「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

また、ＳｅもしくはＴｅを導入することで、バンドギャップエネルギーが青色より短波長側に位置するＺｎＯより活性層を形成した場合に比べて、活性層４より得られる発光波長を長波長側にシフトさせることができるので、高発光効率の青色発光型発光素子の実現に寄与することになる。例文帳に追加

When Te or Se is introduced, light emitted from the active layer 4 is shifted to be longer in wavelength than an active layer formed of ZnO whose band gap energy is located on the side of light shorter in wavelength than blue light, which can be contributed to the realization of a blue light emitting device of high luminous efficiency. - 特許庁

本発明に係る透過型導波路バンドパスフィルタ９０は、変化のある不均一な幅ｗ（ｚ）と変化のある不均一な間隔ｓ（ｚ）によって局所的な偶モードの特性インピーダンスＺ_ｅｖｅｎ（ｚ）及び奇モードの特性インピーダンスＺ_ｏｄｄ（ｚ）を導波路の特性インピーダンスＺ_０に対して変化させたことを特徴とする。例文帳に追加

A transmission-type waveguide bandpass filter 90 changes the local even-mode characteristic impedance Z_even(z) and an odd-mode characteristic impedance Z_odd(z), with respect to the characteristic impedance Z_0 of a waveguide, with varying and nonuniform width w(z) and with a varying and nonuniform interval s(z). - 特許庁

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。例文帳に追加

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction. - 特許庁

ＧａＮ系半導体層のピエゾ電界を抑えるものとして、発光層であるＩｎＧａＮ層１０４Ａに隣接するｐ型ＧａＮ層１０４Ｂの、ＩｎＧａＮ層１０４Ａとの界面部分にＭｇドープのＧａＮ層１４０を設けたので、バンドの傾斜をもたらすピエゾ電界が打ち消されて光応答速度を向上させることができる。例文帳に追加

Since there is provided an Mg-doped GaN layer 140 at the interface portion between a p-type GaN layer 104B adjacent to an InGaN layer 104A that is a light emitting layer and the InGaN layer 104A as suppression of the piezoelectric field of a GaN-based semiconductor layer, the piezoelectric field causing the inclination of a band is eliminated to improve an optical response speed. - 特許庁

ボルト部とナット部の螺合部分にボルト部に直交する方向に負荷がかからないため、小さい締付トルクで確実にホースとパイプの接続部を締め付けることができると共に、部品点数が少なく構造が簡単で生産性に優れ、小型で取り付け性に優れたホースバンドを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a small sized hose band certainly fastening a connecting part between a hose and a pipe by a low fastening torque because load in a direction perpendicular to a bolt part is not applied to the screwing part of the bolt part and a nut part, and also excellent in productivity and mounting performance with few number of part items and simple structure. - 特許庁

半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。例文帳に追加

A reverse-surface electrode type photoelectric conversion element which is provided with a semiconductor laser and an electrode for collecting carries only on the reverse surface side of a semiconductor substrate is provided with a semiconductor thin film including elements given the same or different conductivity from the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

携帯型ポインティング入出力装置２は、リストバンド２１と、任意の被遠隔操作装置３を選択するためのボタンスイッチ２２と、選択された被遠隔操作装置３に対応する画像を表示する操作パネル２３とを具備し、かつ複数の被遠隔操作装置３に対応する画像データを記憶している。例文帳に追加

The portable pointing input output device 2 is provided with a wrist band 21, a button switch 22 to select an optional device to be remotely controlled 3, and an operation panel 23 that displays an image corresponding to the selected device to be remotely controlled 3, and stores image corresponding to a plurality of the devices to be remotely controlled 3. - 特許庁

光電変換素子２０６は、第１の材料からなり、凹部または凸部を有する第１の半導体部分と、第１の半導体部分の凹部上または凸部上に三次元状に積層され、第１の材料よりもバンドギャップエネルギーが小さい第２の材料で構成され、第１の半導体部分と同じ導電型の第２の半導体部分とを有している。例文帳に追加

The photoelectric conversion element 206 has a first semiconductor portion made of the first material and having a recess or projection portion, and a second semiconductor portion of the same conductivity type with the first semiconductor portion laminated in three dimensions on the recess or projection portion of the first semiconductor portion and made of a second material having smaller band gap energy than the first material. - 特許庁

Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のＩｎ組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。例文帳に追加

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap. - 特許庁

イグサ品種「ひのみどり」を識別する方法であって、該方法は、各種イグサのゲノムを鋳型に塩基配列５’−ＣＣＣＧＡＡＧＣＧＡ−３’からなるプライマーを用いてポリメラーゼ連鎖反応によって増幅ＤＮＡ産物を得る工程；および該増幅ＤＮＡ産物を電気泳動する工程；を包含し、ここで該電気泳動において、該「ひのみどり」が特異的にバンドを消失している、方法。例文帳に追加

This method for identifying rush variety 'Hinomidori' comprises a process for obtaining amplified DNA products by a polymerase chain reaction using various rush genomes as templates and further using a primer comprising a base sequence: 5'-CCCGAAGCGA-3' and a process for subjecting the amplified DNA products to an electrophoresis, wherein the 'Hinomidori' specifically eliminates a band in the electrophoresis. - 特許庁

サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。例文帳に追加

In a transversal filter 10 provided with a propagation layer 12 formed on a sapphire substrate 11 and interdigital electrodes 15, 16 formed on the propagation layer 12, the propagation layer 12 is formed of GaN with piezoelectricity and not positively including impurities, and the interdigital electrodes 15, 16 are formed of InGaN having a band gap narrower than that of the GaN and positively including n-type impurities. - 特許庁

ＣＰＵ１２１は、ベースバンド処理部１０４を通じて供給された受信メッセージが、プッシュ型情報配信により配信されてきた配信情報である場合には、その配信情報を折り畳まれた状態でも観視可能とされたサブＬＣＤ１１２の表示画面に所定の表示態様で表示し、これを使用者が見ることができるようにする。例文帳に追加

In the case that a reception message supplied through a base band processing part 104 is distribution information distributed by the push type information distribution, a CPU 121 displays the distribution information in a prescribed display form on a display screen of a sub LCD 112 observable even in a folded state and enables the user to view it. - 特許庁

ランダムプライマーのフォワード側およびリバース側８〜５０残基の対合プライマーを用いて、米試料から抽出したＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ法を行い、品種間の識別性の現れるバンドのみを増幅させ、電気泳動により検出することを特徴とする米試料の品種判別方法。例文帳に追加

This method for discriminating the variety of a rice sample comprises performing a PCR method using a DNA extracted from the rice sample as a template by the use of a pairing primer comprising 8 to 50 residues on the forward side and the reverse side of a random primer to amplify only a band showing discriminability among the varieties, and then detecting the variety of the rice sample by electrophoresis. - 特許庁

液体クロマトグラフィーの分離カラムに試料を導入する前に、試料導入バルブに連通した多連続孔を持つ、又は多孔質である一体型の固相抽出カラム（モノリシックカラム−Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｃｏｌｕｍｎ）に試料を保持・濃縮し、試料バンドを狭くしてから分離カラムに導入することを特徴とする。例文帳に追加

Before the sample is introduced to the isolation column in the liquid chromatograph, the sample is held and concentrated in a monolithic solid-phase extraction column (a monolithic column) which has a multiple continuous hole communicating with a sample introduction valve or which is porous, and the sample is introduced to the isolation column after the sample band has been narrowed. - 特許庁

バンド間トンネル素子は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１内に高濃度のｐ型不純物を導入して形成されたｐ^+ 領域１０２と、シリコン基板１０１のｐ^+ 領域１０２の上に形成されたトンネル障壁層１０３と、トンネル障壁層１０３の上に設けられたｎ^+ 領域１０４とを備えている。例文帳に追加

A tunnel element between bands is equipped with a silicon substrate 101, a p+ region 102 being made by introducing p-type impurities in high concentration into the silicon substrate 101, a tunnel barrier layer 103 being made on the p+ region 102 of the silicon substrate 101, and an n+ region 104 being provided on the tunnel barrier layer 103. - 特許庁

面型光−光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも８０ｍｅＶ以上高いエネルギーとなるように設定する。例文帳に追加

Semicondcutor thin film crystal is used as an optical nonlinear medium which constitutes a surface type light-light switch, an optical nonlinear reflector, or a nonlinear absorber and the energy of a photon corresponding to the wavelength of light concerned with main operation is set to be ≥80 meV higher than the band gap energy of its semiconductor thin film. - 特許庁

発泡体からなるパッド３と、該パッド３を支持するパン型構造のフレームとを有する車両用シートのシートクッションにおいて、前記パッド３に、電装品Ｔ等とスイッチＳＷ等との間に介設されるハーネス７を一体発泡させて固定して、ハーネス７を固定するためのバンドやクリップを廃止することができるようにしている。例文帳に追加

In a seat cushion for a vehicle seat including the pad 3 composed of a foamed body and a frame of a pan-type structure supporting the pad 3, the harness 7 interposed between electrical equipment T and the like and a switch SW and the like is integrally foamed with and fixed to the pad 3, thereby enabling to eliminate bands and clips for fixing the harness 7. - 特許庁

冷凍装置を固定した基台、段ボールによって箱型に形成された外箱、紙やパルプ材製の支柱から構成され、この外箱の四隅の縦辺にそれぞれ切込みを入れ、この切込みを折り曲げて外箱との間に支持空間を形成し、この支持空間で支柱を外箱の四隅に固定すると共に、基台の上に載せられた外箱と基台とを結束用のバンドで締め付け固定している。例文帳に追加

The polypropylene band 16 in the lateral direction keeps a box shape of the outer box 6 by suppressing force of the outer box 6 to expand. - 特許庁

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。例文帳に追加

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer. - 特許庁

超格子構造のｐ型窒化物半導体層における積層方向のバンドオフセットによる高抵抗化を抑制し、また、二次元ホールガス層の影響による横方向への大きな電流広がりを抑制して、抵抗率の方向依存性を小さくし、動作特性の良好な信頼性の高い窒化物半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which has excellent operation characteristics and is highly reliable by making small the direction dependency of resistivity by suppressing an increase in resistance due to a band offset in a laminating direction of a p-type nitride semiconductor layer of a superlattice structure and also by suppressing large current spreading in a lateral direction due to an influence of a two-dimensional hole gas layer. - 特許庁

トリポード型等速自在継手のブーツの大径部のバンドによる締付け固定によって肉厚の花形部１２が軸線方向に膨張変形する量を抑制し、花形部１２の肉が蛇腹部側に押出されることにより生じる蛇腹部のひだの相互干渉等を防止してブーツの耐久性を向上させる。例文帳に追加

To improve the durability of a boot of a tripod type constant speed universal joint by suppressing the axially expansive deformation of a thick flower shape portion 12 due to the fastening and fixing of the large diameter portion of the boot by a band, and by preventing the mutual interference of the pleats in the bellows due to the pushing out of the material of the flower shape portion 12. - 特許庁

おのおの透明基板表面に対向する二つの圧電板のうち、片側の圧電板には2対のすだれ状電極が形成されると共に、自励振回路はこの２対のすだれ状電極と圧電効果によって生じるバンドパスフィルター特性を利用した、遅延線型自励振回路とし、もう片方の圧電板によって弾性表面波を受信する事で、間欠駆動時の起動時間を短縮する。例文帳に追加

Two pairs of interdigital electrodes are formed on one of two piezoelectric boards faced to a transparent substrate surface, and self-exciting circuit is constituted as a delay line type self-exciting circuit using band pass filter characteristics to be generated due to the two pairs of interdigital electrodes and piezoelectric effects, and surface acoustic waves are received by the other piezoelectric board so that a starting time in the case of intermittent driving can be shortened. - 特許庁

炭化珪素からなるワイドバンドギャップ半導体基板１１、２１と、基板の主面側に設けられたソース電極１５，２５及びゲート電極１７，２７と、基板の裏面上に設けられたドレイン電極１８，２８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴの第１のスイッチング素子１と、同構造の第２のスイッチング素子２をその主面側同士を重ねて構成する。例文帳に追加

A first switching element 1 of a longitudinal MOSFET including wide-band gap semiconductor wafers 11, 21 each being composed of a silicon carbide, source electrodes 15, 25 and gate electrodes 17, 27 provided on the principal surface side of each wafer and drain electrodes 18, 28 provided on the rear surface of each wafer, and a second switching element 2 of the identical structure are constituted, by mutually overlapping their principal surface sides. - 特許庁

トウキ類のＤＮＡについてＰＣＲ法を用いてＤＮＡ多型を比較し、ヒュウガトウキに特有のＤＮＡマーカーを特定し、その特定したＤＮＡマーカーを増幅するプライマーを設計し得られたプライマーを用いてサンプルＤＮＡからＤＮＡマーカーを直接増幅し、その増幅産物を電気泳動させ特有のバンドの有無からヒュウガトウキの識別する。例文帳に追加

This method for discriminating the Angelica furcijuga is provided by comparing DNA polymorphism by using a PCR method on the DNAs of the Angelicas, specifying the peculiar DNA of the Angelica furcijuga, directly amplifying a DNA marker from a sample DNA by using a primer obtained by designing the primer for amplifying the specified DNA marker, and identifying the Angelica furcijuga by the presence or absence of a specific band obtained by the electrophoresis of the amplified product. - 特許庁

長さL1で構成が等しい複数のグレーティングが互いに長さL2のグレーティング未形成部分を介して形成されたスーパーストラクチャ長周期ファイバグレーティングを開発し、このグレーティング未形成部分に、長周期ファイバグレーティングを備えて、バンド幅の狭い透過損失−波長波形を有しながらも、小型化された利得等化器を実現できる。例文帳に追加

A super structure long period fiber grating is developed in which a plurality of gratings having a length of L1 and the same structure are formed via the parts having a length of L2 in which the grating is not formed, and long period fiber gratings are provided in the parts in which the gratings are not formed, thus a miniaturized gain equalizer having the transmission loss-spectra with a narrow band is provided. - 特許庁

生物性汚泥内に棲息する微生物の核酸の一部を鋳型としたポリメラーゼ連鎖反応（PCR）によって取得したDNA断片を変性剤濃度勾配ゲル電気泳動（DGGE）に適用し、DGGEの電気泳動図から、フタル酸化合物の分解時（レーンＣ〜Ｇ）に特異的に出現したDNAバンド１、２、３を決定する。例文帳に追加

This method for searching the microorganism comprises applying a DNA fragment obtained by a polymerase chain reaction (PCR) using a portion of the nucleic acid of the microorganism living in biological sludge as a template to a denaturing agent concentration gradient gel electrophoresis (DGGE) and then determining DNA bands 1, 2, 3 specifically appearing on the decomposition (lanes C to G) of the phthalic acid compound from the obtained electrophoretogram of the DGGE. - 特許庁

入口から投入された複数個のバンド付きＩＣタグを回転するスクリュー１２により順次出口へ搬送するスクリュー型の送出器１０と、その送出器１０の下側に設置され、送出器１０の中を搬送されるＩＣタグの読取りを行なうタグリーダーのアンテナ２０とを備える。例文帳に追加

The reader includes: a screw-type delivery unit 10 for conveying a plurality of IC tags with bands, which have thrown in from an inut port, toward an exit in turn by a rotating screw 12; and an antenna 20 of the reader which is disposed on lower side of the delivery unit 10 and reads the IC tags to be conveyed through the delivery unit 10. - 特許庁

個々の物品を荷造りしたり結束したりするための結束用帯、紐、バンドにＩＣメモリタグを装着することにより小型サイズのＩＣメモリタグであってもＩＣメモリタグを精度良く装着でき、装着方法や装置が大掛かりにならず、良好な精度で効率的に装着でき、個々の物品に装着する費用を節約する。例文帳に追加

To highly accurately attach an IC memory tag even if the IC memory tag is compact by attaching the tag to a tying belt, string or band for packing or binding individual articles, to prevent an attaching method and apparatus from increasing in scale, to efficiently attach with good accuracy and to save a cost for attaching to the individual articles. - 特許庁

本システムは、通信のアップリンク方向、すなわち衛星への方向でＤＶＢ−ＲＣＳモードを採用し、そして前記信号をダウンリンク方向、すなわち衛星から出る信号でＤＶＢ−Ｓタイプの信号に多重化し、それによって、ユーザは、送信側および受信側の両方で標準的なステーションを使用したブロードバンド対話型サービスを要求することが可能になる。例文帳に追加

The system employs DVB-RCS mode in the uplink direction of the communication, i.e., toward the satellite, and multiplexes the signals into a DVB-S type signal in the downlink direction, i.e., with the signal leaving the satellite, which enables a user to request broadband interactive services using standard stations both on the transmission side and on the reception side. - 特許庁

直列アームＳＡＷ共振子４１ａ〜４３ａ及び並列アームＳＡＷ共振子４４ａ，４５ａにそれぞれ直列のインダクタ４１ｂ〜４５ｂは、該各ＳＡＷ共振子４１ａ〜４５ａにおける共振周波数及び反共振周波数の間隔をそれぞれ広げるので、共振器型ＳＡＷフィルタのバンド幅も広がる。例文帳に追加

Inductors 41b to 45b which are in series with the serial arms SAW resonators 41a to 43a and parallel arm SAW resonators 44a and 45a widen intervals of the resonance frequency and anitresonance frequency of the SAW resonators 41a to 45a respectively, so that the band width of the resonance type SAW filter is also widened. - 特許庁

発泡水系、特に硫酸バンドやポリ塩化アルミニウム等の凝集剤やカルシウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン等の凝集性を有する多価金属イオンを含有する発泡水系に添加しても凝集することなく、速やかに広がり、優れた消泡性能を発揮する高級アルコール系水中油型エマルション消泡剤組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a higher alcohol type oil-in-water emulsion defoaming agent composition spread quickly and showing excellent defoaming ability without causing flocculation even if being added to a foaming water system or particularly a foaming water system containing a flocculant such as alminum sulfate and polyaluminum chloride or a polyvalent metal ion having flocculating property such as calcium ion, magnesium ion, aluminum ion or the like. - 特許庁

本発明に係る透過型導波路バンドパスフィルタ９０は、変化のある不均一な幅ｗ（ｚ）と変化のある不均一な間隔ｓ（ｚ）によって局所的な偶モードの特性インピーダンスＺ_ｅｖｅｎ（ｚ）及び奇モードの特性インピーダンスＺ_ｏｄｄ（ｚ）を導波路の特性インピーダンスＺ_０に対して変化させたことを特徴とする。例文帳に追加

A transmission type waveguide bandpass filter 90 changes the local even-mode characteristic impedance Z_even(z) and an odd-mode characteristic impedance Z_odd(z), with respect to the characteristic impedance Z_0 of a waveguide, with a varying and nonuniform width w(z) and with a varying and nonuniform interval s(z). - 特許庁

携帯型の情報端末（図示せず）が発生させた振動に起因する音を電気信号に変換するマイクロフォン４０を備え、その変換した電気信号を増幅しバンドパスフィルタ４２に通すことにより、情報端末の振動を検出して、情報端末が着信したことを報知する着信報知装置。例文帳に追加

The incoming call notification device is provided with a microphone 40 which converts sound resulting from vibration generated by a portable information terminal (not illustrate) into an electric signal, detects the vibration of the information terminal to notify that the information terminal receives the incoming call by amplifying the converted electric signal to pass it through a band pass filter 42. - 特許庁

本発明に係る反射型導波路バンドパスフィルタ９０は、変化のある不均一な幅ｗ（ｚ）と変化のある不均一な間隔ｓ（ｚ）によって局所的な偶モードの特性インピーダンスＺ_ｅｖｅｎ（ｚ）及び奇モードの特性インピーダンスＺ_ｏｄｄ（ｚ）を導波路の特性インピーダンスＺ_０に対して変化させたことを特徴とする。例文帳に追加

A reflection-type waveguide bandpass filter 90 changes the local even-mode characteristic impedance Z_even(z) and the odd-mode characteristic impedance Z_odd(z), with respect to the characteristic impedance Z_0 of a waveguide with a varying and nonuniform width w(z) and with a varying and nonuniform interval s(z). - 特許庁

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。例文帳に追加

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11. - 特許庁

ヒラメの多型生を示すマイクロサテライトマーカーから選ばれた特定のオリゴヌクレオチドをプライマーとして用いて、ヒラメのゲノムＤＮＡについてＰＣＲ反応を行うこと、及びこのＰＣＲ産物のゲル電気泳動において１０１ｂｐ、１３０ｂｐ又は１０６ｂｐのバンドがあることを確認することから成る、リンホシスチス病抵抗性のヒラメを識別する方法。例文帳に追加

The method for the discrimination of the flatfish resistant to lymphocystis disease comprises the PCR reaction of the genom DNA of the flatfish using a specific oligonucleotide selected from microsatellite marker exhibiting the polymorphism of flatfish as a primer, and the confirmation of the presence of bands of 101 bp, 130 bp or 106 bp in the gel electrophoresis of the PCR product. - 特許庁

変調器１１からＤＡＣ１２を経由してハイブリッド回路１３で４線２線変換するとともに、送信信号が受信経路に回り込むことにより発生するエコーを除去するためのエコーキャンセラであって、擬似エコー信号を適応的に推定する適応型フィルタ１７に加え、適応フィルタの参照信号入力にバンドエッジ・ブースト・フィルタ１９を設ける。例文帳に追加

An echo canceller wherein a hybrid circuit 13 applies 4-wire 2-wire conversion to a transmission signal from a modulator 11 via a DAC 12 to eliminate an echo caused by the transmission signal sneaked to a reception path, is provided with a band edge boost filter 19 located at a reference signal input of an adaptive filter 17 in addition to the adaptive filter 17 for adaptively estimating a pseudo echo signal. - 特許庁

バンドソー型切断装置１０において、昇降手段１６に配置された各昇降部材５０，５０の高さをずらすと、連結ピン６６，６６により連結された駆動側ユニット２８及び従動側ユニット３０が揺動するとともに、従動側ユニット３０が連結距離調整手段１７によりボールネジ６８に沿って移動する。例文帳に追加

In this band saw type cutting device 10, when the height of lifting members 50, 50 arranged at lifting means 16 is shifted, a driving side unit 28 and a driven side unit 30 connected by connecting pins 66, 66 swing, and the driven side unit 30 moves along a ball screw 68 by a connecting distance adjusting means 17. - 特許庁

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1. - 特許庁

本発明によれば、外壁が反射膜でコーティングされた積分球型ガラス容器の入射窓に入射したバンドパスフィルターを通過した太陽光あるいは分光プリズムによって太陽光の必要波長だけを水あるいはシリコーンオイルを介してレーザー媒質に投入することにより高効率レーザー装置を提供することができる。例文帳に追加

To provide a highly efficient laser device for inputting, to the laser medium via a silicone oil, the incident sunlight having passed a band-pass filter to an incident window of an integrating sphere type glass vessel coated with a reflection film at its external wall, or only the necessary wavelength of the sunlight with a spectroscopic prism. - 特許庁

クランプバンド（１１）の内側重合部分（１１ａ）と外側重合部分（１１ｂ）から外向きに切り起された第１工具係止爪（１８）と第２工具係止爪（２２）へ、引き絞り式操作工具（Ｆ）を差し入れ係止させることにより、上記クランプバンドの口径を強制的に収縮変形させた時、その内側重合部分から外向きに切り起された凸状チャンネル型の第１固定爪（１７）と、外側重合部分から逆な内向きに切り起された凹状チャンネル型の第２固定爪（２１）とが、その相互間に介在する中間重合部分（１１ｃ）の工具逃し入れ用連通孔（２４）を通じて、一定量（Ｌ２）だけ互いに喰い付き係止し合うように関係設定した。例文帳に追加

A drawing operation tool F is inserted and locked into a first tool locking pawl 18 and a second tool locking pawl 22 cut and raised outward from an inside superposed portion 11a and an outside superposed portion 11b of the clamp band 11. - 特許庁

横縞型固体酸化物形燃料電池バンドルは、横縞型固体酸化物形燃料電池セルスタック１００の配列方向の両端に設けられた支持体２０に固定保持された表面に凹凸を有する絶縁性スペーサー２１の各凸部が、互いに隣接する横縞型固体酸化物形燃料電池セルスタック間の隙間に挿入され、絶縁性スペーサーの各凸部がスタック間接続部材を固定する。例文帳に追加

The horizontal stripe type solid-oxide fuel cell bundle is constituted to insert each protrusion of an insulating spacer 21 having irregularity on a surface held fixedly to supports 20 provided in array-directional both ends of horizontal stripe type solid-oxide fuel cell stacks 100, into a clearance between the horizontal stripe type solid-oxide fuel cell stacks adjacent to each other, and each protrusion of the insulating spacer fixes an interstack connection member. - 特許庁

本発明の基準電圧発生回路は、第一導電型のコレクタ層と、上記コレクタ層の表面に形成された第一導電型のベース層と、上記ベース層の表面に形成された第一導電型のエミッタ層と、上記エミッタ層に接続された複数のエミッタ電極を含むバンドギャップリファレンス回路において、複数のエミッタ層が形成されたベース層が共通のものであることを特徴とする基準電圧発生回路である。例文帳に追加

The reference voltage generating circuit contains a common base layer formed with a plurality of emitter layers in a band gap reference circuit which contains a first conductive collector layer, a first conductive base layer formed on a surface of the collector layer, a first conductive emitter layer formed on a surface of the base layer, and a plurality of emitter electrodes connected to the emitter layer. - 特許庁

被験者の脈波を検出し、脈拍数を測定する脈拍数測定装置において、脈波を検出する薄型圧力センサと、脈拍数を演算する演算手段と、脈拍数を表示する表示手段とをバンドにより被験者の一方の手首に配置し、薄型圧力センサが検出した脈波より被験者の脈拍数を測定することで、装置を手首周りにのみ備え付けた状態において、安静時だけでなく運動時にも測定可能、かつ、手首を締め付けることなく長時間の測定が可能となる。例文帳に追加

This constitution allows the measurement of the subject not only under a rest but also under the exercise with the instrument installed around the wrist alone and allows the long-time measurement without tightening the wrist. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。例文帳に追加

The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength. - 特許庁