「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｎ^-型ドレイン領域１中に、Ｎ^-型ドレイン領域１とはバンドギャップの異なるＰ^+型ポリシリコンで形成され、第一主面から第二主面へ向かって伸びる柱状のヘテロ半導体領域４が、間隔を置いて並んで複数形成されている。例文帳に追加

A plurality of columnar hetero semiconductor regions 4, which are formed with P^+ type polysilicon having a band gap different from that of the N^- type drain region 1, are provided at intervals in the N^- type drain region 1 and extend from the first main surface to a second main surface. - 特許庁

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。例文帳に追加

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side. - 特許庁

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。例文帳に追加

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof. - 特許庁

本発明のパワー半導体素子は、実質的に同じバンドギャップを有するワイドギャップ半導体材料からなるｐ型層３４とｎ型層３３，３５とが少なくとも三層交互に、複数層積層されたバイポーラ型のパワー半導体素子である。例文帳に追加

A power semiconductor device is a bipolar-type power semiconductor device constituted by plural layers lamination wherein at least three layers of p-type layer 34, n-type layers 33 and 35 composed of a wide-gap semiconductor material having substantially the same band gap are alternately laminated. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。例文帳に追加

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101. - 特許庁

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b. - 特許庁

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a. - 特許庁

従って、タイヤ成形用金型３の解体時にはサイピングブレード２の先端に取付けた落下防止用バンド７ａを取外すことで、サイピングブレード２をタイヤ成形用金型３の貫通溝６から容易に取外すことが出来る。例文帳に追加

Therefore, the siping blade 2 can be easily detached from the penetrated trench 6 of the tire molding mold 3 by removing the drop-off prevention band 7a attached to the tip of the siping blade 2 when disjointing the tire molding mold 3. - 特許庁

この発光ダイオードは、Ｎ型化合物半導体層５７と隣接する第１障壁層５９ｂ及びＰ型化合物半導体層６３と隣接する第ｎ障壁層５９ｂに比べて相対的に広いバンドギャップを有する中間障壁層５９ｃを含む。例文帳に追加

The light emitting diode includes an intermediate barrier layer 59c having a bandgap relatively wider than the first barrier layer 59b adjacent to the N-type compound semiconductor layer 57 and the n-th barrier layer 59b adjacent to the P-type compound semiconductor layer 63. - 特許庁

カーカスバンドの成型に当って、カーカスプライ用素材の両端を、成型作業能率の低下なしに、それらの全幅にわたって適正に突き合わせ接合させることを可能とした、カーカスプライ用素材はの折り曲げ部形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a bending part to a material for a carcass ply, enabling the proper abutting joining of both ends of the material for the carcass ply over the entire width thereof without lowering molding work efficiency when the carcass band is molded. - 特許庁

前記バンドコードは、少なくとも５本以上の二次元の波状に型付けされた型付け素線ＦＡを含む合計９本の金属素線Ｆを用いてなり、かつ複数本の金属素線Ｆを捻り合わせた素線束Ｂの２〜４本を撚り合わすことにより形成された金属コードからなる。例文帳に追加

The band cord is formed using a total of nine metal bare wires F including molded bare wire FA molded in a shape having at least five or more two-dimensional waves, and is formed of a metal cord formed by twisting two-four bare wire bundles B formed by twisting the plurality of metal bare wires F. - 特許庁

バンドパスフィルタは、誘電体ベース基板（１１）と、前記誘電体ベース基板上に形成されるディスク型共振器（１２）と、前記誘電体ベース基板上の一部に、前記ディスク型共振器と同じ平面内で配置される誘電体ブロック（１５）と、を有する。例文帳に追加

The bandpass filter has a dielectric base board (11), a disk type resonator (12) formed on the dielectric base board, and a dielectric block (15) arranged on a portion of the dielectric base board in the same plane as that of the disk type resonator. - 特許庁

本発明に係る電磁気バンドギャップ構造物は、金属層と、金属板及びビアを有する複数のきのこ型構造物と、を含み、前記複数のきのこ型構造物が前記金属層上にスタック構造を形成することを特徴とする。例文帳に追加

This electromagnetic bandgap structure includes a metal layer and a plurality of mushroom type structures each having a metal plate and a via, wherein the plurality of mushroom type structures form a stack structure on the metal layer. - 特許庁

配線固定構造１０は、シャシフレーム１に固定されたサポート板１２と、配線Ｃ１〜Ｃ３を担持する溝型ブラケット１４と、溝型ブラケット１４に担持された配線Ｃ１〜Ｃ３を結束するケーブルバンド１６とにより構成される。例文帳に追加

This wiring fixing structure 10 includes: a support plate 12 fixed to a chassis frame 1; a groove-type bracket 14 supporting wires C1-C3; and a cable band 16 binding the wires C1-C3 supported by the groove type bracket 14. - 特許庁

そして、ゲート電極１０６を、第２の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するｎ型不純物が積極的に注入された高濃度ｎ型Ｇａ_aＩｎ_1-aＮゲート電極１０６ａ、ゲート電圧伝送用電極１０６ｂによって構成する。例文帳に追加

Then, the gate electrode 106 composed of a high-concentration n-type Ga_aIn_1-aN gate electrode 106a which has a smaller band gap than the second nitride semiconductor has and in which an n-type impurity is positively implanted, and an electrode 106b for gate voltage transmission. - 特許庁

メーター取付部３２には、小型のガスメータ２Ａのカウンタ表示部２１Ａに取り付け可能なクランプ機構５０と、大型のガスメータ２Ｂのカウンタ表示部２１Ａに取付可能な締結バンド６０が、それぞれ着脱可能に取り付けられている。例文帳に追加

To the meter attachment part 32, a clamp mechanism 50 allowed to be attached to a counter display part 21 A of a compact gas meter 2 A and a fastening band 60 allowed to be attached to the counter display part 21 A of a large gas meter 2B are respectively detachably attached. - 特許庁

サポート板１２は、配線Ｃ１〜Ｃ３の配索方向に延在するようにシャシフレーム１に固定されており、ケーブルバンド１６は、溝型ブラケット１４とサポート板１２との間の空洞部１４Ａに挿通され、溝型ブラケット１４に担持された配線Ｃ１〜Ｃ３を結束している。例文帳に追加

The support plate 12 is fixed to the chassis frame 1 to extend in the wiring direction of the wires C1-C3, and the cable band 16 is penetrated through a cavity part 14A between the groove-type bracket 14 and the support plate 12 to thereby bind the wires C1-C3 supported by the groove type bracket 14. - 特許庁

リストバンド１２を作成するには、プリンター９に印刷媒体１をセットして型抜き部２の印刷領域３に印刷を行い、印刷媒体１の裏面１ｂに付されたカットマーク８を基準として、型抜き部６と直交する切断ライン７の位置で印刷媒体１を自動切断する。例文帳に追加

In creating a wristband 12, the print medium 1 is set on a printer 9 to perform printing on a printing area 3 of the die-cut portion 2, and the print medium 1 is automatically cut at the position of a severance line 7 perpendicular to the die-cut portion 6 referenced to a cut mark 8 added to the back 1b of the print medium 1. - 特許庁

汎用品の挟着用のイヤホ−ン型またはヘヤ−バンド型の支柱は可能なかぎり細いものを選択して、携帯、収納ケ−スなどに容易に収納できるよう支持柱は小さく折りたため、耐久性、フアツション性、などを考慮し、全体のデザイン、色彩の印刷をおこなう。例文帳に追加

A brace member being narrow as far as possible is selected as an earphone-type or a hair band-type brace member for clipping a general-purpose article, and the brace member can be folded into a small size so that the device can be easily stored in a portable storage case or the like, and design and color printing of the entire device are performed in consideration of durability and fashion. - 特許庁

ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。例文帳に追加

The nano-columns 2 are each formed into a coaxially shaped heterostructure in which a core portion 21 made of an n-type GaN is surrounded by a cylindrical shell portion 22 made of an n-type AlGaN having a bandgap energy larger than that of the n-type GaN, and the core portion 21 itself is used as an active layer. - 特許庁

テレビ台の載置部１０の上面において、固定部材２の後方に薄型テレビ５が載置された場合、固定部材２によって一端が固定されたバンド３，３が、薄型テレビ５の柱部５２を隔てた２箇所で脚部５１を押圧する。例文帳に追加

When the flat-panel television 5 is placed on the rear of a fixing member 2 on the top surface of a placing portion 10 of the television stand, bands 3, 3 whose one end is fixed with a fixing member 2 press leg portions 51 at two positions with a column portion 52 of the flat-panel television 5 spaced. - 特許庁

ｐ型電流注入層２１は発光層１２と同等のバンドギャップを有する材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型酸化物発光素子の実現を可能とする。例文帳に追加

The p-type current injection layer 21 is made of a material having the same band gap as the light emitting layer 12, whereby improvement of quantum efficiency, reduction of an operation voltage, and extension of a lifetime are achieved to allow a current injection type oxide light emitting element to be implemented. - 特許庁

第一の半導体材料としての炭化珪素半導体基体１００と、この炭化珪素半導体基体１００上の第一主面側に、炭化珪素とはバンドギャップの異なる第二の半導体材料として、Ｎ−型の多結晶シリコンからなるＮ−型多結晶シリコン層３Ａが形成される。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a silicon carbide semiconductor substrate 100 as a first semiconductor material, and an n-type multi-crystal silicon layer 3A constituted of n-type multi-crystal silicon as second semiconductor materials whose band gap is different from that of silicon carbide on the first main face side of the silicon carbide semiconductor substrate 100. - 特許庁

小型化、薄型化の要求を満たすことができ、伝送信号の通る伝送回路に半導体スイッチ素子を組込むことなしに送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えることのできるクワッドバンド用高周波スイッチモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a high frequency switch module for a quad band capable of satisfying a request for miniaturization and thinning and switching connection between a transmitting circuit and an antenna and connection between a receiving circuit and the antenna without incorporating a semiconductor switch element in a transmission circuit through which a transmission signal passes. - 特許庁

前進７段、後進１段の自動変速機Ｔは、第１プラネタリギヤユニットＰＵ１および第２プラネタリギヤユニットＰＵ２の組み合わせで構成されて４個の差動回転要素を備えるととともに、湿式多板型あるいはバンドブレーキ型の６個の摩擦係合要素Ｃａ，Ｃｂ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｂ１を備える。例文帳に追加

The automatic transmission T of seven forward stages and one backward stage comprises a combination of a first planetary gear unit PU1 and a second planetary gear unit PU2, and has four differential rotation elements and the six multiplate wet-type or hand brake-type friction engagement elements Ca, Cb, C1, C2, C3, B1. - 特許庁

カーカス部材をビードコアの周りに折り返す前のカーカスバンドを、円筒状をなすグリーンタイヤ成型ドラムの半径方向外方に移載し、グリーンタイヤ成型ドラムでビードコアを保持した後、カーカスの本体部をトロイダル状に変形するとともに、折返し部を折り返す。例文帳に追加

The method for laminating sheet-like materials comprises the steps of transferring a carcass band before a carcass member is folded at a periphery of a bead core in a radially outward of a cylindrical green tire molding drum, holding the bead core by the molding drum, then deforming a body of the carcass in a toroidal state, and folding the folded part. - 特許庁

少なくとも２０ｎｍ以下に近接したｎ型高濃度デルタドープ層とｐ型高濃度デルタドープ層とからなるドーピングダイポール構造を、光照射を受けるアンドープ層に周期的に形成することにより光吸収層のバンド構造を鋸歯状にする。例文帳に追加

A doping dipole structure constituted of an N-type high density delta doped layer 132 and a P-type high density delta doped layer 131 which are adjacent to each other at most 20 nm is periodically formed in an undoped layer 133 which is to be irradiated with a light, thereby turning the band structure of a light absorbing layer into a sawtooth type. - 特許庁

ｐ型クラッド層とｐ型ウインドウ層との間のヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消し、エネルギー障壁を低くして動作電圧を低下できるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。例文帳に追加

To provide an AlGaInP light-emitting element of a constitution, wherein the discontinuity of bands due to a hetero junction between an p-type clad layer and a p-type window layer is dissolved, an energy barrier is made low and an operating voltage can be reduced, and an epitaxial wafer for the light- emitting element. - 特許庁

活性層１３、ｐ型ＧａＰ層１４及び上部クラッド層１５の接合を形成する前のバンドプロファイルでは、ｐ型ＧａＰ層１４における伝導帯下端のエネルギー位置が、上部クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー位置よりも０．０５ｅＶ〜１．０ｅＶ高くなっている。例文帳に追加

In a band profile before forming a bonding with the active layer 13, the p-type GaP layer 14, and the upper clad layer 15; the energy level of a conductive band lower end in the p-type GaP layer 14 is higher by 0.05 eV to 1.0 eV than that of a conductive band lower end in the upper clad layer 15. - 特許庁

２つの通過帯域の中心周波数と帯域幅の計４つの特性値の設計自由度が高く、所望の通過帯域以外の不要な信号を概ね遮断する特性を有し、更に、小型化が可能なデュアルバンド帯域通過型フィルタを実現する。例文帳に追加

To accomplish a dual-band bandpass filter that has high flexibility in designing a total of four characteristic values, that is, the center frequency and bandwidth of the two pass bands, and also has a characteristic of substantially blocking unwanted signals in the bands other than the desired pass bands, and further is miniaturized. - 特許庁

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。例文帳に追加

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration. - 特許庁

大きく離間している２つの周波数帯域に対して、ＰＬＬにより周波数が安定化された共通のＶＣＯ５を用いることを可能な構成にし、回路構成が簡単で、小型かつ低コストの周波数バンド切替型ＶＣＯを提供する。例文帳に追加

To provide a small sized frequency band switching type VCO at a low cost with a simple circuit configuration by adopting a configuration that a common VCO 5 whose oscillating frequency is made stable by a PLL is used to have provision for two frequency bands that are largely different. - 特許庁

本発明のバリキャップダイオードは、例えばＰ型の半導体基板１上にゲート酸化膜２を介してＰ型のゲート電極３を形成することで、フラットバンド電圧Ｖｆｂがプラス側にシフトするため、容量の可変幅が広がる。例文帳に追加

In the varicap diode e.g. a P-type gate electrode 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1 via a gate oxide film 2, so that the flat-band voltage Vfb is shifted to the positive side, and the variable width of the capacitance is expanded. - 特許庁

シャワーヘドが片手の手の甲に容易に取り付けられる挿入型の固着装置と流量調節機能のある、開閉バルブを備えたシャワーヘドの構成である、又バンド型の固着装置も、片手の動作機能の制限を解放する。例文帳に追加

This shower head is easily attached to the back of one hand, has an insertion type fixing device, a flow rate regulating function and an on-off valve, wherein a band type fixing device can also release the restriction of the movement function of one hand. - 特許庁

すなわち本発明は、半導体レーザーチップからの出射光をコリメートし、ウェッジ型の狭帯域反射ミラーで特定波長の光を一部帰還させ、特定波長に発振波長を固定するものであり、半導体レーザーの発振波長安定化に、ウェッジ型のフィルターを用いた波長安定化レーザーであって、ウェッジ型のフィルターの一面が狭帯域バンドパスフィルターであり、もう一方の面が反射率制御された広帯域フィルターまたは光学研磨面からなり、狭帯域バンドパスフィルター側の面が半導体レーザーと対向する側に設置される。例文帳に追加

One surface of the wedge type filter is a narrow band-pass filter and the other surface is formed of a wide band-pass filter or optically polished surface whose reflectivity is controlled; and the surface of the narrow band-pass filter side is installed opposite the semiconductor laser. - 特許庁

圧電基板上に正規型ＩＤＴ電極からなる二重モードＳＡＷフィルタと、反射反転型ＩＤＴ電極からなる反射反転型二重モードＳＡＷフィルタとを縦続接続したフィルタであって、ライン占有率を適切に設定するとにより正規型ＩＤＴ電極及び反射反転型ＩＤＴ電極のストップバンド幅をほぼ等しくしたフィルタである。例文帳に追加

This SAW filter is filter obtained by cascading a dual modes SAW filter composed of a normal type IDT electrodes 5 and 6 on a piezoelectric substrate 1 with a reflection inverted type dual mode SAW filter composed of reflection inverted type IDT electrodes 2 and 3 and a filter making the stop band widths of the normal type IDT electrodes and the reflection inverted type IDT electrodes are made almost equal by setting a line duty factor appropriately. - 特許庁

半絶縁性基板上に第１導電型サブコレクタ層３と、第１導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第２導電型たベース層７と、該ベース層７よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第１導電型エミッタコンタクト層９とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。例文帳に追加

The mesa hetero-jumction bipolar transistor consists of a first conductivity sub-collector layer 3, a first conductivity collector contact layer and a collector layer, a second conductivity base layer 7, an emitter layer whose band gap is larger than the base layer 7, and a first conductivity emitter contact layer 9 on a semi-insulating substrate. - 特許庁

スペーサーの上に円筒型枠を載置し、その状態で円筒型枠をスチールバンドで緊結固定し、次いでコンクリートを流し込み、コンクリートが固まった後に床板を取り除く円筒型枠工法において、上記円筒型枠内に水充填袋を装填した状態でコンクリート打設を行なう工法である。例文帳に追加

In this cylindrical form construction method in which a cylindrical form is put on a spacer, the cylindrical form is tightly fixed by the steel band in the condition, and then concrete is poured and a floor plate is removed after the concrete is solidified, concrete is placed while a bag filled with water is mounted in the cylindrical form. - 特許庁

基板１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層５、７、９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層６、８を形成する。例文帳に追加

In the nitride semiconductor light-emitting device in which an n-type layer made of a nitride semiconductor, an active layer, and a p-type layer are laminated on a substrate 1, carrier generation layers 6, 8 doped with n-type dopants and p-type dopants are formed among a plurality of active layers 5, 7, and 9 having mutually different band gap energy. - 特許庁

また、隣接して配置される基礎型枠間の間隔が小さいところでは、基礎型枠の上端部間に足場板２０を掛け渡して設けるとともに、該足場板を基礎型枠を構成する型枠パネル５，５の上端フランジ５ａ，５ａに引っ掛け係止することによりフック付き固定バンド２１で組付け固定する。例文帳に追加

The scaffolding boards 20 are stretched and secured between the upper end sections of the foundation forms while the scaffolding boards are assembled and fixed by fixing bands 21 with hooks by a hooking and engaging to the upper-end flanges 5a and 5a of the form panels 5 and 5 constituting the foundation forms at a place having a small space between the adjacently arranged foundation forms. - 特許庁

ｐ型ＩｎＰクラッド層のリッジ形状を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層上に、ｐ型ＩｎＰ層及びｐ型エッチングストッパ層を介して形成することにより、エッチングストッパ層とＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層とのバンド不連続による直列抵抗の増加を抑制し、レーザのしきい値電流を低減する。例文帳に追加

The ridge form of a p-channel InP clad layer is formed on a p-channel AlGaInAs clad layer via a p-channel InP layer and a p-channel etching stopper layer to suppress a series resistance due to discontinuous hand between the etching stopper layer and the AlGaInAs clad layer from being increased and to reduce a threshold current of the laser. - 特許庁

複素型分布帰還構造の分布帰還構造の半導体レーザ１１は、電流の印加に応答した利得を持つ各量子細線１９ａ〜１９ｅと利得を持たない中間半導体領域２１とを含んでおり、また比較的広いストップバンドを有する。例文帳に追加

The semiconductor laser 11 having a complex distribution return structure includes each quantum wire 19a-19e having a gain responsive to current application and the intermediate semiconductor region 21 not having a gain and has a comparatively wide stop band. - 特許庁

本発明に係る反射型導波路バンドパスフィルタ９０は、マイクロストリップライン１３の線幅ｗ（ｚ）を不均一な幅とすることで局所的な特性インピーダンスを導波路の特性インピーダンスに対して変化させたことを特徴とする。例文帳に追加

A reflection type waveguide bandpass filter 90 changes the local characteristic impedance in reference to the characteristic impedance of a waveguide, by setting the line width w(z) of a strip line 13 as a nonuniform width. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。例文帳に追加

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances. - 特許庁

本発明に係る反射型導波路バンドパスフィルタ９０は、ストリップライン１３の線幅ｗ（ｚ）を不均一な幅とすることで局所的な特性インピーダンスを導波路の特性インピーダンスに対して変化させたことを特徴とする。例文帳に追加

A reflection-type waveguide bandpass filter 90 changes the local characteristic impedance, with respect to the characteristic impedance of a waveguide, by implementing the line width w(z) of a strip line 13 as a nonuniform width. - 特許庁