「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

第１の結合部１０と第２の結合部１１とが設けられた機器本体２と、両端の第１の結合体２３と第２の結合体２４とが第１の結合部と第２の結合部とにそれぞれ結合されるバンド部材２０とによって全体が腕時計型に構成される。例文帳に追加

The whole body is constituted in a wrist watch type from an equipment main body 2 provided with a first joining part 10 and a second joining part 11 and from a band member 20 in which a first joining body 23 and a second joining body 24 on both end parts are respectively joined to the first joining part and the second joining part. - 特許庁

ペットボトルに代表されるキャップ付きボトル型樹脂容器につき、開栓後に、キャップ周状バンドが材質の異なる異質物として、ボトル口部外周スクリュー部下に設置されている周状の突起下に残されないようにする。例文帳に追加

To prevent a cap peripheral band of a material of different quality from being left below a peripheral protrusion mounted below an outer circumferential screw at the bottle opening part, after its plug has been opened in a bottle type resin container with a cap, represented by a PET bottle. - 特許庁

蓋付円筒型の本体部１１と、本体部１１の開口側に本体部１１の軸方向に突出して設けられた形状記憶ポリマーからなる延伸部１２と、延伸部１２に設けられたゴムバンド１３とを備えている。例文帳に追加

The top cover has a body part 11 in a cylinder shape with a lid, an extending part 12 installed so as to be protruded from the opening side of the body part 11 in the axis direction of the body part 11, and composed of a shape-memory polymer, and a rubber band 13 installed in the extending part 12. - 特許庁

様々な形状、寸法の配線束や配管類等の結束に好適且つ柔軟に対応可能であり、しかも従来型の支持金具に比較して格段に軽量で多数の持ち運びが容易で、高所作業の安全と効率化を実現可能とする配管等結束支持バンドを提供する。例文帳に追加

To provide a binding supporting band for pipes or the like capable of properly and flexibly coping with wire bundle and binding of pipes of various shape and dimension, dramatically reducing a weight in comparison with a conventional supporting bracket to be easily carries by large quantity, and realizing safety and efficiency of high-place work. - 特許庁

使い捨てのパンツ型おむつ１が胴周り開口１６と一対の脚周り開口１７とを有し、それぞれの開口１６，１７の周縁部１６ａ，１７ａの外面に周縁部１６ａ，１７ａの周り方向ヘ延びるバンド２１，２２が取り付けられる。例文帳に追加

The throw-away shorts type diaper 1 has an opening 16 around the waist and a pair of openings 17 around the legs and the outside surfaces of peripheral edges 16a and 17a of the respective openings 16 and 17 are fitted with bands 21 and 22 extending in the circumferential direction of the peripheral edges 16a and 17a. - 特許庁

８ＶＳＢデジタル放送信号を従来のノーマルスペクトル方式からインバーティング方式に変更して送出し、受信チューナ部には非対称型バンドパスフィルタを用い、受信感度の向上したチューナを提供する。例文帳に追加

To provide a tuner that gives an 8VSB(vestigial side band) digital broadcast signal, whose system is revised from the conventional normal spectrum system into an inverting system to a reception tuner section and uses an asymmetrical type band bass filter for the reception tuner section, with enhanced reception sensitivity. - 特許庁

映像化モード及び使用する超音波プローブ１１に応じて、制御式バンドパス型シグマ・デルタＡＤ変換器１５４の中心周波数Ｆｃ、帯域幅Ｂｗ、ダイナミックレンジのそれぞれを共振器コントローラ１６によって自由に制御する。例文帳に追加

According to an image rendering mode and an ultrasonic probe 11 to be used, each of the center frequency Fc, the band width Bw and the dynamic range of a controlled bandpass type sigma delta AD converter 154 is controlled freely by a resonator controller 16. - 特許庁

沸騰水型原子炉内に燃料ロッドバンドルを収納するための燃料チャネルは、燃料チャネルのトップに増加された流れ領域を生成し、それによって燃料チャネルを通る圧力損失を低減させるために、拡大されたセクション（１４）を含む。例文帳に追加

This fuel channel for housing a fuel rod bundle in the boiling water reactor includes an expanded section 14 for generating the increased flow region at the top of the fuel channel and consequently reducing a pressure loss of the flow passing through the fuel channel. - 特許庁

２つの通過帯域の中心周波数と帯域幅の計４つの特性値の設計自由度が高く、所望の通過帯域以外の不要な信号を概ね遮断する特性を有し、更に、小型化が可能なデュアルバンドフィルタを実現する。例文帳に追加

To implement a dual band filter which has high design flexibility of characteristic values (four in total) of center frequencies and bandwidths of two passbands and has a characteristic of generally cutting off unnecessary signals outside a desired passband and can be miniaturized. - 特許庁

非磁性半導体層からなる量子井戸構造と、該構造の障壁層に近接、又は、隣接して、バンドギャップの小さい磁性半導体層を備えることを特徴とするｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子。例文帳に追加

The p-i-n-type circularly polarized light modulating light emitting semiconductor element is equipped with a quantum well structure formed of a non-magnetic semiconductor layer, and a magnetic semiconductor layer which has a small band gap and is provided adjacent or adjoining to the barrier layer of the quantum well structure. - 特許庁

底部が平面でアーチ型に隆起した発砲ポリエチレン又はＥＶＡ樹脂パッド部と伸縮自在のゴムバンドが一体となったものからなり、室内外を問わずどのようなスリッパ・サンダルにでも容易に着脱可能であるように構成した。例文帳に追加

An acupuncture point pressure implement is constituted by integrating a foamed polyethylene or EVA resin pad part, which is swelled in an arch shape with a flat bottom, with a freely expansible rubber band, so as to be easily attachable/detachable to/from the any type of slipper/sandal both indoors and outdoors. - 特許庁

液体金属等の冷却材を用いた小型原子炉の核燃料集合体に係り、特に三角ピッチ配列の燃料ピンバンドルにおけるＰ／Ｄ（Ｐ：燃料ピンピッチ、Ｄ：燃料ピン外径）が１．１より小さい場合の圧損低減を図るために波形グリッドを復数段構成する。例文帳に追加

In the nuclear fuel assembly of a small nuclear reactor using the coolant such as liquid metal, a plurality of stages of waveform grids are constituted so as to reduce the pressure loss especially when the P/D (P: fuel pin pitch and D: fuel pin outer diameter) in a fuel pin bundle of triangular pitch array is smaller than 1.1. - 特許庁

前記携帯電話は、ＧＳＭ通信及びＵＭＴＳ通信を行うデュアルバンド型であってもよく、前記ドップラ偏移の補正値を、前記携帯電話がＧＳＭネットワークで動作している時にＵＭＴＳ時間基準との同期を計算するために用いる手段を更に備えていてもよい。例文帳に追加

The portable telephone can be a dual band type for performing GSM communication and UMTS communication and can be further provided with a means to be used for calculating synchronism with the UMTS time reference while operating the portable telephone on a GSM network as well. - 特許庁

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。例文帳に追加

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom. - 特許庁

コア粒子との格子不整合が１０％以下で、且つバンドギャップがコア粒子より大きいシェル原料を反応ガスとして供給して噴霧熱分解法によりシェルが形成されることを特徴とするコア・シェル型蛍光体微粒子の作製方法。例文帳に追加

In this method for producing core/shell type phosphor fine particles, a shell is formed by a spray pyrolysis method by supplying a shell material as reaction gas, wherein lattice mismatch with a core particle is 10% or less and a band gap is larger than that of the core particle. - 特許庁

本発明は、Ｓｉ原子を主体としかつエネルギーバンド構造が直接遷移型であり、安価で簡便に製造でき、赤色発光が可能なクラスレート化合物及びそれを用いた発光素子、クラスレート化合物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive, easily producible clathrate compound essentially consisting of Si atoms, also having a direct transition type energy band structure, and capable of red light emission, to provide a light emitting device obtained by using the same, and to provide a method of producing a clathrate compound. - 特許庁

光ファイバ７，８，９，１０を保持した保持具３，５と屈折率分布型レンズ２，４とを有する第１及び第２のコリメータ１４，１５を備え、これら第１及び第２のコリメータ１４，１５の間に光学特性を有するバンドパスフィルタ２０，エッジフィルタ２１を配置する。例文帳に追加

This module is equipped with first and second collimators 14, 15 which have holding tools 3, 5 holding optical fibers 7, 8, 9, 10 and refractive index distribution type lenses 2, 4, and a band-pass filter 20 and an edge filter 21 which have respective optical characteristics are arranged between the first and second collimators 14 and 15. - 特許庁

偏波切替型マルチバンド平面アンテナ１は、複数の点対称の位置に摂動素子を備えた周囲長が約１波長の複数のリングアンテナ素子と給電部を備え、右旋円偏波と直線偏波が発生するように設定される。例文帳に追加

The polarization switching type multi-band plane antenna 1 is provided with a plurality of ring antenna elements, with peripheral length of about one wavelength worth and is equipped with perturbing elements at a plurality of point symmetric positions and a power supply part, and are set so that right circular polarization and linear polarization can be generated. - 特許庁

ガラス基板１に、光学形状４を有する光硬化樹脂層２を積層した複合型光学素子１０の製造工程において、光硬化樹脂層２を積層する前のガラス基板１に、２７０〜４１０ｎｍの範囲の波長の光をカットするバンド反射フィルター３を設けておく。例文帳に追加

In a process for manufacturing the composite optical element 10 which is formed by laminating a photosetting resin layer 2 with an optical shape 4 on a glass substrate 1, a band reflection filter 3 for cutting light of a wavelength in a range between 270 nm and 410 nm is provided on the glass substrate 1 before laminating the photosetting resin layer 2 thereon. - 特許庁

埋め込み領域がフローティング構造であるので埋め込み領域と一導電型半導体層のエネルギーバンドはフラットとなり、順方向電圧印加時に埋め込み領域周囲に空乏層が広がることはなく、ショットキー接合面積を損なうことがない。例文帳に追加

Since the embedded region has a floating structure, energy bands of the embedded region and one conductivity-type semiconductor layer are flat and the depletion layer is prevented from spreading around the embedded region when a forward direction voltage is applied, and thus, an area of Schottky contact is not impaired. - 特許庁

本発明は、小型化・省スペース化を図ると共に、複数の周波数帯域においてもアイソレーションを保って利得の低下を防ぐと共に、各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得も高いマルチバンド対応のアンテナ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a multiband enabled antenna device which attains reduction in size/in space, prevents a gain from being reduced, by ensuring isolation even in a plurality of frequency bands, and has a broad bandwidth and a high average gain in each of frequency bands. - 特許庁

透明サファイア基板上に、ＴＦＴ素子を有する画素をマトリックス状に構成するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、ＴＦＴ素子を構成する半導体層をバンドギャップが２．９ｅＶ以上である透明半導体により形成し液晶表示装置を構成する。例文帳に追加

In the active matrix type liquid crystal display device, with which pixels having TFT elements are configured in the form of a matrix on a transparent sapphire substrate, the liquid crystal display device is configured by forming a semiconductor layer comprising the TFT element from the transparent semiconductor of a band gap ≥2.9 eV. - 特許庁

本構成により、命令の圧縮・伸長によるバスバンド幅、外部ＩＯ、メモリ容量の小型化が実現され、データ処理部を構成するＬＳＩの論理回路の実装面積の削減、さらに消費電力の低減が実現される。例文帳に追加

Thus, it is possible to achieve the miniaturization of bus band width, external IO and memory capacity by the compression and extension of the instructions, and it is possible to achieve the reduction of the mounting area of the logic circuit of an LSI composing the data processing part and the reduction of power consumption. - 特許庁

消火器本体２の上下方向中間部の外周には締結バンド２０を巻き付け、雌雄型留め具２３，２４どうしを連結係合させることにより消火器１がブラケット本体１１にゴム等弾性体１６を介して縛り付けられる。例文帳に追加

A fastening band 20 is wound around the outer periphery of a vertical directional intermediate part of a fire extinguisher body 2, and the fire extinguisher 1 is bound to the bracket body 11 via an elastic body 16 such as rubber by connecting and mutually engaging female and male fasteners 23 and 24. - 特許庁

また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。例文帳に追加

In addition, preferably, the RESURF structure has an undoped carrier scanning layer formed on the p-type semiconductor layer, and a carrier supplying layer formed on the carrier scanning layer and which has band gap energy different from that of the carrier scanning layer. - 特許庁

したがって、本発明による共振素子で構成されたバンドパスフィルターまたはデュプレクサは、高周波数領域で動作可能であり、素子のサイズを小型化でき、帯域幅の調整が可能であり、集積回路との一体化を可能にする。例文帳に追加

Therefore, the band-pass filter or the duplexer comprised of the resonator element can operate in a high-frequency range and can be miniaturized, the bandwidth of which can be adjusted, and can be formed in one body with an integrated circuit. - 特許庁

周波数変調回路１は、バンドパス型デルタシグマ変調部１５とＬＰＦ１６とで低雑音が要求される周波数帯域の雑音を低減し、フィードバック比較部１１とループフィルタ１２とで直流成分ＤＣ付近の雑音を低減する。例文帳に追加

A frequency modulation circuit 1 reduces noise in the frequency band which requires low noise with the bandpass type delta sigma modulation section 15 and the LPF 16, and reduces noise in the vicinity of a direct current component DC with a feedback comparison section 11 and a loop filter 12. - 特許庁

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。例文帳に追加

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current. - 特許庁

上記のオパール型構造体へスルフィド系化合物を必須成分とする高屈折率組成物を埋め込み、硬化させることで得られる逆オパール型構造体は、可視光波長領域において発現するフォトニックバンド効果が、従来のポリマーを用いた逆オパール型構造体に比べて飛躍的に改善されることを確認した。例文帳に追加

It is confirmed that the inverted opal type structure obtained by burying a high-refractive-index composition containing a sulfide-based composition as an essential component into the opal type structure and hardening it has a drastically improved photonic band effect developed in the visible light wavelength region as compared with a conventional inverted opal type structure using a polymer. - 特許庁

入力端と連結されるバンドル型光ケーブルに伝送されるレーザービームを出力端と連結されるシングル型光ケーブルに伝送する光ケーブルジャンパーと、前記光ケーブルジャンパーの後方において前記シングル型光ケーブルと連結されてレーザービームを被写体に照射するレーザーガンを含む。例文帳に追加

The laser system includes an optical cable jumper which transmits the laser beam transmitted to a bundled-type optical cable connected to an input terminal to a single-type optical cable connected to an output terminal; and a laser gun which is connected to the single type optical cable, at the back of the optical cable jumper and irradiates an object with the laser beam. - 特許庁

半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。例文帳に追加

An optical semiconductor device 1 has a semiconductor laser 2 and a MZ interference optical modulator 4 connected by a branching coupler 3, a multiplexing coupler 5, and optical waveguides 11 to 16 and is monolithically integrated, and absorption layers 6 having a longer band gap wavelength than that corresponding to operation light emitted from the semiconductor laser 2 are provided adjacently to at least an output end of the multiplexing coupler 5 and the optical waveguide 16. - 特許庁

位相シフト６を有する前方分布帰還型活性領域１０１または後方分布帰還型活性領域１０３において、ストップバンドの長波長端近傍でのレーザ発振が短波長端近傍のレーザ発振よりも選択的に生じるように、位相シフト６を有する回折格子５が調整されている。例文帳に追加

The grating 5 having the phase shift 6 is adjusted in the front distribution feedback active area 101 or the rear distribution feedback active area 103 having the phase shift 6, so that a laser is selectively oscillated adjacent to the long wavelength end of a stop band, not adjacent to the short wavelength end thereof. - 特許庁

入射光に対する透過率が電気的に制御される液晶層、液晶層を画像情報によって駆動する複数の薄膜トランジスタを備えるＴＦＴ−アレイ層及び液晶層を通じて入射された光のうち、フォトニックバンドギャップに該当する波長帯域の光を反射させる反射型カラーフィルタを備える反射型ディスプレイ装置。例文帳に追加

The reflective display device includes a liquid crystal layer having incident light transmittance that is electrically controlled, a thin film transistor (TFT)-array layer including a plurality of TFTs for driving the liquid crystal layer according to image information and the reflective color filter adapted to reflect light having a wavelength band corresponding to a photonic band gap among light incident through the liquid crystal layer. - 特許庁

半導体装置は、基板１１の上に順次形成された、第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第１のIII−Ｖ族窒化物半導体１２と比べてバンドギャップが大きい第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３と、ｐ型の導電型を有する第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１と、第１のオーミック電極１４とを備えている。例文帳に追加

This semiconductor device includes a first group III-V nitride semiconductor layer 12 and a second group III-V nitride semiconductor layer 13 having a large bandgap relative to that of the first group III-V nitride semiconductor layer 12, a third group III-V nitride semiconductor layer 21 having a p-type conductivity, and first ohmic electrodes 14, all of which are sequentially formed on a substrate 11. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed. - 特許庁

マイクセットを構成する小型カメラ一体型マイク３は、フレキシブルアーム６及び中継部材４を介して首掛けバンド１に装着され、２つのマイク部１０、１１とカメラ部１２を備えており、マイク部１０または１１により作業者が発する音声を入力し、カメラ部１２により作業者の周囲の状況や作業者の顔の撮影を行う。例文帳に追加

A small-sized camera incorporated microphone 3 configuring the microphone set is mounted on a neck band 1 via a flexible arm 6 and a relay member 4 and includes two microphone sections 10, 11 and a camera section 12, the microphone section 10 or 11 picks up voice uttered by an operator and the camera section 12 photographs a surrounding state of the operator and the face of the operator. - 特許庁

本発明の半導体装置は、炭化珪素からなるＮ型の炭化珪素半導体基板１に形成されたＮ型の炭化珪素エピタキシャル層２と、炭化珪素半導体基板１とオーミック接触し、かつ、炭化珪素とバンドギャップの異なる多結晶シリコンからなるヘテロ半導体層３０を基材とするオーミック領域４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with an N-type silicon carbide epitaxial layer 2 formed on an N-type silicon carbide semiconductor substrate 1 including silicon carbide, and an ohmic region 4 that ohmically contacts the silicon carbide semiconductor substrate 1 and is a substrate of hetero semiconductor layer 30 composing a polycrystal silicon of different bandgap with silicon carbide. - 特許庁

携帯品１などにストッパー付きのメス型２を付け又は内臓しクリップ又は、腕止めバンド４などを脱着自在に付けた、オス型３を希望箇所に固定し結合する事により、ストッパーが掛かり固定でき解除ボタンをワンプッシュする事により、解除できるため分裂し使用できる機能構造を設けた。例文帳に追加

A female form 2 with a stopper is fitted to or built in a portable article 1 or the like, and a male form 3 detachably mounted with an arm band 4 or the like is fixed and connected to a desired part to provide a functional structure separately usable because of being fixable by the stopper and releasable by one push of a release button. - 特許庁

携帯型の音再生機器本体部５又は携帯型のラジオ受信機等において使用されるスピーカに関し、ヘッドバンド３等により頭６の左側骨伝導スピーカ部１及び右側骨伝導スピーカ部２を取付け、左側骨伝導スピーカ部１と右側骨伝導スピーカ部２により頭骨に音波振動を与えて使用者に音を感知するようにする。例文帳に追加

In a loudspeaker, used in a portable sound reproducing device body 5 or a portable radio receiver, etc., a left side bone-conduction loudspeaker section 1 and a right side bone-conduction loudspeaker section 2 are mounted on a head 6 by a head band 3, etc., sound wave oscillations are given to cranial bones by the loudspeakers 1 and 2, so that a user can perceive sounds. - 特許庁

従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃを確実に大きくすることができ、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。例文帳に追加

Differently from the conventional case where the magnitude of the refractive index or band gap is considered, the overflow of electrons from the first p-type clad layer 17 or a second p-type clad layer 19 can be suppressed certainly, because the ΔEc of the electron barrier layer 16 with respect to the active layer 14 can be enlarged certainly. - 特許庁

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。例文帳に追加

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced. - 特許庁

配管固定バンド１２の少なくとも一端にチャンネル材挟込部２６を設け、このチャンネル材挟込部２６を挿通する締付ボルト３２をＣ型チャンネル材の開口部に挿通可能とし、Ｃ型チャンネル材の内部に移動可能に配置されるとともに連れ回り防止機能を有したナット部材１４と螺合可能にする。例文帳に追加

A channel material pinching part 26 is provided at least one end of a piping fixing band 12, and a fastening bolt 32 for insertion of the pinching part 26 is arranged to be inserted in an opening of a C-form channel material and threadedly engaged with a nut 14 installed movable inside the C-form channel material and equipped with a function to prevent turning together. - 特許庁

栽培イチゴ品種に特異的に見い出されるランダム増幅多型ＤＮＡ（ＲＡＰＤ）マーカー或いは増幅断辺長多型（ＡＦＬＰ）マーカーを含む複数のプライマー対を使用するマルチプレックスＰＣＲ法を用いてイチゴ由来のゲノムDNAを核酸増幅し、得られる増幅産物のバンドパターンに基づいてイチゴ品種を識別することを特徴とする、イチゴ品種の識別方法。例文帳に追加

The method for the discrimination of strawberry species comprises the amplification of a nucleic acid genome DNA derived from strawberry by using a multiplex PCR method to use a plurality of primer pairs containing a random amplified polymorphic DNA (RAPD) marker specifically found in cultured strawberry species or an amplified fragment length polymorphism (AFLP) marker, and discriminating the species of the strawberry based on the band pattern of the obtained amplification product. - 特許庁

本発明の半導体集積回路は、ダイオードＤ１、Ｄ２を含む基準電圧発生回路であって、 前記ダイオードＤ１、Ｄ２は、第１の導電型の第１半導体層３２と第２の導電型の第２半導体層３４との接合を含んでなり、 前記第１半導体層３２および前記第２半導体層３４の少なくとも一方は、そのバンドギャップがシリコンと比して小さい。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit is a reference voltage generating circuit including diodes D1 and D2 wherein the diodes D1 and D2 include a junction of a first conductivity type first semiconductor layer 32 and a second conductivity type second semiconductor layer 34, and at least one of the first semiconductor layer 32 and the second semiconductor layer 34 has a band gap smaller than that of silicon. - 特許庁

こうすれば、ドレイン電極４６とソース電極４４との間の電圧は、主に、Ｓｉよりバンドギャップが大きいＳｉＣで形成したｐ型保護層４０とｎ型ドリフト層３０ｂとの間に印加されるので、Ｓｉから形成した領域に電圧が印加されるものより高い電圧に耐えることができる。例文帳に追加

With this configuration, since voltage between a drain electrode 46 and a source electrode 44 is applied between the n-type drift layer 30b and the p-type protective layer 40 made of SiC which- ever is larger than Si in band gap, it can withstand voltage which is higher than the voltage applied to a region made of Si. - 特許庁