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成長部の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2693



例文

所定の基体表面に炭化珪素からなる炭化珪素膜を被覆してなる反射鏡材において、前記炭化珪素膜がX線回折に基づく結晶配向膜からなるとともに、該結晶の成長方向の前記基体表面に垂直な方向に対する最大傾きが30度以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In the reflecting mirror member manufactured by applying a silicon carbide film consisting of silicon carbide on the surface of a specified substrate, the silicon carbide film consists of a crystalline oriented film based on X-ray diffraction and the maximum inclination angle of the growing direction of the crystal from the perpendicular direction to the substrate surface is30°. - 特許庁

MNタンパク質結合位の位置、および脊椎動物細胞への接着について固定化MNタンパク質と競合し、細胞間接着および細胞内接触の形成を妨げる、MNタンパク質/ポリペプチドの同定法、および異常にMNタンパク質を発現する新生物発生前/腫瘍性脊椎動物細胞の成長を抑制する治療方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of identifying MN protein and polypeptide which competes with fixed MN protein about the position of MN protein bonding portion and adhesion to vertebrate animal cells, and prevents the formation of adhesion between cells and contact in the cell, and a treating method for suppressing the growth of tumoral vertebrate animal cell before the occurring of a neoplasm abnormally revealing the MN protein. - 特許庁

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された3族窒化物半導体層と、前記3族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記3族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。例文帳に追加

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate. - 特許庁

シリコン窒化膜12及びシリコン酸化膜11をパターン化するためのレジストパターン13を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板10における分離用溝形成領域の表面を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板10中の成長時導入欠陥を除去する。例文帳に追加

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching. - 特許庁

例文

半導体基板上に下電極層、高誘電率酸化膜、TEOS原料を用いたNSG膜を順次形成する工程を含む半導体素子の製造方法において、高誘電率酸化膜表面に均一に吸着しやすい層を形成することができ、そのためTEOS原料を用いたNSG膜を均一に成長させることが可能となる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a method of manufacturing a semiconductor device, where a layer which is liable to adhere uniformly to the surface of a high permittivity oxide film, and an NSG film of a TEOS material can be uniformly grown in a manufacturing method, where a lower electrode layer, a high permittivity oxide film, and an NSG film of TEOS material material are successively formed on a semiconductor substrate. - 特許庁


例文

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device. - 特許庁

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。例文帳に追加

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film. - 特許庁

有機金属気相成長装置を用いて、Inを含む材料ガスをGaAs基板11に供給することにより、Inを含む化合物半導体層をGaAs基板11上に形成する際に、材料ガスによってサセプタ1の中央に堆積した堆積物の量を求め、求められた堆積物の量に応じて、材料ガスが含むInの供給量を変更する。例文帳に追加

Material gas containing In is supplied to a GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus obtaining the amount of deposit heaped up at the center of a susceptor 1 by the material gas when the compound semiconductor layer containing In is formed on the GaAs substrate 11, and changing the amount of supply of In contained in the material gas according to the obtained amount of deposit. - 特許庁

熱可塑性材料1上にレーザーを透過する液体2を配置し、この液体2を通してレーザー3を連続的に熱可塑性材料1に照射することによって、レーザー照射分の熱可塑性材料1を流動化させてレーザー3の光軸方向に成長させ、熱可塑性材料の突起状構造物1Dを作製する。例文帳に追加

A liquid 2 through which the laser transmits is arranged on the thermoplastic material 1 and the thermoplastic material 1 is continuously irradiated with the laser through the liquid 2 not only to fluidize the thermoplastic material 1 of the laser irradiated part to grow the same in the optical axis direction of the laser 3 but also to form a projected structure 1D of the thermoplastic material. - 特許庁

例文

異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させてなる窒化物半導体ウェハを2つの分に切り離して、異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶の製造方法において、異種基板から分離した窒化物半導体結晶層に、格子不整合に起因する欠陥を高密度に含む領域が含まれないようにする例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal separated from a different kind substrate by cutting a nitride semiconductor wafer where the nitride semiconductor crystal is epitaxially grown on the different kind substrate into two portions and in the method, an area including faults caused by lattice unconformity in high density is not included in a nitride semiconductor crystal layer separated from the different kind substrate. - 特許庁

例文

本発明は、ボンドウェーハとして、通常のドーパント濃度のウェーハを用いてイオン注入剥離法で作製された貼り合わせSOIウェーハに対して、シード層のドーパント濃度を高めた後にエピ成長させることによって、SOI層の底に高濃度層を有する構造のSOIウェーハを低コストで製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI wafer with a high-concentration layer at a bottom of an SOI layer at lost cost in a manner that a bonded SOI wafer manufactured by an ion implantation separation method with a wafer with general dopant concentration used as a bonding wafer is subjected to epitaxial growth after the dopant concentration of a seed layer is increased. - 特許庁

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity. - 特許庁

本発明に係る複合樹脂材は、結晶性樹脂材料中に、底の無いカップ形状をなす炭素網層が積層した気相成長法による炭素繊維が混入され、結晶化処理されることにより、前記炭素繊維周囲の樹脂材料が結晶化され、該炭素繊維と結晶化した樹脂材料とにより内に網目構造が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The composite resin material is characterized in that by crystallizing a crystalline resin material by mixing with vapor-phase-grown carbon fibers being a laminate of carbon network layers in the form of a bottomless cup, the resin material around the carbon fibers are crystallized, and an internal network structure is formed from the carbon fibers and the crystallized resin material. - 特許庁

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−V族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal. - 特許庁

化学気相成長法を用いた立方晶炭化珪素(3C−SiC)単結晶薄膜を作製する方法であって、縦型の反応管に上より原料ガス及びキャリヤーガスを供給し、そのガス流れに対して垂直にSi基板を配置することにより基板全面にガスを供給することを特徴とする方法。例文帳に追加

A method of producing the cubic system silicon carbide (3C-SiC) monocrystal using a chemical vapor phase growing method, wherein a raw material gas and carrier gas are supplied from the top of a vertical reactor tube, a silicon substrate is placed vertically to the gas flow so as to supply the gases evenly to both the faces of the substrate. - 特許庁

フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第2ポリシリコン膜18をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下に第1ポリシリコン膜16を蒸着してこれを選択的に成長させ第2ポリシリコン膜を形成する。例文帳に追加

For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it. - 特許庁

N型エピタキシャル層を成長させて形成するN型エピタキシャル層形成工程より先に行うP型埋め込み層形成工程を、スクライブラインが形成される分については、酸化膜上に形成したレジスト膜81Aによってマスキングをした状態で、或いは酸化膜自体90Aを利用してマスキングをした状態で行うようする。例文帳に追加

A step for forming a P type buried layer preceding a step for forming an N type epitaxial layer by growing an N type epitaxial layer is carried out for a portion where a scribe line is formed while masking that portion by a resist film 81A formed on an oxide film or by utilizing an oxide film 90A itself. - 特許庁

特定のアミノ酸配列から成る抗ヒト上皮細胞成長因子受容体1(Her1)抗体528のL鎖又はH鎖のヒト型化可変領域において、全てのリジン残基又は特定の一つの位のリジン残基以外の全てのリジン残基が他のアミノ酸に置換されて成る、ヒト型化抗EGFR抗体リジン置換L鎖可変領域断片。例文帳に追加

In the fragments of humanized anti-EGFR antibody substituted-lysine light-chain variable regions, all of the lysine residues or all of the lysine residues except lysine residues of one specific part are substituted by other amino acid in light-chain or heavy-chain humanized variable regions of antihuman epidermal cell growth factor receptor 1 (Her 1) antibody 528 comprising specific amino acid sequence. - 特許庁

ガラスロッド5の外周面にガラス微粒子を堆積させて光ファイバ用母材を製造する方法において、該ロッド5の外周面に堆積したスート6及び該ロッド5を回転させる回転機構4の重量を測定することにより、該母材の成長速度を制御することを特徴としている。例文帳に追加

In the method for producing the optical fiber preform, comprising depositing glass fine particles on the outer peripheral surface of a glass rod 5, the growth rate of the preform is controlled by weighing the weight of soot 6 deposited on the outer peripheral surface of the glass rod 5 and the weight of a rotation mechanism 4 for rotating the rod 5. - 特許庁

また、P−MOSとN−MOSのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース/ドレイン領域端のNiシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。例文帳に追加

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region. - 特許庁

無接着剤フレキシブルラミネート(特に、二層メタライジング積層体)における電気めっき銅のポリイミドフィルムの裏面への回り込み(裏回り)防止またはポリイミドフィルム面における電気めっき銅のエッジの異常成長を効果的に抑制できる金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び同複合体の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a metal-coated polyimide composite can prevent electroplated copper from running around (reverse running) to a reverse face of a polyimide film, in an adhesive-less flexible laminate (in particular, a bilayer metalizing laminate), or can restrain effectively an edge part of the electroplated copper from growing abnormally in a polyimide film face; a manufacturing method for the composite; and a manufacturing device for the composite. - 特許庁

連続した曲面状を有するガラスバルブ1と、このバルブ1内に配設した光源4と、上記バルブ1表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し30度以内の角度θで形成した多層光干渉膜5とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。例文帳に追加

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface. - 特許庁

屈折率がシリコンと異なる物質層(二酸化シリコン層)22上の(111)面単結晶シリコン層23の表面に金属薄膜パターン(金パターン)25を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成にシリコン単結晶柱26を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。例文帳に追加

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns. - 特許庁

また、この発明の海洋生物の育成方法は、前記海洋生物育成具の本体2に、固定具を利用して海洋生物1を固定する段階、海洋生物1を本体2に付着した状態になるまで成長させる段階、固定具を取り外し、海中において適宜箇所に差し込み3を差し込む段階を備えたものとしている。例文帳に追加

The method for growing the marine organism includes a step for fixing the marine organism 1 to the body 2 of the marine organism-growing tool by utilizing a fixing tool, a step for growing the marine organism 1 until the fixed state of the marine organism 1 is formed, and a step for removing the fixing tool and inserting the inserting part 3 to a proper site in the sea. - 特許庁

CZ法で形成される単結晶の径拡大の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が400kg程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。例文帳に追加

To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported. - 特許庁

ヘアサイクルが休止期である、好適には個別飼いのC3Hマウス等のマウスの皮膚に、毛剃りを行わずに被験薬剤を塗布し、当該塗布分の黒化の程度を指標として、毛髪の成長期の誘導効果を検出する検出方法を提供するこにより、上記の課題を解決し得ることを見出した。例文帳に追加

In the detection method, the skin of a mouse such as preferably a separately bred C3H mouse or the like whose hair cycle is at a resting stage is coated with the medicine to be tested without shaving its hair, the blackening degree of a coated part is used as an index, and the induction effect of the anagenetic period of the hair is detected. - 特許庁

特に生産力人口の減少を目前とした我が国においては、今後、生産要素である労働投入量は大きな伸びを期待できないことから、①新産業の創出につながる生産性やニーズの高い成長部門への経済資源の自律的なシフトを推進していくこと、②イノベーションの活性化を行い、これによってイノベーションと需要の好循環を果たしていかなければならない。例文帳に追加

Particularly given the encroaching decline in productive population, it would be unrealistic to expect a major increase in the production factor of labor input. Japan’s task is therefore to (1) promote a self-sustaining shift of economic resources to growth areas with high productivity and high need toward the creation of new business and (2) stimulate innovation to lock in a virtuous cycle of innovation and demand. - 経済産業省

この高成長の背景には、米国・EU向けを中心に輸出が急増し(前年比+33.5%)、公共投資、民間の不動産投資及び海外からの直接投資の拡大により、固定資産投資が前年比+27.8%と高い伸びを示したほか、消費についても、都市を中心に自動車や住宅等の販売が引き続き好調で、前年比+9.2%と増加したことが挙げられる。例文帳に追加

In the backdrop of such strong growth is the surge in exports primarily to the US and the European Union (EU) (33.5 percent increase year-on-year) as well as fixed assets investment, which recorded a high growth rate of 27.8 percent from the previous year. This was brought about by increased public investment, private sector real estate investment and FDI. Another factor that contributed to strong growth was consumption, which increased 9.2 percent from thef previous year as automobiles, housing and other goods continued to be strong especially in the urban areas. - 経済産業省

具体的には、IT を用いて様々な地域や事業者をつなぎ、共同学習を通して相互交流を深め、従来は敵対するとされていた郊外型ショッピングセンターという外事業者のパワーも地域内に取り込み、中心市街地という地域生活インフラをWeLove 天文館協議会が大人も子供も楽しめる街へと成長させる試みを続けている。例文帳に追加

Specifically, IT is used to connect a wide range of regions and businesses, facilitating mutual ties through joint educational programs and a relationship in which the power of external enterprises (namely large-scale suburban-type shopping centers, traditionally the "enemy" of traditional shopping districts) is used in a beneficial manner. We Love Tenmonkan continue to promote the city center as a vital aspect of infrastructure that can be enjoyed by young and old alike.  - 経済産業省

企業の生い立ちには、個人による創業や、既存の企業の分社化、既存の門を一企業として独立させたもの等様々な経緯が存在するが、そうした企業群を区別なく網羅的に補足し分析してきたこれまでの視点を転換し、ここからは就業形態の一つとしての、個人による創業活動とその成長に伴う雇用創出力を見て行こう。例文帳に追加

Enterprises arise from a variety of backgrounds, including startups by individuals, spin-offs from existing enterprises, and the separation of existing divisions to form independent enterprises. Changing tack from our approach thus farlooking at enterprises from a comprehensive approach without separating them into different categories-next we examine as one form of employment the creation of jobs as a result of startups by individuals and the growth of their businesses. - 経済産業省

例えば、第2第1章で述べた「新産業創造戦略」では、今後2025年までの間における人口減少の進展等を前提に、同戦略の着実な実施と生産性上昇の重視を含む適切なマクロ経済運営により、実質1.5~2%程度の経済成長を実現した場合の産業構造について試算を行っている。例文帳に追加

Under the "Creating Innovation Based on the New Industry Promotion Strategy" described in Part 2, Chapter 1, for example, estimates are made of industrial structure in the case that real economic growth of around 1.5~2% is achieved through appropriate macro-economic management, including an emphasis on steady implementation of the strategy and improving productivity, assuming that population decline continues until 2025. - 経済産業省

リスクを取る者が減少することは、第2第1章で述べたように、それぞれの企業レベルでもリスクを取らないリスクを生じさせることはもちろん、社会全体にとっても自営業の減少や開業率の低下等を通じ、中長期的には、潜在成長力の維持や産業構造の高度化が危うくなるリスクを生じさせるものである。例文帳に追加

The decline in risk-takers not only creates the risk that risks may not be taken at the enterprise level, as described in Part II, Chapter 1, but also creates the risk for society as a whole that, in the medium and long term, the maintenance of growth potential and improvement of the industrial structure may be imperiled by the decline in self-employment and decrease in the entry rate. - 経済産業省

このような財政赤字は、インフラ整備のための公共投資を抑制することにつながる可能性があるほか、法定流動性準備率が民間門への資金供給を阻害することにより必要な民間投資が行えなくなる可能性があり、インド経済の更なる成長に向けて改善が必要と指摘されている。例文帳に追加

These fiscal deficits probably lead to restraints on public investment for infrastructure development, and because SLR curbs funding to the private sector, the necessary private sector investment most likely cannot be implemented. As a result, some have pointed out that improvements aimed at further growth of India’s economy are necessary. - 経済産業省

東アジアは、1990 年代後半にアジア通貨・金融危機の影響を受けて一時的に停滞する局面はあったものの、中長期的には持続的な経済成長を遂げており、東アジア・台湾・香港の実質GDPの対世界シェアは、1980 年の21.5%から2005 年にはEU25を上回る27.6%にまで拡大し世界経済の中で大きな分を占めるに至っている(第2-1-1 図)。例文帳に追加

Following the Asian currency and financial crisis in the latter half of the 1990s, East Asia entered a temporary period of stagnation but since then has achieved sustained economic growth in the medium to long term. The global share of real GDP of East Asia, Taiwan and Hong Kong has expanded from 21.5% in 1980 to 27.6% in 2005, surpassing the EU25 and accounting for a substantial part of the global economy (Figure 2-1-1). - 経済産業省

また、インドなど一の国では海外で原株式を直接上場できない制度となっていることを踏まえ、我が国の金融市場をより開かれたものにし、特に東アジア等の成長企業が我が国で円滑に資金調達を行える魅力ある金融市場とするため、日本型預託証券(JDR:Japanese Depositary Receipt)の活用等を促進すべきである。例文帳に追加

Also, as some countries such as India have systems which do not allow direct listing of original shares in foreign countries, Japan’s financial markets should be more open, and utilization of Japanese Depository Receipts (JDRs) should be promoted to make it an attractive financial market, especially for East Asian and other growth companies to smoothly raise capital in Japan. - 経済産業省

アジアの都市化率は着実に上昇しており、今後、インフラ整備や産業の集積による都市化がさらに進んだ場合、大都市化したアジア地域に住む一の所得階層に限定して考えれば、その所得格差は小さく、一人あたりGDPが大きく成長することにより、「都市中間層」とも言える階層はさらに増加すると考えられる。例文帳に追加

As far as certain income classes living in urbanized Asia are concerned, on the assumption that improvement in infrastructures and development of industries accelerates urbanization in Asia, the income disparity among such classes will become small.A sharp growth in GDP per capita would give rise to an increase in the so-called urban middle-income class. - 経済産業省

先の第2-5-3図を見ると、研究開発に取り組む成長初期の中小企業が希望通り資金調達できなかった場合、「企業内(代表者、親族・知人、役員、自己資金)からの資金調達増額で必要額を調達した」者が3割となっており、特に代表者・役員自らの出資や貸付により研究開発資金の調達を行っている実態を示唆しているものと考えられる。例文帳に追加

Looking at Fig. 2-5-3 above, 30% of early growth phase SMEs that carry out research and development answered that they procured the necessary amount of funds by increasing the amount of funding they receive from in-house sources (representatives, relatives and acquaintances, executives, company funds) when they are unable to procure enough funds. This shows the reality that SMEs tend to fund their research and development with investments and loans from company representatives and executives. - 経済産業省

「えひめガイヤファンド」は、愛媛県南西(南予)をはじめとした地域の活性化を目指して、地域の基幹産業である農林漁業及びその関連産業分野(食品加工等)の事業を行う企業を対象に投資を行い、その事業成長を継続的に育成・支援(ハンズオン)する地域ファンドとして2006年11月に創設された。例文帳に追加

The Ehime Gaiya Fund was established in November 2006 as a regional fund whose aim was to revitalize communities in Ehime Prefecture, principally in the southwestern district, through investment in companies conducting business in the key industry of agriculture, forestry and fisheries and its related sectors (food processing, etc.), thereby providing continuous hands-on support to foster the growth of these businesses. - 経済産業省

中国を始めとする新興国経済の高成長による需給逼迫や金融市場からの資金の流入、中東・北アフリカの政情不安などを背景に、原油や食料品価格の高騰が進んでおり、ユーロ安の進展も相まって輸入物価や生産者物価など川上門の物価上昇圧力につながっている。例文帳に追加

Prices of food and crude oil were rising backed by situations such as tight supply-and-demand conditions caused by the high economic growth of the emerging economies Including China, funds inflow from the monetary market, political uneasiness in Middle East and North Africa. These factors combined with advancing decrease of euro value caused pressure to raise prices of upstream sectors such as import prices and producer prices. - 経済産業省

もっとも、ユーロ圏経済全体としては緩やかに回復しつつあるとはいえ、先述の通り域内の景気動向には大きな格差があり、アイルランドや、ギリシャなど南欧諸国の一は、マイナス成長が続く中でデフレが懸念材料となっている他、金利が上昇すれば変動金利を中心とする住宅ローンが金融機関の不良債権問題の深刻化につながる可能性もある。例文帳に追加

Although the euro zone economy as a whole was moderately recovering, as mentioned above, economic trends in the said zone had a large gap between countries. Some of the South European countries including Ireland and Greece continued to register minus growth and the deflation concern was emerging. If interest rates increase, the home loan mainly on the variable rate may lead to the intensification of the bad-loan problem of financial institutions. - 経済産業省

後述するように、中国政府は、都市と農村間の格差是正に向けて様々な対策を講じており、戸籍制度を始めとした制度整備にも取り組んでいく方針を示しているが、人口の大半を占める農村住民の所得の底上げは、内需主導による力強い経済成長の実現を図る上でも極めて重要であると考えられる。例文帳に追加

As will be covered below, the Chinese government has adopted various measures aimed at correcting the disparity between cities and rural communities and has laid out a policy of making efforts in the development of institutions, starting with a family registration system, but raising the level of income of persons residing in rural areas, which account for the majority of the population, also appears to be extremely important in order to realize strong economic growth that is driven by domestic demand. - 経済産業省

アルゼンティンの場合、労働者を基盤 とするペロニズム(ペロン主義)政権と軍の対立による混乱のため採用されてきた経済政策が長期に渡り持続しなかったこと、厳格な労働法と強い労働 組合の圧力の存在により競争力増大に必要な生産コストの低下がもたらされなかったことが、更なる経済成長の阻害要因になったことが挙げられよう。例文帳に追加

In the case of Argentina, one factor obstructing further economic growth was the confusion caused by the clash between the military and the worker-oriented Peronist administration, which meant that any economic policies adopted could not be sustained over the long term. In addition, strict labor laws and strong labor union pressure prevented Argentina from the reduction in production costs necessary to boost international competitiveness. - 経済産業省

「仕事を通じて達成感を味わうことができる」、「仕事を通じて自分が成長していると感じる」、「私の仕事は会社や門の業績に貢献している」、「私の仕事は顧客や社会の役に立っている」といった仕事にやりがいを感じている労働者の割合は、3年前より業績が向上した企業において高くなっている。例文帳に追加

The percentage of workers who are satisfied at work and feel that their work is worthwhile or those who chose the responses such as “Can feel a sense of accomplishment at work”, “Experience personal development through working”, “The work I do contributes to the performance of the company or the department”, and “The work I do benefits the customers and thereby serves societyis higher in the companies which have improved their business performance during the previous three years. - 厚生労働省

こうした分析内容を踏まえ、今後、日本経済が持続的に成長し、企業収益の改善、国内投資の拡大、生産性の高い門への労働移動、賃金上昇と雇用の拡大、消費の拡大という「好循環」を実現していくためには、企業と労働者の双方が構造変化に対応し、競争力と人材力を強化していくことが必要である。例文帳に追加

While taking into these analysis, it is necessary for both companies and workers to adjust themselves to thestructural changes and to strengthen the competitiveness and human resources, in order for us to ensuresustainable growth of the future Japanese economy, and to create a "virtuous cycle" in which company profits areimproved, domestic investment is enhanced, labour is moved to more productive sectors, wages and employmentare increased, and consumption is enhanced. - 厚生労働省

疑似人格的周縁を構成している事実を物を再分類し、そのうちのある物を別物と一緒にして、所有権という新しいカテゴリーの下に置くということは、概念がその領域を侵略されてそうなったというのではなく、後の成長のためのなにかやむにやまれぬ必要性から発しているに違いない。例文帳に追加

The impulse to reclassify the facts and things that are comprised in the quasi-personal fringe, so as to place some of them, together with certain other things, under the new category of ownership, must come from some constraining exigency of later growth than the concept whose province it invades.  - Thorstein Veblen『所有権の起源』

本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、 原料供給に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度T_1に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、 窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、 該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度T_2と、前記原料ガス発生温度T_1と析出温度T_Sとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。例文帳に追加

The method for producing an aluminum nitride single crystal comprises heating a raw material gas generation source arranged in a raw material supply part to a raw material gas generation temperature T_1 so as to generate aluminum gas or aluminum oxide gas being a raw material gas, then supplying the raw material gas and nitrogen gas to the deposition part where a substrate for growing the aluminum nitride single crystal is arranged, and producing the aluminum nitride single crystal on the substrate. - 特許庁

より幅広い中小企業の高成長分野への参画を促進するため、我々は以下の個別の、または共同の取組が重要であると認識した。 a)将来成長が期待される分野へ中小企業を参画させる戦略または行動計画の策定及び提示。 b)中小企業の人材育成、技術革新、転業、生産性向上及び起業等への支援の強化。 c)中小企業政策局と、特に貿易金融を含めた金融、能力開発、法制度など中小企業の事業環境整備のための手段を講じる局との間の協調的な取組の展開。 d)各エコノミー間で、政策協力及びベストプラクティスの共有推進。例文帳に追加

In order to encourage a wider range of SME participation in high-growth sectors, we recognized that the following individual and collective actions are important: a) Developing and presenting strategies or action plans to bring SMEs into areas seen as future growth sectors; b) Strengthening assistance for human resources development, innovation, business change, productivity improvement, and entrepreneurship; c) Developing a coordinated approach between SME- and related agencies to implement measures aimed at improving the business environment for SMEs, in particular, access to finance (including trade finance), capability building and the legal system; and d) Promoting policy cooperation and sharing information and best practices among all APEC member economies. - 経済産業省

本発明の結晶シート製造装置は、上向きに開口した帯状スリットを有するキャピラリーを備えた、半導体材料を溶融するためのるつぼと、該キャピラリーに該半導体融液を供給するための機構と、該キャピラリーの上方に供給された該半導体融液と接触しつつ、該キャピラリーの帯状スリット方向と略直交する方向に移動することにより半導体結晶を成長させる支持体とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The apparatus is equipped with a crucible which is for melting a semiconductor material and has a capillary part having a strip-like slit opening upward, a mechanism for supplying a semiconductor melt to the capillary part, and a support for growing a semiconductor crystal by its movement in a direction substantially perpendicular to the direction of the slit while being in contact with the semiconductor melt supplied to the upper part of the capillary. - 特許庁

この生体吸収軟骨修復システム12は、除去された域とこれに隣接する健康な域との両方に取り付けられるような形態及び寸法をした、少なくとも1つの生体吸収デリバリユニットと、デリバリユニットによって及びデリバリユニット中に支持された多孔質の生体吸収インサート16と、であり、軟骨形成成長支持基質のために、除去された域と隣接する健康な域との間の連絡を樹立している。例文帳に追加

The bioabsorbing cartilage restoration system 12 comprises at least one bioabsorbing delivery unit shaped and dimensioned to be fitted to both a removed part region and an adjacent healthy part region, and a porous bioabsorbing insert 16 supported by the delivery unit and into the delivery unit, and establishes communication between the removed part region and the adjacent part region for the chondrogenesis growth support matrix. - 特許庁

例文

配線層112を形成する工程は、絶縁膜の凹106および107の内側壁および底面を覆う炭素含有TaN層109を化学的気層成長法によって堆積する工程と、TaN膜109の表面のうち、凹底面上に位置する分109bにイオンを照射する工程と、TaN膜109上に銅110および111を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The process of forming the upper wiring layer 112 includes a step of depositing a carbon- containing TaN layer 109 on the internal side faces and bottoms of the recessed sections 106 and 107, a step of irradiating the partial surface 109b of the TaN film 9 on the bottoms of the recessed sections 106 and 107 with ions, and a step of depositing copper films 110 and 111 on the TaN film 109. - 特許庁

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原題:”The Beginning of Ownership”

邦題:『所有権の起源』
This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.

訳:永江良一
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