「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目)

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。例文帳に追加

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method. - 特許庁

このため、この後のイオン注入、熱拡散によって形成される拡散ソース配線の幅が確保される。例文帳に追加

Thus a width of a diffusion source wire formed by subsequent ion implantation and thermal diffusion is secured. - 特許庁

そして、この（Ｃ）形成するステップにおいて、不純物イオン３１の注入条件は、検出された三次元形状に基づいて制御される。例文帳に追加

In the (C) forming step, the condition for implanting the impurity ion 31 is controlled based on the detected three dimensional shape. - 特許庁

第１の熱処理で、Ｖｔｈ調整領域１６に注入されたイオンが活性化されるために必要な熱処理ａの一部を行う。例文帳に追加

A part of the heat treatment (a) required for activating ions implanted to the Vth adjusting region 16 is performed in first thermal treatment. - 特許庁

なお、前記注入されたイオンを前記金属の膜が形成された後の熱処理によって活性化する工程を同時に行なうことが望ましい。例文帳に追加

It is preferable that the method include a step of activating the implanted ion by heat treatment that follows the formation of the metal film. - 特許庁

所定の物質層２１上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層２１に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。例文帳に追加

This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas. - 特許庁

前記基材シートには、ポリオルガノシロキサン層にイオン注入をすることで得られたガスバリア層が積層されたことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that a gas barrier layer obtained by implanting ions into a polyorganosiloxane layer is laminated on the base material sheet. - 特許庁

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。例文帳に追加

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method. - 特許庁

金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。例文帳に追加

The surfaces of metallic base materials 31, 34 are provided with an ion implantation layer 32 of one or more kinds of metallic elements selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y reacted with F_2 gas and fluoride gas, but in which the vapor pressure of the resultant reaction product is low by using an ion implantation method or a plasma implantation method. - 特許庁

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。例文帳に追加

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment. - 特許庁

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。例文帳に追加

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface. - 特許庁

リソグラフィによりパターン形成されたレジストマスク６に、Ｈ^＋ イオンを注入してレジストマスク６の耐エッチング性を高める。例文帳に追加

Etching durability of a resist mask 6 patterned by lithography is increased by injecting H^+ ions into the resist mask 6. - 特許庁

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide. - 特許庁

これにより、基板１中に所定パターンで所定深さを有するイオン注入領域３が形成される（ａ）。例文帳に追加

Thereby, an ion implantation region 3 having a prescribed pattern and prescribed depths is formed in the substrate 1 (process (a)). - 特許庁

熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。例文帳に追加

A light element is ion-implanted to a thermally oxidized active layer wafer to form a defective layer at a 0.1-0.2 μm depth from the surface. - 特許庁

また、このイオン注入層３２の上に、さらにＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる金属を含む薄膜３３を積層させる。例文帳に追加

Further, the surface of the ion implantation layer 32 is further stacked with a thin film 33 comprising metal selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y. - 特許庁

酸化膜が形成されたモニタウエハに対してｐ型不純物のイオン注入を行うことで、酸化膜の内側にｐウェルを形成する。例文帳に追加

The implantation of p-type impurity is effected onto the monitor wafer, on which the oxide film is formed, to form p-well in the oxide film. - 特許庁

リチウムイオンを含む電解液を容器内に注入した後、電極シートに通電して電界賦活を行ない、リチウムイオンを負極の電極シートに吸蔵させ、次にリチウムイオンを含む電解液を、リチウムイオンを含む新たな電解液に入れ替える操作を行なう。例文帳に追加

The manufacturing method includes injecting the electrolyte containing lithium ions into the container, energizing the electrode sheet to apply electric field activation, causing the cathode electrode sheet to occlude lithium ions, and replacing the electrolyte containing the lithium ions by a new electrolyte containing lithium ions. - 特許庁

ＥＣＲ装置１２を用いてＦｅの多価イオンを生成し、生成された価数の異なる種々のＦｅ多価イオンの中から、イオン分別電磁石２０を用いて所望の価数の多価イオンを分別してＳｉ基板２２中に注入し、β−ＦｅＳｉ_２を形成する。例文帳に追加

ECR equipment 12 is used to generate the multivalent ions of Fe, and an ion-separation electromagnet 20 is used to separate and select multivalent ions of desired valency from among various valence-different Fe multivalent ions generated so that they may be implanted into an Si substrate 22 to form a β-FeSi_2. - 特許庁

本発明は、イオンビームをウエハに照射して処理するイオン注入装置におけるビーム経路の途中に設けられて電場、磁場のうち少なくとも磁場によってイオンビームから必要なエネルギー種のイオンのみを選択するＡＥＦ（角度エネルギーフィルター）に適用される。例文帳に追加

This invention is applied to an AEF (angle energy filter) provided in the middle of a beam path in an ion implanting device irradiating an ion beam on a wafer to treat it and selecting only ions of required energy species from the ion beam by at least a magnetic field between an electric field and the magnetic field. - 特許庁

そして、フローティングゲート３の所定部位３ａが所定幅で延設されるようにし、イオン注入後の拡散工程において、所定部位３ａの幅方向両側に注入されたイオンが拡散し、所定部位３ａ下において連結され、トンネル領域が形成されるようにする。例文帳に追加

A prescribed section 3a of the floating gates 3 is provided in extended form in the prescribed width, the ions implanted on both sides in the width direction of the prescribed section 3a are diffused, they are coupled under the prescribed section 3a, and a tunnel region is formed. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体膜１３ｇは、注入イオンが活性された領域１３ｈと、アンドープのままである領域１３ｄとを含む。例文帳に追加

The gallium nitride semiconductor film 13g includes a region 13h, where the implanted ion is activated and a region 13d which is kept undoped. as it is. - 特許庁

イオン注入により形成されたドープ・ガラス層３０は、シリコン層３２の転位密度を減少させることができる。例文帳に追加

The doped glass layer 30 formed by ion implantation can reduce dislocation density of the silicon layer 32. - 特許庁

また、１２ｂが酸化膜３を通してイオン注入された領域で、チャネルストッパ領域となる箇所である。例文帳に追加

A region 12b is a region where ions are implanted through the oxide film 3 and serves as a channel stopper region. - 特許庁

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。例文帳に追加

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering. - 特許庁

また、半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に対して傾斜角度を持つ方向に沿って半導体単結晶基板１００に、前記第１不純物のイオン注入処理における注入エネルギーよりも高い注入エネルギーで、第２導電型の第２不純物をイオン注入（１５１）することにより埋め込みコレクタ層１０３を形成する。例文帳に追加

Further, a buried collector layer 103 is formed by ion-implanting (151) second conductivity second impurities to the semiconductor single crystal substrate 100 in a direction having an inclined angle to the normal line direction of the principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100, with an implantation energy higher than that in the ion implantation process of the first impurities. - 特許庁

イオン注入などにおいて使用されたレジストを高い清浄度を以って短時間で除去することが可能な基体洗浄方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for removing a resist used in ion implantation or the like at a high degree of cleaning in a short time. - 特許庁

半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する際に、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器３７内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波ＭＷを導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームＩＢを引き出し、水素分子イオンを半導体基板に照射して注入する。例文帳に追加

When hydrogen ions are implanted into a predetermined depth of the semiconductor substrate, a hydrogen gas is introduced into a container 37 with inside pressure reduced and with a predetermined magnetic field formed; microwaves MV are introduced into the magnetic field to generate plasma; a hydrogen ion beam IB containing hydrogen molecule ions is extracted from the plasma; and the hydrogen molecule ions are applied to and implanted into the semiconductor substrate. - 特許庁

次に、スルー酸化膜にアルゴンのイオン注入を行い、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

Then, argon ions are implanted into the through-oxide film 12 for the formation of a through-oxide film 13 where damages are introduced. - 特許庁

イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a structure where a good epitaxial growth layer is further stacked on an ion implanted layer. - 特許庁

レジストパターンを使用して選択された領域に不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、イオン注入工程において使用されるレジストをパターニングする際に使用される反射防止膜の最適化を図るとともに、スループットを向上すること。例文帳に追加

To optimize an antireflection film for use, when patterning a resist for use in an ion implantation step and enhance throughput in the manufacture of a semiconductor device, containing a step of ion-implanting impurities in a region selected by the use of a resist pattern. - 特許庁

このエッチング加工したマスク層は、Ｐ^+ 型ボディー拡散層、Ｎ^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。例文帳に追加

This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer. - 特許庁

また、不活性領域２１において、注入されたイオンの電気的な活性化率Ｘは１％≦Ｘ≦３０％である。例文帳に追加

Also, in the inactive region 21, an electrical activation rate X or injected ions is 1%≤X≤30%. - 特許庁

イオン注入によらずに半導体膜に高濃度にドープされた領域を形成した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein an area doped at a high concentration instead of ion implantation is formed on a semiconductor film. - 特許庁

本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。例文帳に追加

The inhomogenous ion injection device includes a wide ion beam generator which forms wide ion beams composed of a plurality of wide ion beams overlapping respectively on a plurality of regions of at least two places or more out of the total regions of a wafer, and a wafer rotating device which rotates the wafer in a fixed direction while the wide ion beams formed by the wide ion generator are irradiated. - 特許庁