「バンド型」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。例文帳に追加

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers. - 特許庁

p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。例文帳に追加

Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less. - 特許庁

固体酸化物形燃料電池スタックの局所セルまたは横縞型固体酸化物形燃料電池バンドルの局所セルスタックでの燃料枯れを防止し、それらスタック及びバンドルの効率を最大限に高め且つ安定して運転制御する方法を得る。例文帳に追加

To provide the stable operation control method preventing the fuel deficiency in a local cell in a solid oxide fuel cell stack or a local cell stack in lateral stripe type solid oxide fuel cell bundle and enhancing to a maximum the efficiency of the stack and the bundle. - 特許庁

液体危険物用オープン型ドラム缶はその開閉可能な天蓋を胴体に対し締結する締結バンド６のバンド本体３０の切れ目３２の近傍付近に天蓋の変形に伴う応力集中が発生することを防止する当接金具４０を設ける。例文帳に追加

In the open type drum can for liquid dangerous articles, a contact fitting 40, that prevents the stress concentration according to the deformation of a canopy, is provided near a cut line 32 of a band body 30 of a fastening band 6 that fastens the canopy which is openable and closable to the body. - 特許庁

時計機能を備えた腕装着型電子カメラ１０において、撮影レンズ２８を含む本体部１２は回転機構によってバンド部１４に対して回転自在に設けられ、レリーズスイッチ３０は回転しないバンド部１４に設けらている。例文帳に追加

In this wrist fitted type electronic camera 10 provided with the watch function, a main body part 12 including a photographic lens 28 is so provided that it can be rotated to a band part 14 by a rotating mechanism, and a release switch 30 is provided in the band part 14 which is not rotated. - 特許庁

枠部１０ａとバックル１４とで形成される空間にバンド芯２０ａを挿入させ、バックル１４を回転させてＰＨＳ通信端末本体１０に対して締めつけると、波型歯１４ａ，１０ｂがバンド芯２０ａに食い込ませて機械的に接続する。例文帳に追加

When a band core 20a is inserted into a space formed with a frame part 10a and a buckle 14, and the buckle 14 is rotated to be fastened to a PHS communication terminal body 10, waveform teeth 14a and 10b are made to bite into the band core 20a to allow mechanical connection. - 特許庁

複数本の光ファイバを塊状に長手方向に一体化したバンドル心線１１を収納した光ケーブル１０であって、バンドル心線１１の外周に紫外線硬化型樹脂材１３が硬化されることで一体化される。例文帳に追加

The optical cable 10 is stored with a coated optical fiber bundle 11 in which a plurality of optical fibers are integrated longitudinally in a mass, wherein the integration is achieved by curing an ultraviolet ray setting resin material 13 on the outer circumference of the coated optical fiber bundle 11. - 特許庁

単体で、かつシングルバンド対応の集中定数型非可逆回路素子と同等の大きさで、非常に離れた２つの周波数帯において同時に非可逆特性を得ることが可能なデュアルバンド対応の非可逆回路素子を提供する例文帳に追加

To provide a dual-band-capable non-reciprocal circuit device that can singly obtain irreversibility concurrently in two frequency bands significantly apart, even though the circuit element has a size equivalent to that of a single-band-capable lumped constant non-reciprocal circuit device. - 特許庁

デュアルバンドで通信機器に適合な反射損失及び定在波比を得て良好な輻射パターンが具現し得るばかりでなくアンテナのサイズを極小化して各種無線通信装備に小型で設置し得る外装形マイクロチップデュアルバンドアンテナを提供する。例文帳に追加

To provide an external mount microchip dual band antenna which can not only embody a satisfactory radiation pattern by obtaining a reflection loss and a standing wave radio suitable to communication equipment in a dual band but also is installed in various radio communication equipment in a miniaturized state by minimizing the size of an antenna. - 特許庁

腕装着型電子ゲーム装置１００は、使用者の腕に装着される帯状のバンド１０３と、この帯状のバンド１０３に形成されたゲーム装置本体用装着部１０５に着脱可能に取り付けた携帯ゲーム装置本体１０２と備えている。例文帳に追加

The wrist worm electronic game device 100 is provided with a strip-shaped band 103 worn around the wrist of the user, a portable game device body 102 attached removably to a mounting portion 105 for the game device body that is formed on the strip-shaped band 103. - 特許庁

赤外線を検出する素子の前面に組合されるフィルタ構成につき、サファイアを外側として、シリコンフィルタ、バンドパスフィルタの順にしたので、窓部の強度に優れるとともに、バンドパスフィルタを小型にしてコストを低減することができる。例文帳に追加

In this filter configuration to be assembled on the front face of the element which detects the infrared ray, the silicon filter and the band pass filter are arranged in this order with sapphire arranged outside so that the strength of the window part can be made excellent, and that the band pass filter can be made compact, and that costs can be reduced. - 特許庁

カプセル型内視鏡から送信されうる複数種類の無線信号の周波数に対応したバンドパスフィルタを設けると共に適宜バンドパスフィルタを切り替えることによって、広い範囲の周波数を取りうる無線信号に対して高感度の受信が可能である。例文帳に追加

Since the receiver has the band-pass filters corresponding to frequencies of a plurality of kinds of radio signals which may be transmitted from the capsule type endoscope and as the band-pass filters are appropriately switched, the receiver can receive radio signals which may have a wide range of frequencies with high sensitivity. - 特許庁

バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。例文帳に追加

The emission amount of a laminate-type ZnO-based single crystal scintillator 110 is significantly increased by manufacturing a laminate of a ZnO-based semiconductor with different band gaps and by making a layer with small band gap have a thickness of 5-50 μm, into which thickness ionizing radiation, such as α-rays and electron rays can enter. - 特許庁

ｎ型コンタクト層１６をＩｎＧａＮとし、そのバンドギャップエネルギを発光層２０のバンドギャップよりも十分小さくし、かつ、その膜厚も２００ｎｍ以上とすることで発光層２０から下方に射出される光を吸収し、発光スペクトルの半値幅を狭くする。例文帳に追加

The n-type contact layer 16 is an InGaN and its band gap energy is smaller enough than that of a band gap of the light emitting layer 20 and its film thickness is not less than 200 nm, so that the light emitted downward from the light emitting layer 20 is absorbed to narrow a half-power bandwidth of the emission spectrum. - 特許庁

生タイヤの成型に当って、円筒状に形成したカーカスバンド３の、ビードコア２間に位置する中央部分を半径方向外方へ膨出変形させた状態で、その膨出カーカスバンドの外周側に、未加硫ゴムのストリップ４を巻回してサイドウォール７等を形成する。例文帳に追加

In a state wherein the shape of the central portion of a cylindrically formed carcass band 3 positioned between bead cores 2 is changed to swell outward radially, on the occasion of molding a raw tire, a side wall 7 or the like is formed by winding a strip 4 of an unvulcanized rubber around on the outer peripheral side of the swelling carcass band. - 特許庁

そして、棒型電子タグ１３をタグケース１２の長溝１４に収容したのち、このタグケース１２を、収容長溝１４側からカバーケース１８の凹部１９に嵌合、固定し、バンド取付部２０にバンド１を取付けて構成する。例文帳に追加

Further, the rod type electronic tag storage case is composed by engaging and fixing the tag case 12 with the recessed part 19 of the cover case 18 from the side of the storing long groove 14 after storing the rod type electronic tag 13 into the long groove 14 of the tag case 12, and fitting straps 1 to the band fitting parts 20. - 特許庁

バンドの絞り変形部分をビードリングの周りに巻き返すに当っての、最内層に位置するインナーライナゴム素材の、バンド構成部材としての、カーカス素材、ゴムチェーファ素材等からの不測の剥離を効果的に防止できるタイヤ成型装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tire molding device that can effectively prevent an unexpected separation from a carcass material, rubber chafer material and so on, as a band structural component of an inner liner rubber material that is located at the innermost layer when winding back a squeezed deformed part of band around a bead-ring. - 特許庁

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。例文帳に追加

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6. - 特許庁

多波長フォトダイオードは、基板と、その上に配置された大きなバンドギャップを有する第1導電型の第1半導体層と、その上に配置された小さなバンドギャップを有する第1導電型の第２半導体層と、第２導電型ゾーンと前記第１半導体層とから形成される第１ダイオードエリアと、第２導電型ゾーンと前記第２半導体層とから形成される第２ダイオードエリアとを有する。例文帳に追加

The multispectral photodiode is provided with a substrate, a first conductivity first semiconductor layer which is formed thereon and has a large band gap, and a first conductivity second semiconductor layer which is formed thereon and has a small band gap, a first diode area comprises a second conductivity zone and the first semiconductor layer, and a second diode area comprises a second conductivity zone and the second semiconductor layer. - 特許庁

糖類という非常に安価な物質を密度勾配剤として用い、その密度の範囲を、１．１８〜１．２９ｇ／ｍｌとするとともに、９〜１８℃で遠心分離を行うことにより、金属型ＣＮＴの第一吸収バンドの強度と半導体型ＣＮＴの第二吸収バンドの比が０．８以上の金属型ＣＮＴ又は半導体型ＣＮＴを分離することが可能となる。例文帳に追加

Metallic CNT or semiconducting CNT, with ≥0.8 intensity ratio of the first absorption band of the metallic CNT to the second absorption band of the semiconducting CNT, can be separated by subjecting CNT to centrifugal separation at 9 to 18°C by using saccharide which is a very inexpensive substance as a density gradient agent, in a density range from 1.18 to 1.29 g/mL. - 特許庁

ｐ型ボディ領域１４の多数キャリアに対するｐ型ボディ領域１４と小バンドギャップ領域１８との間のポテンシャルバリアが低いので、ｐ型ボディ領域１４に残存する多数キャリアをｐ型ボディ領域１４内の小バンドギャップ領域１８を介して効率良くソース電極２６へ注入することができる。例文帳に追加

Since the height of the potential barrier present between the small-band-gap region 18 and the p-type body region 14 is low for the majority carriers of the p-type body region 14, the residual majority carriers in the p-type body region 14 can be injected efficiently into the source electrode 26 via the small- band gap region 18. - 特許庁

シリコンからなるＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間にシリコンよりバンドギャップの狭いゲルマニュームとシリコンの組成物からなるＰ型キャリア阻止層を形成する。例文帳に追加

Between a P type base layer 5 consisting of silicon and an N- type base layer 3, a P type carrier blocking layer consisting of a composition of germanium having a band gap narrower than that of silicon, and silicon. - 特許庁

型の凹部のアスペクト比を１０以上にしておくと、樹脂の硬化後、基板１からなる型を剥離させたとき、その剥離の際に、紫外線硬化型樹脂５の柱状部の先端が互いにくっついてバンドル構造６が形成される。例文帳に追加

Herein the aspect ratio of a recess of the mold is set to 10 or more. - 特許庁

分布定数型のバランを用いることなく平衡信号の伝送を可能にし、かつ小型で伝送特性の優れた集中定数型バンドパスフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a limped-constant bandpass filter which can transport a balanced signal, without having to use a distributed-constant balun, is compact and has improved transmission characteristics. - 特許庁

コイル部１と、Ｅ型コア３及びＩ型コア４を絶縁するために、本発明では、図２に示す従来例のコイルバンド５に代わり、一体型絶縁部材２を設ける。例文帳に追加

An integrated insulating member 2 is provided for insulating the coil part 1 from the E-shaped core 3 and the I-shaped core 4 instead of a coil band. - 特許庁

棒型電子タグを収容するのに好適なものであり、しかも簡単な加工によりコイン型の電子タグ収容用のケースとしても転換できるバンド付き棒型電子タグ収容ケースを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a rod type electronic tag storage case with a strap, which is suitable for storing a rod type electronic tag and convertible to a coin type electronic tag storage case by a simple working. - 特許庁

発光層２がＳＱＷ構造の場合には、ｐ型側の障壁層を組成傾斜させ、バンドギャップがｐ型側からｎ型側に向かって低くなっていくように形成する。例文帳に追加

The light-emitting element comprises a light-emitting layer 2 having SQW structure, which is formed so that the barrier layer of the p-type side is inclined in it composition, and the band gap is lowered going from the p-type side toward the n-type side. - 特許庁

ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。例文帳に追加

A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function. - 特許庁

本発明は、通信線を固定するスライド式安全離隔確保装柱工法であって、電柱に取り付けられたバンドを介して上下にスライド可能な縦型支持アームを下方にスライドさせて充電部分との安全離隔を確保した状態で通信線を固定する工程と、縦型支持アームを上方の保安用添架ポイントへスライドさせて縦型支持アームをバンドに固定する工程とから成る。例文帳に追加

The sliding safety separation assembling method for fixing communication wires comprises a step for fixing the communication wires while securing safety separation from a live part by sliding a vertical supporting arm slidable up and down through a band fixed to a pole downward, and a step for fixing the vertical supporting arm to the band by sliding the vertical supporting arm to an upper fixing point for security. - 特許庁

バンドル型レーザービームを集めてシングル型レーザービームに切り換える時に、レーザービームのエネルギー密度を均一にするレーザーシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a laser system which equalizes the energy density of a laser beam, when collecting a bundle type laser beam and switching to a single-type laser beam. - 特許庁

バッファ層は、その電子密度が、Ｐ型ＡｌＧａＮ層１８にホール密度より低く、かつそのバンドギャップエネルギがＮ型発光層よりも広くなっている。例文帳に追加

The buffer layer has its electron density higher than the hole density of the P type AlGaN layer 18 and wider band gap energy than the N type light emission layer. - 特許庁

ＩＣボイスレコーダー全体を小型にして、ケース５に入れて、そのケース５にバンド３、１０を連結したことを特徴とする腕時計型ＩＣボイスレコーダー。例文帳に追加

This wristwatch type IC voice recorder is constituted by downsizing the entire part of the IC voice recorder, putting the IC voice recorder into a case 5 and connecting straps 3 and 10 to this case 5. - 特許庁

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。例文帳に追加

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier. - 特許庁

ラティス型光回路において、得られた透過スペクトルにおける特定の消光比若しくは損失レベルにおけるバンド幅を最大化する手順によりラティス型光回路の各アームの位相調整を最適化する。例文帳に追加

The phase adjustment in each arm of a lattice type optical circuit is optimized by the procedure of maximizing the band width in the extinction ratio or in the loss level in the obtained transmission spectrum of the lattice type optical circuit. - 特許庁

電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。例文帳に追加

A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type. - 特許庁

ウエットモータポンプにおいて、ステータの外径が異なっても設計上簡単な構造で小型化に対応でき、冷却能力を確保する液流路を設けることができるバンド型ハウジングを提供することにある。例文帳に追加

To provide a band-shaped housing that can accommodate miniaturization via a simply designed structure even with a different outside diameter of a stator and can define a liquid passage for ensuring a cooling capacity, in a wet motor pump. - 特許庁

ｎ−型光半導体の存在下、該ｎ−型光半導体のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギー以上の波長の光を照射して分子中に水酸基を含有する有機ケイ素化合物を縮合させる。例文帳に追加

An organosilicon compound containing hydroxyl group(s) in the molecule is condensed in the presence of an n-type photo-semiconductor by irradiating light of a wavelength having above an energy corresponding to the band gap energy of the photo-semiconductor. - 特許庁

ケース本体３を構成する外壁３２ａには、ロック受け部５２と結束バンド取付部４５とがフレーム本体３０を成型する一対の金型の開き方向に沿って並ぶ位置に設けられている。例文帳に追加

On an outer wall 32a making up the case body 3, a rock receiving portion 52 and a fastening band fitting portion 45 are arranged in a row along the direction of opening of a pair of metal molds with which the frame body 30 is molded. - 特許庁

利用周波数の広帯域化、マルチバンド化に対応でき、かつ、小型化した場合でも所望の周波数帯において、減衰量を得ることができる積層型ノイズフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a laminated noise filter that can cope with broadbanding and multi-banding of utilized frequencies and obtain an attenuation at a desired frequency band even when the filter is downsized. - 特許庁

該２つの高周波電源として、パルス変調型電源及びそれぞれに中心周波数の異なるバンドパスフイルターを有する２周波数型電源を用いることを特徴とする。例文帳に追加

A pulse modulation type power source and a two frequency type power source having band pass filters different in central frequency are used as the two high frequency power sources. - 特許庁

ピーク負荷への対応など電力を需要に応じて供給できる横縞型二次電池、当該横縞型二次電池と固体酸化物形燃料電池バンドルを備える発電ユニットを得る。例文帳に追加

To provide a horizontal-stripe secondary battery capable of supplying power in accordance with demand such as response to a peak load, and a power generating unit equipped with the horizontal-stripe secondary battery and a solid oxide fuel battery bundle. - 特許庁

また、ｐ型クラッド層７及びｎ型クラッド層９は活性層８よりもバンドギャップエネルギーＥｇが大きな組成式Ｍｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）からなる化合物半導体で形成されている。例文帳に追加

The p-type clad layer 7 and the n-type clad layer 9 are formed from a compound semiconductor of a composition equation Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) whose band gap energy Eg is larger than the active layer 8. - 特許庁

これらのダイオードの特徴は、光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有する少なくとも一つのｐ型又はｎ型にドーピングされた伝導層を含むことにある。例文帳に追加

The diodes comprise at least one p-doped or n-doped transport layer having a larger optical band gap than that of a photoactive layer. - 特許庁

小型、薄型化可能なＥＢＧ構造にて、所望の周波数帯域のバンドギャップ特性を容易に制御することができるＥＢＧ構造及び基板を提供する。例文帳に追加

To provide an EBG structure and a substrate, which can control the band gap characteristics of a desired frequency band easily with an EBG structure which can be made compact and thin. - 特許庁

第３領域１３３は、第２導電型の第４領域１３３ａと、第４領域１３３ａよりもバンドギャップが狭い第２導電型の第５領域１３３ｂとを含み、第１方向に積層される。例文帳に追加

The third region 133 includes a fourth region 133a of a second conductive type and a fifth region 133b of a second conductive type whose bandgap is narrower than that of the fourth region 133a and is laminated in the first direction. - 特許庁