「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

これにより、陰イオン性不純物を除去した薬液が冷却水に注入されるため、薬液の注入による応力腐食割れの緩和能力を向上できる。例文帳に追加

Thereby, since the chemical solution obtained by removing the anionic impurities is injected into the cooling water, the reducing capability of the stress corrosion cracking due to the injection of the chemical solution can be improved. - 特許庁

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17. - 特許庁

イオン注入装置のチャンバ１内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上にすることにより、レジスト付きウエーハ２にイオン注入を行っても、レジストからのアウトガスの圧力の割合を低くすることができ、イオンビームの中性化（又はイオン化）に対する影響を少なく抑えることを特徴とする。例文帳に追加

It is possible to lower a ratio of pressure of out gas in a resist and reduce the effect of ion neutralization (or ionization) even when ion implantation on a wafer 2 having the resist is carried out by holding the pressure more than 1×10-4 Torr within a chamber 1 of the ion implantation apparatus. - 特許庁

人工骨部材は、生体活性セラミックスからなる基材の表面の少なくとも一部にイオン注入による表面改質によってイオン注入が行われていない基材よりも自家骨との接合強度を高めた接合部が形成されている。例文帳に追加

The artificial bone member forms a joint part where joint strength with the autologous bone is stronger than that of a base member where ion implantation is not partially performed by surface quality improvement by ion implantation at least on the surface of the base material comprising bioactive ceramics. - 特許庁

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。例文帳に追加

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions. - 特許庁

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。例文帳に追加

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11. - 特許庁

その結果、４方向から注入される不純物のうち一方向（（３）もしくは（４））からの不純物が注入されないため、ポケットイオン領域ＰＫｎ２の不純物濃度のばらつきを抑え、上記課題を解決することができる。例文帳に追加

As a result, since the impurity from one direction ((3) or (4)) of the impurity to be implanted from four directions, variations of an impurity concentration of the pocket ion region PKn2 can be suppressed. - 特許庁

トランジスタにおけるシリコン基板上形成されたすくなくともＮ^^＋拡散層のような種々のイオン種が注入によって、Ｃｏシリサイド膜の形成が困難担っている領域に、Ｐイオンを注入してＣｏシリサイドの形成を容易にする。例文帳に追加

By injecting P ions into a region, where the Co silicide film is hard to be formed since various ions, such as at least an N+ diffusion layer formed on a silicon substrate in a transistor, are injected, the Co silicide is formed easily. - 特許庁

ウェル１０を形成するときのイオン注入角度を適切な範囲に設定しているため、注入された不純物の濃度分布のばらつきが抑制される。例文帳に追加

Since the ion doping angle is set to the adequate range to form the well 10, fluctuation is controlled in the concentration distribution of the doped impurity. - 特許庁

GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ６の脇の10の領域にAlをイオン注入する。例文帳に追加

Al ions are implanted into an area 10 aside a mesa stripe 6 in a ridged laser wherein a GaInNAs quantum well layer 4 is an active layer. - 特許庁

側壁スペーサをマスクとして使用して、ゲートの対向する両側のシリコン層に１対のソース／ドレイン領域をイオン注入する。例文帳に追加

Using the sidewall spacers as a mask, ion implantation is performed for a pair of source/drain regions on the both sides of the opposite silicon layers. - 特許庁

その後、レジスト１６をマスクにしてＰｃｈＴｒ形成領域ＰＴＲの多結晶シリコン膜１３にボロンをイオン注入する。例文帳に追加

Boron is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of a PchTr forming region PTR with resist 16 as a mask. - 特許庁

ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。例文帳に追加

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14. - 特許庁

その後、レジスト１４をマスクにしてＮｃｈＴｒ形成領域ＮＴＲの多結晶シリコン膜１３にリンをイオン注入する。例文帳に追加

Phosphorous is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of an NchTr forming region NTR with resist 14 as a mask. - 特許庁

イオン注入工程前後のレジスト工程が不要とし、半導体装置の製造工程数を削減する。例文帳に追加

To reduce the number of manufacturing processes for a semiconductor device by eliminating resist processes before and after an ion implantation process. - 特許庁

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。例文帳に追加

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10. - 特許庁

ウェーハステージの新規なリフトピン動作により、イオン注入レジストのアッシング時間を短縮、効率化できる。例文帳に追加

To shorten the ashing time of an ion implanted resist and make the ashing efficient, by a new lift pin of a wafer stage. - 特許庁

素子領域それぞれのイオン濃度にばらつきを生じさずに、ウェル注入及びチャネル注入後における酸化膜の高さを均一にできる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of making the height of an oxide film uniform after well implantation and channel implantation without causing variations in ion concentration in each device region. - 特許庁

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。例文帳に追加

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer. - 特許庁

シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate 101, ions are implanted in a region on the lower layer side than the silicon oxide film, and then heat treatment is performed to form an underlying layer 102 made of single crystal silicon subjected to the ion implantation. - 特許庁

予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。例文帳に追加

The primary reforming processing is carried out successively, on the preliminary reforming process; second ion implantation is performed with energy higher than that of the first ion injection to reform the organic SOG film to the target depth; and thus a lower reformed SOG film 52d is formed below the upper reformed SOG film 52u. - 特許庁

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。例文帳に追加

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation. - 特許庁

ソース領域及びドレイン領域とそれらに挟まれる位置のゲート電極下のチャネル領域との間にトレンチを形成し、当該トレンチの表面に不純物をイオン注入してＬＤＤ領域を形成するトランジスタにおいて、イオン注入のマスクレジストの膜厚が溝内でばらつく。例文帳に追加

To solve the problem that the film thickness of a mask resist during ion implantation varies in a transistor in which trenches are formed between a source region and a drain region, and a channel region under a gate electrode which is positioned at a location sandwiched between them, and an LDD region is formed. - 特許庁

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。例文帳に追加

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)). - 特許庁

石英基板１上にハーフトーン膜２を形成して、ハーフトーン膜の予め規定された深さにイオン注入によってイオン３を注入してハーフトーン位相シフト膜に色中心となる不純物４を含ませて、フォトマスクブランクとする。例文帳に追加

A halftone film 2 is formed on a quartz substrate 1 and ions 3 are injected by ion injection to the predetermined depth of the halftone film so as to impregnate the halftone phase shift mask with impurities 4 which are to act as the color centers to obtain a photomask blank. - 特許庁

非デバイス形成領域３にイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域の表面をＬＯＣＯＳ酸化することにより、非デバイス形成領域３に結晶欠陥を形成することができるため、デバイス形成領域２に結晶欠陥が形成されないようにできる。例文帳に追加

An ion implantation region is formed in a non-device formation region 3, and the surface of the ion implantation region is subjected to LOCOS oxidation, thus forming crystal defects in the non-device formation region 3, and hence preventing the crystal defects from being formed in a device formation region 2. - 特許庁

スキャナー２０で走査されたイオンビームを角度補正器２４で平行化し、半導体ウエハ３４に注入するイオン注入装置において、先ず、測定システム８０でビーム平行度を測定し、その結果に基づいて角度補正器２４を制御して所望のビーム平行度になるよう調節する。例文帳に追加

In the ion implantation device parallelizing an ion beam scanned at a scanner 20 by an angle compensator 24, and implanting it in a semiconductor wafer 34, first, beam parallelism is measured by a measurement system 80, and then, the angle compensator 24 is controlled based on the result to adjust the ion beam to have a desired beam parallelism. - 特許庁

算出された限界ドーズ量ＤＬとイオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、レジスト除去工程で生じるレジスト残り、つまりレジスト除去能力を評価する。例文帳に追加

The calculated marginal dose DL is compared with the amount of implantation of dose in the ion implantation, whereby the residue of resist generated upon resist-removing process or the resist-removing capability is evaluated. - 特許庁

演算部13は、出力電圧Ｖｏ，出力電流Ｉｏを用いて、充電器10からリチウムイオンバッテリ１へ注入されるリチウムイオンバッテリ１の充電電力（Ｖｏ・Ｉｏ）を求め、それを時間積算して注入エネルギー量Σ（Ｖｏ・Ｉｏ・Δｔ）を求める。例文帳に追加

The operator part 13 gets the charge power (Vo×Io) of a lithium ion battery 1 charged from the charger 10 to the lithium ion battery 1, using the output current Vo and the output current Io, and integrates it temporally thereby obtaining the quantity Σ (Vo×Io×Δt) of injected energy. - 特許庁

ｎ型６Ｈ−ＳｉＣにＡｌイオンを注入した後、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザを発振時間が１μ秒以下の１または複数のパルスとして照射し、ＳｉＣ結晶を溶融させずにイオン注入による照射損傷を回復させる。例文帳に追加

Al ions are implanted into an N-type 6H-SiC, the N-type 6H-SiC is irradiated with a single pulse or a few pulses of a KrF laser beam which is 248 nm in wavelength and oscillates for one psec or below, by which N-type 6H-SiC recovers from damage caused by implantation of ions without melting SiC crystals. - 特許庁

ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。例文帳に追加

Doping of an extension region of a source and a drain is carried out by cluster ion implantation, and annealing to promote activation of implanted impurities is carried out at a temperature which is not lower than 1,200°C, and in a time which is not shorter than 0.01 seconds. - 特許庁

シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

In this method of manufacturing semiconductor device, the impurity ion implantation which is performed for forming a well, and the impurity ion implantation which is performed for adjusting the threshold of a transistor formed in the well, are performed on the active area of a silicon substrate by using the same resist pattern as a mask. - 特許庁

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。例文帳に追加

In the regeneration processing method of flaked wafer as byproduct in an ion implantation flaking method, in which a joint wafer is obtained, the surface of the wafer is polished after an ion implantation layer of at least a chamfered part of the flaked wafer is removed. - 特許庁

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。例文帳に追加

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately. - 特許庁

イオン注入に伴うイオン注入部の体積増加のため、強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０表面の基板表面からの距離は、強磁性元素の原子含有率の相対的に小さい領域４２表面のそれと比較して大きくなる。例文帳に追加

Since volume of the ion implantation part is increased by ion implantation, distance from the substrate surface of the surface of the region 40 in which the atomic content of the ferromagnetic element is relatively large becomes larger than that of the surface of the region 42 in which the atomic content of the ferromagnetic element is relatively small. - 特許庁

基板１０上に酸化物層１２を成長させ第１レジストでパターニングしてトンネル部２４をエッチングして基板を露呈し、窒素イオンを注入して基板１０にイオン注入領域１８を形成した後レジストを除去する。例文帳に追加

An oxide layer 12 is grown on a board 10 and patterned using a first resist as a mask, a tunnel part 24 is etched to expose a part of the board 10 located under the tunnel part 24, an ion-implanted region 18 is formed inside the board 10 by implantation of nitrogen ions, and then the resist is removed. - 特許庁

半導体デバイス製造のプロセス工程の圧縮により製造コストの低減を目指し、特に、イオン注入工程周辺の工程を削減することが可能な新たなレジストレスイオン注入方法およびそれを実現する装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a new resistless ion implantation method, capable of reducing the number of processes, particularly, in and around ion implantation process, for the purpose of reducing the manufacturing cost by the compression of the process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a device for realizing this method. - 特許庁

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。例文帳に追加

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented. - 特許庁

イオン注入をしようとするウェハに対して走査されたビームを適正に芯合わせし、かつ位置決めをするための装備を有するインプランタ（注入装置）を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an ion implanter which is capable of a proper alignment of a beam for scanning a wafer into which ion is implanted and has an equipment for positioning. - 特許庁

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method. - 特許庁

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。例文帳に追加

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p. - 特許庁

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。例文帳に追加

By use of an FT-IR device from IR waveforms prior to hydrogen ions implanted into the semiconductor substrate, the IR waveform of an FZ crystal semiconductor substrate is acquired by a difference spectrum method (an FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions). - 特許庁

活性層用ウェーハへの酸素イオンの注入工程と、活性層用ウェーハへの非酸化性雰囲気中での熱処理工程との間に、活性層用ウェーハに対し急速昇降温の熱処理を施す工程を入れることで、酸素イオン注入層を単一層に纏めるものである。例文帳に追加

An oxygen ion implantation layer is collected into a single layer by incorporating a step of applying rapid-rising/falling-temperature heat treatment to a wafer for an active layer between a step of implanting oxygen ions to the wafer for an active layer and a step of executing heat treatment to the wafer for an active layer in a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

また、電子機器１０は、純水１２を冷却する冷却部１３と、純水１２中のイオンを除去するイオン除去部１４と、純水１２中に不活性ガスを注入するガス注入部１５と、経路１８内に純水１２を循環させるポンプ部１６とを備える。例文帳に追加

Also, the electronic apparatus 10 comprises: a cooling unit 13 for cooling the pure water 12; an ion removal unit 14 for removing ions in the pure water 12; a gas introduction unit 15 for introducing an inactive gas into the pure water 12; and a pump unit 16 for circulating the pure water 12 in a circulation path 18. - 特許庁

これによって、ウエハ面内のレジストパターン３ａの太い領域のイオン注入量を多くし、細い領域のイオン注入量を少なくすることによって、容易にウエハ面内における被加工ゲート膜２の寸法の均一性の向上が図れる（ステップＳＴ１７）。例文帳に追加

Consequently, the size uniformity of a gate film 2 to be worked in the surface of the wafer can be improved easily, by increasing the implanted quantity of ions into the thick line regions of the pattern 3a and reducing the implanted quantity of ions into the thin line regions of the pattern 3a (step ST17). - 特許庁