「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

また、反対に、区画されたディスク毎に周速度を任意に制御し異なるイオン注入量のウエハを製造できる。例文帳に追加

Conversely, the wafers having different amount of ions implanted can be manufactured, by optionally controlling the peripheral velocity for each divided disk. - 特許庁

半導体構造１４の上に誘電体層１６と導電層１８を形成した後に、コンデンサ２がイオン注入により形成される。例文帳に追加

A dielectric layer 16 and a conductive layer 18 are formed on a semiconductor structure, and then a capacitor is formed by implantation of ions. - 特許庁

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。例文帳に追加

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method. - 特許庁

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。例文帳に追加

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate. - 特許庁

結晶欠陥が修復された状態でイオン注入を行うことができるので、半導体基板１０の結晶欠陥を低減することができる。例文帳に追加

Since the ion injection is performed in the state with crystal defects repaired, the crystal defects of the semiconductor substrate 10 is reduced. - 特許庁

電荷ポテンシャルの発生を低減するためのイオン注入法を使ったワイヤ処理は、ワイヤ材の硬度を低下させずに行われる。例文帳に追加

The wire treatment using the ion implantation process for reducing the generation of the charge potential is performed without lowering the hardness of the wire material. - 特許庁

主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted into a semiconductor wafer 7 in which a capacitive insulating film is formed on the main surface. - 特許庁

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。例文帳に追加

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11. - 特許庁

イオン注入装置の汚染された表面を洗浄して汚染物質を取り除くようにした装置および方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for cleaning the contaminated surface in an ion impregnating device and removing contaminants. - 特許庁

次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。例文帳に追加

Then ions are implanted in the semiconductor layer to make amorphous a region of the semiconductor layer to which the dopant impurity is added. - 特許庁

そのレジストパターンＰＲ１をマスクとして半導体基板ＳＵＢの主表面にイオンが注入される。例文帳に追加

Ions are implanted into the main surface of the semiconductor substrate SUB using the resist pattern PR1 as a mask. - 特許庁

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。例文帳に追加

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask. - 特許庁

高ドーズイオンの注入により変質層が形成されたレジストを高スループットにて適切にアッシング処理する。例文帳に追加

To properly ashing-process resist where a transformed layer is formed by the implantation of high dozed ions with high throughput. - 特許庁

ソース／ドレイン領域が、ゲート及び電荷トラップ層の保護のためのマスクを用いて、イオン注入によって形成される。例文帳に追加

Source/drain regions are formed through ion implantation using a mask for protection of the gates and the charge-trapping layer. - 特許庁

露出された基板にイオン注入して共通ソース領域１２０及びドレイン領域１２２を形成する。例文帳に追加

An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122. - 特許庁

基板上に存在しているエッチングあるいはイオン注入されたレジスト膜を完全に除去し得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of completely removing a resist film on a substrate which is etched or ion-implanted. - 特許庁

低電圧動作ＣＭＯＳ半導体装置の製造におけるイオン注入およびそれに伴うレジストのパターニング工程数を削減する。例文帳に追加

To reduce the number of processes of ion implantation and patterning of resist associated with it in manufacturing a low-voltage-operation CMOS semiconductor device. - 特許庁

ワイヤの硬度とワイヤ汚染に対する耐性は、ワイヤ製造においてイオン注入法を採用することで改善される。例文帳に追加

The durability to the wire hardness and the wire contamination is improved by adopting the ion implantation process in manufacturing the wire. - 特許庁

シリコン基板２００上に形成されたシリコン酸化膜２１０に、銀元素２０１を負イオン化して注入する。例文帳に追加

Into a silicon oxide film 210 formed on a silicon substrate 200, a silver element 201 is negatively ionized and injected. - 特許庁

イオン注入ダメージを受けない改善された品質と特性とを有する集積回路コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit capacitor which is not damaged by implantation of ions and is improved in quality and characteristics. - 特許庁

また、このイオン注入装置を用いて、生産性を高め、かつ、スイッチング特性に優れた薄膜半導体装置を提供する。例文帳に追加

The ion-doping apparatus is equipped with a plasma chamber, where a prescribed substance is excited in a plasma to generate ions and a processing chamber where the ion beam made to collide with the sample to inject ions into it. - 特許庁

その後、酸素イオンの注入を行なうと、高濃度酸素領域１０aaがアモルファス領域全体に拡大される。例文帳に追加

When oxygen ions are implanted subsequently, the high concentration oxygen region 10aa is spread entirely over the amorphous region. - 特許庁

イオン源から引き出されたイオンビーム５２を輸送してウエハ５５に注入するに際し、該イオンビームをウエハの手前の輸送区間においてプラズマシャワーを経由させるようにしたイオン注入方法であり、アークチャンバー１０とシャワーチューブ１１とによるプラズマシャワーをリゾルビングアパチャー体５４の下流側の直近位置に配置した。例文帳に追加

The ion injection method enables an ion beam 52 to go through a plasma shower at the transportation area in front of a wafer 55 when the ion beam 52 extracted from an ion source is transported and injected to the wafer 55, and a plasma shower consisting of an arc chamber 10 and a shower tube 11 is placed near a resolving aperture body 54 at the downstream. - 特許庁

イオン注入された結晶基板１をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板１を加熱することでボイド１５を形成する。例文帳に追加

The crystalline substrate 1 having ion implantation is dipped into an aqueous solution containing silicon and indium and the substrate 1 is heated to form voids 15. - 特許庁

ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。例文帳に追加

The wafer 10 includes the first p-type region 16 that is an ion implantation region formed to include the upper face 14A. - 特許庁

グルーブを通じて露出された半導体基板上にイオン注入を実施して自己整合チャンネル領域を形成する。例文帳に追加

ION implantation is carried out to the semiconductor substrate exposed through the groove so that a self- aligned channel area can be formed. - 特許庁

その後、前記多結晶シリコン膜に偏析係数がリンのそれより小さいｎ型半導体をイオン注入する。例文帳に追加

This is because the segregation coefficient of arsenic at the interface between a silicon film 4 and the oxide film 3 is small. - 特許庁

イオン注入による損傷が十分に回復された結晶材料の製造方法および半導体素子の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To enable crystal material to recover completely from damage caused by ion implantation. - 特許庁

従来の大型化、大電力化、エネルギーの可変性等の改良余地が残されている問題を解決したイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter solving the problem with an improvement room left of the previous large size, large power output, and variability of energy. - 特許庁

この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。例文帳に追加

The method includes a dual deposition process wherein the first step is to deposit a very thin layer and dope very heavily by ion implantation. - 特許庁

この縦型のイオン注入装置２０は、サブフロアの床に載置され、少なくとも最下部のイオン源２１がサブフロア内に配置され、最上部の注入室２５がクリーンルームの床を貫通してクリーンルーム内に配置される。例文帳に追加

The ion implanting device 20 is placed on a floor of a sub-floor, with at least the lowest-position ion source 21 located in the sub-floor and the top- position implanting chamber 25 going through the floor of a clean room and located in a clean room. - 特許庁

複雑な３次元形状の口腔内装置の内部まで、短時間で抗菌性イオンを注入して長期間にわたって優れた抗菌性を実現する。例文帳に追加

To exhibit superior antimicrobial performance for a long period by implanting antimicrobial ions to the inside of a complicated three-dimensional intraoral appliance in a short time. - 特許庁

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。例文帳に追加

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration. - 特許庁

十分なエネルギーの一回のイオン注入により、高いレベルの電子的損傷と結晶性損傷が形成される。例文帳に追加

Electronic damage and crystalline damage of high levels are formed with single ion implantation with sufficient energy. - 特許庁

イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板である、ＳＩＭＯＸの転位密度を減少させる構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure for reducing the dislocation density of an SIMOX which is a silicon insulator SOI substrate produced by ion implantation. - 特許庁

注入されたイオン７５のラテラル・ストラグリングが、形成するグレーティング７７の周期の４分の3以下となるような加速エネルギーを用いるか、または、注入されたイオン７５がグレーティングを形成したい部分を完全に通過してしまうような加速エネルギーを用いる。例文帳に追加

Here, such acceleration energy that the lateral struggling of the injected ions 75 is ≤3/4 times as large as the cycles of the grating 77 to be formed or such acceleration energy that the injected ions 75 completely pass through the part where the grating needs to be formed is used. - 特許庁

一実施形態で、初期酸窒化物層は、基板に窒素原子をイオン注入することによって、基板上に形成される。例文帳に追加

In a first embodiment, the initial oxynitride layer is formed on the substrate by ion implantation of nitrogen atoms. - 特許庁

薄いシリコン酸化膜が形成される第２の領域１１ａのシリコン基板１１に選択的に窒素イオン１５を注入する。例文帳に追加

Nitrogen ions 15 are selectively implanted into a second region 11a of the silicon board 11, where a thin silicon oxide film is formed. - 特許庁

表面から炭化珪素基板中へイオン注入を行なうことにより不純物領域（１２３〜１２５）が形成される。例文帳に追加

Impurity regions (123 to 125) are formed by injecting ions into the silicon carbide substrate from the surface. - 特許庁

低不純物濃度のｎ^-基板１の一方の表面にアノードｐ層２がイオン注入と熱拡散とで選択的に形成される。例文帳に追加

p- type anode layers 2 are selectively formed in the surface on one side of the surfaces of an n- low-impurity concentration substrate 1. n- surfaces 3 being exposed without being formed with the layers 2 are covered with each insulative film 4. - 特許庁

水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたＳＯＩウエーハ例文帳に追加

MANUFACTURE OF SOI WAFER BY HYDROGEN-ION IMPLANTATION STRIPPING METHOD AND SOI WAFER MANUFACTURED THEREBY - 特許庁

窒化チタン膜１０６ａは、窒化チタン膜１０６に窒素イオンの注入が行なわれ、仕事関数が小さくなる。例文帳に追加

In the manufacture of the titanium nitride film 106a, nitrogen ions are implanted into the titanium nitride film 106, and its work function is made small. - 特許庁

次に、素子分離絶縁膜２により区画された素子活性領域内に、イオン注入によりウェルを形成する。例文帳に追加

A well is then formed by ion implantation within a device activation area defined by the device separation insulating film 2. - 特許庁

必要に応じて、ＬＤＤ領域が、アクティブ領域のゲートチャネル領域の保護のためのマスクを用いてイオン注入によって形成され得る。例文帳に追加

As necessary, LDD regions may be formed through an ion implantation using a mask for protection of a gate channel region of an active area. - 特許庁

高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる例文帳に追加

To solve a problem that a precise real time dose measurement is required in a plasma processing chamber such as high frequency plasma immersion ion implantation reactor. - 特許庁