「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

室外機から生じる低周波に顕著なピークを有する騒音、特に、オクターブバンド中心周波数６３Ｈｚの騒音を共鳴型の消音装置によって効率よく低減する。例文帳に追加

To efficiently reduce noise having a remarkable peak in low frequencies generated from an outdoor unit, especially noise of 63 Hz octave band center frequency, by a resonance type silencer. - 特許庁

小型化を図ることができ、結合度や帯域幅を容易にかつ大幅に調整することができ、設計の自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタを得る。例文帳に追加

To provide a dual-mode band pass filter capable of miniaturization and easy and markedly control of the coupling degree or band width and improved in flexibility of design. - 特許庁

帯域幅を増加させたりペイロードスループットを減少させたりすることなく性能を強化できるベースバンド注入型パイロットキャリアに基づいたシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a baseband injected pilot carrier based system that provides performance enhancements, without increasing the bandwidth or decreasing the payload throughput. - 特許庁

電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。例文帳に追加

The field effect transistor is provided with a first semiconductor layer of an i-type layer and a second semiconductor layer of bigger band gap energy than that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer. - 特許庁

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode. - 特許庁

小型で安価なESD保護回路を用いることで，ESD耐性に優れた高周波機器，特に，マルチバンド高周波スイッチ機能を有するアンテナ共用器を提供する。例文帳に追加

To provide a high frequency equipment excellent in ESD resistance, especially an antenna diplexer having a multiband high frequency switching function, by using a small ESD protection circuit of low cost. - 特許庁

バンドパス型デルタシグマ変調部１５は、低雑音が要求される周波数帯域において量子化雑音が抑圧されるように、入力される変調信号をデルタシグマ変調する。例文帳に追加

A bandpass type delta sigma modulation section 15 performs delta sigma modulation on an inputted modulation signal such that quantization noise is reduced in a frequency band which requires low noise. - 特許庁

通信装備に小型で設置し得るISM帯域に適合な反射損失を得ることができ、定在波比が良好で優秀の輻射パターンを具現し得るマイクロストリップデュアルバンドアンテナを提供する。例文帳に追加

To provide a dual band small microstrip antenna that is installed in communication equipment, obtains a reflection loss suitable to an ISM band and realizes a superior radiation pattern with a satisfactory standing wave ratio. - 特許庁

複数の周波数帯域を受信するデュアルバンド用アンテナの受信感度特性を向上させながら、前記アンテナを小型化せしめるアンテナ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual band antenna for receiving a plurality of frequency bands, and its manufacturing method by which the antenna is miniaturized while improving receiving sensitivity characteristics of the antenna. - 特許庁

半導体基板２と光吸収層３との間には、光吸収層３より大きいエネルギーバンドギャップを有し、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^＋型の正孔ブロック層４が形成されている。例文帳に追加

A p+ type hole block layer 4 with an energy band gap larger than the light absorption layer 3 and made of AlGaSb is formed between the semiconductor substrate 2 and the light absorption layer 3. - 特許庁

光非吸収層１３Ａは発振波長λ_０に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の腹の位置に設けられている。例文帳に追加

The light non-absorption layer 13A is formed of a p-type semiconductor having a band gap larger than energy equivalent to an oscillation wavelength λ_0 and provided at the antinode of standing wave of a laser beam. - 特許庁

閾値電圧及びフラットバンド電圧の望ましくないシフトを防止する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）に用いるための絶縁中間層が設けられる。例文帳に追加

An insulating intermediate layer for use in the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is provided in order to prevent undesirable shifts of the threshold voltage and the flat-band voltage. - 特許庁

大きな設計変更を行うことなく、マルチバンド対応のニーズに合った周波数特性を持つ表面実装型アンテナ１を簡単に効率良く設計することができる。例文帳に追加

The surface-mounted type antenna 1, having multiband- adaptive frequency characteristics meeting the needs can efficiently be designed, without big design alterations. - 特許庁

複数個のバンド付きＩＣタグを収納して回転する円筒型のドラム１と、そのドラム１の外側に隣接して設置されたＩＣタグリーダーのアンテナ２，３とを備える。例文帳に追加

The reader includes: a cylindrical drum 1 which houses and rotates a plurality of IC tags with bands; and antennas 2, 3 of the IC tag reader which are disposed adjacent to each other outside the drum 1. - 特許庁

ダンピングバンド３２をＣ型バネ３３によりテンショナーカップ２２の内周面に向かって全周にわたってほぼ均一かつ一定の圧力で付勢する。例文帳に追加

The damping band 32 is urged at approximately uniform and constant pressure over the whole circumference toward the inner circumferential surface of the tensioner cup 22 by a C-type spring 33. - 特許庁

小型化および軽量化され被験者のバンド等に装着する必要がない心電図記録装置およびこれを用いた心電計システムを提供する。例文帳に追加

To provide a miniaturized electrocardiogram recorder made light in weight without the need of being mounted on the band of a testee or the like and an electrocardiograph system using it. - 特許庁

ＩＤＴ１４は、一対の櫛型電極１８ａ、１８ｂ間に信号圧が印加されると、水晶基板１２をレイリー波からなる弾性表面波のストップバンドの上限モードで励振する。例文帳に追加

When a signal voltage is applied between a pair of the interdigital electrodes 18a and 18b of the IDT 14, the crystal substrate 2 is excited in the upper limit mode of the stop band of the surface acoustic wave comprising a Rayleigh wave. - 特許庁

相対的に高い誘電定数と相対的に大きいバンドギャップを同時に確保できる物質で形成された電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge trap memory device formed of a material that can simultaneously secure a relatively high dielectric constant and relatively large band gap, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

再結合電流発生の抑制が可能である，ナローバンドギャップ特性を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having narrow band gap characteristics capable of suppressing recombination current generation, and to provide a manufacturing method. - 特許庁

対応可能とする周波数帯の数が増えても比較的に小型に出来る特に低周波数帯に適用して有利なマルチバンド対応整合回路を提供する。例文帳に追加

To provide a matching circuit corresponding to multiband which can comparatively be miniaturized and especially, is advantageous by applying it to a low frequency band even when the number of frequency bands assumed to be responded increases. - 特許庁

紫外光に対して反射率が高く、バンド幅が広く、クラックや剥離がなく、更ににレーザー耐力が高いミラーを反射型光学素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a reflection type optical device being a mirror whose reflectivity is high to ultraviolet light and bandwidth is wide and in which there is neither crack nor exfoliation and moreover which has high resistance strength to laser. - 特許庁

光吸収層１３Ｂは発振波長λ_０に相当するエネルギー以下のバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の節の位置に設けられている。例文帳に追加

The light absorbing layer 13B is formed of a p-type semiconductor layer having a band gap of energy smaller than or equivalent to the oscillation wavelength λ_0 and provided at the node of standing wave of the laser beam. - 特許庁

そして、光出射端面部分２１で活性層４ｃよりもバンドギャップの大きいｎ型クラッド層３を介してレーザ光が出射されるように構成されている。例文帳に追加

Laser light is emitted via an n-type cladding layer 3 having a larger band gap than the active layer 4c at the light exit end surface part 21. - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体等のワイドバンドギャップ半導体を用いたＭＩＳ型のパワー半導体装置において、高耐圧で高速スイッチングを可能とすること。例文帳に追加

To provide a MIS power semiconductor device using a wideband gap semiconductor such as a GaN group compound semiconductor that attains a high withstanding voltage and a high speed switching. - 特許庁

バンド反射フィルター３によって、光硬化樹脂層２を紫外光によって硬化させるときの光学特性の劣化を抑制するとともに、複合型光学素子１０が太陽光に曝されたときの透過率の低下を防ぐことができる。例文帳に追加

The band reflection filter 3 suppresses degradation of optical characteristics when the photosetting resin layer 2 is cured by UV light and further can prevent fall of transmittance when the composite optical element 10 is exposed to sunlight. - 特許庁

本発明に係るヘッドホン型オーディオプレーヤは、ヘッドバンド３の両端部に第１プレーヤ部１と第２プレーヤ部２とを配備して構成される。例文帳に追加

The headphone audio player comprises a first player part 1 and a second player part 2 disposed at the opposite end parts of a head band 3. - 特許庁

方向性カプラに関し、カップリングラインと信号ラインの間の静電容量を補償できる静電容量補償型方向性カプラ及び多種バンド用ＩＰＤを提供する。例文帳に追加

To provide a capacitance compensation type directional coupler capable of compensating capacitance between a coupling line and a signal line and an IPD for a multi-band, regarding a directional coupler. - 特許庁

本発明のバンドギャップ定電圧回路では、作動増幅器を構成する２つのＰチャネル型トランジスタＰ１１２、Ｐ１１３のバックゲートを作動増幅器のプラス側電源端子ノードｎｏｄｅ１１に接続した。例文帳に追加

In this band gap constant voltage circuit, back gates of two P-channel type transistors P112, P113 constituting a differential amplifier are connected to a plus side power terminal node node11. - 特許庁

小型を図り得るだけでなく、結合度の調整が容易であり、所望とする帯域幅を容易に実現することができ、設計の自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタを得る。例文帳に追加

To obtain a dual mode bandpass filter, which can not only be miniaturized but also whose degree of coupling is adjusted easily, desired bandwidth can be realized easily and has the superior flexibility in design. - 特許庁

ロッキングエッジの成型精度の低下やエレメントの耐久性の低下を招くことなく、小径プーリ入口においてエレメントと積層バンドとの相対速度差を小さくする。例文帳に追加

To reduce a relative speed difference between an element and a laminated band in the inlet of a small diameter pulley without lowering the shaping accuracy of a locking edge and the durability of the element. - 特許庁

分布定数回路を用いたフィルタ装置及び回路モジュールに関し、特に、小型で、広帯域のバンドパス特性が得られるフィルタ装置及び回路モジュールを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a filter apparatus and a circuit module to obtain especially a small-typed and wide-bandwidth band-pass characteristic regarding the filter apparatus and the circuit module using a distributed constant circuit. - 特許庁

このＰ−型ガードバンド層１４は、少なくともＬＯＣＯＳ酸化膜１２ａのバーズビーク１５下の半導体基板部分を全て含むように形成されていることにより、効果的にリーク電流が防止される。例文帳に追加

The P-type guard band layer 14 is formed so as to at least comprises the entire semiconductor substrate part below a bird's beak of an LOCOS film 12a, thus effectively preventing a leakage current. - 特許庁

バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。例文帳に追加

To improve temperature characteristics of reference voltage by controlling an influence of leak current of parasitic diode at high temperature in a bandgap reference voltage generating circuit. - 特許庁

赤外線光源１６から放射された赤外線のうち、ガス導入筒１３内のガスに吸収されずにバンドパスフィルタ１８を透過した赤外線は、サーモパイル型赤外線センサ１７に受光される。例文帳に追加

Infrared rays transmitted through a band-pass filter 18, without being absorbed by gas in a gas inlet cylinder 13 among the infrared rays emitted from the infrared light source 16 are received by a thermopile infrared sensor 17. - 特許庁

伝送方向と直交する方向へ導波管共振器等を設けることなく、伝送方向での素子配列だけで、より小型の導波管バンドパスフィルタを実現すること。例文帳に追加

To realize a smaller type waveguide band-pass filter by an element array in the transmission direction without fitting a waveguide resonator or the like in the direction orthogonal to the transmission direction. - 特許庁

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。例文帳に追加

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized. - 特許庁

バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようにする。例文帳に追加

To enable a multi-junction solar cell, which allow users to efficiently utilize solar energy by making combinations of band gap energy more flexible, to be formed at lower cost by using high quality silicon solar cells. - 特許庁

通過帯域の平坦領域において、その信号強度の周波数依存性に、周辺回路の周波数特性との協調等を図る上で好都合な味付けを施すことができる狭帯域型の高周波用バンドパスフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a narrow-band high frequency bandpass filter for applying superior characteristics on frequency dependency of signal intensity in a bandpass flat region in consideration of coordination with frequency characteristics of a peripheral circuit. - 特許庁

周波数帯が異なる複数の通信システムに対応可能であり、小型化を図ることができ、かつ低損失であるマルチバンドデュプレクサモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a low-loss multiband duplexer module which is compatible with a plurality of communication systems with different frequency bands, and reduced in size. - 特許庁

これにより、梯子型バンドパスフィルタ素子１上の一端子圧電薄膜共振子Ｓ１〜Ｓ４，Ｐ１〜Ｐ３に直列にＱの良いインダクタンスが接続される。例文帳に追加

Thus, an inductor with high Q is connected in series with one-terminal piezoelectric thin film resonators S1 to S4, P1 to P3 on the ladder band pass filter element 1. - 特許庁

移動環境では、移動装置は、超ワイドバンド（ＵＷＢ）トランシーバに結合された集積回路チップで実施される直接メモリアクセス式の高速メモリ及び記憶装置を有するアタッチ型メモリスティックを含む。例文帳に追加

In a mobile environment, a mobile device comprises an attached memory stick having direct memory access type high speed memory and storage implemented by an integrated circuit chip coupled to an ultrawideband (UWB) transceiver. - 特許庁

装着者の手首へのバンドの締め付けの度合いにかかわらず、手首に密着させることができ、確実に脈拍を検出する腕時計型の生体情報測定装置を実現する。例文帳に追加

To provide a wristwatch type bioinformation measuring device tightly attached to the wrist and surely detecting a pulse irrelevant to the tightening degree of a band to the wrist of a wearer. - 特許庁

この電子機器用プロテクター１は、薄型直方体状のポータブルコンピュータに対して、そのコンピュータの端面をバンド部３で取り囲むように装着される。例文帳に追加

The protector 1 for electronic appliance can be used for a portable personal computer in a thin rectangular parallelepiped with the band 3 thereof mounted to surround the end faces of the computer. - 特許庁

高調波発生量を抑制し静電破壊を防止した、マルチモードマルチバンド対応のアンテナスイッチ回路および、小型で安価なアンテナスイッチ積層部品を提供する。例文帳に追加

To provide an antenna switch circuit adaptive to multi-mode and multi-band which reduces the amount of harmonic generation and prevents an electrostatic breakdown, and a downsized and inexpensive antenna switch laminated component. - 特許庁