「埋積法」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

よって、ＧａＡｓコンタクト層を堆積する際の下地をほぼ平坦な状態にでき、従来の製造方法による場合と比較して結晶性がよく安定した埋め込み形状を示すＧａＡｓコンタクト層を得ることができる。例文帳に追加

Consequently, the crystallinity of the GaAs contact layer 19 is improved and the buried shape of the layer 19 is stabilized, as compared with a contact layer formed by the conventional manufacturing method, because the base on which the layer 19 is caused to deposit can be substantially planarized. - 特許庁

本発明のサセプタの製造方法は、加工基板表面に凹パターンを形成し、凹パターンを埋め込むように、ＳｉＣ粉末と焼結助剤を含むＳｉＣペーストを塗布し、ＳｉＣペースト上にＳｉＣ基板を積層し、ＳｉＣペーストを焼成し、ＳｉＣ基板表面に凸部を形成する。例文帳に追加

This method for manufacturing the susceptor includes: forming a recessed pattern on a surface of a substrate to be processed; applying SiC paste containing SiC powder and a sintering agent to embed the recessed pattern; laminating a SiC substrate on the SiC paste; and firing the SiC paste to form a projecting part on the surface of the SiC substrate. - 特許庁

その後、スパッタ法により全面に金属膜を成膜した後、マスクを除去して第１導電層上にのみ金属膜を残存させて、Ａｇを含む第１導電層と第２導電層（金属膜）の積層からなる埋め込み配線層を形成する。例文帳に追加

After this, a metal film is formed over the entire surface by a sputtering method, and the mask is removed to cause the metal film to remain only over the first conductive layer, thereby forming an embedded wiring layer formed with a stack of the first conductive layer containing Ag and the second conductive layer (metal film). - 特許庁

高床式の建築法であって建物を高くするために地震・風・積雪等の対策として基礎をフ−チン形にした基礎コンクリートを埋設し基礎と一体した基礎柱を高くし、土台を結合部材による結合・固定し建物に必要な強度を確保することにより解決した。例文帳に追加

The high-floor type building method for elevating the building has a countermeasures for earthquake, wind, snow accumulation or the like in such a way that the foundation concrete whose base is a footing shape is embedded and the foundation column integrated with the foundation is elevated while bonding and fixing the sill with connecting member, so as to assure the strength required for the building. - 特許庁

その製造方法は、半導体基板上に、少なくともＡｌ含有半導体層を積層し、該Ａｌ含有層を部分的に除去し、該除去された領域に犠牲層を埋め込み、前記Ａｌ含有層および犠牲層上に半導体接合層を積層し、前記犠牲層を選択的に除去した後、前記Ａｌ含有層を選択的に酸化する工程を含む例文帳に追加

At least an Al containing semiconductor layer is laminated on a semiconductor substrate, and the Al containing layer is partially removed, and a sacrificial layer is embedded in the removed area, and a semiconductor joint layer is laminated on the Al including layer and the sacrificial layer, and the sacrificial layer is selectively removed, and the Al including layer is selectively oxidized in this method for manufacturing this semiconductor element. - 特許庁

従来のべた基礎工法、フローティング基礎工法などの集合住宅の基礎工法において埋土されデッドスペースとなっていた一階床部と基礎スラブ面との間の空間を有効に利用し、充分な収納容積及び居住可能性を備える収納庫を低いコストで提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a storage equipped with a sufficient storage capacity and dwelling possibility at a low cost by effectively using a space between a first floor section as a dead space filled with earth and a foundation slab surface in a foundation method for an apartment house such as conventional spread footing, floating foundation method or the like. - 特許庁

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。例文帳に追加

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth. - 特許庁

本発明はセラミック電子部品に用いられるセラミックグリーンシートに感するものであり、薄層のセラミックグリーンシートを用いて薄層化してもショート率・絶縁耐圧の低下を抑制できる電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法およびそれを用いた高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide an electrode-embedded ceramic green sheet which can suppress reduction in short-circuit ratio and dielectric voltage even when a thin layer is formed using a thin ceramic green sheet, and to provide a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor using the same with a high capacity and high reliability. - 特許庁

半導体基体全面にシリコン酸化膜を堆積した後、ＳＴＩ用の溝内に埋め込まれているシリコン酸化膜以外のシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去する際に、そのシリコン酸化膜の膜厚に厚薄のバラツキがあっても、均等に且つ完全に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can uniformly and completely remove variations in the thickness of a silicon oxide film, after the silicon oxide film is deposited on an entire semiconductor substrate and then the silicon oxide film other than that embedded within grooves for STI (fine trench isolation) is removed by chemical and mechanical polishing(CMP). - 特許庁

処分場を建設する場合に、処分場内空寸法を従来の形式に比して縮減でき、同一容量の処分場を建設する場合に、掘削や埋め戻しの土砂扱い量・コンクリート・鉄筋などの建設資材の量を、従来形式に比して縮減でき、また、用地面積も縮減される廃棄物処分場が得られる。例文帳に追加

To provide a waste disposal site where disposal site internal space dimension is reduced compared to the conventional form in the construction of the disposal site, the amount of construction materials such as the handling quantity of earth and sand for excavation or back filling, concrete or reinforcing bars are reduced compared to the conventional form in the construction of the disposal site having the same capacity and the site area is also reduced. - 特許庁

凝集剤の添加に伴い、高含水かつ難離水の浄水場堆積泥土および下水汚泥の、含水率低下を短期に促進させ大幅な減量化による、焼却処分費、埋立処分費や輸送燃料の低減等により、地球温暖化防止への寄与を図るべき、泥土、汚泥の減水方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for reducing the amount of water of mud and sludge which is needed to contribute to prevention from global warming with a decrease in incineration disposal cost, landfills disposal cost and transportation fuel by facilitating a reduction in water content of high water content and also hard syneresis accumulated mud in a water treatment plant and sewage sludge over a short period of time to significantly reduce quantity with addition of a flocculant. - 特許庁

ゾルゲル法で形成される透明層２は緻密な層であり、水蒸気などのガスを遮断する効果が高く、ガスが透過することを遮断することができると共に、また透明積層板１の表面の凹凸をこの透明層２で埋めて平坦にならすことができ、表面の平滑性を高めることができる。例文帳に追加

The transparent layer 2 formed by the sol-gel method is a dense layer, has a high blocking effect against gas such as water vapor, and not only blocks the transmission of gas but also flattens the surface of the transparent laminated plate 1 by filling up the irregularity of the surface with the transparent layer 2 to enhance the surface flatness. - 特許庁

珪酸質原料粉末と石灰質原料粉末とを主原料とする絶乾かさ比重０．４５以下の超軽量気泡コンクリートの製造方法において、上記珪酸質原料粉末として、比表面積が４，０００〜１０，０００ｃｍ^２／ｇの珪酸質原料粉末を用いると共に、補強材として、線径が４．０ｍｍ以下の溶接金網、或いはメタルラスを２枚以上埋設することとした。例文帳に追加

The super lightweight cellular concrete having 0.45 or smaller bulk specific gravity in absolute dry condition is manufactured by using siliceous powder having 4,000-10,000 cm2/g specific surface area and calcareous powder as main raw materials and burying welded wire netting having 4.0 mm or finer wire diameter or two or more pieces of metal laths as a reinforcing material. - 特許庁

高集積化電子回路の製造等において、建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによってボイドを生じさせること無く銅を良好に埋め込むことを可能にする、銅メッキ用添加剤、これを含有する銅メッキ浴、及びこれを用いた銅メッキ方法を提供する。例文帳に追加

To provide an additive for copper plating in a process for manufacturing a large scale integration circuit, which is not degraded with time after an electrolytic bath has been made up, and adequately embeds copper in a groove and a hole on the circuit even having a finer structure, without producing voids through electrolytic copper plating; a copper plating bath containing the additive; and a copper plating method using the bath. - 特許庁

回路素子１４２を基材１４０に固定した状態で、絶縁樹脂膜１２２および導電性膜１２０の積層体１２３を配置し、前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に埋め込む工程と、圧着により前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に固定する工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor module includes a process wherein the laminated body 123 of an insulating resin film 122 and a conductive film 120 is arranged while a circuit element 142 is fixed to a substrate 140 to bury the circuit element 142 into the insulating resin film 122 and another process wherein the circuit element 142 is fixed to the insulating resin film 122 through pressing. - 特許庁

配線パターンを埋め込むための第２の絶縁層と、シグナルパターンとダミーパターンとを有する配線パターン全ての面積率を考慮し、配線パターン上の第２の絶縁層の厚みを制御することで電磁気的・放熱的に優れ、かつ高い接続信頼性を有するビアホールを備えた多層配線基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring substrate which is electromagnetically superior and also superior in heat dissipation and has via holes with high connection reliability, by controlling the thickness of a second insulating layer on the wiring patterns, while taking into account the area ratio of the second insulating layers for buring wiring patterns and all the wiring patterns having a signal pattern and a dummy pattern, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置の製造方法であって、スクライブラインＳＬで区分された基板の半導体装置形成領域ＳＤにおいて、基板１０上に積層された絶縁樹脂層（１６，２０）からなる絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた再配線層（１７，１８，２１，２３）を形成し、さらに、スクライブラインＳＬにおいて基板１０を切断する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the packaged semiconductor device including a semiconductor; an insulating layer consisting of insulating resin layers (16, 20) laminated on a substrate 10 and re-wiring layers (17, 18, 21, 23) buried in the insulating layer are formed on a semiconductor device forming region SD of the substrate segmented with scribe lines SL, and the substrate 10 is cut on the scribe lines SL. - 特許庁

接着層２０の上面に電子素子３０を付着する工程と、電子素子３０が埋め込まれるように、電子素子３０の上側及び接着層２０の下側に絶縁体４１，４３をそれぞれ積層する工程と、絶縁体４１に回路パターン４５及びビア４６を形成する工程と、を含むことを特徴とする印刷回路基板及びその製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the printed circuit board includes a step of adhering an electronic element 30 on the adhesive layer 20, a step of stacking insulation bodies 41, 43 on the upper side of the electronic element 30 and the lower side of the adhesive layer 20 to embed the electronic element 30 therein, and a step of forming a circuit pattern 45 and a via 46 in the insulation body 41. - 特許庁

本発明によるＳｉＧｅ／ＳＯＩ構造を形成する方法は、埋め込み酸化物層を含む絶縁体上シリコン基板を提供する工程と、基板にシリコンゲルマニウム層を堆積する工程と、基板上の該シリコンゲルマニウム層を少なくとも１０５０℃の温度で少なくとも１秒の時間、アニーリングする工程とを包含する。例文帳に追加

A method to form a SiGe/SOI structure contains a process in which an on-insulator silicon substrate comprising a buried oxide layer is provided, a process in which a silicon germanium layer is deposited on the substrate and a process in which the silicon germanium layer on the substrate is annealed for a time of at least 1 sec at a temperature of at least 1,050°C. - 特許庁

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。例文帳に追加

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug. - 特許庁

本発明に係る印刷回路基板の製造方法は、インクジェット方式を用いてキャリアに導電性インクを吐出して回路パターンを形成する工程と、回路パターンを加熱して焼結する工程と、回路パターンが絶縁層に埋め込まれるように、絶縁層にキャリアを積層して回路パターンを転写する工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing a printed circuit board includes: a process of forming a circuit pattern by discharging conductive ink on a carrier through inkjet printing; a process of heating and sintering the circuit pattern; and a process of transferring the circuit pattern by stacking the carrier on an insulation layer such that the circuit pattern is buried in the insulation layer. - 特許庁

その後、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガス及びシリコンガスをベースとなる反応ガスとして用いるＰＶＤ法によって、隣り合うシリコン柱体１Ｆによって形成されるリセス１Ｒを完全に充填すると共に、リセス１Ｒの上方及びハードマスク３の上方にまで至る埋め込み酸化膜５を堆積する。例文帳に追加

After that, recesses 1R each formed by adjacent silicon columnar bodies 1F are completely filled by a PVD method using an oxygen gas, an argon gas, a hydrogen gas and a silicon gas as a base reaction gas, and a burying oxide film 5 is deposited up to the upper part of each of the recess 1R and the hard mask 3. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

１電子機器唯一動作許可インストーラ（ソフトウエア配布装置）及び１電子機器唯一動作許可インストール方法（ソフトウエア配布方法）並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア管理装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可インストーラ管理装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可インストーラ生成装置及び１電子機器唯一動作許可インストーラ生成方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア及び１電子機器唯一動作許可ソフトウエアの１電子機器唯一動作許可方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア生成装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア製造装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、ソフトウエア製造装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、並びに、機械語コード埋め込み装置（電子機器）若しくはシステム集積回路及び方法並びに供給若しくは配布媒体例文帳に追加

INSTALLER (SOFTWARE DISTRIBUTOR) FOR PERMITTING OPERATION TO ONLY ONE ELECTRONIC APPLIANCE, METHOD FOR INSTALLING OPERATION PERMISSION (SOFTWARE DISTRIBUTION METHOD) TO ONLY ONE ELECTRONIC APPLIANCE, AND SUPPLIED OR DISTRIBUTED MEDIUM - 特許庁

１電子機器唯一動作許可インストーラ（ソフトウエア配布装置）及び１電子機器唯一動作許可インストール方法（ソフトウエア配布方法）並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア管理装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可インストーラ管理装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可インストーラ生成装置及び１電子機器唯一動作許可インストーラ生成方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア及び１電子機器唯一動作許可ソフトウエアの１電子機器唯一動作許可方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア生成装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、１電子機器唯一動作許可ソフトウエア製造装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、ソフトウエア製造装置及び方法並びに供給若しくは配布媒体、並びに、機械語コード埋め込み装置（電子機器）若しくはシステム集積回路及び方法並びに供給若しくは配布媒体例文帳に追加

SINGLE ELECTRONIC APPARATUS UNIQUE OPERATION PERMISSION INSTALLER (SOFTWARE DISTRIBUTION DEVICE) AND SINGLE ELECTRONIC APPARATUS UNIQUE OPERATION PERMISSION INSTALLATION METHOD (SOFTWARE DISTRIBUTION METHOD), AND SUPPLY OR DISTRIBUTION MEDIUM - 特許庁