「全絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

幅の狭い領域では、トレンチ１３内に絶縁層２が完全に埋め込まれ、幅の広い領域では、絶縁層２は、トレンチ１３内に凹状に埋め込まれている。例文帳に追加

In the narrower-width region of the trench 13, an insulating layer 2 is embedded completely an embedded and, in the broader-width region, the insulating layer 2 is embedded in a recessed state. - 特許庁

ケーブルコア並びに補強絶縁構造の絶縁設計を見直すことで、全体寸法のコンパクト化を可能とした超電導ケーブルの接続部を提供する。例文帳に追加

To provide a connecting part of a superconducting cable capable of compactification of whole dimension by reviewing an insulation design of a cable core and a reinforced insulation structure. - 特許庁

完全に金属被覆された絶縁エレメントの水平埋め込みにより金属被覆の縁部及び角部の鋭利性は重大な電界範囲の領域の半導体モジュールの絶縁特性を改善する。例文帳に追加

The blunting of the edges and corners of the metallization by level embedding of the insulating element having an entirely metalized surface improves the insulating property of the semiconductor module in the area of the critical electrical field region. - 特許庁

本発明によると、ゲート電極をリセスさせ、キャッピング絶縁膜をリセス部分に形成することによって、ゲート電極が側壁スペーサ及びキャッピング絶縁膜で完全に保護される。例文帳に追加

Thus, the gate electrode is recessed, and the capping insulating film is formed in the recessed part so that the gate electrode can be completely protected by the sidewall spacer and the capping insulating film. - 特許庁

チャック電極４１と当該チャック電極の表面に設けた絶縁層４２とで構成される静電チャック４において、絶縁層４２における試料を吸着する載置面に全面に亘って導電層４３を形成する。例文帳に追加

In the electrostatic chuck 4 consisting of a chuck electrode 41 and an insulation layer 42 provided on the surface of the relevant chuck electrode, a conductive layer 43 is formed on the entire part of the placing surface of insulation layer 42 to attract the sample. - 特許庁

さらに、半導体基板１Ｓの主面上全面には、絶縁膜４ａのパターンおよびゲート電極Ｇを覆うように絶縁膜２ａが堆積されている。例文帳に追加

Further, an insulation film 2a is deposited on the entire principal plane of the substrate 1S to cover the pattern of the insulation film 4a and a gate electrode G. - 特許庁

トンネル絶縁膜の一部となる絶縁膜９及び窒化シリコン膜１０を全面に形成した後、ホトレジスト層を用いてＭＯＳトランジスタ形成領域の窒化シリコン膜１０を選択的に除去する。例文帳に追加

After forming in the whole surface an insulating film 9 and a nitride silicon film 10 which turn into a part of the tunnel insulating film, the nitride film 10 in the MOS transistor forming region is removed selectively using a hot resist layer. - 特許庁

その後、ＣＶＤ法により、凸部裏面を含む基板裏面の全体に、炭素を含有する二酸化ケイ素からなる絶縁膜１５を形成する（絶縁膜形成工程）。例文帳に追加

An insulating film 15 of silicon dioxide containing carbon is then formed entirely on the rear surface of the substrate including the rear surface of the protrusion by CVD (step for forming an insulating film). - 特許庁

簡易な回路構成で絶縁抵抗劣化検知、リレーの故障診断、自己異常診断の全てを行う絶縁抵抗劣化検知システムを備えた建設機械を提供する。例文帳に追加

To provide a construction machine equipped with an insulation resistance deterioration detection system which performs all of insulation resistance deterioration detection, fault diagnosis of a relay, and abnormality self-diagnosis with a simple circuit configuration. - 特許庁

主体金具と絶縁碍子とが組み付けられた組立体を撮影した画像を２値化処理し、画像中心から全周走査して絶縁碍子の外周輪郭線Ａを得て、その中心位置Ｃを算出する。例文帳に追加

An image of the assembly of the main metal fitting and the insulator is digitalized and scanning is performed circularly from the center of the image to obtain the outer peripheral outline A of the insulator and to calculate its center position C. - 特許庁

トリメトキシシランを原材料としたプラズマＣＶＤ法により最終保護膜及び薄膜抵抗体保護用の絶縁膜としての絶縁膜１７を半導体基板１上全面に堆積させる（Ｃ）。例文帳に追加

An insulation film 17 being a final protection film and the insulation film for the thin film resistor protection is deposited on the entire surface of the semiconductor substrate 1 by a plasma CVD manner using a trimethoxysilane as the base material (C). - 特許庁

本発明は、突出部が形成された絶縁ケースを備えることによって、絶縁ケースの流動を防止して電池の安全性を向上させたリチウム二次電池を提供するためのものである。例文帳に追加

To provide a lithium secondary battery improved in safety of the battery by preventing flow movement of an insulating case by having the insulating case with a projection part formed. - 特許庁

絶縁膜１８上には、各柱状多層電極体同士を相互に電気的に接続する透明電極１６が、絶縁膜１８のほぼ全体にわたって設けられている。例文帳に追加

A transparent electrode 16 which electrically connects the respective multilayer structures 20 is formed on the insulating film 18 nearly over the whole insulating film 18. - 特許庁

本発明は、金属の露出した部分が極力少なくなるようにして短絡事故が起こり難いようにし、安全性を高めた絶縁ドライバーの製造方法及びその製造用金型及び絶縁ドライバーを提供する。例文帳に追加

To provide an insulated screwdriver manufacturing method, its manufacturing die and an insulated screwdriver for improving safety by minimizing metal exposed portions hardly to let short-circuit accidents happen. - 特許庁

また、絶縁膜３にはコンタクト用開口部３aを形成し、絶縁膜３上およびコンタクト用開口部３a上の全面に透明導電膜４を形成する。例文帳に追加

In addition, an opening 3a for contact is formed in the insulation film 3, and a transparent conductive film 4 is entirely formed on the insulation film 3 and opening 3a for contact. - 特許庁

絶縁層でモールドした真空バルブの可動側で、気中絶縁となる部分の対地間の耐電圧特性を向上させ、全体形状の縮小化を図る。例文帳に追加

To make the overall shape compact, by improving the breakdown voltage characteristic to ground at a part on aerial insulation, on the movable side of a vacuum valve molded with an insulation layer. - 特許庁

その後、全面に絶縁物を堆積してトレンチを埋め込んだ後、マスク層６および半導体基板の主面より上方の絶縁物を除去する。例文帳に追加

After the trenches 2a are filled by depositing an insulator over the entire surface, the insulator is removed from the surface of the mask layer and the main surface of the substrate 2. - 特許庁

絶縁基板１１上に形成されたカラーフィルタ層１２を覆うように、絶縁基板１１の片側全面に対向電極膜１４を形成する。例文帳に追加

A counter electrode film 14 is formed on the entire surface of a single side of an insulating substrate 11 so as to cover a color filter layer 12 formed on the insulating substrate 11. - 特許庁

電気絶縁性フィルムを介して２層以上の回路層を層状に積層して一体化した多層フレキシブル印刷配線板において、全ての電気絶縁性フィルムの両面に低温プラズマ処理を施す。例文帳に追加

In the multilayer flexible printed wiring board which is formed by integrally laminating two or more wiring layers via an electric insulating film, both surfaces of every electric insulating film are subjected to low-temperature plasma treatment. - 特許庁

下層配線と上層配線との間に介在される層間絶縁膜を全体的に肥大化（厚膜化）させることなく、下層配線と上層配線との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of increasing the insulation breakdown voltage between lower wiring and upper wiring without entirely thickening an interlayer insulating film interposed between the lower wiring and upper wiring. - 特許庁

２本の導体１０は、その長方形断面の長辺に相当する面が平行となるように隣接させて延在させた状態で、絶縁性樹脂からなる絶縁体２０でモールドされて全体が一体的に成型されている。例文帳に追加

Two conductors 10 are placed adjacently each other and extended so that their surfaces equivalent to the long sides of their rectangular cross-sections are parallel with each other, and they are molded by an insulator 20 of an insulating resin to integrally form the whole. - 特許庁

全ての接続部９３に対する電気絶縁層２，介在層３の形成が完了した段階で、電気絶縁層２，介在層３に対する加熱硬化処理が行われる。例文帳に追加

In the stage where the formation of the electric insulating layer 2 and interposed layer 3 against all connecting portions 93, the thermosetting process is performed to the electric insulating layer 2 and intermediating layer 3. - 特許庁

完全に冷却液を分割して送ることにより充分な絶縁抵抗を確保することができる燃料電池冷却系の絶縁システムを提供することである。例文帳に追加

To provide an insulation system for a fuel cell cooling system capable of securing sufficient insulation resistance by completely dividing cooling water for sending. - 特許庁

２層目層間絶縁膜６７ａを全面に成膜後、周辺回路へコンタクトホールを形成する際に、ダミーパターン上の２層目層間絶縁膜もエッチング除去する。例文帳に追加

When a contact hole to the peripheral circuit is made after a second layer interlayer insulation film 67a is formed on the entire surface, the second layer interlayer insulation film on the dummy pattern is also removed by etching. - 特許庁

全面に第１の層間絶縁膜６を形成した後、第１の層間絶縁膜６に対して平坦化処理を行って、ダミーゲート電極４ａ上表面を露出させる。例文帳に追加

After a first interlayer insulating film 6 is formed over the entire surface, the first interlayer insulating film 6 is flattened to expose the surface of the dummy gate electrode. - 特許庁

パターンアンテナ１１において、絶縁基板の裏面には導体が全面に形成され、絶縁基板の表面には帯状のアンテナパターンが延設されている。例文帳に追加

Relating to the pattern antenna 1, a conductor is formed on the entire back surface of an insulation substrate, and an antenna pattern in a belt shape is extended on the front surface of the insulation substrate. - 特許庁

電磁的な遮蔽手段であるプリント基板２５は、電気的な絶縁材製の絶縁板２６の一方の面の全面に銅箔２７を形成して構成されており、これは市販品として供されているものである。例文帳に追加

A printed board 25 which is an electromagnetic shielding means is made by forming copper foil 27 on one entire surface of an insulating board 26 of an electrically insulating material, and this is commercially available. - 特許庁

以後、マスクパターンを除去することによって、第１ゲート絶縁膜パターン１１５を露出させ、その結果物の全面に第２ゲート絶縁膜２００、２０５を形成する。例文帳に追加

After that, the first gate insulating pattern 115 is exposed by removing the mask pattern, and second gate insulating films 200 and 205 are formed on the entire surface of the resultant object. - 特許庁

半導体基板にゲート電極４ａ、４ｂ、４ｃ及びｎ型ソース・ドレイン領域９ａ、９ｂを形成した後、基板上の全面に炭素含有絶縁膜１５及び保護絶縁膜１０を順次形成する。例文帳に追加

After formation of gate electrodes 4a, 4b, 4c and n-type source/drain regions 9a, 9b on a semiconductor substrate, an insulating film 15 and a protective insulating film 10 including carbon are sequentially formed on the entire surface of the substrate. - 特許庁

このとき、ワイヤボール（１１）直下の層間絶縁膜（１６）によって、１ｓｔアルミ電極（１２）と２ｎｄアルミ電極（１７）とが完全に絶縁するように形成する。例文帳に追加

At this time, the 1st aluminum electrode (12) and the 2nd aluminum electrode (17) are formed in such a way that they are completely insulated from each other by the interlayer insulating film (16) directly under the wire ball (11). - 特許庁

第１電極９１ａの上層には絶縁膜７３が積層され、かかる絶縁膜７３によって、コンタクトホール７２ｂ内の凹部は完全に埋められ、隣接する第１電極９１ａの間も埋められている。例文帳に追加

An insulating film 73 is laminated on the upper layer of the first electrode 91a, and a recessed part within a contact hole 72b is perfectly filled up with the insulating film 73, and a space between the adjacent first electrodes 91a is also filled up therewith. - 特許庁

そして、基体１と基体１を包み込んだ網２との全体を覆うように、柔軟性を備えた絶縁材でコーティングして絶縁層３を形成する。例文帳に追加

An insulating layer 3 is formed by coveringly coating the whole of the base body 1 and the net 2 wrapping the base body 1 with an insulating material having flexibility. - 特許庁

このため、空芯コイル３３表面全体に所定の膜厚で絶縁膜５０を形成することができ、切断や絶縁不良等を起こすことが少なくなる。例文帳に追加

Therefore, the insulation film 50 can be formed on the whole surface of the air-cored coil 33 with the prescribed film thickness to reduce cutting or insulation failure. - 特許庁

半導体基板の活性領域に導電層３２、オフセット絶縁膜２３ａおよびその側壁部にサイドウォール絶縁膜２４ａを形成し、全面にエッチングストッパ膜２５を形成する。例文帳に追加

In an active region of a semiconductor substrate, a conductive layer 32 and offset insulating film 23a are formed, while a side wall insulating film 24a on its side wall part, with an etching stopper film 25 formed on the entire surface. - 特許庁

絶縁体２の両主面に金属層３、４を形成して金属−絶縁体複合部材を得た後に、回路形成用の金属層３の全面または一部にエッチングレジスト６を形成する。例文帳に追加

After obtaining a metal-insulator compound member by forming metal layers 3, 4 on the both main surfaces of an insulator 2, an etching resist 6 is formed on all over or a part of the metal layer 3 for forming a circuit. - 特許庁

そして、半導体基板１１上の全面に、絶縁膜１７を形成した後、絶縁膜１７にソース・ドレイン形成領域に到達するコンタクトホール１８ａ、１８ｂ、１８ｃを形成する。例文帳に追加

An insulating film 17 is formed over the surface of the semiconductor substrate 11, and contact holes 18a, 18b, and 18c reaching a region where a source and a drain are formed are provided to the insulating film 17. - 特許庁

第１の絶縁膜１２の上には、金属配線１６を全面的に覆っていると共に外部電極１５の頂部１５ｂの周縁部を覆っている第２の絶縁膜１８が形成されている。例文帳に追加

A second insulation film 18 which entirely covers the metallic wiring 16 and covers the periphery of the tip 15b of the external electrode 15 is formed on the first insulation film 12. - 特許庁

シリコン基板１上に第１のゲート絶縁膜を介して第１のゲート電極３を形成し、全面を酸素の活性種で熱酸化し下地絶縁膜５および側面酸化膜６を形成する。例文帳に追加

A first gate electrode 3 is formed on a silicon substrate 1 through a first gate insulating film, and the overall surface is thermally oxidized with an activated species to form an underlying insulating film 5 and a side oxide film 6. - 特許庁

次に、磁性層の上の全面に、例えばアルミナよりなる絶縁層を形成し、この絶縁層を、導電層７ｂの表面に至るまで研磨して平坦化する。例文帳に追加

Then, an insulating layer made of aluminum is formed on the whole face of the magnetic layer, and this insulating layer is ground and flattened until the surfaces of the conductive layers 7b. - 特許庁

透明絶縁基板１０上に画素トランジスタ２６等を形成する際に、透明絶縁基板１０の裏面全体にポリシリコン遮光膜膜２４を形成する。例文帳に追加

When pixel transistors 26 or the like are formed on a transparent insulating substrate 10, a polysilicon light-shielding film 24 is formed all over the rear face of the transparent insulating substrate 10. - 特許庁

ゲート電極３３の側面は全体としてなだらかに傾斜するように形成されているので、ゲート絶縁膜３２上に良好な膜質のゲート絶縁膜３２を形成することができる。例文帳に追加

A side surface of the gate electrode 33 is smoothly and slantingly formed as a whole so that it is possible to form a good quality gate insulating film 32 on the gate insulating film 32. - 特許庁

半導体基板２１上にゲート酸化膜２３、ゲート２４及びマスク絶縁膜２５を形成し、全面に第1２６及び第2絶縁膜２７を順次形成する。例文帳に追加

A gate oxide film 23, a gate 24, and a mask insulating film 25 are formed on a semiconductor substrate 21 and a 125th and a 2nd insulating film 27 are formed in order over the entire surface. - 特許庁

開閉器全体の小型化に伴って対地間及び異相間の絶縁距離が短縮されることによる絶縁性能の低下は、対地間及び異相間の沿面距離が増大することにより補われる。例文帳に追加

Deterioration of insulation performance due to reduction of the insulation distance from the ground and between different phases based on downsizing of the whole switch can be compensated by increasing a creepage distance from the ground and between different phases. - 特許庁

非化石由来エポキシ樹脂，充填剤等から成る絶縁材料を用いた絶縁性組成物において、単に地球環境保全に貢献するだけでなく、更なる特性（電気的物性，機械的物性）の向上を図る。例文帳に追加

To provide an insulating composition, which uses an insulating material comprised of an epoxy resin derived from a non-fossil, a filler, etc., not only to contribute to the global environmental maintenance but also to improve furthermore the characteristics (electrical properties and mechanical properties). - 特許庁

セグメントＡ１から延在する陽極配線ＷＹＡ１は全体が絶縁層３で覆われ、陽極間接続配線ＷＸＡと電気的に接続される部分においては絶縁層３が除去され開口部ＣＨとなっている。例文帳に追加

An anode wire WYA1 extending from a segment A1 is entirely covered by an insulation layer 3, and the insulation layer 3 is removed from its portion electrically connected to an inter-anode connection wire WXA to form an opening part CH. - 特許庁