「予備熱処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

含水率45％以上のPCB汚染物を100℃以上120℃未満の温度で、含水率を15％以上30％以下の範囲となるように予備乾燥させた後、還元状態で間接加熱処理する。例文帳に追加

A PCB contaminated material having a water content of 45% or more is predried at ≥100°C and <120°C so as to adjust the water content within a range of ≥15% and ≤30%, and then subjected to indirect heating treatment in a reducing state. - 特許庁

水熱反応条件を決定するための予備試験が不要であり、且つ、水熱処理に投入される有機性汚泥の性状が変動した際にも対応することのできる燃料製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel production method and a device, requiring no preliminary test for determining hydrothermal reaction conditions and capable of dealing with the change of properties of the organic sludge added to the hydrothermal treatment. - 特許庁

塗布後、予備成形体３２を熱処理すれば、前記金属の炭化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。例文帳に追加

After the coating, the preform 32 is heat-treated, thus a layer-having Fe based alloy having a diffused layer 20 formed by the diffusion of the carbide of the metal into a base material can be obtained. - 特許庁

（５）半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でＬＭＣＳで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。例文帳に追加

(5) A reserve buffer room in which inert gas is filled, is prepared in the device for manufacturing the semiconductor element, and a member for the semiconductor element contaminated with the LMCS in the room, is heat-treated. - 特許庁

この加熱処理に先立ち、３５０〜５５０℃の加熱炉に連続的に通して予備ヒートクリーニングしたり、過酸化水素水などの酸化剤水溶液に接触させれば、より好ましい。例文帳に追加

Prior to the heat treatment, a pre-heat cleaning is more preferably carried out by continuously passing the woven fabric through a heating furnace at 350-550°C or bringing the woven fabric into contact with an aqueous solution of an oxidizing agent such as hydrogen peroxide. - 特許庁

加熱装置５は、感光材料のウェブ３に接触して予備加熱処理を行う加熱ローラ１０と、遠赤外線を照射して本加熱を行う遠赤外線ヒータ１４を有する。例文帳に追加

A heating device 5 has a heating roller 10 which comes in contact with a web 3 of a photosensitive material and preheats it and a far IR heater 14 which carries out concluding heating by irradiation with far IR. - 特許庁

平均粒子径３μｍ以下の易黒鉛化性炭素原料を５００℃〜７００℃で予備熱処理を行った後、賦活処理することで得られる平均粒子径７μｍ以下のキャパシタ電極用炭素材。例文帳に追加

The carbon material for the electric double layer capacitor electrode having an average particle size of 7 μm or less is provided by performing preliminary heat treatment of easily graphitizable carbon raw material having an average particle size of 3 μm or less at a temperature of 500°C to 700°C, then activating the carbon raw material subjected to the preliminary heat treatment. - 特許庁

前記炭素前駆体の熱処理温度は、１６００〜２２００℃程度であってもよく、前記予備黒鉛は、ａ軸方向の結晶子サイズＬａが１〜１０ｎｍ程度、ｃ軸方向の結晶子サイズＬｃが５〜３０ｎｍ程度であってもよい。例文帳に追加

Heat treatment temperature of the carbon precursor may be around 1,600 to 2,200°C, and the reserve graphite may be of a crystallite size La in an a-axis direction of around 1 to 10 nm and that Lc in the c-axis direction of around 5 to 30 nm. - 特許庁

加熱処理に先立ち、過酸化水素水などの酸化剤処理や、３５０〜６００℃の雰囲気温度の加熱炉に連続的に通して予備ヒートクリーニングを施しておくことが好ましい。例文帳に追加

The woven glass fiber is preferably subjected to treatment with an oxidizing agent such as a hydrogen peroxide solution, or a previous heat cleaning by continuously passing the woven glass fiber through a heating furnace at an atmospheric temperature of 350-600°C. - 特許庁

半導体素子の作製に供する複数の真空装置（成膜装置、エッチング装置、熱処理装置、予備室等）を有するマルチチャンバー・システムにおいて、少なくとも１つはレーザー照射装置であることを特徴とする。例文帳に追加

A multi-chamber system, having a plurality of vacuum devices (film forming apparatus, etching apparatus, heat-treatment apparatus, spare chamber, etc.), used for manufacturing a semiconductor element is characterized in that at least one of the vacuum devices is a laser beam irradiation apparatus. - 特許庁

予備室２１の内部に、室温以下に冷却されたＮ_2ガスを熱処理済のウェハＷ間に供給してウェハＷを冷却するノズル３６を設ける。例文帳に追加

Inside the preliminary chamber 21, a nozzle 36 is provided to cool the wafer W by providing an N2 gas cooled to a room temperature or below between the thermally processed wafers W. - 特許庁

ガラス基板を加熱処理した後に、ガラス基板をコールドプレートに載置して冷却する前に、コールドプレートに載置しても反りを生じない温度までガラス基板の予備冷却を行う。例文帳に追加

The precooling of the glass substrate is carried out down to a temperature at which warpage does not occur even if the glass substrate is placed on the cold plate after the glass substrate is subjected to heat treatment and before the glass substrate is placed on the cold plate for cooling. - 特許庁

さらに、アルミナ予備層１３形成後またはγ−Ａｌ_２Ｏ_３層１４形成後に８００℃以上１４００℃以下の温度範囲の酸化雰囲気中で加熱処理してアルミナ層の表面平坦性を高める。例文帳に追加

Further, the surface coplanarity of the aluminum layer is enhanced by conducting the heating treatment in oxidative atmosphere of a temperature range of from 800°C to 1400°C after the formation of the alumina preliminary layer 13 or after the formation of γ-Al_2O_3 layer 14. - 特許庁

ロットスタート信号が入力されると、１枚目の処理基板が位置決め後に加熱チャンバに運ばれ、予備加熱中のパイロット基板と交換されて、そこで加熱処理が行われる。例文帳に追加

When a lot start signal is inputted, a first treatment substrate is carried to the heating chamber after positioning, and there heat-treated instead of the pilot substrate during preliminary heating. - 特許庁

半導体素子の作製に供する複数の真空装置（成膜装置、エッチング装置、熱処理装置、予備室等）を有するマルチチャンバー・システムである。例文帳に追加

A multi-chamber system has a plurality of vacuum equipment (film forming equipment, etching equipment, heat treatment, preparatory chamber, etc.) which are used for the equipment of a semiconductor element. - 特許庁

記録制御部４０は、原稿検知回路５１から原稿がセットされたことを示す検知信号が送信されると、定着制御部４０２を制御して予備加熱処理を行う。例文帳に追加

When a detection signal indicating that a document has been set is transmitted from the document detection circuit 51, the recording control section 40 controls a fixing control section 402 to perform a preliminary heating process. - 特許庁

熱処理用加熱手段により外部から加熱される反応室の下部に半導体ウェハソータ室が設けられ、該半導体ウェハソータ室内に半導体ウェハボートが自動で上下動可能に設けられた縦型ＣＶＤ装置において、前記半導体ウェハボートの周辺に熱処理前予備加熱用加熱手段が設けられていることを特徴とする。例文帳に追加

In the periphery of the semiconductor wafer boat, a heating means is provided for preheating semiconductor wafers before heat treatment. - 特許庁

このように、ワークの種別に応じて複数種類のバスケットをグループにし、各グループ単位で歪が許容範囲を越えたとき当該グループのすべてのバスケットを不良品と認定して予備のグループと交換することで、熱処理用バスケットの取り扱いを自動化できる。例文帳に追加

By thus grouping plural sorts of baskets in accordance with sorts of workpieces, recognizing all the baskets in the group as a unit as defectives when distortion exceeds a tolerance zone, and replacing it by a spare group, handling the heat treatment baskets can be automated. - 特許庁

ガラス粉末と無機蛍光体粉末を含む混合粉末からなる予備成型体を加熱処理して粉末焼結物を得る工程、および、金型を用いて粉末焼結物をリプレス成型する工程を含む波長変換部材の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of a wavelength converting member includes a process for heating and processing a spare molded body comprising a mixed powder containing a glass powder and an inorganic fluorescent powder so as to obtain a powder sintered substance and a process for repress-molding the powder sintered substance by using a metal mold. - 特許庁

本発明のポリプロピレン成形体の製造方法は、２０℃／分の昇温速度で求められる示差熱分析の融解ピーク温度がＴｍ（℃）であるポリプロピレン予備成形体を、Ｔｍ−１５（℃）からＴｍ（℃）までの範囲の温度に昇温し、加熱して熱処理する。例文帳に追加

The method of producing polypropylene moldings comprises warming-up polypropylene preforms having a Tm(°C) melting peak temperature of the differential thermal analysis of 20°C/min heating rate, to a temperature within a range from Tm-15(°C) to Tm(°C), and heating the resultant to perform heat treatment. - 特許庁

送出し装置３に巻回された成型加工後の線材または撚線導体９は、搬送装置５上に載置されて予備加熱室６、熱処理炉２のヒーターゾーン２ａ、２ｂ、２ｃおよび徐冷室７を通過し、巻取り装置４に巻取られる。例文帳に追加

The wire or twisted wire conductor 9 after a forming process which is wound around a delivery device 3 is mounted on a transport device 5, passes through a preliminary heating chamber 6, heater zones 2a, 2b and 2c of a heat treatment furnace 2 and a slow cooling chamber 7, and is wound around a winding device 4. - 特許庁

正極側と負極側は別々に固体化させた後に張り合わせるか、または正極と負極の一方または双方を別々に予備的に固体化させた後に張り合わせ、さらに熱処理することによって製造されるリチウムポリマー二次電池の製造方法。例文帳に追加

The positive electrode side and the negative electrode side are stuck together after solidifying them separately, or one of or both of the positive electrode and/or the negative electrode are preliminarily solidified separately, and stuck together afterwards, and heat treatment is applied. - 特許庁

ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板１の加熱処理後に、段階的に下降する予備加熱３０７、３０８、３０９を前記基板１に施す。例文帳に追加

By the manufacturing method for the semiconductor device, which form a semiconductor element on a substrate by an RTA method using a lamp, the substrate 1 is subjected to preheating processes 307, 308, and 309 wherein the temperature falls in steps after the heat treatment of the substrate 1 by the RTA method. - 特許庁

ステンレス鋼の熱間圧延あるいは熱処理工程で生じた酸化スケールの除去に際し、酸洗に先立ちショットブラストやブラシ研削などの機械的予備デスケールを行わずに、効率的にスケールを除去できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for effectively removing a scale, without conducting mechanical preliminary descaling such as shot blasting or brush grinding before pickling, when removing an oxidized scale generating in a hot rolling or heat treating process of a stainless steel. - 特許庁

７０〜１３０℃の達温で予備加熱処理したコリアンダー、クミン、フェネグリーク及びターメリックの粉末を、これら以外のカレー用香辛料粉末と混合し、例えばポリエチレン等の通気性ある袋に入れ、４０〜５０℃で９０〜１００時間熟成させる。例文帳に追加

This method for producing a prepared powdery spice for a curry is to mix preliminary heat-treated powders of coriander, cumin, fennel greque and turmeric at 70-130°C temperature with other spice powders for the curry, filling in a bag having a ventilating property e.g. a polyethylene and maturing at 40-50°C for 90-100 hr. - 特許庁

その後、３００〜５００℃の温度で熱間圧延を行い、引き続き所定の条件で冷間圧延、溶体化処理、焼入れ、熱処理（予備時効処理）、復元処理を施すことで、自動車外板として適用可能な成形性および塗装焼付け硬化性に優れたアルミニウム合金板が得られる。例文帳に追加

After that, the ingot is subjected to hot rolling at 300 to 500°C, and is successively subjected to cold rolling, solution treatment, quenching, heat treatment (preaging treatment) and reversion treatment under prescribed conditions, so that the aluminum alloy sheet having excellent formability and coating/baking hardenability, and suitable as the automobile outer board can be obtained. - 特許庁

正極合剤３が嵌合される電池ケース２の内面に液状導電性塗料により導電性被膜９を形成するアルカリ乾電池１の製造方法であって、予め前記導電性塗料を予備加熱処理して塗布し、乾燥させることを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method for an alkaline dry battery 1 contains a process forming a conductive film 9 with a liquid conductive coating material on the inner surface of a battery case 2 to which a positive mix 3 is fit, and the conductive coating material is preheated, applied, then dried. - 特許庁

３重量％のステアリン酸カルシウムを含む厚さ１００ｕｍのポリバラフェニレンー１．３．４−オキサジアゾールフィルム（ＰＯＤ）を電気炉を用いて窒素ガス中１０℃／minの速度で１０００℃まで昇温し、１０００℃で１時間保ち予備熱処理をした。例文帳に追加

An inorg. or org. filler is added by about 0.2 to 20 wt.% preferably 1 to 10 wt.%, to the polymer film as the source material. - 特許庁

環境温度センサ６９をカード処理装置に取り付け、該センサ６９の測定温度に基づき、リライタブルカードＣの印字層１に対し、本消去の前に予備消去による加熱処理を施すか、本消去のみの１回とするかを選択する。例文帳に追加

An environment temp. sensor 69 is attached to a card processor and it is selected whether a heating processing by a preliminary erasion is executed before a prime erasion or only the prime erasion is executed once in the printing layer of the rewritable card C based on the measurement temp. of the sensor 69. - 特許庁

ＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板１の加熱処理前に、段階的に上昇する予備加熱３０４、３０５、３０６を前記基板１に施す。例文帳に追加

As for the manufacturing method for the semiconductor device which forms a semiconductor element on the substrate by an RTA method, preheating processes 304, 305, and 306 for heating the substrate 1 in stepwise manner are performed before the substrate 1 is heat-treated by the RTA method. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分とし、この主成分に金属酸化物を添加して有機バインダーで混合・造粒して成形体を得、この成形体を予備加熱した後に焼成して電圧非直線抵抗体を得るものにおいては、熱処理に要する時間が長くなっている。例文帳に追加

To provide an element manufacturing method that shortens a manufacturing time and more improves the element performance of a nonlinear resistor incorporated principally in an arrestor. - 特許庁

（１）セラミックス繊維、炭素繊維、セラミックスウィスカー、セラミックス粒子又は炭素粒子と（２）金属チタン粉末とで形成され、金属チタン粉末の体積率が０．５〜１５％である予備成形体に、アルミニウム又はアルミニウム合金を含浸させ、更に熱処理されてなる金属複合体。例文帳に追加

The metal matrix composite can be obtained by impregnating aluminum or aluminum alloy into a preform which is composed of (1) ceramic fibers, carbon fibers, ceramic whiskers, ceramic particles or carbon particles and (2) metal titanium powder and in which the volume fraction of the metal titanium powder is made to 0.5-15% and further carrying out heat treatment. - 特許庁

複合体シートを予備加熱し、1400〜1600℃で熱処理することを含むSiC含有シートの製造方法であって、前記複合体シートは、セルロースおよび合成繊維の少なくとも一方、炭素粉体および炭素繊維の少なくとも一方、珪藻土並びにフェノール樹脂を含有し、かつ少なくとも前記予備加熱は、複合体シートからの揮発成分雰囲気下で行う前記方法。例文帳に追加

In the method for producing an SiC-containing sheet including: preheating a composite sheet; and heat treatment at 1,400 to 1,600°C, the composite sheet comprises at least either cellulose or synthetic fiber; at least either carbon powder or carbon fiber; diatomaceous earth; and phenolic resin, and also, at least the preheating is performed in a volatile component atmosphere from the composite sheet. - 特許庁

実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。例文帳に追加

The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens. - 特許庁

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１と、キセノンフラッシュランプ２１から出射される閃光の光量に応じて対応するハロゲンランプ２２による予備加熱温度を制御する制御部５０とを備える。例文帳に追加

This heat treatment equipment is equipped with halogen lamps 22 which preheat a semiconductor wafer W, xenon flash lamps 21, which heat the semiconductor wafer W preheated by the halogen lamps 22 up to a processing temperature by irradiating the wafer W with flashes, and a control unit 50 which controls the preheating temperature by the halogen lamps 22, according to the light volume of flashes radiated from the xenon flash lamps 21. - 特許庁

エチレンを触媒の存在下に低重合して線状α−オレフィンを製造する方法において、該触媒として、ジルコニウム化合物とアルミニウム化合物との組合せからなる予備調製触媒を、９０〜１５０℃において１〜１５分間の加熱処理を施した触媒を使用する線状α−オレフィンの製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing a linear α-olefin by polymerizing ethylene in the presence of a catalyst, the method of manufacturing a linear α-olefin uses the catalyst wherein a preliminarily prepared catalyst comprising the combination of a zirconium compound and an aluminum compound as the catalyst is heat-treated at 90150°C for 1-15 min. - 特許庁

電子回路基板の製造方法は、導電材料を含むインクでインクジェットにより基板上に回路を描く工程と、該基板が熱変形する温度未満の温度で該回路を形成した基板全体を予備加熱処理する工程と、該形成された回路をフラッシュ光照射により加熱焼成する工程とを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing an electronic circuit board includes: a step for drawing a circuit on a board by jetting an ink containing a conductive material; a step for preliminary heating an entire board wherein the board is formed at a temperature lower than that of thermally deforming the board; and a step for heating and baking the formed circuit by optical irradiation using a flush lamp. - 特許庁

ワークの種別に応じて複数種類のバスケット２、２、…をグループにしてこれを複数グループ用意し、各グループ単位であらかじめ決められた熱処理回数ごとに歪を検査し、歪が許容範囲を越えたとき当該グループ１のすべてのバスケット２、２、…を不良品と認定して予備のグループと交換する。例文帳に追加

Plural sorts of baskets 2, 2,... are grouped in accordance with sorts of workpieces, plural groups of these are prepared, distortion is inspected for a predetermined number of heat treatment times for each group, and when the distortion exceeds a tolerance zone, all the baskets 2, 2,... in the group 1 are recognized as defectives to be replaced by a spare group. - 特許庁

溶融ガラスを分離して複数のガラス塊を予備成形し、前記複数のガラス塊を加熱した後所定の冷却速度によって冷却する熱処理を施すことによって前記複数のガラス塊の密度のばらつきを緩和し、次いで、前記冷却後の複数のガラス塊の表面を機械的に除去することによって、前記複数のガラス塊の重量のばらつきを緩和する。例文帳に追加

The weight variation of a plurality of the glass lumps is moderated by the mechanical ablation of their surfaces after cooling. - 特許庁

酸化物基準のモル百分率表示で本質的にＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２の含有率の合計が５０〜８０％であるＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスの予備成形体をガラス軟化点以上の温度に加熱して延伸成形し、次いで水素ガス雰囲気中、または水素ガスおよび窒素ガスの混合雰囲気中で還元熱処理する。例文帳に追加

A preform of SiO_2-TiO_2 based glass in which total content of SiO_2 and TiO_2 expressed in terms of oxide by molar percentage is 50-80% is heated to a temperature equal to or above the glass softening point, drawn and formed and next, reduced and heated in a gaseous hydrogen atmosphere or an atmosphere of a mixture of gaseous hydrogen and gaseous nitrogen. - 特許庁

電子回路基板の製造方法は、導電性材料を含むインクを用いて基板上に回路を形成する工程と、該基板が熱変形する温度未満の温度で該回路を形成した基板全体を予備加熱処理する工程と、フラッシュランプを用いた光照射により該形成された回路を加熱焼成する工程とを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing an electronic circuit board includes: a step for forming a circuit on a board by using an ink containing a conductive material; a step for preliminary heating an entire board wherein the board is formed at a temperature lower than that of thermally deforming the board; and a step for heating and baking the formed circuit by optical irradiation using a flush lamp. - 特許庁

プレッシャープレートと、摩擦材原料の予備成形体とを、熱成形により一体に固着し、熱成形後にアフターキュア処理及び塗装をするブレーキパッドの製造方法において、前記熱成形後に塗装を行い、その後にアフターキュア処理及び塗装の焼き付けのための加熱処理を行うことを特徴とするブレーキパッドの製造方法。例文帳に追加

In the brake pad manufacturing method in which a pressure plate and a preliminarily formed body of a raw friction material are integrally fixed to each other by the thermoforming, and the after-cure and painting is performed after the thermoforming, the painting is performed after the thermoforming, and the after-cure and the heating for the paint-baking are performed. - 特許庁

また、かかる炭素繊維前駆体用シリコーン油剤を、水を吸収して膨潤状態の糸条に付与した後、１５０〜２００℃の温度で熱処理して得た炭素繊維用前駆体繊維を、２００〜３００℃の酸化性雰囲気において耐炎化した後、３００〜８００℃の不活性雰囲気において予備炭化し、さらに、８００〜１８００℃の不活性雰囲気において炭化する炭素繊維の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing carbon fiber comprises applying the silicone oil solution to threads absorbing water and swelling, heat-treating at 150-200°C to obtain a precursor fiber for carbon fiber, flameproofing the precursor fiber at 200-300°C in an oxidizing atmosphere, precarbonizing at 300-800°C in an inert atmosphere and carbonizing at 800-1,000°C in an inert atmosphere. - 特許庁

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを摂氏４００度乃至摂氏６００度の温度に予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して０．１ミリセカンド乃至１０ミリセカンド程度の時間の間に閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを摂氏１０００度乃至摂氏１１００度程度の処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１とを備える。例文帳に追加

The heat treating apparatus comprises a halogen lamp 22 for preheating a semiconductor wafer W to the temperature of 400 to 600°C, and a xenon flash lamp 21 for irradiating the wafer W with a flash for a time of about 0.1 to 10 ms to raise the wafer W preheated by the lamp 22 to the treating temperature of about 1,000 to 1,100°C. - 特許庁