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成極の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49995



例文

半導体層32のうちのゲート電58が対向している領域に、水素原子が局所的に偏在している局所的領域34が形されていることを特徴としている。例文帳に追加

A local region 34 is formed in which hydrogen atom is locally unevenly distributed in a region opposite to the gate electrode 58 of the semiconductor layers 32. - 特許庁

ガラス基板を好適とする背面基板SUB1の主面に、画像信号配線に沿ってITOをスパッタリングして下層電膜dAを形する。例文帳に追加

A lower layer electrode film dA is formed by sputtering ITO along an image signal wiring on a main surface of a rear substrate SUB1 using suitably a glass substrate. - 特許庁

製造プロセス中で、金属配線層を形する前の工程でも、ゲート電にチャージされる電子を放出することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device along with its manufacturing method capable of releasing electrons that are charged in a gate electrode even in the process before a metal wiring layer is formed, during a manufacturing process. - 特許庁

フレーム14と溶接するスカート部13b に、加圧側電23の端面より面積の小さな複数のディンプル状の凹部42部をハーフエッチングにより形する。例文帳に追加

Dimple shapes of plural concave portions 42 are formed by half-etching at a skirt part 13b being welded to a frame 14, the portions have smaller area than that of an electrode 23 in power. - 特許庁

例文

同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電が金属あるいは金属化合物からなる材料で形された半導体装置である。例文帳に追加

In the semiconductor device, a pMOS transistor and nMOS transistor are provided on an identical semiconductor substrate, and gate electrodes of the MOS transistors are made of a metal or metallic compound. - 特許庁


例文

例えば霧化装置に用いられる超音波振動ユニットにおいて、振動源としての圧電セラミックスに形した電間が液体によって短絡され難くする。例文帳に追加

To prevent electrodes formed on piezoelectric ceramic as a vibration source from being easily short-circuited by liquid in an ultrasonic vibration unit used for an atomization device for instance. - 特許庁

に要求される集電性を高く維持しつつ、触媒を高濃度に担持可能に構して、触媒による電気化学反応促進機能を高度に発揮できる炭素繊維多孔質シートを提供する。例文帳に追加

To provide a carbon fiber porous sheet enabling a catalyst to be carried thereon in high concentrations while keeping its electric current collectivity required for an electrode at high levels and highly exerting electrochemical reaction promoting function by the catalyst. - 特許庁

燃料電池10を構する発電セル12は、電解質膜・電構造体14を第1金属セパレータ16及び第2金属セパレータ18で挟持する。例文帳に追加

A power generation cell 12 constituting the fuel cell 10 is composed by sandwiching an electrolyte membrane-electrode assembly 14 between a first metal separator 16 and a second metal separator 18. - 特許庁

高感度,高解像性を有し、レジストラインの形性がめて良好かつ保存安定性に優れるアルカリ現像可能のドライフィルムレジストを提供する。例文帳に追加

To provide an alkali developable dry film resist having high sensitivity, high resolution and a very good resist line forming property and excellent in storage stability. - 特許庁

例文

かかる領域E1は、相隣接する画素電の各々から離れた位置に形されており且つ所定面積の領域が確保できるため、フォトスペーサが配置される。例文帳に追加

The region E1 is formed apart from the mutually adjacent pixel electrodes and has specified region secured, so the photospacer is arranged. - 特許庁

例文

バックプレーン26は読取りトランジスタ20の下にゲート領域を形し、バックプレーンの電位は強誘電性キャパシタの分の影響を受ける。例文帳に追加

A back plane 26 forms a gate region underneath the read transistor 20 with the potential of the back plane affected by polarization of the ferroelectric capacitor. - 特許庁

ゲート電を選択ドライエッチングにより形し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を1.5μmとした。例文帳に追加

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm. - 特許庁

ヒドロキシアルキルエーテルカルボン酸型のアニオン性界面活性剤と、アルキルアミンオキサイド型の半性界面活性剤とを、組物中に、重量比で60:40〜10:90の割合で含有させる。例文帳に追加

The keratolytic detergent composition comprises a hydroxyalkyl ether carboxylic acid type anionic surfactant and an alkylamine oxide type semi-polar surfactant in a weight ratio of 60:40-10:90 in the composition. - 特許庁

ゲート電のアライメントずれを生ずることなくフォトレジスト残留の問題を解消し、ソース/ドレイン領域を形すべき所定の領域に所望のプロファイルで高精度にイオン注入する。例文帳に追加

To perform ion implantation to a prescribed region in which source/drain regions should be formed precisely with a desired profile by solving the problem of photoresist residue without generating the alignment deviation of a gate electrode. - 特許庁

光電変換装置1は、第1のガラス基板11aを有し、第1のガラス基板11aにはアノード側透明電層12が形されている。例文帳に追加

A photoelectric conversion device 1 has a first glass substrate 11a, and an anode side transparent electrode layer 12 is formed in the first glass substrate 11a. - 特許庁

2.カチオン電着塗料の電着塗装時において、単位膜厚当たりの分抵抗値(b)が50〜300kΩ・cm^2/μmである1項に記載の電着塗膜形方法。例文帳に追加

B. The polarity resistance (b) per unit film thickness is 50-300 kΩ.cm^2/μm in the method of forming the electrodeposition coating film in the electrodeposition coating with the cationic electrodeposition coating material. - 特許庁

電子透かしの判定と抽出の両方の機能を反映させた透かし情報を生してコンテンツへの影響を力少なくした電子透かし埋め込み装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic watermark embedding apparatus in which watermark information reflecting both electronic watermark deciding and extracting functions is generated to reduce influences upon contents as little as possible. - 特許庁

また、セパレータ4において、電に接する部分及び側面部分に、ボロンをドーピングすることによってシリコンの導電性を向上させた集電構造が形されている。例文帳に追加

And a power collection structure for improving the conductivity of silicon is formed at a part in contact with an electrode or a side part by doping boron in the separator 4. - 特許庁

熱陰蛍光ランプを用いてバックライトユニットを構すると共に、ユニットとしてさらに輝度効率を良くすることができる構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure which constitutes a backlight unit by using a hot cathode fluorescent lamp and can more enhance luminance efficiency as the unit. - 特許庁

第3工程100cでは、電解質膜10上の白金触媒20は加熱定着手段である加熱ローラ60によって、電解質膜10に加熱定着され、電が形される。例文帳に追加

In the third step 100c, a platinum catalyst 20 on the electrolyte membrane 10 is heated and fixed on the electrolyte membrane 10 by a heating roller 60 to be a heating fixing means to form the electrode. - 特許庁

銀電との同時焼が可能であり電子回路基板の絶縁性を低下させない電子回路基板用グリーンシートに適用できる低誘電率無アルカリガラスの提供。例文帳に追加

To provide a low dielectric constant alkali-free glass enabling simultaneous firing with a silver electrode and keeping insulation level of an electronic circuit substrate which can be directed to a green sheet for an electronic circuit substrate. - 特許庁

タンク部12の壁面の一部をイオン交換膜30で構し、そのイオン交換膜30で循環通路16と陽室24とを区画する。例文帳に追加

A part of the side wall of the tank 12 is constituted of an ion-exchange membrane 30, and the circulation passage 16 and the anode chamber 24 are sectioned by the ion-exchange membrane 30. - 特許庁

供給源13からのCF_4(ハロゲン系ガス)に加湿器15で水分を含ませ、大気圧プラズマ生部10の一対の電11間に導入してプラズマ化する。例文帳に追加

Moisture is contained in CF_4 (halogen based gas) from a source of supply 13 by a humidifier 15 and introduced between a pair of electrodes 11 of an atmospheric plasma generating portion 10 to generate plasma. - 特許庁

少なくとも2つの電5を有する膜型圧電セラミック素子1の膜部4を、シート状の圧電前駆材を基盤に接合・焼結させて一体形する。例文帳に追加

The film 4 of a film type piezoelectric ceramic element 1 which film has at least two electrodes 5 is collectively formed integrally with the substrate by bonding a sheet type piezoelectric precursor to the substrate and sintering them. - 特許庁

大面積のプローブカード基板でもその電上にプローブピンを実装した場合にプローブピンの先端位置を高精度に形することができる配線基板およびそれを用いたプローブカードを提供することにある。例文帳に追加

To provide a wiring substrate capable of accurately forming probe pin tip positions when probe pins are mounted on electrodes of a large-scale probe card substrate; and a probe card using the wiring substrate. - 特許庁

3aを、リードフレーム4の端部に形された薄膜形状の接続部4aとレーザ溶接することで、リードフレーム4と電気的に接続する。例文帳に追加

Being laser-welded to a thin film-shaped connection 4a formed at the end of the lead frame 4, the electrode 3a is electrically connected to the lead frame 4. - 特許庁

種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形するガス状混合体を供給することができる。例文帳に追加

Various types of supply gas sources may be in fluid communication with the showerhead electrode to provide a gaseous mixture that forms the desired plasma. - 特許庁

そして、第1のアクセストランジスタTrA1の活性領域と基板コンタクト領域Rsubとの間に位置する半導体基板11上にはダミーゲート電16cを形する。例文帳に追加

A dummy gate electrode 16c is formed on the semiconductor substrate 11 between the active region of the first access transistor TrA1 and the substrate contact region Rsub. - 特許庁

炭素材料をフッ素樹脂溶液に分散した液を乾燥することによってフッ素樹脂膜を形する工程と、前記フッ素樹脂膜に貫通孔を開ける工程とを有することを特徴とするガス拡散電の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the fluororesin film includes a process for forming the fluororesin film by drying fluid in which the carbon material is dispersed in a fluororesin solution and a process for making the through-holes in the fluororesin film. - 特許庁

非焼結式ニッケル(24)は、中空の金属繊維によって構される3次元の網目構造の芯体と、芯体に保持された活物質としてのニッケル酸化物を含む合剤とを備える。例文帳に追加

The non-sintering type nickel electrode (24) is equipped with a core body of a three-dimensional net structure constituted of hollow metal fibers, and a mixture containing nickel oxide as an active material retained by the core body. - 特許庁

硫黄分10質量ppm以下というめて高い脱硫深度を達でき、また脱硫反応の阻害物質である窒素化合物についても高い脱窒素活性を有する水素化脱硫触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a hydrogenating desulfurization catalyst that is capable of an extremely high degree of desulfurization that sulfur content is 10 ppm or less and has a high denitrification activity also on a nitrogen compound that is an inhibitor to the desulfurization reaction. - 特許庁

現像工程において、露光されたフォトレジストフィルムを現像して、プレーン状電111,112,121,122を露出させる開口部を有しためっきレジストを形する。例文帳に追加

In a developing step, the exposed photoresist film is developed to form plating resist having openings for exposing planar electrodes 111, 112, 121, and 122. - 特許庁

マンガン化合物とリチウム塩を混合、焼して、得られたマンガン酸リチウムを水洗処理することを特徴とするリチウム二次電池用正活物質の製造法。例文帳に追加

The manufacturing method for a positive electrode active material of lithium secondary battery is configured so that lithium manganate prepared by mixing together manganese compound and lithium salt and baking the result is subjected to a water rinse process. - 特許庁

熱可塑性樹脂を含有する絶縁性の樹脂フィルム11上に、配線回路12aおよび12bと、ビア接続用の接続電13aおよび13bを形する。例文帳に追加

Wiring circuits 12a, 12b and connection electrodes 13a, 13b for connecting a veer are formed on an insulating resin film 11 containing a thermoplastic resin. - 特許庁

水素を含む窒化シリコン膜とが積層形された半導体装置における基板と保護膜との界面の電荷密度の増大を抑え、Al配線電の腐蝕を防止する。例文帳に追加

To prevent corrosion of an Al wiring electrode by suppressing the increase of charge density at an interface between a substrate and a protective film in a semiconductor device where a silicon nitride film including hydrogen is laminated and formed. - 特許庁

半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたp型半導体層103と、p型半導体層103上に形されたp側電105とを備える。例文帳に追加

The semiconductor element includes a p-type semiconductor layer 103, by using a material of zinc oxide and a p-side electrode 105 formed on the p-type semiconductor layer 103. - 特許庁

塗布工程でマンガン酸リチウムと熱硬化開始温度Aが120°Cの熱硬化性ポリビニルアルコール系樹脂組物とを含む正合材をアルミニウム箔に塗布した。例文帳に追加

In the coating process, a positive electrode mixture that contains lithium manganate and a thermosetting polyvinylalcohol system resin composition having a thermosetting start temperature A of 120°C is coated on aluminum foil. - 特許庁

反転層の負の温度特性を相殺するのに、反転層を形する制御トランジスタのゲート電には正の温度特性を有する電圧を与える。例文帳に追加

For offsetting the negative temperature characteristic of the inversion layer, a voltage having the positive temperature characteristic is given to the gate electrodes of the control transistors which form the inversion layer. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、シリコン基板1と、シリコン基板1上にゲート絶縁膜3を介して形されたゲート電4とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device according to the present invention includes a silicon substrate 1 and a gate electrode 4 formed on the silicon substrate 1 via a gate insulating film 3 interposed therebetween. - 特許庁

表面電の形時に生じる酸化部位を除去して電子放出の効率を向上させた電界放射型電子源及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an electric field radiation electron source for enhancing the electron emission efficiency by eliminating the portion oxidized during forming the surface electrode. - 特許庁

また、ゲート電24a、24bは、ソース領域およびドレイン領域に導入された不純物を活性化する活性化アニール(熱処理)をした後に形される。例文帳に追加

The gate electrodes 24a and 24b are formed after activation annealing (heat treatment) for activating impurities introduced into source region and drain regions. - 特許庁

トルエン及びホルムアルデヒド等による環境汚染を防ぎ、更にポリオレフィン系材料等の低性材料に対し優れた接着性を発揮するプライマー組物を提供する。例文帳に追加

To provide a primer composition which prevents environmental pollution by toluene and formaldehyde, and further exhibits excellent adhesion with low-polarity materials such as polyolefinic materials. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子の特性を低下させずに、電付き基板の膜前処理が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element in which pretreatment of film forming process of a substrate with electrodes is available without reducing the characteristics of the organic electroluminescent element. - 特許庁

第1ポリシリコン層103及びSTI構造の素子分離領域108上には、第1ポリシリコン層103と共に浮遊ゲート電となる第2ポリシリコン層109が形されている。例文帳に追加

A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure. - 特許庁

本発明は、初期化処理の後、初期化の処理に供する磁界(4)の性を反転させてレーザービームの光量を間欠的に立ち上げてBCAを作する。例文帳に追加

In this invention, after initialization processing, the BCA is created by reversing the polarity of a magnetic field (4) which is presented to the processing of initialization and by intermittently raising the light quantity of a laser beam. - 特許庁

電解質膜(固体高分子膜)の両面に、それぞれ、アノード、および、カソードを接合してなる膜電接合体を、セパレータで挟持することによって、燃料電池を構する。例文帳に追加

The fuel cell is constituted by interposing a membrane-electrode assembly formed by assembling an anode and a cathode to each surface of an electrolyte membrane (a solid polymer membrane) between separators. - 特許庁

下部電として酸化インジウムを主分とする透明導電性酸化物膜を用いており、前記透明導電性酸化物膜は前記コンタクトホールで薄膜トランジスタと接触する。例文帳に追加

A transparent conductive oxide film consisting principally of indium oxide is used as the lower electrode, and comes into contact with a thin film transistor in the contact hole. - 特許庁

また、水平転送レジスタ130では、トランスファ部のバリア層134を下層転送電132のポリシリコン膜をセルフアラインとするイオン注入によって形できる。例文帳に追加

In addition, the barier layer 134 in a transfer part is formed through ion implantation by which the polysilicon film of the lower-layer transfer electrode 132 is self-aligned, in the horizontal transfer register 130. - 特許庁

特定の性基を有する変性シリコーンおよび/または特定のフッ素変性リン酸エステル(塩)からなるモールドコート法ポリウレタンスキン形剤用内部離型剤。例文帳に追加

The internal mold release agent comprises a modified silicone having a specified polar group and/or a specified fluorine-modified phosphate. - 特許庁

例文

本発明は、薄膜トランジスタに用いられるゲート電や半導体膜を、簡易かつ安価な工程によってサブミクロンオーダーの精度で形する技術を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide technology of forming a gate electrode or a semiconductor film for use in a thin film transistor with precision of a sub-micron order in a simple and inexpensive process. - 特許庁

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