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成極の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49995



例文

タブ14、15の、外装フィルム密閉部Bより先端側に、スリット18を設けることでその他の部位よりも剛性の低い軟弱部19を形した。例文帳に追加

A soft part 19 having a less rigidity than the other parts is formed by providing a slit 18 further toward a tip side than an exterior film sealing part B of electrode tabs 14, 15. - 特許庁

また、前記反応時に電磁波を照射して電磁誘導加熱を行うこと、陰線又は紫外線又はγ線を照射すること、触媒を添加すること、加水反応によってアルカリ体を構する物質を添加することにした。例文帳に追加

During the reaction, the electromagnetic induction heating by emitting an electromagnetic waves, irradiation with the cathode rays, ultraviolet rays or γ rays, the addition of a catalyst, or the addition of a substance composing an alkali body by a hydrolytic reaction is executed. - 特許庁

炭化珪素半導体装置において、製造されたデバイスの金属/炭化珪素デバイス界面の密着性を向上し剥離を抑制することができる炭化珪素半導体装置の電方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for forming electrodes on a silicon carbide semiconductor device capable of suppressing peeling by improving adhesion of a metal/silicon carbide device interface of a manufactured device in the silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

転写材吸着用の電部材に付着したトナーを良好にクリーニングし、転写材の表面のトナー汚れを軽減することのできる転写搬送装置及び該装置を備えた画像形装置を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer transport device capable of reducing toner soil on the surface of a transfer material by excellently cleaning a toner sticking on an electrode member for transfer material adsorption and an image forming apparatus equipped with the device. - 特許庁

例文

メモリアレイを構する複数の3トランジスタ型ダイナミックセル内の蓄積トランジスタのソース電を接続し、電源端子との間にスイッチを設ける。例文帳に追加

The source electrodes of storage transistors in a plurality of 3-transistor type dynamic cells constituting a memory array are connected, and a switch is disposed between the source electrodes and power supply terminals. - 特許庁


例文

ネガ型のドライフォトレジストフィルムからなるメッキレジスト膜を用いて電解メッキを行なうことにより、再配線7の接続パッド部上面に柱状電8を形する。例文帳に追加

The columnar electrode 8 is formed on the upper surface of the connecting pad of rewiring 7 by electrolytically plating by using the plating resist made of a negative type dry photoresist film. - 特許庁

半導体装置100は、回路基板10のはんだボール18と半導体パッケージ30の電パッド34とがリフローにより電気的に接続されて構される。例文帳に追加

The semiconductor device 100 is constituted via electrical connection by reflow between the solder ball 18 of the circuit substrate 10 and the electrode pad 34 of the semiconductor package 30. - 特許庁

安価なマンガン酸化物を主分とし、カルシウムフェライト型構造を有する、安全性の高い、電池特性に優れる電材料が実現可能となる、アルカリマンガン酸化物およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an alkali-manganese oxide which contains, as a main component, inexpensive manganese oxide and allows the realization of an electrode material having a calcium ferrite-type structure and high safety, and excellent in battery characteristics; and a method for producing the same. - 特許庁

常温溶融塩を用い、少なくとも2つ以上の電を用いた電気化学素子を構することにより、空気中の酸素を活性酸素に還元させ、酸化することで高濃度酸素を分離する。例文帳に追加

To separate a high concentration oxygen by reducing oxygen in air into active oxygen and oxidizing it, by constituting an electrochemical element using at least two or more electrodes and using a salt meltable at a normal temperature. - 特許庁

例文

針の清掃を自動又は遠隔操作で行うことができ、かつ全体をコンパクトに構できるクリーニング機構を備えたイオン発生器を提供する。例文帳に追加

To provide an ion generator compactly formed as a whole and equipped with a cleaning mechanism which cleans an electrode needle by automatic or remote control. - 特許庁

例文

隣接するメモリセルゲート電間に空隙を形することで結合容量を抑制し、複数のコンタクト同士の短絡を防止しメモリの信頼性を向上する。例文帳に追加

To improve reliability by inhibiting coupling capacitance and preventing a short circuit between a plurality of contacts by forming a gap between neighboring memory cell gate electrodes. - 特許庁

活物質層22Bにおけるフッ化ビニリデンを分として含む高分子化合物の含有量は0.2質量%以上1質量%以下である。例文帳に追加

A content of the high polymer compound containing vinylidene fluoride as a component in an anode active material layer 22B is 0.2 mass% or more and 1 mass% or less. - 特許庁

特定範囲の重量平均メソ・マクロ孔比表面積を有する負材料用いる場合、リチウムイオンのプレドープに際して、電解液分の分解ガスの発生に起因するセルの膨張がみられる。例文帳に追加

When using a negative electrode material including a specified range of weight-average mesopore/macropore specific surface area, a cell is expanded by generating a cracked gas of an electrolyte constituent in pre-doping a lithium ion. - 特許庁

上記セパレータの表面の凹凸と上記膜電組立体によって囲まれた領域に上記液体燃料が流動する燃料用通路(111,112)を形する。例文帳に追加

Fuel flow channels (111, 112) through which the liquid fuel flows are formed at an area surrounded by the indentation on the surface of the separator and the membrane electrode assembly. - 特許庁

基板31上に金属膜で形された電32が、不規則に分布する微小開口を備え、それら微小開口による開口率が所定単位面積内においてほぼ均一な液晶パネル基板30である。例文帳に追加

This liquid crystal panel substrate 30 is formed with electrodes 32 formed of a metallic film on a substrate 31, of which electrodes have irregularly distributed microparticles and, in which the aperture ratio by these microparticles is nearly uniform within a prescribed unit area./The - 特許庁

出力インピーダンス整合回路215に含まれるキャパシタC3、C4、C5を構するキャパシタ電C31、C41、C51は、機能層72—73間に備えられている。例文帳に追加

Capacitor electrodes C31, C41, C51 comprising in capacitors C3, C4, C5 included in an output impedance matching circuit 215 are provided between functional layers 72 and 73. - 特許庁

ゲート電3を覆う絶縁膜4の表面には、シリコン窒化膜の第1ストッパ膜5及びポリシリコンの第2ストッパ膜6が形される。例文帳に追加

A first stopper film 5 of a silicon nitride film and a second stopper film 6 of polysilicon are formed on the surface of an insulating film 4 covering a gate electrode 3. - 特許庁

会合情報検出部104は同時的なコンテキストから形したコンテキストグラフの大な完全部分グラフを判別してそれぞれ会合情報として検出する。例文帳に追加

A meeting information detection part 104 discriminates the maximum completed part graph of a context graph formed from the simultaneous contexts and respectively detects it as meeting information. - 特許庁

電圧フォロワを構する初段以外のいずれか1つのトランジスタの制御電と前記電源電圧との間にスイッチ回路が接続される。例文帳に追加

A switch circuit is connected between the control electrode of any transistor other than that in the first level constituting the voltage follower and the power supply voltage. - 特許庁

下部及び上部クラッド層3,5は、導電性酸化物を材料として形されており、コア層4に電圧を印加するための下部及び上部電を兼ねている。例文帳に追加

The lower and upper clad layers 3 and 5 are formed by using a conductive oxide as a material and serve as the lower and the upper electrodes for applying voltage to the core layer 4. - 特許庁

発光効率がめて高く、しかも一度のエピタキシャル長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting diode of significantly high light emitting efficiency that can be manufactured by one-time epitaxial growth at a low cost, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

ディスプレイ装置内の空間活用の大化およびディスプレイ装置の小型化を容易にするため、ディスプレイ装置のケースをディスプレイユニットの外郭形状に合わせて形させる。例文帳に追加

To form a case of a display device fitted to the outline shape of the display unit to maximize space utilization in the display device and facilitate miniaturization of the display device. - 特許庁

保持器は、アルミニウム合金からなるベース部14Aと、ベース部14Aの表面を含む領域に形された硬質陽酸化皮膜14Eとを備えている。例文帳に追加

A cage comprises a base portion 14A, made of an aluminum alloy and a hard anode oxide film 14E, is formed in a range that includes the surface of the base portion 14A. - 特許庁

取出部のワイヤボンディングによる接続において、基板とその上に形された金属との界面が、超音波のパワーにより破壊されずに、十分な強度を得ることのできるワイヤボンディング接続構造を提供する。例文帳に追加

To provide a wire-bonding connecting structure in which an interface between a substrate and metal being formed thereon can obtain sufficient strength without being destroyed by ultrasonic power in connecting an electrode drawing portion with wire-bonding. - 特許庁

その対向電に電源38により電圧を印加することによって、現像スリーブ33との間でその現像スリーブ側への力がトナーに働く電界を形する。例文帳に追加

By the application of a voltage to the counter electrode 37 from a power source 38, an electric field in which force directed to the developing sleeve acts on toner is generated between the sleeve 33 and the counter electrode 37. - 特許庁

比較的簡単な回路構で任意のサブフィールド、任意の画像表示領域で同時書込みを行うことができる機能を有する走査電駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma display device that has a scanning electrode drive circuit having a function to perform simultaneous writing in an arbitrary sub-field and an arbitrary image display area by a relatively simple circuit configuration. - 特許庁

した試料イオンは、加速電によって図1中y軸方向に加速され、その後段に配置されたMSによって順次質量分析される。例文帳に追加

The generated sample ion is accelerated by an accelerating electrode in a y-axial direction in Fig. 1, and sequentially mass analyzed by an MS disposed at its rear stage. - 特許庁

この画素回路100を製造する場合に、まずガラス基板10上にゲート電13、ゲート絶縁膜16及びチャネル領域18を形する。例文帳に追加

When manufacturing the pixel circuit 100, the gate electrode 13, gate insulation film 16 and channel area 18 are first formed on a glass substrate 10. - 特許庁

気液接触を十分におこなって、空気中に含まれるごみ、ちり、タバコの煙、有害ガス分のような軽い微粒子にいたるまで空気中から分離除去して空気を浄化する。例文帳に追加

To clean air by separating and removing from the air very light particulates such as dirt, dust, cigarette smoke and harmful gas component contained in the air by performing sufficiently gas-liquid contact. - 特許庁

次いで、エッチングにより、絶縁層18の表面の一部およびXeイオンが通過した領域が除去され、その後、絶縁層18の表面上に、上部電20が形される。例文帳に追加

Then a part of surface of the insulated layer 18 and region, where Xe ions passed through are removed by etching and the upper electrode 20 is formed on the insulated layer 18 after that. - 特許庁

これにより、半導体装置を構した際、樹脂封止の信頼性を得るとともに、底面にランド電を配列した小型の樹脂封止型半導体装置を効率よく実現することができる。例文帳に追加

Thus, the reliability in resin sealing is provided at configuration of a semiconductor device, efficiently providing a small resin-sealed type semiconductor device where land electrodes are arrayed on the bottom surface. - 特許庁

優れた潤滑特性を有するだけでなく、水が進入しても軟化をめて少なく抑えることができ、軟化流出による潤滑不良なくすことが可能な耐水性に優れた金属石鹸グリース組物を提供する。例文帳に追加

To provide a metal soap grease composition not only having excellent lubricant characteristics but also capable of suppressing softening even when water is invaded and eliminating a lubricant defect due to softening outflow and having excellent water resistance. - 特許庁

本発明のベアICチップ1は、能動面1Aaにおける各電1B,1B…に設けられた金バンプ1C,1C…の表面に、金バンプ1Cよりも硬いニッケル層(導電金属層)1Dを形している。例文帳に追加

In a bare IC chip 1, nickel layers (conducting metal layers) 1D harder than gold bumps 1C are formed on the surfaces of gold bumps 1C, 1C... in an active surface 1Aa. - 特許庁

フルオロエラストマーの有益な機械的及び化学的な性質を残しながら、耐摩耗性を有し、トナーとの相互作用がめて少なく、且つ耐オフセット性を有するフルオロカーボン共重合体に基づいた被覆組物を提供する。例文帳に追加

To obtain a coating composition based on a fluorocarbon copolymer having abrasion resistance, extremely little interaction with a toner and offset resistance while retaining profitable, mechanical and chemical properties of a fluoroelastomer. - 特許庁

前記キャパシティセンサーは、誘電基板の片面上に形された2体式隣接電を含んでおり、前記キャパシティセンサーと重量センサーの両方から得られた情報が、上記システムに利用されていることを特徴とする例文帳に追加

The capacitive sensor includes dual adjacent electrodes formed on one face of a dielectric substrate, and information acquired from the capacitive sensor and the weight sensor is utilized for the system. - 特許庁

チャネルが形される非晶質半導体膜、ソース、ドレイン領域となるn型の半導体膜及びソース配線及びドレイン電となる導電膜を積層し、同一のフォトマスクにてパターニングする。例文帳に追加

An amorphous semiconductor film for channel formation, an n-type semiconductor film formed as source and drain regions, and a conductive film formed as source wiring and drain electrode are stacked and then subjected to patterning operation using the same photomask. - 特許庁

Black−Dye又はn719色素にトリフェニルアミン基を結合させた化合物からる色素増感剤を吸着させた電を用いる。例文帳に追加

An electrode in which a dye sensitizer composed of a compound prepared by binding a triphenylamine group to Black-Dye or an n719 dye is adsorbed is used. - 特許庁

好ましくは、この電用バインダーでは、上記ポリマーの形に使用したモノマー全質量に対する上記シクロヘキシル(メタ)アクリレートの質量の比率は、5.0質量%以上70.0質量%以下である。例文帳に追加

In the binder for an electrode, a ratio of mass of the cyclohexyl (meth)acrylate relative to the total mass of the monomer used for forming the polymer is preferably 5.0 mass% or more and 70.0 mass% or less. - 特許庁

エンジンの排気経路中にHCトラップ触媒を備えたハイブリッド自動車の制御装置に関し、簡素な構でHCトラップ触媒から排出されるHCを力抑制できるようにする。例文帳に追加

To minimize HC exhausted from an HC trap catalyst with a simple constitution, in a control device for a hybrid automobile having the HC trap catalyst in an exhaust passage of an engine. - 特許庁

基板上に形したゲート電及びゲート絶縁膜に対して、有機化合物半導体膜が斜めに接触している構造を特徴としている。例文帳に追加

A structure has a characteristic wherein the organic compound semiconductor film is obliquely in contact with a gate electrode formed on a substrate and a gate insulating film. - 特許庁

その後、メッキ法によって開口部内に金属を析出させ、フォトレジスト2を除去することによって先端が尖った突起電が形される。例文帳に追加

Subsequently, a metal is deposited in the opening by a plating method, and by removing the photoresist 2, a bump electrode with its top end sharpened is formed. - 特許庁

遷移金属およびイミドアニオンからなる錯体を電解液に添加することにより、長期サイクルにわたり安定な皮膜を負表面に形する。例文帳に追加

A stable coat is formed on the surface of a negative electrode over a long cycle by adding a complex comprising a transition metal and an imide anion to the electrolyte. - 特許庁

次に、複合溶液を、ガラス基板上に形された微小白金くし型電にキャストした後、真空乾燥により溶媒を除去してガスセンサが得られる。例文帳に追加

Then the composite solution is cast into a micro platinum comb electrode formed on a glass substrate, and a solvent is removed by vacuum drying to obtain a gas sensor. - 特許庁

ヒドロキシ不飽和脂肪酸と硫黄と硫化水素とを加熱加圧下で反応させてヒドロキシ不飽和脂肪酸を硫化すると共に縮合させた後、得られる反応生物を塩基で中和して圧添加剤とする。例文帳に追加

The extreme-pressure additive is obtained by reacting a hydroxy unsaturated fatty acid with sulfur and hydrogen sulfide under heating and a high pressure to sulfurize the hydroxy unsaturated fatty acid and also condense it, and then neutralizing the obtained reaction product with a base. - 特許庁

その後、流路ユニット4上に形されたマーク55を光学的に認識し、認識されたマーク55の位置を基準にして、圧電シート41上に、個別電35となる導電性のペースト39をパターン印刷する。例文帳に追加

Thereafter, the mark 55 formed on the flow channel unit 4 is recognized optically and a conductive paste 39 becoming the discrete electrodes 35 is printed on a piezoelectric sheet 41 patternwise on the basis of the position of the recognized mark 55. - 特許庁

励磁装置は、当該励磁装置の外部または内部から励磁切替指令が与えられたとき、その直流出力の性を反転するように構されている。例文帳に追加

When the exciting device is provided with an excitation switching command from outside or inside the exciting device, it reverses the polarity of the DC output. - 特許庁

基板40上の導電路41に塗布されたソルダークリーム42が溶融する温度を、半導体装置10の裏面に形された凸電15が溶融する温度よりも低くする。例文帳に追加

The melting temperature of solder cream 42 applied to conducting paths provided on the substrate 40 is made lower than those of projecting electrodes 15 formed on the backside of the semiconductor device 10. - 特許庁

ポリシリコン膜12に対して、レジストパターン14及びパターン化された反射防止膜13Aをマスクにドライエッチングして、ポリシリコン膜12からなるゲート電12Aを形する。例文帳に追加

The polysilicon film 12 is dry-etched using the resist pattern 14 and the patterned anti-reflection film 13A for the mask to form a gate electrode 12A composed of the polysilicon film 12. - 特許庁

また、取出し電21hを絶縁基板と磁性層の間に形することにより、ギャップを小さくできるので、トランスの相互インダクタンスを大きくできる。例文帳に追加

By forming the leading-out electrodes 21h between an insulating board and a magnetic layer, a gap can be reduced so that the mutual inductance of a transformer can be increased. - 特許庁

例文

第1のボンディング電81の下方には、発光素子用のn型半導体層2から分離して保護素子用のn型半導体層12を形してある。例文帳に追加

Below the first bonding electrode 81, an n-type semiconductor layer 12 for a protection element is formed isolated from the n-type semiconductor layer 2 for the light-emitting element. - 特許庁

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