1016万例文収録!

「マスクする」に関連した英語例文の一覧と使い方(410ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > マスクするに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

マスクするの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20473



例文

遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、マスク被覆率依存性が小さく、塗布後の経時安定性(PCD)、露光後の経時安定性(PED)が大きいポジ型レジスト組成物、更に加えてプロセスマージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する例文帳に追加

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, to specifically provide a positive resist composition having small mask coverage dependence, high post-coating delay stability (PCD) and high post-exposure delay stability (PED), and to further provide a positive resist composition excellent also in process margin. - 特許庁

そして、基板の生産工程では、スクリーン印刷装置2においてハンダ印刷時の基板とマスクシートとの相対位置データを取得して第1実装装置3に送信し、第1実装装置3では前記搭載座標データをさらにこの相対位置データに基づいて補正することにより最終的な部品の搭載座標を演算し、この搭載座標に従って実装用のヘッドを駆動制御することにより基板に部品を実装する例文帳に追加

In the stage of producing the substrate, the screen printer 2 acquires relative position data between the substrate and mask sheet in solder printing and transmits it to the first mounting device 3, which computes final mounting coordinates of the components by further correcting the mounting coordinate data on the basis of the relative position data, and controls driving of a mounting head according to the mounting coordinates to mount the component on the substrate. - 特許庁

(3) 本法の適用上,「組物」とは,通常一緒に販売され又は一緒に使用される同じ一般的性格を有する複数の物品であって,同じ意匠,又は当該物品の性格を変更する程度には至らない若しくは同一性に実質的な影響を及ぼさない程度の修正若しくは変化を施した同じ意匠が各個別の物品に応用されているものをいう。ただし,連続マスクワークは,組物ではない。例文帳に追加

(3) For the purposes of this Act, a "set of articles" means a number of articles of the same general character which are ordinarily on sale together or intended to be used together, and in respect of which the same design, or the same design with modifications or variations not sufficient to alter the character of the articles or substantially affect the identity thereof, is applied to each separate article: Provided that a series of mask works shall not be a set of articles. - 特許庁

透明基板34上に遮光部31、透光部32、及び半透光部33が形成されたグレートーンマスク30であって、前記遮光部31に隣接して挟まれた半透光部33を有し、該半透光部33は、半透光膜36が形成された半透光膜形成部33aと、前記半透光部33が隣接する遮光部31との境界に設けられた、透明基板34が露出している透光スリット部33b、33cとを有する例文帳に追加

The semi-transmitting part 33 includes semi-transmitting film formation part 33a where a semi-transmitting film 36 is formed and light-transmitting slits 33b, 33c where the transparent substrate 34 is exposed, the slits being formed in the boundary of the semi-transmitting part 33 with the adjoining light transmitting part 31. - 特許庁

例文

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜17を順次ドライエッチングすることで、下部電極11a,11b上に容量絶縁膜としての絶縁膜8を介して多結晶シリコン膜17からなる上部電極21a,21bを形成してキャパシタ36a,36bを形成する例文帳に追加

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask. - 特許庁


例文

映像取り込み装置22は、ハウジング24と、ハウジング24内に設けられてレーザービームを発射するレーザー光源40と、ハウジング24内に設けられてレーザービームを発散させる第一レンズ44と、第一レンズ44により発散したレーザービームを遮蔽してレーザービューファインダーを形成するフレームマスク46と、ハウジング24に設けられてレーザービューファインダー内にある映像を取り込むカメラレンズ26とを含む。例文帳に追加

The image capturing apparatus 22 includes a housing 24, a laser source 40 provided inside the housing 24 for emitting a laser beam, a first lens 44 provided inside the housing 24 for diverging the laser beam, a framing mask 46 for masking the laser beam diverged by the first lens 44 to form the laser viewfinder and a camera lens 26 provided in the housing 24 for capturing an image in the laser viewfinder. - 特許庁

洗浄液として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等の“アルキレングリコールアルキルエーテル及び/又はそのエステル誘導体”を主成分とし、水及び水溶性不揮発性の添加剤を実質的に含有しない洗浄剤を使用して、有機EL素子材料が付着したメタルマスクを洗浄した後に、必要に応じてイソプロピルアルコール等の前記洗浄剤を溶解する有機溶媒からなるリンス液を用いてリンスを行い、更に乾燥する例文帳に追加

The metal mask to which the organic EL element material adheres is cleaned using a cleaning solution of a cleaning agent consisting essentially of "alkylene glycol alkyl ether and/or its ester derivatives" such as dipropylene glycol monomethyl ether and not substantially containing water and a water-soluble nonvolatile additive, rinsed using a rinse agent consisting of an organic solvent dissolving the cleaning agent such as isopropyl alcohol, if necessary, then dried. - 特許庁

BSデジタル放送の階層関係にあるトランスポートストリーム形式のデジタルデータの切り換え情報を伝送多重制御情報あるいはFSKなどのデジタル変調波により送出し、高階層の劣化に対して当該パケットをマスクして送出することにより、受信側で階層化の切り換えタイミングを知ることができ、また、劣化パケットが除去された階層化トランスポートストリーム形式のデジタルデータを選択することができる。例文帳に追加

A receiving side can recognize switching timing of hierarchization and also select digital data of a hierarchized transport stream format in which a deteriorated packet is eliminated by transmitting the switching information of the digital data of a transport stream format having hierarchical relationship of the BS digital broadcasting by transmission multiple control information or digital modulated wave such as an FSK and transmitting a packet with the packet masked against deterioration of a high hierarchy. - 特許庁

ホトレジストパターン(マスクパターン)を有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、さらにデバイスの汚染の原因となり得るパーティクルの発生を防止した、微細パターンの形成方法を提供する例文帳に追加

To provide a method of forming a fine pattern to form the pattern by covering, with a cover forming agent, a substrate including a photoresist pattern (mask pattern) in which pattern size can be well controlled, a fine pattern satisfying the excellent profile and requested chararacteristic for a semiconductor device can be obtained and moreover generation of particles which can result in contamination of device can be prevented. - 特許庁

例文

シリコン基板1上に形成されたポリシリコン膜13及びWS膜15を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜13及びWS膜15からなるゲート配線10を形成する方法であって、ポリシリコン膜13及びWS膜15の上方にBARC膜21を形成し、このBARC膜21上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン32を形成し、このレジストパターン32をマスクにBARC膜21をCHF_3ガスとCF_4ガスとO_2ガスとからなる第1混合ガスでドライエッチングする例文帳に追加

The wiring forming method is the one wherein a formed polysilicon film 13 and a formed WS film 15 on a silicon substrate 1 are so patterned into a wiring shape as to form a gate wiring 10 comprising the polysilicon film 13 and the WS film 15. - 特許庁

例文

炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してUVに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する例文帳に追加

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing double bond-containing functional groups participating in radical polymerization into surfaces of carbon nanotubes, dispersing the carbon nanotubes with a photo-initiator in an organic solvent, applying the dispersion liquid on a substrate to form a coating, exposing the coating to UV rays through a photomask to induce radical polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part, and removing an unexposed part with a developer solution. - 特許庁

複数のコンポーネントから構成される入力画像データを圧縮符号化する画像符号化方法において、前記入力画像データに、画像の合成に用いるマスク情報を画素毎に記録されたアルファチャンネルを新たなコンポーネントとして追加し、前記複数のコンポーネントと前記新たなコンポーネントとを含む画像データを、その解像度を階層化して符号化処理し、一体化した画像ファイルを生成する例文帳に追加

The image coding method of compressing and coding input image data, composed of a plurality of components comprises a step of adding an alpha channel having mask information recorded per pixel for forming a composite image to the input image data as a new component, coding image data, containing a plurality of components and the new component after converting the resolutions thereof in an hierarchical form, thereby forming an integrated image file. - 特許庁

ガラス基板101の上に、例えば膜厚30μm程度の非晶質フッ素樹脂層102が形成された状態とし、次に、非晶質フッ素樹脂層102の上に下層に貫通する溝部103aを備えたレジストパターン103が形成された状態とし、レジストパターン103をマスクとして非晶質フッ素樹脂層102を選択的にエッチングし、非晶質フッ素樹脂層102に溝102aが形成された状態とする例文帳に追加

An amorphous fluoro resin layer 102 with a thickness, for example, about 30 μm is formed on a glass substrate 101; a resist pattern 103 having groove parts 103a penetrating the layer thereunder is formed on the amorphous fluoro resin layer 102; and the amorphous fluoro resin layer 102 is selectively etched using the resist pattern 103 as a mask to form grooves 102a in the amorphous fluoro resin layer 102. - 特許庁

岩手、宮城、福島の3労働局が、本格化しているがれき処理作業における労働災害を防止するための集中パトロールを実施(平成23年7月6日~7月8日、8月24日~8月26日)また、がれき処理作業を請け負う地元の建設事業者を対象として、①安全衛生教育の実施の徹底、②熱中症予防対策の徹底、③防じんマスクの着用の徹底等を内容とする集団指導を実施岩手県:宮古市(平成23年7月14日)、釜石市(平成23年7月15日)、陸前高田市(平成23年7月15日)宮城県:気仙沼市(平成23年7月15日)例文帳に追加

3 Labour Bureaus of Iwate, Miyagi, and Fukushima Prefectures carried out intensive patrols to prevent work-related injuries during the work of the clearing of rubbles that had been going into full-scale operation. (From July 6 to 8; from August 24 to 26, 2011) In addition, group guidance is planned to be given to local construction companies contracted to work on the clearing of rubbles, regarding the: 1) full implementation of education on safety and health; 2) full enforcement of prevention measures against heat stroke; and 3) full implementation of wearing of anti-dusk masks. - 厚生労働省

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜12から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層12上にパターニングして形成されたレジスト膜28を、前記オーバーコート層12から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にCOF_2またはF_2のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する例文帳に追加

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12. - 特許庁

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする例文帳に追加

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process. - 特許庁

WANに適用されるネットワークトラフィック監視システムであり、TA2−DSU3間のT点にて分岐ケーブルを接続し、インターネットトラフィックのモニタを行うトラフィックモニタ装置5と、トラフィックモニタ装置5に対し、集計処理の開始/停止などの制御、集計単位を定めるサブネットマスクの設定、及び、集計結果としてトラフィックモニタ装置5よりトラフィック情報をSNMPで取得する監視装置6より構成される。例文帳に追加

It is a network traffic monitor system applied to WAN, and comprises a traffic monitor 5 connecting a branch cable at point T between TA 2 and DSU 3 and monitoring Internet traffic, and a monitor 6 controlling an initiation/stop of an accumulating process, setting a subnet mask defining an accumulation unit, and acquiring traffic information from the traffic monitor 5 by SNMP from the traffic monitor 5. - 特許庁

基板1上に感光性樹脂組成物層3を積層し(工程1)、パターンマスクを介して露光(工程2)、現像(工程3)を行ってレジスト画像を形成(工程4)した後、該形成されたレジスト画像の凹部に低融点ガラスペースト等のパターン形成材料を埋め込み(工程5)、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラスト加工により除去(工程6)した後、焼成炉を通して焼結することにより基板上にパターンが形成される(工程7)。例文帳に追加

A photosensitive resin composition layer 3 is laminated on a substrate 1 (step 1), exposed through a patterned mask 4 (step 2) and developed (step 3) to form a resist image (step 4). - 特許庁

対象を撮影した時系列画像中の参照画像と注目画像との間に高精度なレジストレーションを行う画像レジストレーション方法であって、参照画像上の所定の領域を注目領域に設定し、レジストレーションを行う際に、設定された注目領域内で、平面射影変換によって正確にレジストレーションできる領域を表すマスク画像の画素に基づき、モーションパラメータを推定する例文帳に追加

The image registration method for performing accurate registration between a reference image and an attentive image in a time-series image of an object comprises setting a predetermined area on the reference image an attention area; and estimating, at the time of registration, a motion parameter based on the pixel of a mask image showing an area accurately registrable by planar projection conversion within the set attention area. - 特許庁

ホログラフィックROMシステムは、ホログラフィックに求められるレーザー光を発生させる光源と、レーザー光を拡大させるビーム拡大器と、拡大されたレーザー光の一部を変調させてホログラフィック媒体に投影される信号光を生成し、拡大されたレーザー光の残り部分を通過させて参照光を生成し、ホログラフィック媒体に向くように参照光を反射させる円錐ミラーに参照光を提供するマスクとを備えている。例文帳に追加

The holographic ROM system is provided with a light source for generating a laser light necessary for holography, a beamexpander for expanding the laser light, and a mask which modulates part of the expanded laser light to produce a signal light projected on a holographic medium, passes the remainder of the expanded laser light to produce a reference light, and provides the reference light to a conical mirror which reflects the reference light toward the holographic medium. - 特許庁

原子力事業者による防災対応の実施原子炉設置者は、事業所内に、特定事象の通報を行う上で必要となる放射線測定設備を設置、維持しているほか、汚染防護服、呼吸用ボンベや防護マスクなどの放射線障害防護用器具、携帯電話やファクシミリなどの非常用通信機器、建物の外部に放出される放射性物質を測定するための固定式測定器や線量計、可搬式測定器などの計測器、その他の原子力防災資機材を備え付けている。例文帳に追加

Emergency preparedness and response activities by licenseesLicensees equip and maintain radiation measuring equipment on nuclear sites that is necessary in reporting of a Specific Event, and also prepare radiation protection equipment such as an anticontaminant suit, a respiratory oxygen tank, and a protective mask, emergency communication equipment such as a cell phone and a facsimile machine, measuring equipment such as a fixed measuring instrument or dose meter and a portable measuring instrument for measuring radioactive materials released outside a building, and other materials and equipment for nuclear disaster response. - 経済産業省

本方法は、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、フォトレジストを現像して、フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの膜厚が互いに異なる複数の領域を通して半導体基板に不純物イオンを注入して、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、ピーク位置までの深さは、注入される不純物イオンが通るレジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする例文帳に追加

The depth to the peak position depends on the film thickness of the resist pattern through which the impurity ions to be implanted pass. - 特許庁

例文

縁部に沿ってフレームにより支持されて、複数のパターン化した開口部を具備して上記開口部を通じて蒸着源から赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の組合わせよりなる複数の画素を有する有機発光膜を透明基板に蒸着させるものであって、上記開口部は上記透明基板側幅が上記蒸着源側幅より大きく形成されており、上記透明基板側開口部の幅をWs1、上記蒸着源側開口部の幅をWs2、上記有機発光膜の互いに隣接する画素間の距離をPp、上記蒸着される有機発光膜のうち一画素の発光膜幅をWelとする時、上記Ws1はWs1=Pp=Welの式を満足する少なくとも2つの単位マスクを具備する例文帳に追加

This mask is provided with at least two unit masks supported by a frame along the edge part and provided with a plurality of patterned opening parts, and a plurality of pixels constructed of a combination of red R, green G, and blue B are deposited on a transparent board from a deposition source via the opening parts. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright Ministry of Economy, Trade and Industry. All Rights Reserved.
  
Copyright © Ministry of Health, Labour and Welfare, All Right reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS