「フォトリソグラフィー」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

露光、現像、エッチングなどフォトリソグラフィーの工程を経ることなく、容易に電気回路にスルーホールを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a through hole easily in an electrical circuit without photolithography steps such as exposure, development, etching, etc. - 特許庁

この保持体１０は、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂の加熱硬化又は半導体絶縁膜の加熱焼成に用いられる。例文帳に追加

The holder 10 is used for hot curing of the resin for photolithography at a coater developer as well as for hot baking of a semiconductor insulating film. - 特許庁

さらに、ブラストマスクの形成工程でフォトリソグラフィー法を用いないので、工程を著しく簡略化できる。例文帳に追加

The process is significantly simplified since a photo lithography method is not used in the forming process of the blast mask. - 特許庁

このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。例文帳に追加

With such a configuration, the number of photo masks used in the photolithography technique can be made five. - 特許庁

パターンマスクを形成するために投入されるウェーハの表面上にパーチクルが存在するか否かを検査し、そのパーチクルの存在有無に従いそのウェーハの過程を決定するフォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and a method for photolithography process, in which whether particles exist or not on the surface of a wafer charged to form a mask pattern is detected, and the process of the wafer is determined in accordance with the presence or non-presence of the particles. - 特許庁

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程によりソルダーレジスト層の開口を形成するために、ＣＡＤデータに反映されたソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’を、フォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ_０に、ＣＡＭデータとして変換する。例文帳に追加

In order to form an opening of a solder resist layer by a photolithography process employing photosensitive resin, the inside diameter D' of the opening of the solder resist layer reflected on CAD data is converted, as CAM data, into the outside diameter D_0 of a mask pattern for the opening of an exposure mask for photolithography. - 特許庁

シリコンなどの基板２の表面にフォトリソグラフィー等により所定の回折格子を形成し第２の反射面６とした後、透明膜３を平坦に形成し再度フォトリソグラフィー等の技術を用いて所定の回折格子を形成することにより第１の反射面５とする。例文帳に追加

A specified diffraction grating is formed on the surface of a substrate 2 such as silicon by photolithography or the like to form a second reflection face 6, on which a transparent film 3 is formed flat and formed into a specified diffraction grating by using again a photolithographic process or the like to form a first reflection face 5. - 特許庁

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程によりソルダーレジスト層の開口を形成するために、ＣＡＤデータに反映されたソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’を、フォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ_０に、ＣＡＭデータとして変換する。例文帳に追加

The each opening inside diameter D' of the solder resist layer reflected on the CAD data is converted as the CAM data into a mask pattern D_0 for the openings of the exposure mask for the photolithography to form the openings of a solder resist layer by a photolithographic process using a photosensitive resin. - 特許庁

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径Ｄ_Ｖを、該ビアホール内径Ｄ_Ｖより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ_Ｐに、ＣＡＭデータとして変換する。例文帳に追加

The inner diameter D_v of a via hole in a dielectric layer considered for the CAD data is converted into the outer diameter D_p of a via hole pattern in a photolithographic exposure mask as the CAM data, namely the outer diameter D_p smaller than the inner diameter Dv of the via hole. - 特許庁

フォトリソグラフィー用の露光装置は、ストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。例文帳に追加

The aligner for photolithography includes the optical system having at least one lens made of the fluorite containing strontium and the stage for holding the substrate being exposed. - 特許庁

フォトリソグラフィー用の露光装置は、前記ストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。例文帳に追加

The exposure apparatus for photolithography has the optical system having the lens made of the fluorite containing strontium and the stage for holding the substrate to be exposed. - 特許庁

フォトリソグラフィー法やディスペンサー法を用いずに迅速に製造することができるＤＮＡマイクロアレイとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a DNA microarray which can be manufactured quickly without using a photolithographic method and a dispenser method, and to provide a method of manufacturing the DNA microarray. - 特許庁

集積回路製造でのフォトリソグラフィーにおいて使用され、マスクリツーリングなしに半導体ウエハ上に２重露光操作を行なうことができる、デュアルフォトマスクを提供すること。例文帳に追加

To provide a dual photomask used in photolithography in the case of producing an integrated circuit and capable of performing double exposure operation on a semiconductor wafer without mask tooling. - 特許庁

半導体加工のフォトリソグラフィー工程に使用するフォトレジスト用フォトポリマーを製造する上で、有用な中間体となるシクロペンテノン化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a cyclopentenone compound which is an important intermediate for the production of polymers used for photoresists in photolithography process for processing of semiconductors. - 特許庁

従来のフォトリソグラフィーを用いた技術では製造することが困難であった微細な薄膜パターンを高いスループットで形成できるようにする。例文帳に追加

To form fine thin-film patterns which are heretofore difficult to be manufactured by the technique using the conventional photolithography with high throughput. - 特許庁

本発明のフォトリソグラフィー用の露光装置は、前記蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。例文帳に追加

The exposure apparatus for photolithography has the optical system having the lens made of the fluorite and a stage for holding a substrate to be exposed. - 特許庁

エキシマレーザー光を光源とするフォトリソグラフィーに用いるレジスト材料のベース樹脂として好適な重合体を与える単量体を提供する。例文帳に追加

To provide a monomer which gives a polymer suitable as a base resin of a resist material used in photolithography using excimer laser light as a light source. - 特許庁

フォトリソグラフィー分野におけるフォトレジスト用樹脂の改質剤やドライエッチング耐性向上剤、農医薬中間体、その他各種工業製品として有用な新規なアダマンタン誘導体を提供する。例文帳に追加

To provide a new adamantane derivative that is useful as a modifier for photoresist resins in the field of the photolithography, a dry etching resistance improver, an agrochemical and/or pharmaceutical intermediate and other industrial products. - 特許庁

フォトマスク１の表面に、表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂層３を設けたフォトリソグラフィー用フォトマスク１によって、上記課題を解決する。例文帳に追加

The photomask 1 for photolithography is prepared by forming a fluorocarbon resin layer 3 which decreases the surface energy on the surface of a photomask 1. - 特許庁

本装置はさらに波長選択光学フィルター、空間光学フィルター、集光器、近接走査光学顕微鏡装置，およびフォトリソグラフィーマスクをも備える。例文帳に追加

The apparatus is further equipped with a wavelength selective optical filter, spatial optical filter, condenser, proximity scanning optical microscope apparatus, and a mask for photolithography. - 特許庁

次世代のフォトリソグラフィーに対応したフォトレジストとして使用し得る新規な構造のカリックスアレーン系誘導体及びそれを含有する組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a calixarene-based derivative of new structure usable as a photoresist compatible with next generation photolithography, and to provide a composition containing the same. - 特許庁

ウェハＷのフォトリソグラフィー工程において，現像液に溶解性を有する反射防止膜Ｂを形成し，その後レジスト膜Ｒを形成する。例文帳に追加

In the photolithographic processes of a wafer W, an antireflection film B having solubility to a developer is formed and then a resist film R is formed. - 特許庁

ＣｄＴｅからなる平面状の単一半導体基板３上に、複数のＸ線検出画素４を１列に配置したものをフォトリソグラフィーにより製造し、Ｘ線検出器モジュール１とする。例文帳に追加

Several X-ray detecting pixels are arranged in a line on a flat single semiconductor substrate 3 made of CdTe to manufacture an X-ray detector module 1 by photolithography. - 特許庁

ウェハのフォトリソグラフィー工程において、レジスト膜の下層に形成された反射防止膜を、レジスト膜に影響を与えないように除去する。例文帳に追加

To remove an antireflection film formed on an underlayer of a resist film so as not to influence the resist film, in a photolithography step of a wafer. - 特許庁

フォトレジストパターンの残膜率を調節することによって、不均一なドーピング領域を形成できるドーピング角を確保するフォトリソグラフィー工程を提供できる。例文帳に追加

By adjusting the remaining film percentage of the photoresist pattern, a photolithography process can be provided which can secure the doping angle which enables the formation of an uneven doping region. - 特許庁

本発明は、フォトリソグラフィー法を適用した場合に、ばらつきの少ない、三次元形状の再現性に優れた感光性ネガ型樹脂組成物を提供することを目的の一つとする。例文帳に追加

To provide a photosensitive negative resin composition causing little variation and good at reproducibility of a three-dimensional shape in applying photolithography. - 特許庁

また、本発明のフォトリソグラフィー用フォトマスクの製造方法は、フォトマスク１の表面に表面エネルギーを小さくさせるフッ素系樹脂３をコーティングすることによって、上記課題を解決する。例文帳に追加

The photomask for photolithography is manufactured by applying the fluorocarbon resin 3 which reduces the surface energy on the surface of the photomask 1. - 特許庁

銅、鉄、ニッケルからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む無機粉体を含有する無機粉体含有樹脂組成物を用い、フォトリソグラフィー法によりブラックマトリクスと電極とを同時に形成する。例文帳に追加

By the use of the inorganic powder-containing resin composition containing inorganic powder that contains at least 1 type of metal selected from the group consisting of copper, iron, and nickel, black matrices and electrodes are simultaneously formed by a photolithography method. - 特許庁

フォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせて振動子の外形を成形し、振動型ジャイロスコープ用の振動子を製造するのに際して、製造した振動子ごとの検出離調のバラツキを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent the dispersion of detection detuning of each manufactured oscillator, when manufacturing the oscillator for oscillation type gyroscope by molding the external shape of the oscillator by combining a photolithographic method with an etching method. - 特許庁

垂直転送部４上に形成された転送電極６をタングステン膜９で埋め込みを行い、汎用のフォトリソグラフィー技術を用いてタングステン膜上にレジストパターンを形成する。例文帳に追加

A transfer electrode 6 formed on a vertical transfer 4 is embedded by a tungsten film 9, and then a resist pattern is formed on the tungsten film using general-purpose photolithography technology. - 特許庁

次に、シリコン層６の上にたとえばシリコンの酸化物による第２の無機膜８を形成し、フォトレジスト層１０を用いたフォトリソグラフィーによりパターン化する。例文帳に追加

Next, a second inorganic film 8 of, e.g. silicon oxide is formed on the silicon layer 6 and is patterned by photolithgraphy using a photoresist layer 10. - 特許庁

フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれる回路のデータが記録された回路データ１を準備し、これに基づいたレイアウトデータ２を準備する。例文帳に追加

A circuit data 1 where data of a circuit to be fabricated on a semiconductor substrate by photolithography is prepared, and a layout data 2 according to the circuit data is prepared. - 特許庁

ウェハＷのフォトリソグラフィー工程において、現像液に溶解性を有する反射防止膜Ｂを形成し、その後レジスト膜Ｒを形成する。例文帳に追加

In a photolithography step of a wafer W, an antireflection film B having solubility in a developer solution is formed, and thereafter a resist film R is formed. - 特許庁

マスキングテープを必要とせず、フォトリソグラフィー法を利用した電極の製造方法よりも効率よく金属メッキ材料を製造することができる金属メッキ材料の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a metal plating material capable of manufacturing the metal plating material more effectively than a method for manufacturing electrodes using a photolithography method without needing a masking tape. - 特許庁

半導体基板１上をレジストマスクＲＭで覆った後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングを用いて、ポリシリコンゲート１２の上面全体を露出させる開口部ＯＰを形成する。例文帳に追加

After a semiconductor substrate 1 is covered with a resist mask RM, an opening part OP for exposing the entire upper surface of a polysilicon gate 12 is formed using photolithography and dry-etching. - 特許庁

焼付工程で繰り返し使用した場合であっても、フォトマスク表面に異物やソルダーレジストが付着しないフォトリソグラフィー用フォトマスクおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photomask for photolithography and a method for manufacturing the photomask which prevents deposition of foreign matter or a solder resist on the photomask surface even when the mask is repeatedly used for a baking process. - 特許庁

フォトリソグラフィー技術による微細なマスクパターンを利用して、表面がＡｇ膜６で覆われたＳｎはんだ部５を、半導体１および基板の電極パッド３Ａ上に供給する。例文帳に追加

Utilizing a fine mask pattern by the photolithography technology, Sn solder 5 covered with an Ag film 6 is fed onto a semiconductor 1 and an electrode pad 3A of a board. - 特許庁

製造工程数の低減により生産性の向上を図り、またフォトリソグラフィーの回数を少なくして発光効率を高めることが可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor which can be improved in productivity by reducing manufacturing processes in number and raised in luminous efficiency by decreasing photolithography processes in number. - 特許庁

本発明は、液浸フォトリソグラフィーにおいて、フォトレジスト膜を保護すべくフォトレジスト膜の上に保護膜を形成するためのレジスト保護膜材料及びこれらの材料を用いたパターン形成方法に関する。例文帳に追加

To provide a resist protective film material for forming a protective film on a photoresist film to protect the photoresist film in liquid immersion photolithography, and a patterning method using the material. - 特許庁

真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、露光限界を越えての微細なパターン描画を簡単に行う方法の確立が課題である。例文帳に追加

To provide a method for easily forming microscopic patterns exceeding the limit of exposure in the patterning technique utilizing the photolithography method in the vacuum deep ultraviolet ray region. - 特許庁

フォトイメージング可能なポリマー（２０）およびフォトリソグラフィーを用いて、規定したオリフィスのパターンを有するプラスチックのオリフィス板（２８）を形成する。例文帳に追加

The plastic orifice plate (28) having a specific pattern of orifices is formed with the use of a photoimageable polymer (20) and photolithography. - 特許庁

そして、チップ全体のレイアウトデータまで組み上げた後、このレイアウトデータ（Ａ）を製造のためのフォトリソグラフィー用のマスクに転写する前に、チップ全体で左右反転し、反転マスクデータ（Ｅ）を新たに作成する。例文帳に追加

Then, after the layout data of the whole chip is made, the layout data (A) is mirror-reversed in the whole chip before being transcribed to a mask for photolithography for manufacture and reverse mask data (E) is formed anew. - 特許庁

第１配線パターン上に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、ポリイミド絶縁層２３を形成し、このポリイミド絶縁層２３上にフォトリソグラフィーにて図１（ｃ）に示すようにコンタクトホール２４を形成する。例文帳に追加

A photosensitive polyimide precursor is applied on a first wiring pattern, thereby forming a polyimide insulating layer 23, and then a contact hole 24 is formed on the polyimide insulating layer 23 in a photolithography process, as shown in Fig.1(c). - 特許庁

本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機ＥＬ層のパターニングを行う際に、有機ＥＬ層およびフォトレジスト層の間に導電保護層を設けることにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

When carrying out the patterning of the organic EL layer by using the photolithography method, by installing a conductive protection layer between the organic EL layer and a photoresist layer, objectives are achieved. - 特許庁

デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can simplify a photolithography process and an etching process in a dual damascene method. - 特許庁