「マスクする」に関連した英語例文の一覧と使い方(409ページ目) - Weblio英語例文検索

クロックの第１及び第２のエッジに同期したデータ入出力回路と、セルアレイにコラムゲートを介し接続した第１及び第２のデータバス線と、当該データ入出力回路にシリアルに入力する第１及び第２のライトデータを入出力するシリアルパラレル変換回路から出力する当該ライトデータに従い、当該データバス線を駆動する第１及び第２のライトアンプとを有し該ダブルデータレート対応のメモリデバイスにおいて、ライトアンプ制御回路は、ライトコマンドによる書込み時ライトアンプを活性化し、書き込み状態でもデータマスク信号に応答して第１及び・または第２のライトアンプを非活性化する。例文帳に追加

An input buffer 20 fetches a data mask signal DQM in synchronization with the clock CLK0° or CLK180° to generate the internal mask signal MSK0 or MASK1. - 特許庁

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method. - 特許庁

半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、所定のマスクを用いて、積層された半導体層をパターニングする工程と、少なくとも１種以上の半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、エアギャップが埋め込まれるように、伝熱特性の良好な物質を蒸着する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises processes for: alternately laminating multiple semiconductor layers with different etching rates; patternizing the laminated semiconductor layers through the dedicated masks; selecting and etching at least one kind of semiconductor layer to form an air gap and forming a mesa structure made up of residual semiconductor layers; and evaporating the materials with good thermal conductivity to pad the air gap. - 特許庁

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen. - 特許庁

加工対象物１の表面の凹凸を平坦化し後工程における表面への加工を容易にする製造方法であって、表面に感光性樹脂２を塗布する塗布工程と、塗布された感光性樹脂の表面形状に対応するグレースケールマスク３を用いて感光性樹脂を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂を現像し硬化していない感光性樹脂（斜線部分）を除去する現像工程とを含む。例文帳に追加

The production process for facilitating machining on the surface in following process by planarizing protrusions and recesses on the surface of a workpiece 1 comprises a step for coating the surface with photosensitive resin 2, a step for exposing the photosensitive resin using a gray scale mask 3 corresponding to the surface profile of the photosensitive resin coating, and a step for developing exposed photosensitive resin and removing uncured photosensitive resin (shaded portion). - 特許庁

インクをドット噴射する複数のノズルが設けられた印刷ヘッドを備え、該印刷ヘッドを用紙搬送方向と直交する方向へ走査させながらインクをドット噴射させることで印刷を行っていく印刷装置（１）において、上記印刷ヘッドに設けられた複数のノズルのうちドット噴射をしない不良ノズルを登録する不良ノズル登録手段（１１２）と、登録された不良ノズルにおけるドット噴射動作を禁止する不良ノズルマスク手段（１９）とを備えて構成する。例文帳に追加

The printer (1) printing on a sheet by ejecting ink dots while moving a print head having a plurality of nozzles for ejecting ink dots in a direction orthogonal to the carrying direction of sheet comprises means (112) for registering defective nozzles ejecting no ink dot among the plurality of nozzles in the print head, and a defective nozzle masking means (19) for prohibiting dot ejecting operation of registered defective nozzles. - 特許庁

食刻対象層１２の上部にフォトレジストパターン１４を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン１４の側壁に食刻対象層１２の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask. - 特許庁

光源１と、マスク５に描かれたパターンを光源光で照明する照明光学系６と、照明されたパターンを基板１３に投影する投影光学系１１を有する露光装置であって、光源１から基板１３までの全体または一部を外気から遮蔽する容器７、１４、１７と、容器に接続された不活性ガスの供給ラインおよび排出ラインと、容器上若しくは容器と圧力的に等価な位置および／または供給若しくは排出ライン上若しくは供給若しくは排出ラインと圧力的に等価な位置に圧力調整手段２１〜２３を具備する。例文帳に追加

This aligner has a light source 1, an illumination optical system 6 for illuminating a pattern drawn on a mask 5 by a light source light, and a projection optical system 11 for projecting the illuminated pattern to a substrate 13. - 特許庁

位相シフトマスクの製造において、非回路位相シフトアライメント領域を形成するとき、前記非回路位相シフトアライメント領域を形成するために材料をエッチングする前で、基板上にフォトレジストがあるときに、前記基板上に受け入れられる前記フォトレジストに形成されるパターンのアライメントを決定するために、少なくとも一部空間イメージ測定装置を用いて、アライメント精度を測定する。例文帳に追加

In the step of forming a non-circuitry phase shift alignment region is formed in the manufacture of a phase shift mask, alignment accuracy is measured at least partially by using an aerial image measurement equipment so as to determine the alignment of patterns to be formed in a photoresist applied a substrate before the material is etched to form the non-circuitry phase shift alignment region and while the photoresist is present on the substrate. - 特許庁

さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。例文帳に追加

Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described. - 特許庁

発泡剤を加えることなく、成形後の容積変化を伴うことなく、微細連続多孔質成形体に形成できるようにしたシリコーンゴム多孔質成形体を提供すると共に、人体皮膚に近似した表面性、感触性、軽量性、柔軟性、弾力性、保形性、強度性等を賦与し、製作容易かつ成形性に優れ、マネキン、人形、医療教習用ダミー、交通事故実験用ダミーなどのほか、人工乳房（パッドを含む）、その他人体皮膚に近似する形成物やマスク、包帯、カバー等の医療用部品、フィルターなどの製作に適合するシリコーンゴム多孔質成形体を提供する。例文帳に追加

To provide a porous molded product of a silicone rubber, capable of being utilized as an artificial mamma, another skin-analogous molded product, the other medical part for the human body, such as a mask, a bandage, and a cover, and a filter or the like. - 特許庁

遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し，開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、１００ｎｍより小さい幅を有する少なくとも２本以上の平行な第１のスリット開口列と、１００ｎｍより小さい幅を有し、かつ、該第１のスリット開口列間を結び、第１のスリット開口列に垂直な第２のスリット開口とからなることを特徴とする。例文帳に追加

In the near field light mask having a light shielding film and an opening made therein and exposing an object with near field light generated from the opening, the opening consists of at least two first parallel rows of slit openings having a width smaller than 100nm, and second slit openings perpendicular to the first rows of slit openings and connecting between the first rows of slit openings. - 特許庁

例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。例文帳に追加

For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques. - 特許庁

従来のマスクシールを貼った例えばはがきにおいては、情報隠蔽の機能は充分であるが、宛先人名や差出人名の情報に関しては考慮されず、郵便箱から住居人の氏名や通信関係者名の情報を容易に得ることができていた、また郵政事業の民営化は更にこれらの情報の漏洩を加速することが苦慮される、本発明は郵便物の宛先人名や差出人名の情報を守る郵便物貼着用の情報隠蔽シートと熱を照射する加温器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an information hiding sheet for sticking on a mail matter for protecting information of a mailing address name and a sender's name of the mailing matter, and a heater for irradiating heat. - 特許庁

本発明はプリント配線基板の高信頼性を達成する為に、活性エネルギー線に対する感光性に優れ、希アルカリ水溶液による現像にてパターン形成できると共に、後硬化（ポストベーク）にて熱硬化して得られる硬化膜が十分な膜強度を有し高絶縁性で密着性、メッキ耐性に優れるだけでなく、特に高温高湿下にて安定した電気特性を示すソルダーマスクインキを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a solder mask ink excellent in photosensitivity to active energy rays, able to form patterns by developing with a dilute aqueous alkali solution, not only highly insulative and excellent in tight adhesiveness and plating resistance with having sufficient film strength of cured films prepared by heat curing in the postbake treatment, but expressing stable electric characteristics, especially under high temperature and moisture. - 特許庁

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an LDD region is formed in a self-alignment manner by injecting an impurity element into a semiconductor layer through the region with the smaller thickness of the gate electrode. - 特許庁

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask. - 特許庁

製版システムは、少なくとも表面が親水性、インク吸収性の透明プラスチックフィルムの表面に所定の画像を紫外線吸収性インクを用いて描画するためのインクジェット描画手段１、描画された前記透明プラスチックフィルムをフォトマスクとして感光体５に紫外線を露光する露光手段６、および露光された前記感光体を現像して印刷版とする現像手段７を具備する。例文帳に追加

The plate making system includes: an ink jet drawing device 1 for drawing a predetermined image with an ultraviolet absorbing ink on a surface of a transparent plastic film, wherein the surface has at least hydrophilicity and ink absorbency; an exposure device 6 for exposing a photoreceptor 5 with ultraviolet radiation through the drawn transparent plastic film as a photomask; and a developing device 7 for developing the exposed photoreceptor to make a printing plate. - 特許庁

素子内にトレンチ構造を有する半導体装置の製造方法において、素子内に第１のトレンチを形成した後に、フォトリソグラフィ工程を有する場合、マスク合わせのため、半導体基板にアライメントマークを第２のトレンチにより形成し、この第２のトレンチ内に埋め込み膜を形成したとき、この第２のトレンチ内にボイドが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the voids in a second trench can be suppressed when an embedded film is formed in the second trench after an alignment mark is formed for positioning on a semiconductor substrate by using the second trench, in the case where a photolithographic step is performed after a first trench is formed in an element at the time of manufacturing a semiconductor device having a trench structure in the element. - 特許庁

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate. - 特許庁

この方法は、これらのクリティカルな幅のセグメントに整列し、かつこれらクリティカルな幅のセグメントの少なくとも一部の端部を越えて延長する本質的に平行な交互位相シフト領域を生成することと、集積回路レイアウトおよび交互位相シフト領域をバウンダリで取り囲むことと、交互位相シフト領域をこのバウンダリのエッジまで延長することと、その後、これらの交互位相シフト領域に基づいて交互位相シフト・マスクを生成することとを含む。例文帳に追加

The method includes the steps of: creating essentially parallel alternating phase shift regions aligned with the critical width segments and extending beyond ends of at least some of the critical width segments; enclosing the integrated circuit layout and the alternating phase shift regions with a boundary; extending the alternating phase shift regions to an edge of the boundary; and creating the alternating phase shift/mask based on the alternating phase shift regions. - 特許庁

第１の柱状スペーサーと、この第１の柱状スペーサーよりも厚さの薄い第２の柱状スペーサーを形成するための露光方法であって、フォトマスクの開口率を変更したり、光透過率の低減処理を施すことなく、膜厚及び線幅の均一性に優れた第２の柱状スペーサーを形成することを可能とする露光方法、露光装置、及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure method for forming a first columnar spacer and a second columnar spacer thinner than the first columnar spacer, the method for forming the second columnar spacer with excellent uniformity of film thickness and line width without changing an aperture ratio of a photomask or subjecting a photomask to a process of reducing the transmittance for light, and to provide an exposure device and a method for manufacturing a liquid crystal display device. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。例文帳に追加

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate. - 特許庁

光透過性の基材上に、ｉ）重合可能な不飽和結合を有するアルカリ可溶性樹脂バインダー、ii）少なくとも１個の重合可能な不飽和結合を有するモノマー、iii）４０５ｎｍ以上の波長領域に感光性を有する光重合開始系、及びiv）重合可能な分散剤で表面処理された着色材、を含む感光性層を有し、かつ該感光性層が塗布形成されてなることを特徴とするフォトマスク材料である。例文帳に追加

The photomask material has, on a light transmitting substrate, a photosensitive layer comprising i) an alkali-soluble resin binder having polymerizable unsaturated bonds, ii) a monomer having at least one polymerizable unsaturated bond, iii) a photopolymerization initiation system having photosensitivity in a wavelength region of ≥405 nm and iv) colorant surface-treated with a polymerizable dispersant, wherein the photosensitive layer is formed by coating. - 特許庁

本発明の一態様に係るマスク検査光源１０１'は、レーザ光を発生するモードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１と、モードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１から発生するレーザ光を連続動作のグリーンレーザ光で励起させるチタンサファイア再生増幅器１１２とを備えるレーザ装置と、レーザ装置から取り出されるレーザ光の第四高調波を発生する波長変換装置とを有するものである。例文帳に追加

The mask inspection light source 101' includes: a laser device with a mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 that generates a laser beam and a titanium sapphire regenerative amplifier 112 that excites the laser beam generated from the mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 with a green laser beam in continuous operation; and a wavelength converting device that generates fourth harmonics of the laser beam extracted from the laser device. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。例文帳に追加

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening. - 特許庁

チャネル領域に短チャネル効果を抑制するためのイオン注入をおこなう際に、デプレッションＭＯＳ基準電圧回路を構成するデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方をマスクによって遮蔽してそれらに不純物イオンが注入されるのを防ぎ、それによってそれらデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方がパンチスルーストッパー層を有しない構成とする。例文帳に追加

When ions are injected into a channel area so as to suppress short-channel effects, one or both of depletion NMOS transistor 4 and an enhanced NMOS transistor 5 constituting the depletion MOS reference voltage circuit are shielded by a mask to prevent impurity ions from being injected into them, and consequently one or both of the depletion NMOS transistor 4 and enhanced NMOS transistor 5 do not have a punch-through stopper layer. - 特許庁

公序良俗に反する意匠は，登録されないものとする。 第 13A条 延長又は回復されない登録［法律 AJ077第3条による挿入］本法の他の規定に拘らず，2000年集積回路配置法の施行前に，同法にいう集積回路若しくは集積回路の一部に適用される意匠，又は同法にいう集積回路を作るのに使用されるマスクに適用される意匠が本法に基づいて登録されていた場合は，当該登録は，同法施行以後の如何なる時点においても，延長又は回復されないものとする。例文帳に追加

Industrial designs that are contrary to public order or morality shallnot be registrable. Notwithstanding any other provisions of this Act, where before the commencement of the Layout-Designs of Integrated Circuits Act 2000 an industrial design applicable to an integrated circuit or part of anintegrated circuit within the meaning of that Act or an industrial design applicable to a mask used to make such an integrated circuit was registered under this Act, that registration shall not be extended or restored at any time on or after that commencement. - 特許庁

感応基板上に転写すべきパターンを複数の小領域に分割して備えたマスクを用いて、各小領域に荷電粒子線を選択的に照射することによって当該小領域の転写像を前記感応基板上に形成する荷電粒子線露光方法において、前記複数の小領域を、少なくとも２つ以上の小領域からなる複数のグループに分け、前記複数のグループを偏向器によって選択し、前記複数のグループ内の小領域の露光を一定のシーケンスで行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。例文帳に追加

The equipment provides the method that selects the several small regions by a deflector and it exposes, in a uniform sequence, the selected small region located within the group. - 特許庁

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。例文帳に追加

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced. - 特許庁

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided. - 特許庁

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。例文帳に追加

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask. - 特許庁

ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for smoothly finishing the surface of a micro structural body at an optical level by improving a micro roughness on the surface of the micro structural body by defects of mask edge shape and a reaction in a resist when the micro structural body is finished by X-ray lithography or photo lithography including a lithography step in a LIGA process. - 特許庁

重合性液晶を含む感光性組成物を基材に塗布した後、マスクを用いて露光し、感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像し、リンスしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、基材に上に感光性組成物の残渣を発生させることがなく、最適にパターン化された位相差制御機能層を形成することができるパターン化位相差制御機能層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a patterned retardation control functional layer by applying a photosensitive composition containing a polymerizable liquid crystal on a substrate, exposing the composition through a mask, developing an uncured portion of the photosensitive composition coating layer with an organic solvent and rinsing, wherein no residue of the photosensitive composition is produced on the substrate and an optimally patterned retardation control functional layer can be formed. - 特許庁

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。例文帳に追加

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution. - 特許庁

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum. - 特許庁

領域抽出部１３０が最初のボリュームデータからセグメントデータを抽出し、各ボリュームに対するセグメントデータの位置合わせを行うための補正情報を位置合わせ部１５０が作成し、セグメントデータ変換部１４０が位置合わせ部１５０が作成した補正情報を用いて各ボリュームに対するセグメントデータの補正を行い、４Ｄ画像処理部１６０がセグメントデータ変換部１４０によって補正されたセグメントデータを用いてマスク処理を行うよう構成する。例文帳に追加

An area extraction part 130 extracts segment data from first volume data, a positioning part 150 prepares correction information for positioning the segment data to each volume, a segment data conversion part 140 corrects the segment data to each volume using the correction information prepared by the positioning part 150, and a 4D image processing part 160 performs the mask processing using the segment data corrected by the segment data conversion part 140. - 特許庁

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。例文帳に追加

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing oxirane or anhydride groups capable of taking part in cationic polymerization into the surfaces of carbon nanotubes; dispersing the surface-modified carbon nanotubes, together with a photoacid or photobase generator, in an organic solvent; coating a substrate with the resulting coating liquid; exposing to UV through a photomask; inducing cationic polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part; and removing an unexposed part with a developer. - 特許庁

水中用マスクのストラップに取り付け可能な水中用オーディオプレーヤーであって、水中用オーディオプレーヤーをストラップに取り付けるための取り付け部と、取り付け部に取り付けられ且つオーディオプレーヤー本体を内蔵した耐水圧容器と、オーディオプレーヤー本体と電気的に接続された骨伝導スピーカーと、振動防止部材とを備え、骨伝導スピーカーが振動防止部材を介して耐水圧容器に取り付けられていることを特徴とする水中用オーディオプレーヤーを提供することにより上記課題を解決する。例文帳に追加

The underwater audio player attachable to a strap of an underwater mask has an installation part for installing the underwater audio player to the strap, a water pressure resistant container which is installed at the installation part and has a built-in audio player body, a bone conduction speaker electrically connected to the audio player body and a vibration prevention member and the bone conduction speaker is installed to the water pressure resistant container via the vibration prevention member. - 特許庁

導電性膜１３が成膜されたシリコン基板上に非導電性材料をパターニングする工程と、パターニングされた非導電性材料を型として利用し電鋳法によって導電性膜上に金属部材１１を形成する工程と、前記金属部材をマスクとして利用しシリコン基板の所定の位置をウェットエッチングする工程とで製造され、内周形状が四角形であり、平面に対して約５５度の角度で傾いた側壁面からなる貫通孔と、円形の内周形状であり平面に対してほぼ垂直な側壁面からなる貫通孔とが一直線上に連通して形成される構造をなしている。例文帳に追加

In this plate, through holes having square inner peripheral shapes and sidewalls inclined from a horizontal plane by about 55° and through holes having circular inner peripheral shapes and vertical side walls are continuously formed on straight lines. - 特許庁

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。例文帳に追加

An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost. - 特許庁

基板上に少なくとも１層の磁性薄膜を設けてなる磁気記録媒体に対し、マスク手段を介してエネルギー線を照射する工程と外部磁場印加手段により外部磁場を印加する工程とにより磁化パターンを形成する方法であって、該外部磁場印加手段の磁場強度を該媒体の半径方向で異ならせる磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁化パターン形成装置、及びそれにより磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録装置。例文帳に追加

The method for forming the magnetization pattern of the magnetic recording medium which makes differ the magnetic field strength of the external magnetic field applying means in the radial direction of the medium, the device for forming the magnetization pattern, the magnetic recording medium on which the magnetization pattern is formed thereby, and the magnetic recorder using it are provided. - 特許庁