1016万例文収録!

「体圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(992ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 体圧に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

体圧の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49984



例文

濃色離画壁を形成する濃色組成物及び画素を形成する着色液組成物の少なくとも一方が、電保持率が80%以上である顔料を含有している。例文帳に追加

At least one of a deep color composition for forming a deep color separation picture wall and a coloring liquid composition for forming a pixel contains a pigment having80% voltage keeping rate. - 特許庁

容量を利用してフローティングディフュージョンのポテンシャルを持ち上げて残像を低減しつつ、前記容量を電源電に対して接続しなくてすむ固撮像素子を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging element that is not required to connect capacitance to a power source voltage while reducing an afterimage by increasing a potential of floating diffusion using the capacitance. - 特許庁

このアナログ/ディジタル変換器3は、半導チップ1内に形成されている集積回路の種々の個所から供給される内部電を、パッド9を介してフューズカッタ5へ供給する。例文帳に追加

The analog-to-digital converter 3 supplies inner voltages, that are generated from various parts of an integrated circuit formed in a semiconductor chip 1 to a fuse cutter 5 via a pad 9. - 特許庁

板一のADF1を閉めた場合に、ADF1側の突起23が画像読取装置2側の穴25に入ることで正確なスキャンライン位置を出せる。例文帳に追加

When the ADF 1 integrated with a pressure plate is closed, the protrusion 23 on the ADF 1 side enters the hole 25 on the image reader 2 side and an exact scan line position can be determined. - 特許庁

例文

電素子部50を構成する上部基板と上部電極とシム材層と下部基板と下部電極と、配線部60を構成する上部基板と上部配線とシム材層と下部基板と下部配線と、がそれぞれ一に形成される。例文帳に追加

An upper substrate, an upper electrode, a shim material layer, a lower substrate, and a lower electrode constituting the section 50 and the upper substrate, an upper wiring, the shim material layer and the lower electrode constituting the section 60 are integrally formed, respectively. - 特許庁


例文

気化器本2の底部の定燃料室29から絞り孔6へ突出する燃料供給管7に、ロータリ絞り弁5に支持したニードル16を嵌装する。例文帳に追加

A needle 16 supported on the rotary throttle valve 5 is fit in a fuel feeding pipe 7 protruding toward the throttle hole 6 from a constant pressure fuel chamber 29 in a bottom part of the carburetor body 2. - 特許庁

サージが印加されたときのツェナーダイオード群の動作抵抗を低減させ、かつ、ブレークダウン時のコーナー部における外周耐部の電流密度を低減させることができる半導装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can reduce the operation resistance of a Zener diode group when a surge is applied and also reduce the current density of an outer circumferential dielectric strength part of a corner part in case of a breakdown. - 特許庁

そして、この廃インク及び空気のうち、廃インクはインク吸収15に吸収され、空気は加空気としてチューブT6を介して第2のインクカートリッジ10に流入する。例文帳に追加

In terms of the waste ink and the air, the waste ink is absorbed by an ink absorber 15, and the air flows as pressurized air into a second ink cartridge 10 via a tube T6. - 特許庁

各押スイッチは、ベースプレート2に支持されたパッケージとしての2つの担フォイル11、12間に配置されたプリント配線回路を備えている。例文帳に追加

Each press switch is equipped with a printed-wiring circuit arranged between two carrier foils 11 and 12 as a package supported by the base plate 2. - 特許庁

例文

自動的に流体圧モータの1・2速状態を選択するとともに、その2速状態から、手動で1速状態へとシフトダウンすることのできるハイドロスタティックトランスミッション装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a hydrostatic transmission capable of automatically selecting the one/two speed state of a fluid pressure motor, and shifting down from the two speed state to the one speed state manually. - 特許庁

例文

レシプロ式密閉型縮機において、安価な構成で、ピストンの球座とコネクティングロッドの球部との接触応力を低減して信頼性に優れたものとすること。例文帳に追加

To provide a reciprocating hermetic compressor of inexpensive structure having excellent reliability by reducing contact stress between a ball seat of a piston and a ball element part of a connecting rod. - 特許庁

半導チップ1a〜1cの各ソース電極Sは、バネ性導電部材を介在させることによってバスバー11u〜11wの各裏面にそれぞれ接される。例文帳に追加

Each source electrode S of the semiconductor chips 1a-1c is brought into pressure contact with each back surface of the bus bars 11u-11w by intervening a spring-type conductive member. - 特許庁

その結果、非常に短期間かつ低コストで、流軸受およびこれを有するモータを設計・製造することが可能となり、外部振動に対しても高性能なディスク装置を実現することが可能になった。例文帳に追加

As a result, the fluid dynamic pressure bearing and the motor having the same can be designed and manufactured at a low cost in a very short period, and the disk device capable of developing a high performance also against the external vibration can be provided. - 特許庁

枠付き電振動板1は平板状のATカット水晶振動板からなり、水晶振動板10とその外周には所定の間隔10eを隔てて枠11が形成されている。例文帳に追加

The piezoelectric vibrating plate 1 with frame is formed of a flat-plate type AT-cut crystal vibrating plate and frame bodies 11 are formed keeping the predetermined interval 10e to the crystal vibrating plate 10 and its external circumference. - 特許庁

冷媒透過性の低いゴム状弾性を基材20aとして、その表面に耐油性に優れた樹脂層20bを設けた固定用シール20を有することを特徴とする縮機。例文帳に追加

The compressor is characterized by including the fixed seal 20 having rubber like elastic body 20a of low refrigerant permeability and provided with a resin layer 20b excellent in resistance to oil on a surface thereof. - 特許庁

セパレータ接合40の積層の際、内周縁部44は、位置決め基準辺を構成し、内周縁部42は、位置決めバー170の他側を押する押し当て辺を構成する。例文帳に追加

When the separator junction 40 is laminated, the inner periphery edge section 44 composes an alignment reference side and the inner periphery edge section 42 composes an abutting side for pressing the other side of the alignment bar 170. - 特許庁

超低硬度であるにも関らずオイル保持性に優れ、且つタック性及び縮永久歪が小さく、さらに耐溶剤性にも優れる熱可塑性エラストマー組成物及びその成形を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermoplastic elastomer composition which excels in oil retainability regardless of super-low hardness, in which tackiness nature and compression set are small, and which is further excellent in solvent resistance; and to provide a molding of the same. - 特許庁

温度200℃以上及び力10MPa以上の条件下に、2−ヒドロキシ−4−メチルチオブタンアミドを水性媒中で加水分解反応させることにより、2−ヒドロキシ−4−メチルチオブタン酸を製造する。例文帳に追加

This 2-hydroxy-4-methylthiobutanoic acid is produced by subjecting 2-hydroxy-4-methylthiobutanamide to hydrolysis reaction in an aqueous medium under a condition comprising a temperature of200°C and a pressure of10 MPa. - 特許庁

磁性粉1と結合樹脂粒子2とを有する縮成形用磁石コンパウンド3において、該結合樹脂粒子2の積平均粒径と個数平均粒径との比が1.1〜1.3以下であるものとする。例文帳に追加

In the magnet compound 3 for compression molding including magnetic powder 1 and coupling resin particles 2, a ratio of a volume average grain size of the coupling resin particles 1 and a number average grain size is 1.1 to 1.3 or less. - 特許庁

その結果、可撓壁部(40)が液タンク(31)の内側に変形して液タンク(31)の容積が縮小され、液タンク(31)内の液がノズル電極(61)の先端まで送される。例文帳に追加

As a result, the volume of the liquid tank (31) is reduced by deforming the flexible wall part (40) to its inside, and the liquid inside the liquid tank (31) is fed by pressure to the tip end of the nozzle electrode (61). - 特許庁

絞り部の上流側流体圧力を操作する際に、現時点での絞り部の孔径の配慮がなされた校正を行うことにより、絞り部そのものを交換することなく、高精度な再現性が得られること。例文帳に追加

To provide a method and device capable of attaining high precise reproducibility without changing a throttle part itself by carefully calibrating the aperture of the throttle at current instant when the upstream flow pressure is operated. - 特許庁

窒化物半導装置において、高温且つ高電下のスイッチング時においても電流コラプスによるオン抵抗の増大が生じないようにする。例文帳に追加

To prevent the occurrence of an increase in on-resistance due to current collapse when switching under high temperature and high voltage, in a nitride semiconductor device. - 特許庁

一端に開口を有する金属製有底円筒部材21の内径部24に、両端に開口を有する樹脂製中空円筒部材31を嵌装して一とし、液ピストン20を構成した。例文帳に追加

A resin hollow cylindrical member 31 having openings on both ends is integrally fitted to and installed in an inner diameter part 24 of a metallic bottomed cylindrical member 21 having an opening on one end to constitute this hydraulic piston 20. - 特許庁

半導チップのチップサイズを増大させることなく電降下限界値を満たすような配線経路を決定可能な自動設計装置を提供する。例文帳に追加

To provide an automatic design apparatus capable of deciding a wiring path to satisfy a voltage drop limit value without increasing the chip size of a semiconductor chip. - 特許庁

入口5又は出口6から流入してくる高速の液流は、弁ユニット7がコイルバネ9又は8を縮することによって緩衝され、ウォーターハンマーの発生を防止することができる。例文帳に追加

A high-speed fluid flow flowing in from an inlet 5 or an outlet 6 is buffered by compressing the coil spring 9 or 8 with the valve unit 7, to prevent water hammer from occurring. - 特許庁

本発明の窒化処理方法は、化合物層の厚さを薄くすることができ、焼結に封孔処理やプレス等の処理を施すことなく、面疲労強度に優れた焼結部材を製造することができる。例文帳に追加

According to the nitriding method of the invention, the thickness of a compound layer can be reduced, and a sintered member with a proper contact pressure fatigue strength can be manufactured without applying processing such as void-sealing or pressing to a sintered material. - 特許庁

この発明の送風機用羽根車は、翼本41の負面側に多孔質層45を設け、該多孔質層45を所定網目径のメッシュ部材46でカバーした。例文帳に追加

This impeller for a blower is formed that a porous layer 45 is formed on the negative pressure surface side of a impeller body 41 and the porous layer 45 is covered with a given mesh diameter mesh member 46. - 特許庁

物質貯蔵部材は、第1の非気状態にある物質を含むことができ、この物質は、駆動システムの作動時に選択的に蒸発して加ガスになる。例文帳に追加

The material storage member may contain a material in a first non-gaseous state that selectively vaporizes into the gas under pressure upon actuation of the drive system. - 特許庁

その結果、運転時にフラットパネル4が本に支持された状態で吸い込み開口21を開くことができ、吸い込み空気の風によって姿勢が不安定になることが防止される。例文帳に追加

Consequently, the intake opening 21 can be opened during the operation with the flat panel 4 supported to the body so as to prevent the attitude of the flat panel from getting unstable by an air pressure of intake air. - 特許庁

複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電による干渉を低減する。例文帳に追加

To provide a power conversion device having a plurality of power conversion circuits in which semiconductor modules belonging thereto are laminated, the power conversion device reducing interference of surge voltage between the power conversion circuits. - 特許庁

ダイヤフラム1aの一面側所定位置には、ピエゾ抵抗3及び拡散配線4が形成され、半導体圧力センサチップ1のピエゾ抵抗3形成面側には酸化膜5/窒化膜6が形成されている。例文帳に追加

Piezoresistance 3 and diffusion wiring 4 are formed at a preset position on one side of the diaphragm 1a, and an oxide film 5 and nitride film 6 are formed on the side of the semiconductor pressure sensor tip 1 where the piezoresistance 3 is formed. - 特許庁

振動波モータの棒状振動を構成する積層電素子の上面の複数の電極に対するフレキシブルプリント基板の導通パターンの位置合わせ精度を粗くする。例文帳に追加

To make coarse the accuracy of aligninent of the conductive patterns of a flexible printed board with a plurality of electrodes on the topside of a stacked piezoelectric element, constituting the bar-shaped oscillator of an oscillatory wave motor. - 特許庁

主通路43は、潤滑油が遠心力により加されて流れる第1通路51と、通路全に渡ってクランク軸1の回転中心線Lから離れた位置で延びる第2通路52とを含む。例文帳に追加

The main passage 43 includes a first passage 51 in which lubricating oil is pressurized by centrifugal force and flows and a second passage 52 extending over whole passage at a position separate from a rotation center L of the crank shaft 1. - 特許庁

この第2半導チップは、薄く可撓性を有し、フエイスダウンボンディングの際の押により弾性変形し、第1電極11と第2電極12の間に段差部22−1を形成する。例文帳に追加

The second semiconductor chip is thin and flexible and is pressed to elastically deform when face-down bonded to form a stepped part 22-1 between the first and second electrodes 11, 12. - 特許庁

半導製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。例文帳に追加

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process. - 特許庁

噴射ノズルによる燃焼噴射時の力脈動を低減させ、床下配管での振動や騒音の発生を防止可能とし、更にフューエルデリバリパイプ本からの外部への高周波音の放射を小さくする事を可能とする。例文帳に追加

To reduce pressure pulsation in fuel injection from an injection nozzle, to prevent generation of vibrations or noise from underfloor piping, and to reduce emission of high-frequency sound from a fuel delivery pipe main body to the outside. - 特許庁

高耐化と低オン抵抗化が実現でき、エピタキシャル成長工程の回数を低減できる半導デバイス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for realizing high breakdown voltage and low on-resistance and reducing the number of steps of epitaxial growth, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ドレイン層とドレイン電極の間の絶縁膜を絶縁破壊することによりデータを記憶させるようにした不揮発性半導記憶装置において、絶縁膜の破壊電を下げる。例文帳に追加

To lower a breakdown voltage of an insulating film, relating to a non-volatile semiconductor memory device in which data is stored by dielectric breakdown of the insulating film, between a drain layer and a drain electrode. - 特許庁

半導装置の内部回路のリーク検査において、内部回路の前段に設けられた抵抗手段のと基準電を比較することによりリークを判定する。例文帳に追加

To judge a leak by comparing the potential of a resistor means provided in the front stage of an internal circuit with the reference voltage in a leak inspection of the internal circuit of a semiconductor device. - 特許庁

また主電極4のフランジ部4cと固定リング30との間に介挿されるバネ31によって、熱補償板2、3と半導基板1とが、主電極5へ押付勢される。例文帳に追加

Also, by a spring 31 interposed between a flange portion 4c of the main electrode 4 and the fastening ring 30, the heat compensation plates 2, 3 and the semiconductor substrate 1 are biased pressingly against the main electrode 5. - 特許庁

梁部材20の表面には歪ゲージ回路34が半導プロセスによって形成されており、梁部材20(トーションバースプリング)の歪により生じる電をモニターすることができる。例文帳に追加

A strain gage circuit 34 is formed on a surface of a beam member 20 by a semiconductor process so as to monitor the voltage produced by strain of the beam member 20 (torsion bar spring). - 特許庁

そして、測定用電極コンタクト(16)とを構成し、その測定用電極コンタクト(16)を介して電を印加することができるパッドと第1の導電膜(9)とを接続する。例文帳に追加

This evaluation element (1) is also configured of an electrode contact (16) for measurement, and a pad for applying a voltage is connected through the electrode contact (16) for measurement to the first conductor film (9). - 特許庁

的には、静電場雰囲気が、100〜30000Vの直流又は交流のいずれかの電が印加されて静電場雰囲気が形成され、温度が−20〜0℃のいずれかである食品商品供給用保管庫とする。例文帳に追加

As an embodiment, the storage for food commodity supply is formed with the electrostatic field atmosphere by applying either DC or AC voltage of 100-30000 V and has a temperature of -20-0°C. - 特許庁

従来、活物質及び誘電ペーストを基材上に塗布形成したシート材を延する際、伸びが大きすぎ、充填密度が不足しがちである。例文帳に追加

To prevent a sheet material from insufficiency of filling up density when rolling the sheet material made of a base material on which, active material and dielectric paste are coated. - 特許庁

OA機器やモーター用過電流保護素子のような大きな負荷にも使用できる低抵抗、高耐電なPTCサーミスタ用として好適なチタン酸バリウム系半導磁器組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a barium titanate semiconductor ceramic composition suitably used for a PTC (positive temperature coefficient) thermistor having a low resistance and a high withstand voltage usable for a large load such as an overcurrent protection element for an OA (office automation) instrument and a motor. - 特許庁

バルブボディ14のポート36に対するアーマチャ30の位置の相違がバルブボディ14の出口から流出する流力を制御する。例文帳に追加

The position of the differential in the armature 30 with respect to the ports 36 in the valve body 14 controls the pressure of fluid exiting the outputs of the valve body 14. - 特許庁

保持筒1′に触媒担2を入するに際し、保持筒1′の一端部には、中央側から一端部側へ向かって拡径する拡径部14を予め形成しておく。例文帳に追加

When the catalyst carrier 2 is press-fitted into the holding tube 1', a diverged diameter part 14 diverging from a center side toward one end part side is formed at one end part of the holding tube 1' beforehand. - 特許庁

低電動作時にセンスアンプによりビット線対の微少電位を高速かつ正確に増幅することが可能な半導記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor memory which can arrrplify a minute potential of a pair of bit line at high speed and accurately by a sense amplifier at the time of low voltage operation. - 特許庁

検出素子(画素)のいずれかの所定値を越える多量のX線の入射で半導層のバイアス電極へのバイアス電の印加を遮断する。例文帳に追加

To cut off an application of bias voltage on a bias electrode of a semiconductor layer by incidence of a large quantity of X-rays exceeding either prescribed value of a detecting element (a pixel). - 特許庁

例文

パッド電極およびオーミック電極の剥離を抑止しながら、素子特性の劣化および素子寿命の低下を抑制し、かつ、素子の動作電の増大を抑制することが可能な半導レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element, wherein deterioration of element characteristics and deterioration of element lifetime are controlled, while restraining lifting of a pad electrode and an ohmic electrode, while the increase in the operating voltage of the element can be restrained. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS