「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供すること。例文帳に追加

To provide a laminate type band pass filter which can generate an additional attenuation pole without adding an attenuation circuit and improve the attenuation characteristics of the filter by independently controlling the frequencies of the attenuation poles, and a diplexer using the same. - 特許庁

Ｗ−ＣＤＭＡ送受信機に使用するディジタルべースバンドチップのようにマッチドフィルタ及び複数のスライディング相関器を必要とする半導体チップに搭載する場合には、かかる半導体チップの小型化によるコストの低減化を図ることができる相関器を提供する。例文帳に追加

To provide correlators by which costs can be reduced by downsizing a semiconductor chip when they are mounted on the semiconductor chip necessitating a matched filter and several sliding correlators such as a digital baseband chip used for a W-CDMA transceiver. - 特許庁

ＮＡＮＤ回路は、スタンバイモードにおいてゲートとドレインとの間に所定の電位差が生じた状態でオフ状態とされるＭＯＳトランジスタとして、ドレイン側にバンド間リーク対策が施されたｎ型ＭＯＳトランジスタＴＮ１１を備える。例文帳に追加

A NAND circuit is composed of a MOS transistor that turns to be off state, when a prescribed voltage difference is generated state between the gate and the drain at the mode of stand-by. - 特許庁

マルチバンド／モードに対応する高周波選択回路において、半導体スイッチング素子を使用することにより集積度の向上を図り、さらに高調波用フィルタを共通化してその個数を減らすことができる、小型の高周波選択回路を提供する。例文帳に追加

To provide a downsized high frequency selection circuit compatible with a multi-band/mode which improves a degree of integration by using semiconductor switching elements and can reduce the number of high frequency filters by using the filters in common. - 特許庁

平地、上り坂、下り坂、雨天時等、どのような状況下においても安定した制動を得られる逆回転阻止装置及び駐車ブレーキ装置を備えた小型軽量の車椅子用バンドブレーキを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a small lightweight band brake for a wheelchair equipped with a reverse rotation preventing apparatus and a parking brake apparatus which can obtain unaltered braking even in what kind of situation such as flatland, an upward slope, a downward slope, and the time of rain weather. - 特許庁

非常に広い２つの通過帯域近傍の阻止域における充分な減衰量を有するとともに、薄型化しても良好なフィルタ特性を得ることができるバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。例文帳に追加

To provide a bandpass filter, a radio communication module using it, and a radio communication device, having a sufficient attenuation amount in a prevention zone adjacent to two extremely wide passbands, and capable of acquiring proper filter characteristics, even if it is thinned. - 特許庁

本発明の目的は、安定化した増幅素子の入出力インピーダンスをマルチバンド整合回路が小型化できるような値に設定でき、かつ広い周波数範囲で増幅素子の安定性を確保する安定化回路を提供することである。例文帳に追加

To provide a stabilizing circuit that can set the I/O impedance of a stabilized amplification element to a value for miniaturizing a multiband matching circuit, and ensures stability in the amplification element in a wide frequency range. - 特許庁

１回線当たりの通信速度を変えずに、同時に専有できる波長の数を制御し、複数の光通信の回線において並列にデータ伝送することにより見かけの通信速度を向上させる波長バンド型光通信方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wavelength band type optical communication method capable of improving an apparent communication speed by controlling the number of wavelengths being solely possessed at the same time without changing a communication speed for one line and transmitting data in parallel in a plurality of lines of optical communication. - 特許庁

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層２に不純物を導入することで半導体層２の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるＳｉＣ薄膜層２０が形成される。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device comprising the horizontal high breakdown voltage element, an SiC thin film layer 20 made of a material which has a wide band gap wider than that of a material of a semiconductor layer 2 by introducing impurities into the semiconductor layer 2 is formed. - 特許庁

代理受払人を介し安全にインターネットを使用し電子小切手＆マネー、電子手形決済を可能にし、また、暗証番号に代わる暗証番号用指紋とブロードバンドのテレビ電話型Ａ．Ｔ．Ｍシステムにより離れた場所で安心して預入れ・引出しの出来るシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a system providing an electronic check and money and an electronic bill settlement via a transaction agent by safely using the Internet, and providing content deposit and withdrawal from a remote place by a password number fingerprint replacing a password number and a broadband visual telephone type ATM system. - 特許庁

第２の共振器が第１の共振器と第３の共振器の各々と誘導性結合する積層型バンドパスフィルタにおいて、第１の共振器と第３の共振器との間の誘導性結合を弱めると共に、任意の２つの共振器間の誘導性結合の調整を容易にする。例文帳に追加

To weaken inductive coupling between a first resonator and a third resonator, and to readily adjust the inductive coupling between two optional resonators, in a laminated band-pass filter where a second resonator is inductively coupled with each of the first resonator and the third resonator. - 特許庁

非常に広い２つの通過帯域を有し、薄型化しても良好なフィルタ特性を得ることができ、かつ、高域側の減衰量が大きいバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。例文帳に追加

To provide a bandpass filter having two very wide passbands, capable of obtaining an excellent filter characteristic even when thinned, and large in attenuation on a high-frequency side, a radio communication module using the same, and a radio communication apparatus. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗を抑制した上で、高温下における動作時にゲート電極に高電界を印加しても、閾値電圧が経時的に変動しない安定したSiC-ＭＯＳFETを提供する。例文帳に追加

To provide a stable SiC-MOSFET having a threshold voltage not being temporally varied even when channel resistance is restrained and thereafter a high electric field is applied to a gate electrode during operation at high temperature, in an insulated gate type semiconductor device using a wideband gap semiconductor. - 特許庁

電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a MOS semiconductor memory device maintaining a band gap structure of an insulating film laminate serving as a charge storage region for a long period of time, and combining all of excellent data holding characteristics, a high-speed data rewrite performance, an operation performance with a lower power consumption, and a high reliability. - 特許庁

記録部とガードバンド部の間にできた遷移領域の記録層劣化を改善し、表面平坦化のために充填した非磁性充填層が記録部の記録層上に残らないようにしたパタン型の垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a patterned perpendicular magnetic recording medium, wherein deterioration of the recording layer in a transition region formed between the recording section and a guard band section is improved, and a nonmagnetic filler layer filled for surface flattening does not remain on the recording layer of a recording section; and also to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

非常に広い２つの通過帯域近傍の阻止域における充分な減衰量を有するとともに、薄型化しても良好なフィルタ特性を得ることができるバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。例文帳に追加

To provide a band-pass filter which includes a sufficient amount of attenuation in a stop band near two extremely wide passbands, and can obtain satisfactory filter characteristics even when being made thinner in thickness; and to provide a radio communication module and a radio communication apparatus using the band-pass filter. - 特許庁

発光面側の第１上クラッド層５の上に、活性層４よりもバンドギャップエネルギーが大きな第２上クラッド層６を設け、該第２上クラッド層６の表面（発光面側）を第２上クラッド層６と同じ導電型のドーパントによりプレーナードープ７又はパルスドープする。例文帳に追加

On a first upper clad layer 5 on an emission surface side, a second upper clad layer 6 whose band gap energy is more powerful than that of an active layer 4, and the surface (emission surface side) of the second upper clad layer 6 is planar-doped (7) or pulse-doped with dopant of the same conductive type as the second upper clad layer 6. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。例文帳に追加

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4. - 特許庁

電界効果型トランジスタは、ソース・ドレイン間のチャネル領域２３が少なくとも２つ以上の直列に接続された細分化チャネル領域２３１〜２３２からなり、少なくとも２つの細分化チャネル領域２３１〜２３２の半導体材料のバンドギャップが異なっている。例文帳に追加

The field effect transistor has, between a source and a drain, a channel region 23, constituted of at least two or more series-connected subdivided channel regions 231 to 232, and semiconductor materials of at least two subdivided channel regions 231 to 232 are different in band gap. - 特許庁

バンドル型ランダムライトガイド２４は、第２光学系２３によって形成される光源像の形成面または該形成面と共役な面に配置された光入射面２４ａと、外部に照明光を射出する光射出面２４ｂとを有する。例文帳に追加

The bundle type random light guide 24 has a light-incident face 24a arranged in a light source image forming face for a light source image formed by the second optical system 23 or in a face conjugated with the forming face, and a light emitting face 24b for emitting illumination light to the outside. - 特許庁

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。例文帳に追加

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer. - 特許庁

カード型無線通信装置２０でホスト機器１０と通信網との通信を制御するときは、先ず通信アプリケーションプログラムをホスト機器１０にインストールし、通信情報を用いてベースバンド処理部４２を制御することで、ホスト機器１０と通信網との通信を行う。例文帳に追加

When card type radio communication equipment 20 controls communications between the host device 10 and a communication network, the communication application program is first installed in the device 10 and the communication between the device 10 and the communication network is carried out by controlling the part 42 by using the communication information. - 特許庁

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。例文帳に追加

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained. - 特許庁

Ｌバンドにおける信号増幅に適し、信号間で発生する通常の四光波混合に対して抑制効果を有するのみならず非縮退型四光波混合の発生をも効果的に抑制する構造を備えた増幅用光ファイバ等を提供する。例文帳に追加

To provide an amplifying optical fiber or the like of a structure, which is suitably used to amplify a signal in L band, and which not only has a suppressing effect on normal four light wave mixture generated among signals but also effectively suppresses even the non-degenerate four-wave mixing. - 特許庁

本発明に係るバンドソー型切断装置１０によれば、帯鋸刃５８の真上に配置されたガイドフレーム９１と、このガイドフレーム９１に鉛直下向きに取り付けられた支持部材９０と、この支持部材９０の下端に取り付けられたガイド部材８８とを備えている。例文帳に追加

This band saw type cutting device 10 comprises a guide frame 91 disposed directly above the band saw edge 58, a supporting member 90 vertically and downwardly attached to the guide frame 91, and a guide member 88 attached to a lower end of the supporting member 90. - 特許庁

市販の農業資材であるパッカー（ハウス用留め具）７又は結束バンド８と組み合わせて簡単に固定できる様に線材加工した小型の架線金具を使うことで、経済性や着脱の簡易性だけでなく、害獣の足場となるマイナス極ワイヤー６の架線により電導性も効果的に確保される。例文帳に追加

The small wiring fitting can economically be used in an easily attachable or detachable state, and the conductivity of a cathodic wire 6 used as the scaffold of harmful animals is effectively ensured. - 特許庁

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。例文帳に追加

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure. - 特許庁

コア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部を覆うシェルからなり、前記コア粒子は、バンドギャップが３ｅＶ以上である少なくとも１種の金属酸化物（Ａ）からなり、前記シェルは、少なくとも１種の金属酸化物（Ｂ）からなる０．０１〜１μｍのコアシェル型粒子。例文帳に追加

In the core shell semiconductor fine particles with a particle size of 0.01-1 μm which include core particles and a shell that covers at least a part of the surface of the core particles, the core particles are formed of at least one metal oxide (A) having a band gap of 3 eV or more, and the shell is formed of at least one metal oxide (B). - 特許庁

腕バンドによって着脱可能に腕に装着されて携帯される腕時計型無線電話機において、腕装着状態にて腕側で裏面となる面に送話器８の放音孔９と受話器１０の受音孔１１を形成する。例文帳に追加

In the watch type radio telephone set to be carried while being attachably and detachably mounted on the arm by an arm band, a sound discharging hole 9 of a transmitter 8 and sound receiving holes 11 of a receiver 10 are formed on a surface to become the rear on the side of the arm in the state of mounting the radio telephone set on the arm. - 特許庁

デュアルバンド帯域通過型共振器は、入出力方向を中心軸とする中心導体と、一組の地導体と、中心導体短絡部と、一組のスタブ導体と、を誘電体基板の表面に形成することにより構成される。例文帳に追加

The dual-band bandpass resonator constituted of: a central conductor having a central axis aligned with an input/output direction; a pair of grounding conductors; a central conductor short-circuit part; and a pair of stub conductors that, which are formed on a surface of a dielectric substrate. - 特許庁

フォトニックバンドギャップを持つフォトニック結晶101をミラー型の光ビームスキャナに用いて、金属蒸着などの方法によるミラーよりも反射が高効率となり、より光量の少ない光源で明るい走査光を得ることが出来るようになる。例文帳に追加

The photonic crystal 101 having a photonic band gap is used on the mirror type optical beam scanner, thus the reflection has a higher efficiency than that of a mirror which is made by the metal vapor deposition method or the like and brighter scanning light is available with a light source having a less light quantity. - 特許庁

結束バンドを用いて機械的に結束できる便利な結束工具を廉価化すべく、人力によって駆動させるようにする場合において、外部駆動型に構成された工具本体を良好に駆動させることができる人力装置、即ち、結束工具駆動用人力装置を実現し、提供する。例文帳に追加

To achieve and provide a manual device capable of well driving an external driving type tool body when a convenient binding tool capable of performing the mechanical binding by using a binding band is manually driven so as to reduce the cost, i.e., a manual device for driving a binding tool. - 特許庁

滑り易い長骨４は、形状がダンベル型であり、中央部分が細く端部が膨らんだ形状であるので、移動テーブル１上に長骨中央部分を挟み付ける樹脂ブロック５付きハンドル７で長骨を挟みつつ前進させ、バンドソー３にて縦割可能とする。例文帳に追加

Since the shape of the slippery long bone 4 is a dumbbell shape in which a center part is narrow and end parts are expanded, the long bone is moved forward while being clamped by the handle 7 with the resin block 5 for clamping the center part of the long bone on a moving table 1 and is longitudinally cut with the band saw 3. - 特許庁

コンパレータ１９の−端子に印加される電圧Ｖｂは、バンドギャップ型基準電圧であり、熱電圧と、トランジスタ１１，１２の飽和電流の電流比と、抵抗２１，２２の抵抗値比と、トランジスタのベース−エミッタ間電圧と、に基づいて設定される。例文帳に追加

A voltage Vb to be applied to the negative terminal of the comparator 19 is a band-gap type reference voltage, and is set on the basis of the thermal voltages, the current ratio of the saturation currents of the transistors 11, 12, the ratio of the resistance values of resistors 21, 22, and the voltages between the bases and the emitters of the transistors. - 特許庁

グリーンケースとＢＴバンドとを組み立てる直前の位置関係が、タイヤの重量に応じて変化してタイヤユニフォーミティが悪化するのを防止することのできるタイヤの製造方法、および、それに用いられるタイヤ成型機を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing tires in which the relative position between a green case and a BT band immediately before assembling changes according to the weight of the tire to prevent the uniformity of the tire from being deteriorated, and to provide a tire building machine used for the method. - 特許庁

ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。例文帳に追加

The n-type semiconductor layer 150 is formed of an amorphous thin film having, as principal components, indium oxide and zinc oxide the same material as the transparent electrode layer 160, wherein a difference in a work function is less than 0.3 eV and a difference in an energy bandgap is less than 0.2 eV. - 特許庁

共振周波数が異なる複数のアンテナを備えるマルチバンド受信機において、周波数信号の入力端側の構成である合成器を小型化し、複数の各アンテナに対応するＲＦフィルタと結合器とを一体で形成する。例文帳に追加

To provide a multi-band receiver provided with a plurality of antennas with different resonance frequencies wherein a combiner being a configuration of an input terminal side of frequency signals is downsized and an RF filter and a coupler corresponding to each of a plurality of the antennas are integrally formed. - 特許庁

また、例えばこの無機光学材料から発せられる蛍光スペクトルのピークでの波長がＣバンド付近である場合、この無機光学材料を含む光源を用いた干渉型光センサでは２０μｍ以下の分解能を実現することができる。例文帳に追加

Further, for example, when the wavelength at a peak of the fluorescence spectrum generated from the inorganic optical material is in the vicinity of the C band, a 20 μm or less resolution can be realized with an interference type optical sensor using a light source comprising the inorganic optical material. - 特許庁

また、少なくとも一部が第２の半導体領域に接続され、第１の半導体領域に挟まれて形成され、第２の半導体領域より幅の狭い、複数の第２導電型の第３のワイドバンドギャップ半導体領域３２を備えている。例文帳に追加

The semiconductor rectifier device also includes a plurality of third wideband gap semiconductor regions 32 of the second conductivity type, at least a portion of which is connected to the second semiconductor regions, which is formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions, and whose width is narrower than that of the second semiconductor region. - 特許庁

本光ファイババンドル１２は、複数本の単心光ファイバ（着色ＵＶ被覆光ファイバ心線１３）を束ね、これらを接着剤（ＵＶ硬化型樹脂１４）によりその着色ＵＶ被覆光ファイバ心線１３の長さ方向に連続的に結束してある。例文帳に追加

This optical fiber bundle 12 is formed by bundling plural pieces of glass-fiber cords (colored UV coated optical fibers 13) and continuously tying these colored UV coated optical fibers 13 in their longitudinal direction. - 特許庁

電圧レギュレータ（電源制御用のトランジスタＭ０）と、ＶＣＯ（電圧制御発振回路２０）と、電流源回路（バンドギャップ回路１１）とを電源電圧端子と接地点との間に縦積みした電源一体型の発振回路として構成した。例文帳に追加

The oscillation circuit is configured to be a power supply integrated oscillation circuit by longitudinally stacking a voltage regulator (transistor M0 of power supply control), a VCO (voltage controlled oscillator circuit 20), and a current source circuit (band gap circuit 11) between a power supply voltage terminal and a ground point. - 特許庁

積層型電力貯蔵デバイス１００においては、５個の電力貯蔵セル３および６個の面圧緩衝機構７が、上下方向で交互に積層され、環状のバンド４で締め付けて挟持されることにより、密着して一体化されている。例文帳に追加

The stacked electric power storage device 100 is constituted by vertically and alternately stacking five electric power storage cells 3 and six contact pressure buffer mechanisms 7, and uniting them in contact by clamping and holding using an annular band 4. - 特許庁

スピネル型ＭｇＧａ_2 Ｏ_4 を母体結晶とし、この母体結晶に遷移金属としてＭｎを発光中心としてドープした蛍光体であり、バンド端励起により、５０８ｎｍにピークを有する緑色発光と６７４ｎｍにピークを有する赤色発光をする。例文帳に追加

This phosphor is produced by using a spinel type structure MgGa_2O_4 as a host crystal and by doping a transition metal Mn as a light-emitting center into the host crystal, and emits a green light having a peak wavelength of 508 nm and a red light having a peak wavelength of 674 nm depending on a band terminal excitation. - 特許庁

生体信号検出装置１は、ＦＰＣ基板２を人体に巻回するバンド１ａとして使用し、かつ、このＦＰＣ基板２を介して制御ユニット１２と生体信号を検出するための発光センサ１３、受光センサ１４等を電気的に接続することで、装置を小型簡略化する。例文帳に追加

This biosignal detecting device 1 is configured to use a FPC (Flexible Printed Circuit) board 2 as a band 1a wound around a human body, and is miniaturized and simplified by electrically connecting a light emitting sensor 13, a light receiving sensor 14 and the like for detecting the biosignal to a control unit 12 via the FPC board 2. - 特許庁

デュアルバンド無線通信機において、それぞれの周波数帯に必要な受信用第1局部発振周波数、送信第2局部発振周波数を共通回路で共有化することにより、小型化及び低消費電力化を図る。例文帳に追加

To attain reduction in size and low power consumption, by using a shared circuit to use a 1st local oscillating frequency for reception and a 2nd local oscillation frequency for transmission in common which is required for respective frequency bands, with respect to a dual band radio communication unit. - 特許庁