「パターン形成現象」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そのようにしてリフティング現象の発生を抑制し、より微細なパターンを形成し、高集積化と微細化された半導体素子とする。例文帳に追加

By doing this, a lifting phenomenon is suppressed to form a finer pattern, and thus, the semiconductor element having high integration and microfabrication is formed. - 特許庁

片面フレキシブルプリント基板に、アンダーカット現象を生じさせずにファインパターンの配線を形成する。例文帳に追加

To enable a wiring of a fine pattern to be formed on a single-sided printed board without producing an undercut phenomenon. - 特許庁

異方性反射現象を起こす微細条溝を形成するための微細条溝パターン生成方法において、切削などの機械加工により微細条溝の形成が可能となるような微細条溝パターン生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fine row groove pattern generating method in which a fine row groove pattern can be formed by machining such as cutting, and which is used for forming a fine row groove which causes an anisotropy reflective phenomenon. - 特許庁

パターン反射投影物品１は、背面側に厚肉のパターン２ａ，２ｂが形成されていると共に、表面側の上記パターンに対応する部分に凹状の歪パターン４ａ，４ｂが形成されており、かつ、少なくとも上記歪パターンの表面が回折現象を呈する微細な凹凸状に形成されている。例文帳に追加

The pattern reflection projection article 1 is formed with a thick pattern 2a, 2b in the back side and a recessed distortion pattern 4a, 4b in the front side in a portion corresponding to the above pattern, and has a fine rugged surface in the distortion pattern to induce a diffraction phenomenon. - 特許庁

例えば、接触ロール系の振動により発生するパターン形成現象に対する現場の根本的な対策方法はなく、このパターン形成現象が発生した場合、製品に致命的なダメージを与たり、ライン速度の上限を設定せざるを得ない状況に陥る。例文帳に追加

To provide a variable rigidity type dynamic vibration absorbing device, capable of solving the problem of a pattern formation phenomenon if any generated due to vibration of a contact roll system, for example, to which there is no fundamental measure of prevention at site, giving fatal damage to the product, or causing a situation of setting an upper limit of line speed. - 特許庁

マイグレーション現象の発生を抑制し、導通不良の発生を防止する可能な導体パターン形成用インク、信頼性に優れた導体パターンおよび配線基板を提供すること。例文帳に追加

To provide conductor pattern-forming ink which suppresses the occurrence of a migration phenomenon, and can prevent the occurrence of defective continuity, and to provide a conductor pattern and a wiring board excellent in reliability. - 特許庁

ＣＭＰプロセスによって生じるディッシングおよびエロージョン現象を抑制するためのダミーパターンを最適密度かつ最適配置で形成するダミーパターン設計方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for designing a dummy pattern for preventing dishing and errosion phenomena due to the CMP process in an optimum density and arrangement. - 特許庁

型の一方の面に形成されている微細パターンが被成型品に転写されない現象が発生することを防止できる微細パターン転写用型を提供する。例文帳に追加

To provide a mold for transferring a minute pattern, which can prevent the generation of such a phenomenon that a minute pattern to be formed on one surface of the mold is not transferred to an article to be molded. - 特許庁

交番位相反転マスクで発生するΔＣＤ現象やＣＤ逆転現象を防止し、解像度およびフォーカスマージンが向上したパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a pattern which can prevent delta CD(critical dimension) or CD reversal phenomenon generated in an alternating phase inversion mask and improve the resolution and focus margin. - 特許庁

隔壁パターン１０９の４隅のコーナー部１５０を円弧状とし、隔壁パターン１０９形成後の焼成において、隔壁パターン１０９のコーナー部１５０において隔壁材料の熱収縮による跳ね上がり現象を無くす。例文帳に追加

By forming four corner parts 150 of a barrier rib pattern 109 into an arc-like shape, a jump-up phenomenon due to thermal contraction of a barrier rib material at each corner part 150 of the rib pattern 109 is eliminated in the baking process after forming the rib pattern 109. - 特許庁

機械的に凹凸構造を形成することなく、揮発性溶媒の揮発による微細な対流パターン形成現象を応用して粘着塗膜表面に微細凹凸構造を形成させて美麗装飾用の密着性のフィルムを得る。例文帳に追加

The adhesive film for beautiful decoration is obtained by applying the fine convection pattern forming phenomenon by volatilization of a volatile solvent without forming the uneven structure mechanically to form the finely uneven structure on a surface of an adhesive coated film. - 特許庁

本発明によれば、電極パターン層を形成するステップがいわゆるＷｅｔ−ｏｎ−Ｄｒｙ方式となるが、電極パターン層を形成する時点では、２液重合により既にグリーンシートが硬化していることから、シートアタック現象が生じることはない。例文帳に追加

In this case, although the step for forming the electrode pattern layer becomes a so-called Wet-on-Dry system, the green sheet has already been cured by two-pack polymerization when the electrode pattern layer is formed, thus preventing the sheet attack phenomenon from occurring. - 特許庁

微細パターンを擁するフォトマスクにおいて、レジスト膜および遮光膜の薄膜化が可能であり、パターン形成プロセスにおいて生じるマイクロローディング現象や微細パターンの倒壊を回避して、微細かつ高精度なパターンが得られるフォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a photo mask having a minute pattern capable of thinning a resist film and a shielding film, avoiding a micro loading phenomenon generated in a pattern forming process or the collapse of a minute pattern, and obtaining a minute and accurate pattern; a photo mask blank; and a photo mask manufacturing method. - 特許庁

ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニング現象を抑制しトレンチ開口パターンを高精度に形成する。例文帳に追加

To form a trench opening pattern with high precision by suppressing resist poisoning phenomenon, when dual-damascene interconnect lines are formed using Via first method. - 特許庁

塩基性物質を含む下地膜とその上に形成される化学増幅型レジストとの界面における酸失活現象を抑制し、塩基性物質を含む下地膜上でも精度の高いレジストパターンを形成する。例文帳に追加

To form a resist pattern with high accuracy even on an underlayer film including a basic substance by controlling an oxygen deficiency/activity phenomenon at the interface between the underlayer film including a basic substance and a chemically amplified resist formed thereon. - 特許庁

露光を通じてフォトレジストパターンを形成する過程で、フォトレジスト膜に含まれた光酸発生剤により露光部位から過度に発生した酸が非露光部位まで広がることによって、フォトレジストパターンが損傷したり、崩れたりする現象を防止できる有機反射防止膜組成物及びこれを利用したパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic anti-reflective coating composition which can prevent a phenomenon that a photoresist pattern is damaged or collapsed by an acid excessively generated from an exposed portion and diffusing up to an unexposed portion by a photoacid generating agent included in a photoresist film in a step of forming a photoresist pattern by exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition. - 特許庁

型に形成されている微細な転写パターンを、被成型品に転写する転写装置において、型が薄い場合であっても、型をバックアップする部材を設けることなく、型の中央部に設けられている微細な転写パターンが被成型品に転写されない現象が発生することを防止する。例文帳に追加

To prevent a phenomenon of no transferring of fine transfer pattern set in the central part of a mold to a molding object, without providing a backup member for the mold even with a thin mold, in a transferring device transferring a fine transfer pattern formed in the mold to the molding object. - 特許庁

ソースラインからフローティングされた第２光遮断パターンを形成し、単位ピクセルに具備される透過窓の境界領域を第２光遮断パターンと一部領域を重ね合わせることで、透過窓の上側水平辺近傍で発生される残像や光漏洩現象を除去することができる。例文帳に追加

A residual image and a light leakage phenomenon occurring in the vicinity of an upper side horizontal edge of the transmissive window are removed by forming a second light shielding pattern floated from the source line and overlapping a partial region of a boundary region of the transmissive window equipped on a unit pixel with the second light shielding pattern. - 特許庁

また、導光部の上部面にモアレ現象を防止できる配列及び形状を有するパターン２０を形成することによって、モアレ現象を防止でき、全体的な液晶表示装置の厚さ及び重さを最小化しながらも、低消費電力でも均一で高い輝度を得ることができる。例文帳に追加

Then the moire phenomenon can be prevented by forming a pattern 20 having an array and a shape capable of preventing the moire phenomenon on the upper part surface of the light guide part and the uniform and high luminance can be obtained even in low power consumption, while the thickness and the weight of the entire liquid crystal display device is minimized. - 特許庁

本発明は、リフトオフ現象の発生を低減させ、かつ制限されるパターン形成領域を少なく抑えることが可能な多層プリント配線板、回路モジュールおよび電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer printed circuit board which reduces occurrences of lift-off phenomenon and suppresses a pattern forming region from being reduced, and also to provide a circuit module and an electronic apparatus. - 特許庁

ゲートパターン形成後に行うライト酸化時に、タングステンシリサイド膜などのシリサイド膜の側面が膨出する現象を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method that prevents the phenomenon, where the sides expand in a silicide film, such as a tungsten silicide film. - 特許庁

カッティング時にめくれ現象を生じずにカットでき、カス取り時に糸曳きもなく、所望のパターンを正確に美しく、形成し得る装飾用粘着シートの提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for decoration that can be cut without causing a tearing-off phenomenon on cutting, causes no stringing at the time of removing lees and can form a desired pattern correctly and beautifully. - 特許庁

シリコン層３９と下地層３７のエッチング選択比の差により誘発されるノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）現象を利用し、下部が側面エッチングされた“Ｔ”字形態のシリコン層パターン４０にて導電配線を形成する。例文帳に追加

A conducive wiring is formed of a T-shaped silicon layer pattern 40 whose lower sides are etched by the use of a notching phenomenon caused by a difference of etching selected ratio between a silicon layer 39 and a base layer 37. - 特許庁

基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題（寸法精度劣化）を解決し、反射率の高い基板，透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a minute and highly accurate pattern even on a highly reflective substrate or a substrate with a transparent film, by solving a problem (deterioration in dimensional accuracy) caused by halation of reflected light from the substrate. - 特許庁

ブラックマトリクス用組成物を用いて形成されたブラックマトリクスパターンは、インクのにじみ現象を最小化して液晶表示装置のカラー特性をより向上させることができる。例文帳に追加

The black matrix pattern formed of the black matrix composition minimizes ink bleed, and improves color characteristics of a liquid crystal display device. - 特許庁

チャージアップ現象を回避し、かつレジスト膜の露光後の感度変化を抑えることにより、設計通りの寸法を有する微細なパターン形成が可能なレジスト帯電防止膜積層体を提供する。例文帳に追加

To provide a resist antistatic film laminate, in which a charge-up phenomenon is avoided and changes in the sensitivity of a resist film after exposure are suppressed, and thereby, a fine pattern having dimensions as designed can be formed. - 特許庁

グリーンシートの表面に電極パターン層を形成する際に、いわゆるシートアタック現象が発生せず、ショート不良率の少ない積層型電子部品の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of laminated type electronic components, where a so-called sheet attack phenomenon does not occur when forming an electrode pattern layer on the surface of a green sheet and the short-circuiting fraction defective is small. - 特許庁

化学増幅型レジストにおける膜減り現象防止に優れた帯電防止処理剤、その帯電防止処理剤を用いた帯電防止膜、被覆物品及びパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an antistatic agent which is excellent to prevent a chemical amplification resist from wearing in the film, and an antistatic film, a coated product and a pattern forming method using the antistatic agent. - 特許庁

インクのにじみ現象を最小化することができるブラックマトリクス用組成物、これを用いたブラックマトリクスパターンの形成方法及びブラックマトリクスを提供する。例文帳に追加

To provide a black matrix composition to minimize ink bleed, and to provide a method for forming a black matrix pattern and a black matrix using the composition. - 特許庁

従って、電子部品１７の実装時のはんだ付けにおいて、ランド部２５のメッキが剥がれるリフトオフ現象の発生を低減させ、かつ制限されるパターン形成領域を少なく抑えることができる。例文帳に追加

Accordingly, at the time of soldering in mounting the electronic part 17, occurrences of lift-off phenomenon, i.e. separation of plating, is reduced at the land 25, and the pattern forming region is suppressed from being reduced. - 特許庁

直線偏光で照射された光が磁化した物体で反射したときその偏光状態が変わって反射される現象である磁気光学効果を利用して、磁性トナーで形成された検出パターンの位置を検出する。例文帳に追加

The position of the detection pattern formed with magnetic toner is detected through the use of magneto-optical effect as a phenomenon that, when linearly-polarized light is emitted and reflected by a magnetized object, the light is reflected while changing the polarization state thereof. - 特許庁

微細な流路内に毛管現象により流体を流入させ、少くとも１種の流体構成成分を流路内に固定化することで微細構造パターンを形成する方法であって、次の工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

By this method, a fine structure pattern is formed by making fluid flow into a fine flow passage by a capillary phenomenon and fixing at least one kind of fluid component in a flow passage. - 特許庁

微細な対流パターン形成現象を利用して得られる微細凹凸構造を有することで、防汚性能に優れながら、密着性に優れ、かつ外観が透明〜半透明で、意匠性に優れた新規な密着性フィルムを提供すること。例文帳に追加

To provide a novel adhesive film which shows excellent adhesion, has transparent or translucent appearance and has excellent design while keeping an anti-fouling property by making finely uneven structure using a fine convection pattern forming phenomenon. - 特許庁

これによって、溝パターン１４の開口幅を部分的に狭くした状態で導電層１５の化学的機械研磨を行い、ディッシング現象を防止した埋め込み配線１６の形成が行われる。例文帳に追加

Accordingly, the conductive layer 15 is chemically and mechanically ground under the condition that the aperture width of groove pattern 14 is partially narrowed to form an embedded wiring 16 in which the dishing phenomenon. - 特許庁

ビアホールの内部回路の中断現象なしで微細な回路パターンを形成することができるプリント基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a printed board capable of forming a fine circuit pattern without interruption of an internal circuit of a via hole, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

そして、テストパターンの形成の際に非対象領域に付着した現像剤像の濃度を濃度検出センサ７１によって検知し、ゴースト発生レベルと、テストパターンにおける非対象領域の現像剤像の濃度レベルとに基づいてゴースト現象が発生しない転写バイアスレベルを推測し、その推測に応じた画像形成用の転写バイアスレベルを設定する。例文帳に追加

Next, the density of the developer image attached to the non subject region in formation of the test pattern is detected, the ghost occurrence level and a transfer bias level in which no ghost phenomenon occurs based on the density level of the developer in the non subject region of the test pattern are estimated and the transfer bias level for image formation according to the estimate is set. - 特許庁

基板表面に成膜する過程で当該基板を加熱することでマイグレーション現象により複数の成膜粒子を移動集合させて薄膜単位を形成し、これら複数の薄膜単位により基板表面に高アスペクト比凹凸形状の薄膜パターンを形成する。例文帳に追加

The method comprises moving and gathering a plurality of film-forming particles through a migration phenomenon by heating a substrate to form thin film units in a process of forming a film on a substrate surface, and forming a thin film of a concavo-convex pattern with a high aspect ratio on the substrate surface from the plurality of thin film units. - 特許庁

成膜源２から放出された成膜物質がマスク７の開口７Ｕを通過したのち拡散する現象を利用して、マスク７に設けられた開口７Ｕの開口幅Ｗｍ１よりも大きな形成幅Ｗｐ１を有する発光膜パターン２０を形成することが可能になる。例文帳に追加

A light emission film pattern 20 having a forming width Wp1 larger than the aperture width Wm1 of an aperture 7U made in the mask 7 by making use of the phenomenon that a film deposition substance emitted from the film deposition source 2 passes through the aperture 7U in the mask 7, and then, diffuses. - 特許庁

有機ＥＬ表示素子などの絶縁膜の形成に用いた場合、形成される絶縁膜パターン上面の端縁部が丸みを帯びると共に、有機ＥＬ表示素子の劣化現象であるシュリンク（ダークエリア）の発生を抑制し得る絶縁膜を与える感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition giving an insulating film, from which an insulating film pattern whose top edges are roundish is formed and which can suppress occurrence of shrinkage (dark areas) which is a deterioration phenomenon of an organic EL display element, when the composition is used for forming an insulating film of an organic EL display element or the like. - 特許庁

レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測するレジストパターン形状のシミュレーション装置、シミュレーション方法および記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for simulating the shape of a resist pattern and a recording medium in which the shape of a resist pattern being formed on an wafer is predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure. - 特許庁

本発明は、フォトレジスト膜がエッチングされていくスパイク現象を無くし、下地膜に対して十分なドライエッチング耐性を有し、かつ、微細なレジストパターンを再現性良く形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a fine pattern having sufficient dry etching durability for a base film can be formed with high reproducibility while preventing spike phenomenon as etching in a photoresist film. - 特許庁

この結果、レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測することができる。例文帳に追加

According to the method, the shape of a resist pattern being formed on an wafer can be predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure. - 特許庁

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。例文帳に追加

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts. - 特許庁

転写板の構造を変更して印刷された配向膜パターンの中央部とエッジ部の膜厚さの顕著な差を起こすマージナル現象を抑制して基板全面に均一な厚さの配向膜を形成することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of forming an alignment film of a uniform thickness over the entire surface of a substrate by suppressing the marginal phenomenon which gives rise to a significant difference in the film thicknesses between the central part and edges of the alignment film patterns printed by changing the structure of a transfer plate. - 特許庁

記録アシスト範囲を記録パターン（記録データ列）に応じて制御することによって、記録磁化の必要な品質を確保しつつ、前歴磁化や記録電流周波数変化による磁化転移位置シフト現象に応じて所望位置に磁化転移点を形成することができる。例文帳に追加

By controlling the recording assist ranges in accordance with the recording patterns (recorded data string), the magnetization reversal point is formed at a predetermined position in accordance with the magnetization reversal position shift phenomenon due to previous magnetization or change in recording current frequency while ensuring the necessary quality in the recording magnetization. - 特許庁