「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

この成長種を有するシリコン基板１０を気相成長装置にセットし、高温下でシリコン気相成長ガスを導入すると、環状の金層の部分はＳｉ−Ａｕ合金２８の液滴となる。例文帳に追加

By thermal decomposition of the vapor phase growth gas, silicon is introduced from the atmosphere to the liquid drops, and since a liquid is more liable to absorb a silicon atom than a solid, gradually the silicon exceeds in the liquid drops of the Si/Au alloy 28 and the silicon single crystal grows in a tube. - 特許庁

また、自然核による結晶が発生しにくい低過飽和溶液を用いて結晶成長を行うことができ、成長部位以外での結晶成長（雑晶）を抑制することができる。例文帳に追加

Furthermore, the crystal can be grown by using a low supersaturation solution in which the crystal is hardly generated by a natural nucleus, and the growth of a crystal (impurity crystal) at a position other than the crystal growth part can be suppressed. - 特許庁

（２）ＳｉＣ種結晶１２の主成長面上にある｛０００１｝面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。例文帳に追加

(2) A main direction having the plurality of sub-growth planes is present in an arbitrary direction from the uppermost part of the {0001} plane on the main growth plane of the SiC seed crystal 12 toward the outer periphery of the main growth plane. - 特許庁

再成長界面調整層１８の上には、選択的水平方向成長法により電流狭窄絶縁層１７の開口部を覆うように再成長したｎ型クラッド層１９及びｎ型コンタクト層２０が形成されている。例文帳に追加

On the regrowth interface regulation layer 18, an n-type clad layer 19 and an n-type contact layer 20 are formed by selective horizontal growth method to cover the opening of the current constriction insulating layer 17. - 特許庁

半導体生産性の向上と共に、気相成長反応の副生成物による金属部品の腐食を防止することを可能とする気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vapor-phase-grown-film forming device that prevents corrosion of metal components caused by a by-product of a vapor-phase growth reaction while achieving improvement in semiconductor productivity, and a vapor-phase-grown-film forming method. - 特許庁

成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。例文帳に追加

A mask 11 for selective growth is formed on a substrate 1 for growth, and an AlN buffer layer 2 is formed in a region where part of the mask 11 for selective growth is removed. - 特許庁

そして、さらに別工程の第２の液相成長工程により発光層形成部４の上層の導電形、すなわちｐ形のＧａＰ層からなる第２のエピタキシャル成長層５を厚く液相成長する。例文帳に追加

By a second liquid growth process in other process, a conductivity type of the upper layer of the light emitting layer forming part 4, i.e., a second epitaxial growth layer 5 composed of a P-type GaP layer is subjected to thick liquid growth. - 特許庁

またクラッド層６の側壁部分からは電流ブロック層８が成長しないので成長を阻害する要因がなくなり、従って従来より厚く成長させることができる。例文帳に追加

Further, the current blocking layers 8 do not grow farther from the side of the clad layer 6 and there is nothing to stop the growth of the clad layer 6. - 特許庁

埋め込み成長において、スカート状の円筒部の内側の多結晶が成長し難くなることを抑制し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。例文帳に追加

To grow a SiC single crystal into a long form while suppressing difficulty in growing a polycrystal inside a skirt-like cylindrical part in an embedded growth process. - 特許庁

これにより、炭化珪素単結晶４が成長すると共に、多結晶成長部材１３の表面１３ｃに炭化珪素単結晶４と同等の高さとなる多結晶６が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁

成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。例文帳に追加

A mask 11 for selective growth is formed on a substrate 1 for growth, and an AlN buffer layer 2 is formed in the area where a part of the mask 11 for selective growth is removed. - 特許庁

成長量演算部１４５によって、振動を目標振幅まで成長させる（振幅を増加させる）ための成長力積を各加振パルスごとに求める。例文帳に追加

The growth impulse for growing vibration (increasing amplitude) up to target amplitude, is determined with respective excitation pulses by the growth quantity arithmetic operation part 145. - 特許庁

特に通貨危機のあった1997年には、他地域が全て実質マイナス成長となる一方で、東部臨海地域のみがプラス成長を維持しており、産業の集積による高い成長力を示している。例文帳に追加

In 1997, the year of the currency crisis, the eastern seaboard alone maintained positive growth while all other regions recorded real negative growth, demonstrating the growth capacity of industrial agglomerations. - 経済産業省

通電が進むと溶融部２５が成長し、溶融部２５はジュール熱により局部的に高温になる。例文帳に追加

As energization progresses, a melting zone 25 grows and locally becomes a high temperature by Joule heat effect. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

対象者の成長に係る現時点での成長情報を受け付ける現時点成長情報受付部１５と、前記現時点成長情報受付部１５で受け付けた成長情報に基づき、現時点においてその対象者に対してなすべき指導情報を生成する指導情報生成部２４とを具備するようにした。例文帳に追加

The system includes a current growth information receiving part 15 for receiving current growth information about the growth of an object person, and an instruction information generation part 24 for generating instruction information to be provided to the object person at the current time according to the growth information received by the receiving part 15. - 特許庁

そして、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部２４を、複合基板５０の発光層成長準備層の第二主表面ＭＰ２に対し、各単位準備層８外の領域での層成長を成長抑制用空隙１１により抑制しつつエピタキシャル成長させることにより、各単位準備層８上に発光層単位成長部１３を形成する。例文帳に追加

Light emitting layers 24 of AlGaInP are epitaxially grown on the second main surface MP2 of the light layer growth preparation layer of the complex board 50, while layer growth in regions other than the unit preparation layers 8 is inhibited by the growth inhibiting gaps 11, for the formation of a light emitting layer unit growth section 13 on each of the unit preparation layers 8. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁

活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。例文帳に追加

The active layer 14 includes an abnormal growth portion 14a formed at a peripheral edge of the predetermined region and a forbidden bandwidth increase portion 14b formed at a periphery of the abnormal growth portion 14a and having a larger forbidden bandwidth than other parts of the active layer 14 except the abnormal growth portion 14a. - 特許庁

基板上に開口部を有する保護膜を成長させ、熱処理をすることで基板の露出部を荒らす。例文帳に追加

Growing and heat treating a protective film having openings on a substrate to make the exposed region of the substrate rough. - 特許庁

この際、ラテラル方向成長が生じることで凹部１２が空洞部１３となって残留する。例文帳に追加

At this time, lateral direction growth occurs, thus setting the recessed part 12 to a cavity part 13 for remaining. - 特許庁

先ず、基板１の結晶成長面に凸部１１と凹部１２とを設ける。例文帳に追加

First, a projection part 11 and a recessed part 12 are provided on the crystal growth surface of a substrate 1. - 特許庁

針状ウィスカがシート１内部に侵入し、時間の経過に伴いシート１の内部で成長する。例文帳に追加

A needle whisker enters a sheet 1, and is grown inside the sheet 1 with a lapse of time. - 特許庁

このため盛上部５０の成長により隣接する盛上部５０と接触するのを防止することができる。例文帳に追加

Therefore, the adjacent protrudent parts can be prevented from coming into contact with each other. - 特許庁

この蒸気泡が成長すると吐出部２０内の液体が外部に吐出し、液体は微粒化される。例文帳に追加

The liquid in the discharge part 20 is discharged to the outside to atomize the liquid with the growth of the vapor bubbles. - 特許庁

次に、突起部６の先端の露出領域上に細線部７をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then a thin wire part 7 is epitaxially grown on the exposed region of the point of the projection part 6. - 特許庁

この後、測定された段差部６の高さ分だけ選択成長層５の一部を除去する。例文帳に追加

Part of the selective growth layer 5 is removed by an amount corresponding to the measured height of the step 6. - 特許庁

本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する第１の基板と、前記成長面の少なくとも凸部上に形成された第１の窒化物半導体膜とを有し、前記窒化物半導体膜は、前記凸部上から前記凹部上にラテラル成長した膜を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor film comprises a film which is lateral-grown on the concave portion from the convex portion. - 特許庁

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。例文帳に追加

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth. - 特許庁

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。例文帳に追加

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth. - 特許庁

成長マスクを用いてＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、３回対称または６回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク４を用いる。例文帳に追加

In a semiconductor growing method, where a nitride III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is formed on a substrate, such as a sapphire substrate formed of a material different from that of the compound semiconductor using a growing mask, a growing mask 4 which contains at least a pattern that is threefold or sixfold symmetrical is used as the growing mask. - 特許庁

原料が収容された石英容器をソース充填部１２が成長部より常に高温となるように、ソース充填部１２を９００℃、成長部１３を８５０℃に設定し、１００時間の熱処理を行なうことにより、β−ＦｅＳｉ_2を成長させた。例文帳に追加

The quartz vessel in which the raw materials are housed is heat treated for 100 hours by setting a source packed section 12 at 900°C and a growth section 13 at 850°C in such a manner that the source packed section 12 attains the temperature higher than the temperature of the growth section at all times, by which β-FeSi2 is grown. - 特許庁

従って(ｂ)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位２０が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部１１の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹部に空洞部１３を残したまま、基板１の凹凸面を覆う。例文帳に追加

Crystal units 20 occur at the start of crystal growth, and as the crystal growth continues, the films which start from the upper part of the protruding part 11 grow laterally to join each other, eventually covering the rough surfaces of the substrate with cavity parts 13 left in recessed parts. - 特許庁

サファイア基板20の上部にアルミニウムを含む窒化物バッファー層21を成長させる段階と、窒化物バッファー層21の上部に二元系窒化物バッファー層22を成長させる段階と、二元系窒化物バッファー層22の上部に窒化物半導体層23を成長させる段階とで構成される。例文帳に追加

The method comprises: a step for growing a nitride buffer layer 21 including aluminum on a sapphire substrate 20; a step for growing a binary nitride buffer layer 22 on the nitride buffer layer 21; and a step for growing a nitride semiconductor layer 23 on the binary nitride buffer layer 22. - 特許庁

マスク層３間のストライプ状の開口部から縦方向選択成長部７１が形成され、さらにこの縦方向選択成長部７１からの横方向選択エピタキシャル成長によってストライプ形状のＧａＮ系化合物半導体層７２が形成される。例文帳に追加

A longitudinal direction selective growth 71 is formed from a stripe-like opening between the mask layers 3, and a GaN based compound semiconductor layer 72 in a stripe shape is formed by lateral direction selective epitaxial growth from the longitudinal direction selective growth 71. - 特許庁

ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先だって、第１半導体部１９のエッチング端面１９ａ上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に形成された異常成長部２５の少なくとも一部をエッチングによって除去する。例文帳に追加

In advance of growth of an active layer 27 for an EA modulator, at least part of deposition, namely an abnormal growth portion 25 formed at the growth of the first optical confinement layer 23, on an etching edge face 19a of a first semiconductor portion 19 is removed by etching. - 特許庁

ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。例文帳に追加

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method. - 特許庁

その国の都市部と郊外との生活水準の差は、経済成長が著しく早いからだ例文帳に追加

The gap in standard of living between the urban areas and suburban areas of that country is due to the remarkably fast economic growth.  - Weblio Email例文集

それらが成長しているところ以外の世界の一部から生まれた植物または動物の例文帳に追加

of plants or animals originating in a part of the world other than where they are growing  - 日本語WordNet

小型の低木で、カリブ海の島々と米国南部の大西洋沖に成長する例文帳に追加

small bushy tree grown on islands of the Caribbean and off the Atlantic coast of the southern United States  - 日本語WordNet

米国南西部で緑肥として広く栽培されている、成長の早い一年生植物例文帳に追加

tall-growing annual of southwestern United States widely grown as green manure  - 日本語WordNet

山や北極圏に成長する分岐した平べったい一部立ち上がった葉状体のある地衣類例文帳に追加

lichen with branched flattened partly erect thallus that grows in mountainous and Arctic regions  - 日本語WordNet

親の表面や体内で部分的に成長したものが別の個体になる無性生殖例文帳に追加

asexual reproduction in which a local growth on the surface or in the body of the parent becomes a separate individual  - 日本語WordNet

果樹に散布される成長調整のための化学物質で、1度に作物全部が収穫可能になる例文帳に追加

a chemical sprayed on fruit trees to regulate their growth so the entire crop can be harvested at one time  - 日本語WordNet