「イオン注入された」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。例文帳に追加

In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108. - 特許庁

イオン注入段階での隔離された導電パターンの間で放電が発生し、絶縁破壊が起こって素子機能を遂行することができないことを防ぐ液晶表示装置のための新たな薄膜トランジスタ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a new thin film transistor for a liquid crystal display device, where an electric discharge is prevented from occurring between isolated conductive patterns to cause a dielectric breakdown to damage a device in a stage in which ions are implanted. - 特許庁

第１活性領域１３と第２活性領域１５との相対位置を異ならせた複数の単位モニター素子からの、第１活性領域１３に対する電気特性測定結果に基づいて、複数のイオン注入工程の基準位置同士のずれ量を求めるようにした。例文帳に追加

Displacement of the reference positions is determined for the plurality of ion implantation processes based on the measurement of the electric characteristics for the first active region 13 from a plurality of unit monitor elements of the first and second active regions 13 and 15, each having a differentiated relative position. - 特許庁

このとき、レジストマスクを形成し、その開口部にイオン注入することでＰ^＋型埋め込み拡散層を形成するが、レジストマスクには、Ｐ^＋型埋め込み拡散層に対応する開口部を形成するだけで、スクライブラインに対応した開口部は形成しない。例文帳に追加

A resist mask is formed and the p^+-type buried diffusion layer is formed by implanting ions to the opening section of the mask in this case but the opening section corresponding to a scribing line is not formed only by forming the opening section corresponding to the p^+-type buried diffusion layer to the resist mask. - 特許庁

正極電極、負極電極、セパレータの積層体を、同一方向に１回以上折り曲げることで形成される巻回素子をケースに封入し、電解液を注入してなるリチウムイオン二次電池の、歩留まりと信頼性が向上する製造方法と、それに用いる製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and manufacturing device used for it improving yield and reliability for a lithium-ion secondary battery made sealing in a case a wound-round element formed by folding a laminated body of a positive electrode, a negative electrode, and a separator one or more times in the same direction and filling electrolyte solution in it. - 特許庁

イオン注入１０１等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク１０２した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏３００度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理１０３，１０４するものである。例文帳に追加

After a processing wafer is baked 102 under normal pressure in order to remove a resist cured by ion implantation 101 etc., the processed wafer is subjected to plasma ashing processing 103, 104 in a high temperature area at about 300°C in an oxygen single gas atmosphere composed of an oxygen gas substantially. - 特許庁

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。例文帳に追加

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask. - 特許庁

ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。例文帳に追加

The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body. - 特許庁

本発明のアニーリングが主として適用される段階としては、ウェーハを製作するためのポリシング段階、半導体素子を製造するための各種のイオン注入段階、ドライエッチング段階、化学的及び機械的ポリシング段階がある。例文帳に追加

This annealing process can be applied mainly to a polishing process for manufacturing the wafer, or an ion implantation process, a dry etching process or a chemical mechanical polishing process for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。例文帳に追加

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.). - 特許庁

ＢＦ_２イオン１２をシリコン単結晶で形成される半導体基板１０の裏面１ｂより所定条件下で注入することで、内部に非晶質性領域１３ａと結晶性領域１３ｂを含む高濃度ホウ素領域１３を形成する。例文帳に追加

By implanting BF_2 ions 12 from the rear face 1b of a semiconductor substrate 10 formed of silicon single crystal under predetermined conditions, a high concentration boron region 13 including an amorphous region 13a and crystalline regions 13b is formed inside the semiconductor substrate 10. - 特許庁

イオン注入工程における、各ステップ（区切り）に、ＣＣＤカメラ５４へ入力される光量（ピーク光量）を監視し、ＬＥＤ５１を発光させる電圧を補正していくため、経時的にスパッタの付着量が増えて、光量が徐々に低下することを回避することができる。例文帳に追加

Since the voltage applied to an LED 51 so as to cause the LED 51 to emit light is corrected by monitoring the quantity of light inputted to a CCD camera 54 in each step (period) in an ion injecting process, it can be avoided that the depositing amount of sputter increases with time and the quantity of the light is gradually decreased. - 特許庁

表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。例文帳に追加

A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion. - 特許庁

分離膜６の透過側に、消化汚泥１１中に含まれる微量金属と結合して錯イオンを形成する錯形成性の有機酸Ａを注入して、膜面に浸透させることにより分離膜６を洗浄し、洗浄廃液をメタン発酵槽３内の消化汚泥１１中に流入させる。例文帳に追加

A complex forming org. acid A which forms complex ions by bonding with trace metals contained in digestive sludge 11 is injected to the permeation side of a separation membrane 6 and allowed to penetrate into the surface of the membrane 6 to clean the membrane 6 and the waste cleaning liq. is allowed to flow into digestive sludge 11 in a methane fermentation tank 3. - 特許庁

ＲＯ膜装置と電気脱イオン装置で構成される純水製造装置において、ＮａＣｌ等の薬剤注入を行うことなく、電気脱イオン装置における必要塩類濃度を確保して脱塩に必要な電流値を十分に高め、安定かつ効率的な脱塩を行って高水質の処理水を得る。例文帳に追加

To provide a pure water manufacturing device constituted of an RO membrane device and an electric deionizing device which sufficiently increases an electric current value required for desalting by securing the required concentration of salts in the electric deionizing device without injecting an agent such as NaCl and thereby performs the stable and efficient desalting process to obtain the treated water of high quality. - 特許庁

支持構造は、スパッタリングおよびスパッタリング生成物の生成を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えたエレメント２０を備えている。例文帳に追加

The support structure comprises an element 20, provided with a material with a small sputter rate, a material with a large sputter threshold energy, or a material with a large ion implantation yield, in order to suppress the sputtering and the generation of sputtering product. - 特許庁

そして、複数の短冊状の活性領域（２０２〜２０８）の両端にプローブを当接させて各ＭＯＳトランジスタの電気特性（しきい値電圧やパンチスルー電圧）を測定し、各ＭＯＳトランジスタの電気特性の偏差から、イオン注入領域（４０４）のずれを検出する。例文帳に追加

Electrical characteristics (threshold voltage and punch-through voltage) of each MOS transistor is measured, by bringing probes into contact with both ends of a plurality of the strip-shaped active regions (202-208), so as to detect the displacement of the ion implantation region (404) from the deviation in the electrical characteristics of each MOS transistor. - 特許庁

複数の素子が形成される半導体基板１の複数の前記素子同士を分離する素子分離領域にイオン注入を行った後、半導体基板１を第１の熱処理温度の非酸化性雰囲気中で熱処理することにより前記素子分離領域に結晶欠陥を形成する。例文帳に追加

After ion implantation is performed for an isolation region which isolates a plurality of elements of a semiconductor board 1, wherein a plurality of elements are formed, the semiconductor board 1 is subjected to heat treatment in non-oxidizing atmosphere of a first heat treatment temperature, and thereby the crystal defects is formed in an isolation region. - 特許庁

これにより、転送ゲート脇やサイドウォール下にも適切にイオン注入を行うことができ、これらの部分におけるピニングを強化でき、暗電流などの発生源を抑え、センサに混入するノイズを低減することができる。例文帳に追加

Thus, ion implantation can be appropriately performed even by the side of the transfer gate or under the sidewall, pinning in the portions can be strengthened, a generation source of a dark current or the like is suppressed and noise mixed into a sensor can be reduced. - 特許庁

素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。例文帳に追加

To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask. - 特許庁

貼り合わされた炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５および支持基板２に対して熱処理を施して、結晶格子切断領域からなるイオン注入層６の領域で、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５を剥離して、炭化ケイ素ＳＯＩ基板１を形成する。例文帳に追加

A substrate for silicon carbide SOI active layer 5 is pasted on a supporting substrate 2 to perform heating treatment and separated at the layer of ion implantation 6 which is the cutoff region of the crystal lattice to form a silicon carbide SOI substrate 1. - 特許庁

イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a base material for carbon nanotube production, in which growth nuclei of a catalytic element are formed while using an ion implantation method, a method for producing carbon nanotubes using the base material, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

これにより、電極６の周囲にｎ型半導体領域７を形成するイオン注入の際に電極６の端部に生じたダメージによる、電極６の端部における電界集中を緩和して異常なリーク電流の発生を抑える。例文帳に追加

According to this method, field concentration in the end of the electrode 6 due to a damage generated in the end of the electrode 6 upon pouring ion for forming an n-type semiconductor region 7 around the electrode 6 is mitigated and the generation of abnormal leakage current is suppressed. - 特許庁

スカベンジレスまたはハイブリッドスカベンジレス現像システム用現像電極を、イオン注入法を使って処理し、電極ワイヤと現像材とが摩擦接触する際、それらの間に電荷ポテンシャルがなるべく発生しないようにする。例文帳に追加

To prevent the generation of a charge potential between an electrode wire and a developing material as far as possible when both are brought into frictional contact with each other by treating a developing electrode for a scavengeless or hybrid scavengeless developing system by using an ion implantation process. - 特許庁

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。例文帳に追加

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a). - 特許庁

ウェル領域１２内の、トレンチ１３のすぐ外側に、ソース領域１６に接合し、かつ深さ方向の不純物濃度がほぼ一定であるチャネル領域１７を、斜めイオン注入により、トレンチ１３の側壁全面にわたって形成する。例文帳に追加

A channel area 17 bonded to a source area 16 wherein the impurity concentration of the depth direction is made almost constant is formed outside a trench 13 in a well area 12 across the whole side wall of the trench 13 by oblique ion-implantation. - 特許庁

第２電荷転送電極の電極長Ｌ１は、第１電荷転送電極の電極長Ｌ２よりも長く、かつ第２電荷転送電極下のＣＣＤチャネル領域の上流側部分には、ｐ型不純物のイオン注入によりｎ^−型ポテンシャル段差領域１１３が形成される。例文帳に追加

The electrode length L1 of the second electric charge transfer electrode is longer than the electrode length L2 of the first electric charge transfer electrode, and an n^--type potential step difference region 113 is formed to an upperstream side of the CCD channel region under the second electric charge transfer electrode by ion implantation of a p-type impurity. - 特許庁

同一の導電型MOS素子のセル領域ＣＮと周辺回路領域ＲＮ−１を同時に露出させるためのマスクを介在して、これらのうち一つの領域に適合した条件でライン４０までのイオン注入工程を遂行する。例文帳に追加

With a mask for exposing a cell region CN and a peripheral circuit region RN-1 of the same conductive-type MOS element at the same time held in-between, an ion-implantation process up to a line 40 is performed under the condition suitable for one of these regions. - 特許庁

イオン注入装置に使用されるベローズ組立体18は、一端側の第１取付部分56を第１室に固定し、他端側の第２取付部分52においてベローズ組立体を摺動可能に第２室に取付け、第１，第２取付部分間に伸縮可能なベローズ54を配置する。例文帳に追加

In a bellows assembly 18 to be used for an ion implanter, a first mounting part 56 on one end side is fixed to a first chamber, the bellows assembly is slidably mounted to a second chamber at a second mounting part 52 on the other side, and an extendable bellows 54 is arranged between the first and second mounting parts. - 特許庁

チューブ状物質に損傷を与えることなく多種多様の異種元素の導入が可能となり、かつ当該異種元素のイオン注入量も適正に制御することができる工業的に極めて有利な、異種元素が導入されたチューブ状無機物質の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a different element-introduced tubular inorganic substance, by which a wide variety of different elements can be introduced into the tubular inorganic substance without damaging the tubular inorganic substance and the amounts of the respective ions of the different elements to be injected can be controlled properly and which is extremely advantageous in industry. - 特許庁

基板１上に、ゲート電極６と抵抗用配線７とをそれぞれ形成し、ゲート電極６の両脇の基板１の表面内に各ソース・ドレイン領域（拡散層）１Ａ，１Ｂを形成するために、不純物イオンの注入を行う。例文帳に追加

A gate electrode 6 and the resistant wiring 7 are formed on a board 1, respectively, and an impurity ion is injected into the board 1 to form respective source areas and drain areas (diffusion layers) 1A, 1B under the part of the surface of the board 1 that correspond to both sides of the gate electrode 6. - 特許庁

イオン注入マスク膜として用いられるフォトレジスト膜パターンを残留物なしに除去し、自然酸化膜除去のための洗浄工程で発生するウォーターマークを防止する半導体素子のデュアルゲート形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide the dual gate forming method of a semiconductor device for removing a photoresist film pattern for use as an ion implantation mask film without a residue and preventing a water mark generated in a cleaning step for the removal of a natural oxide film. - 特許庁

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion. - 特許庁

本発明は、該溶液のpHが５．５以下で、2価カチオン又は硫酸イオンを含有し、浸透圧比が０．５〜３．０であることを特徴とする血管留置カテーテル内に注入される静菌作用を有することを特徴とするヘパリン含有カテーテルロック溶液である。例文帳に追加

The heparin-containing catheter lock solution having bacteriostasis to be injected into a blood vessel indwelling catheter has a pH of not higher than 5.5, contains a divalent cation or a sulfate ion, and has an osmotic pressure ratio of 0.5-3.0. - 特許庁

イオン注入剥離法において、剥離後の貼り合わせウェーハの薄膜表面を平坦化するための熱処理を行った際にも、膜厚均一性に優れた薄膜を有する貼り合わせウェーハを得ることができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a bonded wafer, capable of obtaining the bonded wafer having a thin film satisfactory in film thickness uniformity, even when heat treatment is performed for planarizing the thin-film surface of the bonded wafer after peeling, in an ion implantation peeling method. - 特許庁

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。例文帳に追加

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance. - 特許庁

ＭＩＳ型トランジスタにおいて、まず、犠牲酸化膜を形成し、形成した犠牲酸化膜の上にレジストパターン及び犠牲酸化膜を介してイオン注入によりウェハの上部にしきい値電圧制御用のウェルを形成する。例文帳に追加

In a MIS type transistor, first, a sacrificial oxide film is formed, a resist pattern is formed on the formed sacrificial oxide film, and a well for controlling a threshold value voltage is formed in the upper part of a wafer by an ion implantation through the sacrificial oxide film. - 特許庁

イオン注入法などの方法により窒素、水素、フッ素を母材層に導入するに際して、深さ方向の所定の範囲に実質的に限定し、しかる後に励起した酸素に晒すことにより、所定の範囲のみを精密にエッチング除去することができる。例文帳に追加

When nitrogen, hydrogen, or fluorine is introduced into the base material layer by ion implantion method, etc., the implantation is substantially limited to a specified range along the depth and then a work is exposed to excited oxygen to precisely etch only the specific range. - 特許庁

高分子アクチュエータは、導電性高分子材料層と固体電解質層が積層して構成され、両層間にサーボ信号（電位）を印加して導電性高分子材料層にドーパントイオンを脱注入することにより長手方向の寸法が変化する。例文帳に追加

The polymer actuator is constituted by laminating a conductive polymer material layer and a solid electrolyte layer, and size of a longitudinal direction is varied by applying a servo signal (potential) between the both layers and injecting and discharging dopant ion for the conductive polymer material layer. - 特許庁

基板表面の鉛直方向に対してトレンチ２５の長手方向に１０度以上３０度以下の角度で傾く斜め方向からｐウェル領域２３に選択的に砒素等をイオン注入し、活性化させてｎ^+ソース領域を形成する。例文帳に追加

Also, arsenic, etc. are selectively ion-injected into the p-well region 23 from the inclined direction of the longitudinal direction of the trench 25 which is inclined at an angle not smaller than 10° and not larger than 30°, relative to the direction vertical to the surface of a substrate to form an n^+-source region by activating the p-well region 23. - 特許庁

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond. - 特許庁

次に、ゲート絶縁膜１７Ａ及びゲート電極１８Ｂを形成した後、ｐ型ウェル領域１１にｎ型不純物をイオン注入して、ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインとなる低濃度不純物領域３０ａ、３０ｂを形成する。例文帳に追加

Next, after a gate insulating film 17A and a gate electrode 18B are formed, an n type impurity is ion-injected in the p type well area 11, and the low concentration impurity areas 30a, 30b being the source or the drain of a MOS transistor are formed. - 特許庁

ＲＯＭ機能を付加した複数種類（例えば２電源系）のＣＭＯＳトランジスタを製造するに際し、イオン注入の回数及びレジストパターン形成の回数を減らし、製造工数を削減することができる半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method with which the manufacturing man-hour can be reduced by reducing the numbers of ion implantation times and resist pattern formation times at manufacturing of a plurality of kinds (for example, two power supplying systems) of CMOS transistors additionally having ROM functions. - 特許庁

表面にシリコン層を有する基板上に、ＳｉＧｅ膜を形成し、該ＳｉＧｅ膜上に格子状の溝を有するマスクパターンを形成し、該マスクパターンをとおして基板にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法が提供される。例文帳に追加

The semiconductor substrate manufacturing method comprises forming the SiGe film on the substrate having a silicon layer on its surface, forming a mask pattern having grating-shaped grooves on the SiGe film, injecting ions to the substrate through the mask pattern, and then performing heat processing. - 特許庁

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。例文帳に追加

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask. - 特許庁