「ガス集束」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

この可動フレーム３４の頂部に取り付けられている集束レンズ３０が、ガスを放出させるように、レゴリス材料４３上に太陽光線４１を集束させる。例文帳に追加

A focusing lens 30 mounted atop the movable frame 34 focuses a solar ray 41 on a regolith material 43 to release gases therefrom. - 特許庁

基板の上に原料ガスを供給した状態で集束イオンビームを照射し、集束イオンビームの照射箇所にダイアモンドライクカーボンからなる微小構造体を形成する（ステップＳ１０１）。例文帳に追加

A substrate is irradiated with the focused ion beams with raw material gas supplied onto it to form the microstructure made of diamond like carbon on a part irradiated with the focused ion beams (step S101). - 特許庁

集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。例文帳に追加

In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators.  - 科学技術論文動詞集

次の層を取り除く前に、酸素含有ガスと共に集束イオンビームスパッタリングを用いて、トレンチ底面を平滑にする。例文帳に追加

Prior to the removal of the next layer, focused ion beam sputtering with oxygen-containing gas smoothes the base of a trench. - 特許庁

また、加熱室５にガスを導入する工程と、導入されたガスを加熱室５で加熱する工程と、加熱したガスに材料を導入する工程と、導入された材料のプラズマを生成する工程と、このプラズマを集束させる工程と、集束させた後のプラズマを被処理体に吹き付ける工程とを含む微細部品の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the fine component includes a step of introducing the gas into the heating chamber 5, a step of heating the introduced gas in the heating chamber 5, a step of introducing the material in the heated gas, a step of generating plasma of the introduced material, a step of converging the plasma, and a step of spraying the converged plasma on the workpiece. - 特許庁

イオンビームを発生させるプラズマ型ガスイオン源と、プラズマ型ガスイオン源から発生したイオンビームを試料上に集結させるイオン光学系を備えた集束イオンビーム装置である。例文帳に追加

The focused ion beam device is provided with a plasma type gas ion source to generate ion beams and an ion optical system to concentrate ion beams generated from the plasma gas ion source on a test piece. - 特許庁

抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。例文帳に追加

The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable. - 特許庁

このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。例文帳に追加

A combination of the etching precursor gas, etching suppression gas, and focused beam selectively etches a first material, as compared to a second material. - 特許庁

被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。例文帳に追加

To provide a processing system capable of processing a processing object by supplying gas to a surface of the processing object while activating the gas by a focused beam, and capable of monitoring the processing progress. - 特許庁

ガス通路を流れるブローバイガスの流向をガス通路に対して斜向する向きに集束させるようにブローバイガスの流向を水平偏向させるための第１整流面（１１）と、ブローバイガスの流向を垂直偏角させるための第２整流面（１２）を備えるガス整流板（１０）をガス通路に設置する。例文帳に追加

A gas passage is provided with a gas straightening plate 10 including: a first straightening face 11 horizontally deflecting a blow-by gas flow direction so that the flow direction of the blow-by gas flowing in the gas passage is collected in the direction inclined from the gas passage; and a second straightening face 12 vertically turning an angle of the blow-by gas flow. - 特許庁

アナライザ領域が第１および第２の空間を隔てた電極によって規定され、アナライザ領域がアナライザ領域を経てガスフローを距給するためのガス注入口およびガス放出口を有する高電界非対称波形イオン移動度分光法のイオン集束原理に基づいている。例文帳に追加

An analyzer zone is predetermined by the electrode separating first and second spaces, and the analyzer zone is based on an ion focusing principal of a high-field asymmetrical waveform ion mobility spectroscopic method having a gas injection port for supplying a gas flow through the analyzer zone and a gas discharge port. - 特許庁

集束イオンビーム装置の試料室７内に試料ステージ５とガス供給ユニット９とを設け、試料ステージ５上の試料６とガス供給ユニット９のガスノズル１０との間にマイクロスコープ３１を設ける。例文帳に追加

A sample stage 5 and a gas supply unit 9 are disposed in the sample chamber 7 of a focus ion beam system and a microscope 31 is interposed between a sample 6 on the sample stage 5 and the gas nozzle 10 of the gas supply unit 9. - 特許庁

アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。例文帳に追加

A residual gallium layer 3 on the surface of the thin piece 6 cut by the focused ion beam apparatus is removed by sputtering a gas cluster ion beam 1 such as argon. - 特許庁

材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。例文帳に追加

The sample production device achieves sample production suitable for observation by a scanning electron microscope, by forming a micro irregularity every structure by focused ion beam assistant etching using assist gas for increasing the spatter yield difference for every material. - 特許庁

試料２の断面領域に不活性ガスを吹き付けながら試料２の断面領域に所定径に集束させたイオンビームを照射，走査させることによって、試料２の断面の平滑化を行う。例文帳に追加

A cross section of a sample 2 is smoothed by irradiating and scanning ion beams converged into a given diameter on a cross-section area of the sample 2 while spraying inert gas on the same 2. - 特許庁

また、前記集束機での巻き取り、その後の冷却を不活性ガス雰囲気下で行うことができ、この場合、２００℃までの冷却時間の制限はない。例文帳に追加

Further, the coiling by the collector and the subsequent cooling can be performed in an inert gas atmosphere, and, in this case, there is no limitation in the cooling time to 200°C. - 特許庁

配線パターンの欠落の補修には、局部的真空鏡筒の内部に補填材料を含むリペア用ガスを導入し、集束イオンビームとの協働で、欠落部に補填材料を付着させる。例文帳に追加

The repair of the lack of the wiring pattern is carried out by introducing gas for repair containing packing materials to the inside of the local vacuum mirror cylinder, and adhering packing materials to the lacking section cooperatively with the convergence ion beam. - 特許庁

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。例文帳に追加

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching. - 特許庁

適切なバネ定数になるように、供給する原料ガス圧やビーム電流や走査方向・速度を制御して集束イオンビーム誘起化学気相成長で作製するコイルバネ3の太さ及び半径を制御する。例文帳に追加

The thickness and radius of the coil spring 3 formed by a focused ion beam-induced chemical vapor growth method is controlled by controlling the raw material gas pressure or beam current to be supplied, or scanning direction and speed to have an appropriate spring constant. - 特許庁

本発明により、ガス電界電離イオン源に伝播する冷凍機の機械振動を低減でき、イオン源輝度の向上と、イオンビームの集束性能向上と、を両立できる。例文帳に追加

Thus, mechanical vibration of the refrigerator propagated to the gas field ionization ion source is reduced, and an ion source brightness is enhanced compatibly as well as to enhance ion beam convergence performance. - 特許庁

ただし、Ｉ_ｂの強度を持つパルスレーザー光がプラズマ中で相対論的自己集束された際には、第１の電離度よりも高い第２の電離度までこのガスが電離されるように、Ｉ_ｂは設定される。例文帳に追加

When pulse laser light having the intensity of I_b comes to relativistic self-focusing in plasma, I_b is set so that this gas is ionized to a second ionization degree higher than the first ionization degree. - 特許庁

次いで、プラズマセル３１の細孔３３と連続するように管状部材４０を設け、プラズマセル３１から放出された前記原子状ガスを、管状部材４０を介して集束させた状態で反応系に供給する。例文帳に追加

Then, a tubular member 40 is provided so as to be connected to the pore 33 of the plasma cell 31, and the atomic gas discharged from the plasma cell 31 is fed to the reaction system in a state converged through the tubular member 40. - 特許庁

荷電粒子線装置（電子ビーム露光装置）１を、電子光学鏡筒１０や試料室８等からなるハウジング内にガスを導入して真空度を低下させる荷電粒子線（電子ビーム）集束手段９０を備えて構成する。例文帳に追加

The charged particle beam device (electron beam exposure device) 1 includes a charged particle beam (electron beam) focusing means 90 which has an electro-optic lens barrel 10, a sample chamber 8, etc., and which introduces a gas into a housing to lower the degree of vacuum. - 特許庁

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。例文帳に追加

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base. - 特許庁

イオン付着質量分析装置によって付着性ガス等を質量分析する場合に測定感度を低下させることなく、安価な装置構成で、集束レンズ、Ｑポール型質量分析器、電子増倍管の性能劣化という悪い影響を防止する。例文帳に追加

To prevent an adverse effect of performance deterioration of a focusing lens, a Q-pole type mass spectrograph and an electron amplifier by an inexpensive device constitution without lowering measuring sensitivity when adhesive gas is analyzed mass-spectrometrically by a mass spectrograph with ion. - 特許庁

いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、１種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。例文帳に追加

In some embodiments, a converged gallium ion beam not containing a deposition precursor gas is scanned on a silicon substrate with a pattern to form a conductive pattern, and copper structure is formed on the conductive pattern by electrochemical deposition with one or more kinds of metals. - 特許庁

その製造方法は、３０μｍ厚み以下の金属薄板１５から櫛形状部位１６を集束イオンビーム加工技術により切り出し、真空装置内でマニピュレート操作できる機構のプローブ支持部１２に、ガスデポジション機能を用いて取り付けて一体化する。例文帳に追加

The manufacturing method includes: segmenting a comb-like portion 16 from a metal thin plate 15 with a thickness of 30 μm or less using a convergent ion beam processing technique; and mounting and integrating the comb-like portion with the probe supporting part 12 of a mechanism capable of manipulation within a vacuum device, using a gas deposition function. - 特許庁

ハーフトーン型位相シフトマスクのテトラメトキシシランの電子ビームCVD膜６の白欠陥修正で透過率が高すぎる場合には透過率の低い炭素系の原料ガスを用いた集束イオンビームCVD膜または電子ビームCVD膜を積層して透過率を調整する。例文帳に追加

When too high transmittance is obtained in the correction of a white defect by depositing an electron beam CVD film 6 of tetramethoxysilane in a halftone phase shift mask, a focused ion beam CVD film or an electron beam CVD film using a carbon-based source gas having low transmittance is further deposited to control the transmittance. - 特許庁

集束性を有する交絡糸であって、かつエアバッグ基布用途に用いた場合には実質的に交絡が解消され、高度のガス非透過性を有し、コート布において均一なコーティングを可能とする交絡糸、該糸からなる織物および該織物を基布とするエアバックを提供する。例文帳に追加

To obtain an interlaced yarn which has coherency and substantially loses interlacement when used for an air bag base fabric, has high gas impermeability and can be uniformly coated in a coated fabric, a woven fabric composed of the yarn and an air bag comprising the woven fabric as a base fabric. - 特許庁

収束されたＦＩＢ（集束イオンビーム）１を用いて、半導体素子６に設けられた内部配線１７ａおよび１７ｃにそれぞれ達する開孔部を形成し、ガスノズル１３から金属化合物ガスを吹き付けながらＦＩＢ１を照射することにより、各開孔部に第１プラグ６５および第２プラグ６６をそれぞれ形成する。例文帳に追加

Open hole parts respectively reaching the internal wiring 17a and 17c provided in the semiconductor element 6 are formed by using a converged FIB(focusing ion beam) 1 and a first plug 65 and a second plug 66 are respectively formed at the respective open hole parts by irradiating them with the FIB 1 while blowing a metal compound gas from a gas nozzle 13. - 特許庁

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。例文帳に追加

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed. - 特許庁

ガス計測室（１１０）は、ハウジング（１０６，１１２）の反射内壁により形成された少なくとも１個の凹面鏡を有し、反射内壁は、検出器（１０８）が配置された領域で、放出された放射を集束する結果となるように設計された円錐曲線で形成された回転体の形態を少なくとも部分的にとる。例文帳に追加

The gas measuring chamber 110 has at least one concave mirror formed out of reflecting inner walls of housings 106, 112, and the reflecting inner wall has at least partially a shape of a rotor formed by a conical curve designed to bring a result of converging an emitted radiation, in an area arranged with the detector 108. - 特許庁

ランプ２０は、ガスを充填したガラス製エンベロープ２１と、陰極２２と、陽極２３と、エンベロープを密封貫通し陰極と陽極とにそれぞれ接続された電気リード２４と、ウィンドー遮蔽電極２５と、陰極遮蔽電極２６と、集束電極２８と、セラミック製支持体２９とを有する。例文帳に追加

This lamp 20 has a glass envelope 21 filled with a gas, a negative electrode 22, a positive electrode 23, electrical leads 24 airtightly passing through the envelope 21 and connected to the negative electrode 22 and the positive electrode 23, respectively, a window shield electrode 25, a negative electrode shield electrode 16, a focusing electrode 28 and a ceramics support 29. - 特許庁