantation area in a predetermined area of a substrate. - 特許庁

前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。例文帳に追加

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on the substrate surface to which the ion is implanted by the ion implantation step. - 特許庁

このことにより遮蔽版によりイオン注入が妨げられていた部分に順次イオン注入する事が可能となる。例文帳に追加

This realizes sequential ion implantation into parts being blocked from the ion implantation by the shield. - 特許庁

この接続用イオン注入領域１８は、他の領域のイオン注入と工程が共有され、専用工程とはならない。例文帳に追加

The ion implantation region 18 for connection shares the ion implantation process with other regions so that it does not require any exclusive process. - 特許庁

その際、通常の加速電圧でイオン注入を行った後、それよりも低い加速電圧で追加のイオン注入を行う。例文帳に追加

In this case, after performing the ion-injection by an ordinary accelerating voltage, an additional ion-injection with an accelerating voltage lower than it is performed. - 特許庁

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４は、Ａｓ，Ｐの各ドーパントを所定の比でかつドーズ量が調整されたイオン注入によって少なくとも所定の温度特性が得られるよう構成されている。例文帳に追加

The As ion implantation region 13 and the P ion implantation region 14 are constituted such that each dopant of As and P can obtain at least given temperature characteristics at a given ratio and by ion implantation with a dose quantity adjusted. - 特許庁

半導体デバイス作製において行われる、イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみという、イオン注入用ステンシルマスクの致命的欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a stencile mask for ion implantation, having excellent heat resistance, durability and ion implantation accuracy by reducing a critical defect of a stencile mask for ion implantation such as deformation of a membrane due to heat generated from an ion beam in an ion implantation process using the stensile mask for ion implantation to be executed in manufacture of semiconductor devices. - 特許庁

イオン注入に先立って、イオンビームを調整するために用いられる、ホルダ上のイオン注入されるウェハの角度と、注入室内の移動ファラデーのアラインメントとを検査するための装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device to inspect, prior to implanting ions, the angle of wafer ion-implanted on the holder and movable Faraday alignment in the implantation chamber, to control the ion beam. - 特許庁

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。例文帳に追加

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film. - 特許庁

実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量（イオン注入条件）でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量（濃度）を検出する。例文帳に追加

When antimony ions are implanted actually, the antimony ions are implanted in a desired dosage (ion-implantation conditions) through the oxide film, the oxide film is recovered and analyzed by the ICP-MS, and the quantity (the concentration) of arsenic simultaneously implanted is detected when antimony ions are implanted. - 特許庁

イオン注入層２を形成する際に非イオン注入層３が形成されるようにすると共に、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線の少なくとも一辺が＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行になるようにする。例文帳に追加

When forming an ion-implanted layer 2, a non-ion-implanted layer 3 is simultaneously formed, and at least part of a boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 is parallel to a <11-20> or <1-100>. - 特許庁

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。例文帳に追加

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions. - 特許庁