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成極の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49995



例文

第1拡散板、第2拡散板は、それぞれ、樹脂製の透明な板の液晶表示装置の側と冷陰管の側の、一方、または、両方の表面に、微小凹凸を形して作られている。例文帳に追加

Minute ruggedness is formed on either or both of surfaces of sides of the liquid crystal display device of the transparent plate made from resin and the cold cathode tube in the first diffusion plate and the second diffusion plate, respectively. - 特許庁

半導体領域213aと半導体領域213bとはトレンチ215bに形されたゲート電206b及びゲート絶縁膜205によって分離されている。例文帳に追加

A semiconductor region 213a and a semiconductor region 213b are separated by a gate electrode 206b and a gate insulating film 205 formed in a trench 215b. - 特許庁

各種形状の電気手術用電の本体の少なくとも外表面を、少量のゲルマニウム及びインジウムと共に銀からなる銀合金によって構する。例文帳に追加

At least the outer surface of a body of a various type and shape of electrode for the electrosurgery is composed of a small amount of germanium, indium and silver alloy composed of silver. - 特許庁

放電電14は、絶縁性基板11の上面に印刷されたとき、その放電間隙形溝12より大きな隙間Lを有して対向配置される。例文帳に追加

The discharge electrodes 14, when printed on the top face of the insulating substrate 11, are arranged opposed to each other having a larger gap L than the discharge gap forming groove 12. - 特許庁

例文

前記課題は、窒化チタンの電面と反対の面を、少なくとも1つの酸化保護層によって被覆し、酸化保護層の窒化チタン製コーティングに向いている面は実質的に多孔質でないように構することによって解決される。例文帳に追加

The problem is solved by coating the reverse face of the titanium nitride electrode face with at least one oxidation protection layer and constituting so that the face facing the titanium nitride coating of the oxidation protection layer is practically not porous. - 特許庁


例文

有機EL層を構する材料を限定することなく、有機EL層と電間の剥離を効果的に防ぐことができる有機EL発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL light-emitting device capable of preventing peeling-off between an organic EL layer and an electrode effectively without limiting a material constituting the organic EL layer. - 特許庁

本発明の電解液は、高い陽酸化破壊電圧能を有し、形された誘電酸化物は、良好な酸化物水和耐性能を含む改良された酸化物の品質を有し、結果としてコンデンサ性能をより安定にする。例文帳に追加

The present electrolytes have high anodizing breakdown voltage capability and the formed dielectric oxides have improved oxide quality including good oxide hydration resistant ability, and result in more stable capacitor performance. - 特許庁

圧電トランス10において、表面電は、圧電セラミック矩形板の長さ方向の振動の節点を含む面、またはその近傍に形されている。例文帳に追加

A surface electrode of a piezoelectric transformer 10 is formed in a surface comprising a node of vibration or thereabout in a the longitudinal direction of a piezoelectric ceramic rectangular plate. - 特許庁

複合分系には、分率の異方性を有し、更にポリマー中で配向し得る低分子有機化合物からなる添加物が含まれていても良い。例文帳に追加

It is preferable that an additive comprising a low molecular weight organic compound which has anisotropy of polarizability and further can be oriented in a polymer is included in the composite component systems. - 特許庁

例文

厚膜電層34とボンディングメタル層36との間に半田56と合金化しにくい材料からるバリアメタル層35を介在させる。例文帳に追加

A barrier metal layer 35 made of a material hard to be alloyed with a solder 56 is interposed between a thick-film electrode layer 34 and a bonding metal layer 36. - 特許庁

例文

リチウム系圧電体を基板とし、前記の圧電体と比重の異なる金属の膜で基板上に電を形した弾性表面波素子を製造する。例文帳に追加

A surface acoustic wave element where a lithium piezoelectric body is made to be a substrate and an electrode is formed on the substrate with a metallic film whose specific gravity is different from that of the piezoelectric body is manufactured. - 特許庁

半導体チップ10の能動面を覆う絶縁層100の表面に、半導体チップ10の電に接続された再配線回路120を形する。例文帳に追加

A rewiring circuit 120 connected to electrodes of a semiconductor chip 10 is formed on an insulating layer 100 which covers the active surface of the semiconductor chip 10. - 特許庁

電子放出特性の経時変化を抑制すると共に、複数、形された場合であっても均一な電子放出特性を示す冷陰電界電子放出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a cold-cathode field electron emission element that restrains deterioration with age of an electron emission characteristic, and shows a uniform electron emission characteristic, even when a plurality of elements are formed. - 特許庁

一表面上に電が形された半導体ウエハ基板にウエハ状態で樹脂封止を行なう樹脂封止工程を含む半導体装置の製造方法において、製造コストを低減する。例文帳に追加

To reduce manufacturing costs in a semiconductor device manufacturing method including a resin sealing process for applying resin sealing to a semiconductor wafer substrate forming an electrode on one surface in a wafer state. - 特許庁

また、負30は、Mn元素を含む所定組のAB_5型の水素吸蔵合金粉末の粒子46と、Mn元素を含まない希土類—Mg−Ni系水素吸蔵合金粒子の粒子48とを混合した混合粉末を含む。例文帳に追加

Further, the anode 30 contains mixture powder of particles 46 of AB_5 type hydrogen storage alloy powder of a given composition containing Mn element and particles 48 of rare-earth metal-Mg-Ni based hydrogen storage alloy particles not containing Mn element. - 特許庁

材料の歩留りが高く、設備稼働率が高い太陽電池の電層を形するための太陽電池製造装置及びイオンプレーティング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell production equipment and an ion plating equipment for forming an electrode layer of a solar cell, in high material yield and at high equipment working rate. - 特許庁

乾燥剤分から発生する揮発性塩素イオンの発生量をめて微少な0.5ppb未満まで抑制することができる優れた乾燥剤を提供する。例文帳に追加

To provide an excellent desiccant capable of suppressing the generation amount of volatile chlorine ions from a desiccant component to an extremely minute amount of <0.5 ppb. - 特許庁

対物レンズ23内に入った2次電子は、減速電44によって形される電界E_2によって対物レンズ23の上部への進行が防止される。例文帳に追加

The secondary electrons entering the objective lens are prevented by an electric field E2 formed by a decelerating electrode 44 from proceeding to the top part of the objective lens. - 特許庁

これにより、この2種類のマグネットを各磁に軸方向で隣接して配置すると、2つのコギングトルクの波形が合されることで打ち消し合い、コギングトルクの波形のピークの値を抑えることができる。例文帳に追加

In this way, when the two kinds of magnets are arranged adjacently to each magnetic pole in an axial direction, the waveforms of two cogging torques are combined to cancel each other, and the value of peak of waveform of the cogging torque can be suppressed. - 特許庁

左右一対のマイクロスイッチ253、254を利用しためて簡単な構により、3種類のカセットテープを判別できるカセットテープ判別手段203を設ける。例文帳に追加

By a very simple constitution utilizing a pair of left and right microswitches 253 and 254, a cassette tape determining means 203 capable of discriminating three kinds of cassette tapes is provided. - 特許庁

IC実装体1は、表面に印刷された金額が記録されたチップ2と、その両側にカーボン印刷された実装体電3a,3bから構される。例文帳に追加

The IC mounted body 1 is constituted from a chip 2 for recording the sum printed on the surface, and mounted body electrodes 3a, 3b carbon- printed on both sides. - 特許庁

サステイン電12a,12bが配置された領域におけるガラス管10の内面の形状は、微小な凹凸状であって、その内面に二次電子放出膜13が形されている。例文帳に追加

The shape of the inner face of the glass tube 10 in the region where sustaining electrodes 12a, 12b are arranged has a fine unevenness and secondary electron emission membrane 13 is formed on the inner face. - 特許庁

抵抗溶接において、電磨耗が進行しても、形されるナゲット径が小さくなることを抑制して、適正範囲内に維持することができるようにすること。例文帳に追加

To maintain a nugget diameter to be formed within a proper range by suppressing the nugget diameter from reducing even when electrode abrasion progresses in resistance welding. - 特許庁

複雑な工程を必要とすることなく確実かつ選択的に不純物拡散領域を形し、このような不純物拡散剤層を含む電を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of surely and selectively forming an impurity diffusion region without needing a complicated process, and manufacturing an electrode including such an impurity diffusing agent layer. - 特許庁

薄肉難燃性がめて高く、燃焼時に腐食性の高いハロゲン化水素ガスの発生がなく、かつ優れた機械特性と高い靱性を有するととも、優れた電気特性を有する難燃ポリアミド樹脂組物を提供すること。例文帳に追加

To obtain a flame-retardant polyamide resin composition which has an extremely high flame retardance at a thin-wall part, generates no highly corrosive hydrogen halide gas at combustion, is excellent in mechanical and electrical characteristics and has a high toughness. - 特許庁

ゲート電と半導体層との間に配置されるゲート絶縁膜として、コーティング剤から得られた透明絶縁体膜A131を形する。例文帳に追加

A transparent insulator film A131 obtained from a coating agent is formed as a gate insulating film to be disposed between a gate electrode and a semiconductor layer. - 特許庁

ヒアルロン酸、アミノ酸、コラーゲン等の化粧品分に、プラチナメッキを施した電板からプラチナナオコロイドを溶出する電気分解装置を用いて出来た電気分解還元水を混合してなる化粧品。例文帳に追加

This cosmetic is obtained by mixing electrolytically reduced water obtained by using an electrolytic device eluting platinum nano-colloid from an electrode plated with platinum, with cosmetic components such as hyaluronic acid, an amino acid, collagen, etc. - 特許庁

平板蛍光ランプは、複数の放電空間210に分割され、光を発生させるランプ本体及びランプ本体の両端部に複数の放電空間と交差されるように形された外部電300を含む。例文帳に追加

This flat fluorescent lamp includes: a lamp body divided into a plurality of discharge spaces 210 for generating light; and external electrodes 300 formed at both ends of the lamp body so as to cross the plurality of discharge spaces. - 特許庁

続いて、スパッタ法により、ポテンシャル低減層14の上に、厚さが約300nmのチタンとアルミニウムとの積層膜からなる電15を形する。例文帳に追加

Furthermore, an about 300 nm thick electrode 15 comprising titanium and aluminum is formed on the potential reduction layer 14 with a sputtering method. - 特許庁

基板101の上に、ECR(Electro Cyclotron Resonance:電子サイクロトロン共鳴)スパッタ法によりLiCoO_2を選択的に堆積し、正102が形された状態とする。例文帳に追加

A state where a positive electrode 102 is formed on a substrate 101 is established by selectively depositing LiCoO_2 by an ECR (Electro Cyclotron Resonance) sputtering method. - 特許庁

板55は、半導体ウエハ16の周縁部に形されたスクリーニング用の配線に対応するように、圧着リング54に設けられている。例文帳に追加

An electrode plate 55 is so provided to the crimping ring 54 as to correspond to the wiring for screening formed at the perimeter of the semiconductor wafer 16. - 特許庁

ゼーベック効果、ペルチェ効果を有する熱電半導体素子と両端の電とで構した熱電半導体モジュールにおいて、ジュール熱損失を小さくして高能率低損失化する。例文帳に追加

To reduce a Joule's heat loss to achieve high efficiency and a low loss in a thermoelectric module constructed of a thermoelectric semiconductor element exhibiting a Seebeck effect and a Peltier effect and electrodes at both ends thereof. - 特許庁

本発明は、屈曲針方式によるコンタクト電を微細ピッチで配置することができ、且つ安価に形することのできるコンタクタ及びその製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a contactor capable of arranging bending needle type contact electrodes at fine pitches, and inexpensively being formed, and to provide a method of manufacturing the contactor. - 特許庁

応力膜31は、ゲート電上とソース/ドレイン拡散層上およびトレンチ内に連続して形され、半導体基板に引っ張り応力または圧縮応力を与える。例文帳に追加

A stress film 31 is continuously formed over the gate electrode and source/drain diffusion layer and in the trench and applies a tensile stress or compressive stress to the semiconductor substrate. - 特許庁

分離アイソレーション層は、SiO_2 膜56A、Bより熱伝導率が大きいTi層54と、Ti層をサンドイッチするSiO_2 膜56A、Bとの複合絶縁膜として形されている。例文帳に追加

The isolation layer is formed as a composite insulating layer of a Ti layer 54, having thermal conductivity larger than those of SiO_2 films 56A and 56B, and SiO_2 films 56A and 56B for sandwiching the Ti layer. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの前面板200は、前面基板210と、この前面基板210上の所定位置に直接形された金属電220と、を備える。例文帳に追加

This front plate 200 of a plasma display panel comprises a front substrate 210, and metal electrodes 220 directly formed at predetermined position on the front substrate 210. - 特許庁

電界放射型電子源は、多結晶シリコン層を陽酸化した後に電気化学的に酸化することにより形された強電界ドリフト層を備えている。例文帳に追加

The electric field emission type electron source is provided with a strong electric drift layer formed by electrochemically oxidizing a polycrystalline silicon layer after being anodically oxidized. - 特許庁

前記電膜13の金属材料には銅(Cu)元素を主分とするとともに、この銅(Cu)元素に銀(Ag)元素及びチタン(Ti)元素を添加したものが使用されている。例文帳に追加

The metallic material which consists essentially of a copper (Cu) element and is added with the silver (Ag) element and titanium element (Ti) to this copper (Cu) element is used as the metallic material of the electrode film 13. - 特許庁

したがって、画素電5と走査信号ライン2との間のカップリング容量は、その間に介在する補助容量形領域14aによるシールド効果により、低減される。例文帳に追加

As a result, a coupling capacity between the pixel electrode 5 and the scanning signal line 2 can be reduced by a shield effect of the auxiliary capacity forming area 14a lying in-between. - 特許庁

本発明は、圧電発振器の上面に検査電を形することによりキャビティの広さを確保することができる圧電発振器の製造方法及び圧電発振器を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a piezoelectric oscillator, along with a piezoelectric oscillator, capable of assuring the space of a cavity by forming an inspection electrode on the upper surface of the piezoelectric oscillator. - 特許庁

材料を、炭素材料(例えば、黒鉛など)と、この炭素材料を被覆する有機高分子であって、少なくとも第3級窒素原子を主鎖に有する有機高分子とで構する。例文帳に追加

The electrode material is composed of a carbon material (e.g., graphite) and an organic polymer for coating the carbon material therewith, the organic polymer having at least a tertiary nitrogen atom in the main chain. - 特許庁

半導体基板11の素子領域13上に、ゲート絶縁膜31を介して、メモリセルMCのメモリセルゲート電GEが形されている。例文帳に追加

A memory cell gate electrode GE of the memory cell MC is formed on an element region 13 of a semiconductor substrate 11 via a gate insulation film 31. - 特許庁

ゲート配線GL上に、データ信号配線DLと画素電PXに接続されている通常のトランジスタCTFTと、フローティング状態の予備のトランジスタFTFTを形する。例文帳に追加

An ordinary transistor CTFT connected to data signal wiring DL and pixel electrode PX and a spare transistor FIFT in a floating state are formed on gate wiring GL. - 特許庁

700nm〜1100nmに吸収大波長を有するレーキ色素および熱及び/又は光硬化性化合物を含む、近赤外吸収色素含有硬化性組物。例文帳に追加

The near-infrared absorbing dye-containing curable composition contains a lake dye having an absorption maximum wavelength at 700-1,100 nm and a heat- and/or photo-curable compound. - 特許庁

測定電流が一方の分を有して被測定蓄電池1から放電電流が流れるときには、その放電電流の電荷を電荷蓄積素子7で蓄積する。例文帳に追加

When a measurement current has one polar component and a discharge current flows from the storage battery 1 to be measured, the charge of the discharge current is accumulated by the charge accumulating element 7. - 特許庁

ゲートバスライン111及びデータバスライン115により区画された画素領域には、ITOからなる副画素電120a〜120cが形されている。例文帳に追加

In the liquid crystal display device, sub-pixel electrodes 120a to 120c consisting of ITO are formed in a pixel area demarcated by a gate bus line 111 and a data bus line 115. - 特許庁

インゴット処理装置は、電流が流されることによってインゴット部材Iを電解液E内で溶解して切断し、複数のスライス部材Sを生する加工用電10も備えている。例文帳に追加

The ingot processor also includes a processing electrode 10 for dissolving and cutting the ingot member I in the electrolytic solution E by supplying a current to form the plurality of slice members S. - 特許庁

その後、高誘電体膜の表面にシリコン窒化膜を形し(ステップS3)、この窒化膜上に、ポリシリコンなどのゲート電材料を堆積する(ステップS4)。例文帳に追加

Then, a silicon nitride film is formed on a surface of the high dielectric film (step S3); and a gate electrode material such as polysilicon is deposited on the nitride film (step S4). - 特許庁

触媒層とガス拡散層の接合界面に接着剤層を形し、膜−触媒層とガス拡散層を強固に接合した膜−電接合体。例文帳に追加

This membrane-electrode assembly is formed by forming an adhesive layer on an assembly interface of a catalyst layer and a gas diffusion layer and strongly joining a membrane-catalyst layer and a gas diffusion layer. - 特許庁

例文

具体的には高イオン濃度あるいは高電流密度の銅メッキもしくはニッケルメッキを施して電2の表面に上記の粗さの粗面を形することが好ましい。例文帳に追加

More particularly, it is preferable to execute copper plating or nickel plating of high ion concentration or high current density, and to form the rough surface having the above roughness on the surface of the electrode 2. - 特許庁

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