「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

別の半導体を開口部内で成長させた後、誘電体ストリップを除去し、その後、別の半導体層を全面に亘って成長させる。例文帳に追加

Another semiconductor material is grown within the openings and then another semiconductor layer is grown over the entire surface after removing the dielectric strips. - 特許庁

結晶成長方法，フッ化物結晶の成形方法，光学部材の成形方法及び結晶成長用種結晶例文帳に追加

METHOD FOR GROWING CRYSTAL, METHOD FOR FORMING FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR FORMING OPTICAL MEMBER, AND SEED CRYSTAL FOR GROWING CRYSTAL - 特許庁

基板に対して下部電極を完全エピタキシャル成長させ、さらに誘電体薄膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The lower electrode is subjected to complete epitaxial growth to the substrate, and the dielectric thin film is subjected to epitaxial growth furthermore. - 特許庁

その後、開口部を成長領域としてファセット構造を形成させながらIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then, facet structure is formed with the opening part as a growth area and a III group nitride semiconductor is epitaxially grown. - 特許庁

前記成長用基板の前記非マスク部から半導体膜をエピタキシャル成長させて前記マスク上を覆う半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor film from the non-mask portion of the growth substrate is epitaxially grown to form a semiconductor layer covering the mask. - 特許庁

半導体層２０は種結晶部１１ａを基礎として成長し、転位密度が低い横方向成長領域を有している。例文帳に追加

The semiconductor layer 20 is grown on the basis of the species crystal part 11a and has the lateral growing area of low dislocation density. - 特許庁

更にその上には、横方向成長技術により開口部４Ｂから成長させたＧａＮの窒化物半導体層５が形成されている。例文帳に追加

A GaN nitride semiconductor layer 5 is further grown on them from the openings 4B by a lateral growth technique. - 特許庁

このような形状の変調器積層構造は、接合端部における上方への異常成長を抑えながら成長させることができる。例文帳に追加

The modulator laminating structure of the shape described above can be grown while abnormal growth in the upward at the end of the bonding portion is controlled. - 特許庁

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

二次元結晶部は、１つの結晶核からの成長により形成され、結晶の主成長方向を有する。例文帳に追加

The two-dimensional crystal portion is formed by growth from one crystal nucleus and has the main growth direction of the crystal. - 特許庁

気相成長装置およびエピタキシャル気相成長装置用ガス導入口の仕切り部材の傾斜角度設定方法例文帳に追加

EPITAXIAL VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM AND GRADIENT ANGLE SETTING METHOD FOR PARTITION MEMBER OF GAS INLET FOR THE VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM - 特許庁

この微粒子を結晶成長核として、さらに結晶性被膜を形成すれば、結晶粒の異常成長によりドーム型の凸部を形成できる。例文帳に追加

A dome shaped projecting part is formed by forming a crystalline coating film by using the fine particles as the crystal growing nucleus to abnormally grow the crystal particles. - 特許庁

気相成長装置、気相成長装置における対向面部材またはサセプタ上面カバー取外し方法例文帳に追加

VAPOR DEPOSITION DEVICE, METHOD FOR REMOVING COUNTER SURFACE MEMBER OR SUSCEPTOR TOP COVER IN VAPOR DEPOSITION DEVICE - 特許庁

第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。例文帳に追加

The first guide member 61 has a regulating surface 61a regulating a growth range of the single crystal growing on the seed crystal 10. - 特許庁

信頼度成長曲線表示部５８は、信頼度成長曲線を表すグラフおよび矯正関数についてのグラフを出力する。例文帳に追加

The display part 58 outputs the graph showing the reliability development curve and the graph for the correction function. - 特許庁

次に、該複合透光性基板５０の発光層成長準備層８の第二主表面ＭＰ２に発光層部２４をエピタキシャル成長する。例文帳に追加

Next, on the second main surface MP2 of the light-emitting layer growth preparing layer 8 of the substrate 50, the layer part 24 is epitaxially grown. - 特許庁

放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。例文帳に追加

The p-type thick film CdTe layer (100 to 500 mm) made as a radiation detector is grown by introducing a minute amount of n-type impurity at a growing temperature of 400°C or above. - 特許庁

また、ＧａＮ基板１の第２の主表面１ａ上に、ＧａＮを成長させることにより選択成長凸部３６が形成されている。例文帳に追加

On the second principal plane 1a of the GaN substrate 1, a selection growth projecting portion 36 is formed by growing GaN. - 特許庁

本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な気相成長方法および気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth method and apparatus for uniformly forming a film up to the circumferential part of a wafer. - 特許庁

ヒトの部分的成長ホルモン不感受性症候群の患者の成長速度を向上させるための方法の提供。例文帳に追加

To obtain a pharmaceutical composition for improving the growth rate of patients suffered from human partial growth hormone insensitivity syndrome(GHIS) by including an effective amount of a serum insulin growth hormone (IGF-I) and a support. - 特許庁

半導体ウエハの気相成長を行う反応部１に待機系Ｓと成長系Ｇとの２つの排気ラインを有している。例文帳に追加

Two exhaust lines for a standby system and a growth system are provided on a reaction part 1, where a semiconductor wafer is vapor grown. - 特許庁

神経成長因子産生誘導剤、並びに神経成長因子産生誘導成分が含まれた食品及び医薬部外品例文帳に追加

AGENT FOR INDUCING PRODUCTION OF NERVE GROWTH FACTOR, AND FOOD AND QUASI-DRUG CONTAINING COMPONENT TO INDUCE PRODUCTION OF NERVE GROWTH FACTOR - 特許庁

成長マスクの開口部におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。例文帳に追加

The n-type GaN layer 15 in a hexagonal pyramid shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the opening part of the growth mask. - 特許庁

本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な気相成長方法および気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth method and apparatus which can form a film on a wafer uniformly up to its peripheral edge. - 特許庁

成長結晶内に発生する欠陥を結晶外周部に限定させて、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。例文帳に追加

To grow a high-quality crystal with high yield by restricting a defect occurring in a growing crystal to a peripheral portion of the crystal. - 特許庁

これにより、エピタキシャル層６を成長させた際に、第１のトレンチ２の底部の成長レートを第２のトレンチ４の底部の成長レートより大きくすることができる。例文帳に追加

Thereby, when the epitaxial layer 6 is grown, the growth rate of a bottom part of the first trench 2 can be set larger than that of a bottom part of the second trench 4. - 特許庁

成長容器の直胴部上の開口部から液体封止剤を飛散させないようにして、化合物半導体単結晶成長後に成長容器を破損することなく取り出すことを可能とする。例文帳に追加

To take a compound semiconductor single crystal out of a growth vessel without damaging the growth vessel after the growth of the compound semiconductor single crystal by preventing a liquid sealant from being scattered from an opening part above the trunk part of the growth vessel. - 特許庁

この結晶成長容器１１を用いることにより、結晶成長容器１１の内部の原料ガス４の１％以上５０％以下を、多孔質体の気孔を介して結晶成長容器１１の外部に排出することができる。例文帳に追加

By using this crystal growth vessel 11, an amount of 1-50% of a raw material gas 4 at the inside of the crystal growth vessel 11 can be discharged to the outside of the crystal growth vessel 11 through pores of the porous body. - 特許庁

そして、成長力算出部１１０において、形状変形に要する仮想の力を算出し、成長経路算出部１２０では、算出された成長力を用いて変形の経路を決定する。例文帳に追加

A growth power calculating section 110 calculates the virtual power required for the shape deformation, and a growth pass calculating section 120 determines the deformation pass using the calculated growth force. - 特許庁

この後、選択成長用マスク４を除去し、選択成長用マスク４が除去された領域と、選択成長層５が積層されている選択領域３との境界部分に形成された段差部６の高さを測定する。例文帳に追加

Next, the selective growth mask 4 is removed, and the height of a step 6 formed at the boundary between an area on the first epitaxial layer 2 other than the removed selective growth mask 4 and the selective area 3 having the selective growth layer 5 laminated thereon is measured. - 特許庁

成長マスクの開口部の一方向の大きさが４μｍ以下である場合を含めて、成長マスクの各開口部において高品質のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を良好な形状で選択成長させる。例文帳に追加

To selectively growing a high quality of GaN-based group III-V compound semiconductor layer with a satisfactory shape in each opening of a growth mask, including when the size of the openings of the mask in one direction is 4 μm or smaller. - 特許庁

特に、埋め込み層２は、成長障壁層１の凹部Ｄ内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層２内の結晶転位が低減する。例文帳に追加

Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion. - 特許庁

発光層成長用基板７の主表面ＭＰ２に、化合物半導体よりなる発光層部２４をエピタキシャル成長し、次いで発光層部２４から発光層成長用基板７を剥離する。例文帳に追加

After the light emitting layer 24 composed of a compound semiconductor is epitaxially grown on the main surface MP2 of the substrate 7 for growing a light emitting layer, the substrate 7 is peeled off from the section 24. - 特許庁

成長スコア設定部４６は、ロボットの成長状態に基づいて、辞書記憶部４４における単語辞書に登録された各単語に、成長スコアを設定する。例文帳に追加

A growing score setting section 46 sets a growing score for each word registered in the word dictionary of a dictionary storage section 44 based on the growing state of the robot. - 特許庁

そして、発光層単位成長部１３の形成された複合基板５０を、少なくとも成長抑制用空隙１１の位置において分割することにより、発光層単位成長部１３に基づく個別の素子チップ１００を得る。例文帳に追加

The complex board 50 with the light emitting unit growth sections 13 formed thereon is segmented at least at the locations of the growth inhibiting gaps 11 for obtaining individual element chips 100 based on the light emitting layer growth sections 13. - 特許庁

空洞含有層を形成する工程は、成長用基板の表面に高温部と低温部が繰り返し連続するような温度分布を設けて、気相成長法により成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる工程を含む。例文帳に追加

The process of forming the void-containing layer includes a process of providing temperature distribution such that a high-temperature part and a low-temperature part repeatedly continue on the surface of the substrate for growth and growing the group III nitride-based compound semiconductor on the substrate for growth by a vapor growth method. - 特許庁

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。例文帳に追加

This prevents cracks from occurring, suppresses creep-up growth from a bottom side growth part of the trench region to restrain the film thickness of a side face growth part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element formed with a nitride semiconductor growth layer having excellent surface flatness at a high yield. - 特許庁

ｐ側コンタクト層１９は、ｐ型クラッド層１８の突部１８ａに対応して設けられた基礎成長領域１９ａと、この基礎成長領域および突部１８ａを基礎として成長された再成長領域１９ｂとを有している。例文帳に追加

The p-side contact layer 19 consists of a basic growth region 19a formed so as to correspond to the projecting part 18a of the p-type clad layer 18, and a regrowth region 19b, which is grown with the basic growth region 19a and projecting part 18a as a base. - 特許庁

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。例文帳に追加

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4. - 特許庁

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。例文帳に追加

This prevents cracks from being generated, suppresses creep-up growth from a bottom side grown part of the trench region to suppress the increase of the film thickness of a side grown part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element with a nitride semiconductor grown layer having good surface flatness at a high yield. - 特許庁

導出処理部は、試料表面上の複数の露について成長度合いを導出するとともに、成長度合いの最も小さい露についての成長度合いに対して所定の閾値以上の成長度合いを有する露については除外して統計処理して付着物の大きさを導出する。例文帳に追加

The derivation processing part derives the growing degree relative to a plurality of drops of dew on the sample surface, and derives the adhesive size by performing statistical processing by removing the dew having a growing degree over a prescribed threshold to a growing degree of the dew having the smallest growing degree. - 特許庁

水平円盤型サセプタを使用する気相成長装置において、ウェーハとその周辺部との貼り付き現象を防止し、気相成長膜形成の半導体生産性を向上することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an apparatus for vapor phase epitaxy using a horizontal circular susceptor capable of preventing a wafer from sticking to its periphery and improving semiconductor productivity in forming a vapor phase epitaxial film, and to provide a method for the vapor phase epitaxy. - 特許庁

ＧａＮ厚膜１０６については、ＭＯＣＶＤ法により、開口部１０５で露出したＧａＮ層１０３の表面に選択成長させた後、さらに成長を続け、選択成長マスク１０４表面上にも横方向へ成長させている。例文帳に追加

The GaN thick films 106 are grown selectively on the surfaces of the GaN layer 103 exposed in opening sections 105 by an MOCVD method, and growth is further continued, and the thick films are also grown in the lateral direction on the surface of the selective growth mask 104. - 特許庁

例えば、癒着部内で神経の成長促進剤と成長抑制剤とを、２つの層２１Ａ、２１Ｂに分けてそれぞれ各別に設け、成長促進剤をイオン選別層２２側に配置し、成長抑制剤を導通層２０ｂ側に配置する。例文帳に追加

For example, the growth accelerator and a growth suppressor with the nerve are separately provided as two layers 21A and 21B in the adhesive portion, the growth accelerator is disposed in the ion selection layer 22 side, and the growth suppressor is disposed in the conductive layer 20b side. - 特許庁

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。例文帳に追加

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22. - 特許庁