「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び／又はその塩を含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。例文帳に追加

The resist stripper has excellent resist strippability, in particular, excellent strippability for an ion-implanted resist. - 特許庁

遺体の鼻腔より食道最奥部までチューブを差し込み、酸素型酸化イオン水及び天然アルカリイオン水を主成分とし穀物抽出成分で構成された遺体消臭液を注入する遺体の消臭及び殺菌方法。例文帳に追加

This method for deodorizing and sterilizing the corpse is provided by inserting the tube from nasal cavity to the deepest part of esophagus of the corpse and injecting the corpse-deodorizing liquid constituted by the oxygen type oxidizing ion water and natural alkali ion water as the main components and the cereal-extracted component. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7. - 特許庁

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。例文帳に追加

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process. - 特許庁

パターニングすべき目的物質が物理的又は化学的に吸着されている基板のパターン化された領域に対してイオン注入を行うことによって作製される、目的物質が表面にパターニングされている基板。例文帳に追加

The substrate having the target material patterned on its surface is manufactured by injecting ions in the patterned region on a substrate on which the target substance to be patterned is adsorbed physically and chemically. - 特許庁

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。例文帳に追加

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c. - 特許庁

開示される半導体装置の製造方法は、フッ素イオン注入を中膜厚のゲート酸化膜１２を形成すべき領域５Ｂに、フッ素の飛程Ｒｐが基板１中で１５〜１５０ｎｍとなるようなイオン注入条件で行った後、領域５Ｂの表面のケミカル酸化膜７を除去し、次に酸化処理により領域５Ｂに中膜厚のゲート酸化膜１２を形成する。例文帳に追加

The disclosed semiconductor device manufacturing method comprises implanting fluorine ions into a region 5B for forming a medium- thickness gate oxide film 12 under the condition of a fluorine range Rp of 15-150 nm in a substrate 1, removing a chemical oxide film 7 on the surface of the region 5B, and applying the oxidation to form the medium-thickness gate oxide film 12 on the region 5B. - 特許庁

形成するトランジスタのチャネルに応じて不純物イオンを注入することにより、ドレイン領域およびソース領域を形成する際に、あらかじめ、高耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の周辺部の下層領域に、不純物イオンが注入まれないように、少なくともゲート酸化膜の周辺部上にレジストを形成する。例文帳に追加

At the time of forming a drain region and a source region by implanting impurity ions corresponding to a channel of a transistor to be formed, resist is formed at least on a peripheral part of the gate oxide film beforehand so as not to implant the impurity ions to the lower layer region of the peripheral part of the gate oxide film of the high breakdown voltage MOS transistor. - 特許庁

層内レンズ材料を用いずに、既存層間膜の第１平坦化層１０８中に金属イオンを注入することによって、第１平坦化層１０８中の金属イオン注入領域のみ高屈折率化してレンズ形成領域として、オンチップマイクロレンズ１１２とシリコン基板間の距離を増加させることなく、下にのみ凸形状のレンズ形状を持つ層内レンズ１０９を形成する。例文帳に追加

An inlay lens 109 having a convex lens shape only downward is formed without increasing a distance between an on-chip micro lens 112 and a silicon substrate as a lens formation region, by realizing high refractive index in a metallic ion implantation region alone in a first flattening layer 108 by injecting metallic ion into the first flattening layer 108 of an existing interlaminar film without using an inlay lens material. - 特許庁

炭素を有する高分子化合物又は該高分子化合物を含有する樹脂組成物で構成された樹脂製部材の表面を、アルゴンと水素の混合ガスが存在する減圧下でイオンビームに暴露すると、樹脂製部材にイオンビームが注入される。例文帳に追加

A surface of a resin member constituted of a polymeric compound having carbon or a resin composition containing the polymeric compound is exposed to an ion beam under reduced pressure in the presence of a mixed gas of argon and hydrogen to thereby implant the ion beam in the resin member. - 特許庁

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。例文帳に追加

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer. - 特許庁

脱塩装置で被処理水の薬剤注入物質（ｐＨ調整剤のアンモニア）を除去することなく、被処理水の他の不純物イオンのみを除去し、薬剤注入物質の負荷と冷却負荷を軽減させた水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment apparatus for removing only other impurity ions of water to be treated without removing a chemical agent-injecting substance (ammonia being a pH control agent) of water to be treated by a desalting device to reduce the load of the chemical agent injection substance and cooling load. - 特許庁

一方、貫通孔３１ｂは、表面からＡｒイオンを注入された部分がエッチングされて形成されたもので、貫通孔３１ａの形成時のエッチングによって同時に形成される。例文帳に追加

The through hole 31b is formed by etching a part where Ar ion is implanted from a surface, which is formed at the same time when the through hole 31a is formed by etching. - 特許庁

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。例文帳に追加

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108. - 特許庁

層間酸化膜８の上面８ｂに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜１１の上面１１ｂに対して、大電流機を用いて注入量８×１０^15ａｔｏｍ／ｃｍ^2 、注入エネルギー２０Ｋｅｖ、入射角０度で矢印１３で示すイオン注入を行うことにより、上面１４ｂが平坦化された非晶質シリコン膜１４を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8. - 特許庁

リチウムイオン二次電池１は、電池缶３内に収容された電極群２の上方に、電池缶３の内径と略同一の外径を有し非水電解液を注入するための注液口が形成された内蓋６が配置されている。例文帳に追加

A lithium ion secondary battery 1 has an inner lid 6 on which, a liquid injection port for injecting nonaqueous electrolyte having a diameter almost the same as that of a battery can 3 is arranged above an electrode group housed in the battery can 3. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher. - 特許庁

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。例文帳に追加

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm. - 特許庁

外輪１２及び内輪１３を導電性を有するＥＳ−１に代表されるステンレス鋼材で形成するとともに、玉１１を絶縁性セラミックスとしてＳｉ_3 Ｎ__4 で形成し、さらに、玉１１の表面にＣｒイオン及びＮイオンを注入する。例文帳に追加

An outer ring 12 and an inner ring 13 are formed of stainless steel material represented by ES-1 having conductivity, balls 11 are determined to be insulating ceramic to be formed of Si3N4, and a Cr ion and an N ion are injected into the surface of the ball 11. - 特許庁

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。例文帳に追加

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask. - 特許庁

Ｐ型半導体層３０２の層間絶縁膜３０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード３０３が画素毎に形成され、層間絶縁膜３０４中には遮光膜３０５が形成されている。例文帳に追加

A photodiode 303 in which n-type impurities are ion-implanted is formed for each pixel at the side of the interlayer insulating film 304 of the p-type semiconductor layer 302, and a light-shielding film 305 is formed in the interlayer insulating film 304. - 特許庁

シリコーン、ポリウレタン、ポリプロピレン又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から選択される材料から構成され、表面の少なくとも一部がプラズマイオン注入により改質されてなる、医療用カテーテル。例文帳に追加

The medical catheter is made of a material selected from silicone, polyurethane, polypropylene or polytetrafluoroethylene (PTFE), and at least a part of the surface of the catheter is reformed by injecting plasma ions. - 特許庁

ゲート電極１３上からゲート電極１３の一側方にかけてを覆うレジストパターン１４を形成し、レジストパターン１４及びゲート電極１３をマスクに用いたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にヒ素イオンを導入する。例文帳に追加

A resist pattern 14 covering over the gate electrode 13 to one flank of the gate electrode 13 is formed, and arsenic ions are implanted on the surface layer of the semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by the resist pattern 14 and the gate electrode 13. - 特許庁

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。例文帳に追加

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed. - 特許庁

注入されたウェハの特性デ−タをフィ−ドバックし、ウェハ２０面内の悪化傾向のある領域を抽出し、その領域に対応する上下メカニカル駆動速度制御部１７による駆動速度を補正しイオン注入部２に転送し、駆動速度を変えイオンビ−ム１２を悪化傾向の領域に駆動する。例文帳に追加

The ion injection system feeds back an injected wafer characteristic data, extracts an area having deterioration tendency within the surface of a wafer 20, compensates a driving speed by an up and down mechanical driving speed controller 17 corresponding to the area and transmits to an ion injection part 2, and drives ion beam 12 to the area having deterioration tendency by changing the driving speed. - 特許庁

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。例文帳に追加

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth. - 特許庁

第１マスクが再び用いられ、第１導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００内の第１ウェル隔離領域１０４の一部上にオーバーレイされるように第１ウェルが形成される。例文帳に追加

First conductivity type impurity ions are then implanted using the first mask again and a first well is formed to overlay a part of the first well isolation region 104 in the semiconductor substrate 100. - 特許庁

そして、シリコン層３３に形成されたシリコン酸化膜３２まで到達したＰ型ベース領域３５は、溝４５を含むシリコン層３３の表面からの斜めイオン注入により形成されている。例文帳に追加

A p-type base region 35 to the silicon oxide film 32 formed on the silicon layer 33 is formed by oblique ion implantation from the surface of the silicon layer 33 including the groove 45. - 特許庁

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。例文帳に追加

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21. - 特許庁

低濃度領域２５をイオン注入により形成される際に使用されるマスクは、中間領域２４を形成するときに使用したマスクがエッチングされて形成される。例文帳に追加

A mask which is used when the low-concentration region 25 is formed by implantation of ions is formed by etching the mask that is used for forming the intermediate region 24. - 特許庁

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。例文帳に追加

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10. - 特許庁

形成されたＳｉＣ薄膜は、レーザ光によりアニールされているため、イオン注入時に受けた損傷が十分に回復され良好な結晶性を有する。例文帳に追加

Since the thin SiC film thus formed is annealed by a laser beam, damages at the time of ion implantation are recovered sufficiently and good crystalinity is ensured. - 特許庁

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere. - 特許庁

無欠陥層１６は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ１０の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。例文帳に追加

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen. - 特許庁

基体層１の一部は、第１平坦化膜１３又は第２平坦化膜１４を介して剥離用物質がイオン注入されることにより形成された剥離層に沿って分離されている。例文帳に追加

A base layer 1 is partially separated along a peeling layer formed by ion implantation of material for peeling via the first planarized films 13 or the second planarized film 14. - 特許庁

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。例文帳に追加

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment. - 特許庁

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment. - 特許庁

ギ酸鉄タンク９内のギ酸鉄（鉄(II)イオン含有溶液）、過酸化水素タンク１１内の過酸化水素及びヒドラジンタンク１３内のヒドラジンが、それぞれ、配管１７に注入されて処理槽５内に導かれる。例文帳に追加

Iron formate (iron(II) ion containing solution) in an iron formate tank 9, hydrogen peroxide in a hydrogen peroxide tank 11 and hydrazine in a hydrazine tank 13 are injected into a pipe and guided into the treatment tank 5, respectively. - 特許庁

半導体装置を構成する絶縁膜２に不活性ガス、窒素および水素の内の少なくとも一種のイオン６を注入して絶縁膜２中に多数の空隙８を形成し、絶縁膜２の比誘電率をイオン注入前よりも低下させ、これによって低誘電率絶縁膜１０を得る。例文帳に追加

A method for obtaining the low permittivity insulating film comprises the steps of forming a number of air gaps 8 in the insulating film 2 by implanting at least a kind of ion 6 out of inert gas, nitrogen, or hydrogen to the insulating film 2 which composes the semiconductor device, and lowering the relative permittivity of the insulating film 2 lower than before the ion implantation, resulting in obtaining a low permittivity insulating film 10. - 特許庁

水蒸気は、サンプルの近傍に位置決めされ二次イオンのコレクション場との干渉を減少させるために電気的にバイアスされる針を通じて注入される。例文帳に追加

The steam is positioned near a sample and injected through a needle to be electrically biased in order to reduce interference with a collection field of the secondary ion. - 特許庁

キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。例文帳に追加

After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor. - 特許庁

不純物イオン注入の際に、この凹凸部４１ａ，４２ａでイオンビームが散乱するため、シリコン膜−ゲート絶縁膜界面近傍のシリコン膜にドーピングされる不純物濃度が格段に大きくなり、効率的なドーピングを行うことができる。例文帳に追加

Since the ion beams scatter in the irregularities 41a and 42a when impurity ions are injected, impurity concentration doped in the silicon film near the interface of the silicon film and the gate insulating film becomes remarkably large, and efficient doping is performed. - 特許庁

アナライザ領域が第１および第２の空間を隔てた電極によって規定され、アナライザ領域がアナライザ領域を経てガスフローを距給するためのガス注入口およびガス放出口を有する高電界非対称波形イオン移動度分光法のイオン集束原理に基づいている。例文帳に追加

An analyzer zone is predetermined by the electrode separating first and second spaces, and the analyzer zone is based on an ion focusing principal of a high-field asymmetrical waveform ion mobility spectroscopic method having a gas injection port for supplying a gas flow through the analyzer zone and a gas discharge port. - 特許庁

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。例文帳に追加

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted. - 特許庁

本発明の一例は、酸素イオンを注入し熱処理をすることによって作成された酸素析出核を層状に形成した酸素析出層１４を、半導体中に含まれる重金属汚染不純物に対するゲッタリング層とする。例文帳に追加

As one example, an oxygen precipitation layer 14 forming in layers the precipitation of oxygen nucleus created by heat treating by pouring oxygen ion is used as a gettering layer to the heavy metal contamination dopant contained in a semiconductor. - 特許庁