「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

「グリーン」と「成長」は手を携えて進むことが可能であることを確認し、現下の危機及び危機後の対応の一部としてグリーン成長戦略を追求するための努力を強化する。例文帳に追加

STRENGHTHEN our efforts to pursue green growth strategies as part of our response to the current crisis and beyond, acknowledging that “green” and “growth” can go hand-in-hand.  - 経済産業省

大部分の国・地域で見通しが上方修正され、プラス成長が見込まれる中、スペインとインドは下方修正され、ユーロ圏全体とイタリア、スペインはマイナス成長の見通しとなっている（第1-1-1-2表）。例文帳に追加

While the IMF revised upward its outlook for most of the countries/regions anticipating positive growth, its outlook for Spain and India was revised downward. The IMF outlook for the eurozone as a whole as well as for Italy and Spain indicates negative growth (Table 1-1-1-2). - 経済産業省

凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。例文帳に追加

The convex parts are formed by selectively growing the corresponding parts, or by laser-processing or wet or dry etching the other parts. - 特許庁

るつぼ１は、種結晶を収容する下部１ａと、単結晶を成長させる上部１ｃと、それら連結する増径部１ｂとを有している。例文帳に追加

The crucible 1 has a lower part 1a for accommodating a seed crystal, an upper part 1c for growing the single crystal, and a diameter increasing part 1b which connects these parts. - 特許庁

円筒形状のヒータ部材６の内部に、台座７ａとガイド部材７ｂとを有する円筒状の結晶成長容器７を配置する。例文帳に追加

A cylindrical crystal growth vessel 7 having a pedestal 7a and a guide member 7b is disposed in the inside of a cylindrical heater member 6. - 特許庁

アスファルト乳剤１００重量部に対して、木酢液が１重量部以上１０重量部以下混合されてなる植物の発芽・成長促進剤。例文帳に追加

This germination/growth promoter for plants is obtained by mixing 1-10 pt(s).wt. pyroligneous acid with 100 pts.wt. asphalt emulsion. - 特許庁

タンパク質結晶成長装置１は、制御部２と、制御部２に接続され、不活性ガスで密閉されたチャンバー部３と、を備える。例文帳に追加

The apparatus 1 for growing a crystal of a protein includes a controller 2 and a chamber 3 sealed with an inert gas and connected to the controller 2. - 特許庁

本発明に係る単結晶成長装置用部材は、炭素材で形成され、表面の一部又は全部がＳｉ含浸層で覆われている。例文帳に追加

The member for the apparatus for growing the single crystal is formed of the carbon material, and a part or the whole of its surface is covered with an Si-impregnated layer. - 特許庁

凹部の面積比が、内奥部よりも周辺部において高くなるように表面に凹凸が形成された成長用基板を準備する。例文帳に追加

The substrate for growth is prepared which has unevenness formed on a surface such that an area ratio of recesses is higher at a peripheral part than at an inner part. - 特許庁

盛上部５０の成長とともに、盛上部５０の斜め上方からエッチングを施せば前記盛上部５０は、断面が三角形状となる。例文帳に追加

When a protrudent part 50 is etched obliquely from above it with its growth, the protrudent part 50 gets triangular in cross section. - 特許庁

この場合、横方向に成長した部分、つまり凹部１２上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。例文帳に追加

Here, a low dislocation region is formed at a laterally grown part, or at the upper part of the recessed part 12 for a high-quality film. - 特許庁

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。例文帳に追加

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15. - 特許庁

成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４の周囲に、周囲部材６が、種結晶支持部４とは離間した状態で配置されている。例文帳に追加

In the vessel for growing (1,2), around a seed crystal support part 4, a surrounding member 6 which is located separatedly from the seed crystal support part 4 is arranged. - 特許庁

1980年代以降、沿海部は改革・開放の波に乗って、内陸部より高い経済成長率を達成し、内陸部との格差を広げてきた。例文帳に追加

After the 1980s, the coastal regions rode on　the waves of the reform and open-door policies and achieved higher economic growth rates than theinland areas, thereby increasing the disparity between the two regions. - 経済産業省

圧力制御部１３０、１４０は、気体供給部１０１と結晶成長室１１０との間、および、結晶成長室１１０および気体排出部１２０との間の少なくとも一方に接続され、かつ結晶成長室１１０と、気体供給部１０１および気体排出部１２０の少なくとも一方とにそれぞれ開放されることで断続的に圧力が変化する。例文帳に追加

The pressure control sections 130 and 140 are connected to at least one of a part between the gas supply section 101 and crystal growth chamber 110 and a part between the crystal growth chamber 110 and gas exhausting section 120, and are opened to at least one of the crystal growth chamber 110 and the gas supply section 101 and gas exhausting section 120, thereby changing the pressure intermittently. - 特許庁

基板１００を部分的にエッチングして複数個の溝１１０を形成し、これら溝の内部に窒化物半導体の縦方向成長を妨害するレッグ部１２０を形成して、横方向に前記レッグ部１２０の上部を覆うように窒化物半導体薄膜を成長させると、高品質の窒化物半導体薄膜を成長させることができる。例文帳に追加

Etching is partially performed on the substrate 100 to form a plurality of grooves 110, a leg section 120 that inhibits the vertical growth of the nitride semiconductor is formed inside these grooves, and if the nitride semiconductor thin film is grown so as to cover an upper section of the leg section 120 in a horizontal direction, the nitride semiconductor thin film of high quality can be grown. - 特許庁

まず、中国の地域間の格差について、省別の一人当たりGDP の推移を見ると、上海をはじめ東部（沿海部）が外資導入による輸出主導で高い経済成長を遂げる中で、中部・西部（内陸部）は相対的に成長が遅れた。例文帳に追加

Firstly, as for disparities among regions in China, the transition of per-capita GDP by province shows that the eastern area (coastal area) including Shanghai has achieved high economic growth driven by export due to foreign capital inflows, while the central and western areas (inland areas) have experienced relatively delayed economic growth. - 経済産業省

装置５００は、沈殿剤５０６を保持するために設けられた複数の試薬貯留部５０２と、各試薬貯留部５０２に配置された、結晶成長のため該タンパク質を含む溶液５１２に接触させるべき結晶成長用チップ５１０と、各試薬貯留部５０２において、結晶成長用チップ５１０を支持する支持部５１１とを備える。例文帳に追加

The device 500 is provided with plural reagent storing parts 502 which are disposed for keeping the precipitant 506, chips 510 for crystal growth to be brought into contact with a solution 512 including the protein for crystal growth which are arranged on the respective reagent storing parts 502 and supporting parts 511 which support the chips 510 for crystal growth on the respective reagent storing parts 502. - 特許庁

本発明は、半導体基板に形成されたソース領域とドレイン領域をそれぞれ選択エピタキシャル成長技術を用い成長させて形成したソース部とドレイン部とそれらの間に設けられたチャネル領域を備えたＭＯＳトランジスタを備え、前記選択エピタキシャル成長によって形成されたソース部とドレイン部の前記チャネル領域からの高さが異なることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor comprises a source part and a drain part formed by using a selective epitaxial growth technique in a source region and a drain region, respectively, formed on a semiconductor substrate and a MOS transistor equipped with a channel region provided therebetween, wherein the height of the source part formed by the selective epitaxial growth from the channel region is different from that of the drain part. - 特許庁

ほとんどの維管束植物における、二次成長に関わる木質部と篩部の間の組織の単一細胞の形成層例文帳に追加

a formative one-cell layer of tissue between xylem and phloem in most vascular plants that is responsible for secondary growth  - 日本語WordNet

磁性層は、磁性粒子を結晶粒子12上から、同時に非磁性の境界部を粒界部14からエピタキシャル成長させ、形成する。例文帳に追加

The magnetic layer is formed by epitaxial growth of magnetic particles on the crystalline particles 12 and simultaneously by epitaxial growth of nonmagnetic boundary parts from the grain boundary parts 14. - 特許庁

ＩｎＰ半導体層を成長して、半導体領域３３の凹部３３ａおよび凸部３３ｂを埋め込む。例文帳に追加

An InP semiconductor layer is grown to embed the concave 33a and the convex 33b of the semiconductor area 33. - 特許庁

保護膜パターン上にバンプ開口部を有するフォトレジストをパターンし、バンプ開口部に金属を成長させてバンプを形成する。例文帳に追加

The photoresist having a vamp opening is patterned on the protecting film pattern and a metal is grown in the vamp opening to form the vamp. - 特許庁

その基板(10)上に窒化物半導体膜(11)を成長し、凹部(16)の上方から外れた部位にレーザストライプ(12)を形成する。例文帳に追加

A nitride semiconductor film (11) is grown up on the substrate (10) and a laser stripe (12) is formed at a part separated from an upper part of the recess (16). - 特許庁

加熱改良構造を有する結晶成長炉は、炉本体１、支持台２、上部ヒータ３、および下部ヒータ４を含む。例文帳に追加

This crystal-growing furnace with the heating improvement structure includes the furnace body 1, the support table 2, the top heater 3 and the bottom heater 4. - 特許庁

次に、凹部１９の底部に露出された半導体基板１１上に、第１の半導体層３１をエピタキシャル成長させる工程を行う。例文帳に追加

In a second step, a first semiconductor layer 31 is epitaxially grown on the semiconductor substrate 11 exposed over on the bottom of the concave 19. - 特許庁

半導体層積層体１０における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層２５が再成長により形成されている。例文帳に追加

A ridge-like upper clad layer 25 is formed on an area exposed from the opening of the semiconductor laminated layers 10 by regrowth. - 特許庁

活性領域（１８）は、ベース領域（１６）の横方向成長部（４０）の一部の上にあり、窒化物半導体材料を有する。例文帳に追加

An active region (18) vertically over a portion of the lateral growth (40) of the base region (16) has a nitride semiconductor material. - 特許庁

受傷後比較的初期の段階では患部周辺部位に仮骨が成長するため、その形状認識によって診断を可能する。例文帳に追加

Since a callus grows in a part in the periphery of the lesion in a comparatively early stage after the bone is fractured, diagnosing is performed by recognizing the shape. - 特許庁

コアバック工程では、内部で発泡セルが成長する一方、成形品５０の表面には表層部５０ａが形成される。例文帳に追加

In a core back process, while a foaming cell grows inside, a surface layer part 50a is formed on the surface of a molding 50. - 特許庁

この他、例えば配線部分１１の膜厚を積層又は成長により電極部分よりも厚く構成しても良い。例文帳に追加

The film thickness of the wiring part 11 may be made thicker than that of an electrode part by stacking or growth. - 特許庁

そのＳＯＩ基板の表面の一部を埋め込み絶縁層までエッチングして、その部分にエピタキシャル成長を行う。例文帳に追加

The part of the front surface of the SOI substrate is etched to an embedding insulating layer, and the part is epitaxially grown. - 特許庁

その結果、部分ＳＯＩ構造の形成時、活性層１１とバルク層１２とが連続した部分にエピタキシャル成長を行う必要がない。例文帳に追加

As a result, when the partial SOI structure is formed, the need for epitaxially growing the continuous part can be eliminated between the active layer 11 and the bulk layer 12. - 特許庁

表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー２０であって、台座１と、爪部材２と、弾性部材３とを備えている。例文帳に追加

The substrate holder 20 for holding a substrate for growing a film on its surface comprises a pedestal 1, a claw member 2, and an elastic member 3. - 特許庁

基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。例文帳に追加

The laser structure is epitaxially grown on a substrate 12 with a lower cladding layer 20, an active layer 22, an upper cladding layer 24, and a contact layer 26. - 特許庁

この成長用基板の上に、凸部で支持され、かつ凹部には空洞が残るように化合物半導体からなる半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer is formed which is supported on the substrate for growth by projections and which is made of a compound semiconductor so that cavities are left at recesses. - 特許庁

子供の成長や身長の異なる子供の体格に合わせて肩部や頭部を保護する子供用椅子及び二輪車を提供する。例文帳に追加

To provide a child seat and a two-wheel vehicle protecting a shoulder part and a head part fitting to growth of a child and a physique of the child with different height. - 特許庁

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。例文帳に追加

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12. - 特許庁

炉本体、支持台、上部ヒータ、および下部ヒータを備える加熱改良構造を有する結晶成長炉を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal-growing furnace with a heating improvement structure having a furnace body, a supporting table, a top heater and a bottom heater. - 特許庁

気相成長装置１０は、第１の反応部２０、第２の反応部３０、および減圧装置４０を備える。例文帳に追加

The vapor phase growing device 10 comprises a first reacton unit 20, a second reaction unit 30, and a decompression device 40. - 特許庁

Ｇｅ組成率が低くバンドギャップの大きなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの外周部３２を成長させる。例文帳に追加

The outer peripheral part 32 of an internal base constituted of Si_1-xGe_x for which a Ge composition rate is low and a band gap is large is grown. - 特許庁

下段座ぐり部１１ｂに、裏面に貫通し、気相成長の際にも開放状態となる孔部１２が形成されている。例文帳に追加

Holes 12, which penetrate the rear surface and are in open states during vapor phase growth, are formed in the lower counterbore section 11b. - 特許庁

玩具とその玩具を制御する中央演算部とを分離できるようにし、分離した演算部のみを使用して成長させることをできるようにした。例文帳に追加

The toy and the central processing unit for controlling the toy are made separable, whereby only the separated processing unit is used for growth. - 特許庁

結晶基板１の表面にＬＥＰＳ法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からＧａＮ系結晶層２を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

また、上記溝または貫通孔部分に生じた光学的変化部分の面積と成長方向が判定される。例文帳に追加

The area and growth direction of the optically changed portion generated in the groove or hole are determined. - 特許庁