「"成長部"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、発光層単位成長部１３の形成された複合基板５０を、少なくとも成長抑制用空隙１１の位置において分割することにより、発光層単位成長部１３に基づく個別の素子チップ１００を得る。例文帳に追加

The complex board 50 with the light emitting unit growth sections 13 formed thereon is segmented at least at the locations of the growth inhibiting gaps 11 for obtaining individual element chips 100 based on the light emitting layer growth sections 13. - 特許庁

あるいは、風下側に形成される低圧場を大きくする低圧場成長部材を、防雪板１１の上方に設けてもよい。例文帳に追加

Otherwise, a low-pressure area enlarging member for enlarging a low-pressure area formed on the leeward side can also be provided above the snow protection board 11. - 特許庁

成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER FOR MAKING EPITAXIAL GROWTH CHARACTERISTICS DIFFERENT FOR EACH GROWING PORTION - 特許庁

シリコンエピタキシャル成長部１３の表面上にフローティングゲート絶縁膜８が形成されている。例文帳に追加

A floating gate insulating film 8 is formed on the front surface of the silicon epitaxial growth 13. - 特許庁

活性領域（１８）は、ベース領域（１６）の横方向成長部（４０）の一部の上にあり、窒化物半導体材料を有する。例文帳に追加

An active region (18) vertically over a portion of the lateral growth (40) of the base region (16) has a nitride semiconductor material. - 特許庁

この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。例文帳に追加

Then, facet growth of the non-vertical growth part 4 is continued for 50 min, in the following crystal growth condition. - 特許庁

また、種結晶を用いることで結晶成長部分の特定と、結晶方位の特定とを行うことができる。例文帳に追加

Further, the crystal growth part and the crystal orientation can be identified by using a seed crystal. - 特許庁

次に、半導体成長部上及び導電性基板の第２主表面上にオーミック電極９２を形成する。例文帳に追加

Then, an ohmic electrode 92 is formed on the semiconductor growing portions and on a second principal face of the conductive substrate. - 特許庁

これにより、ＥＡ変調器のための活性層２７が異常成長部２５のため曲がることを小さくできる。例文帳に追加

In this way, bend of the active layer 27 for the EA modulator caused by the abnormal growth portion 25 can be made small. - 特許庁

一方、Ｘ軸方向成長部分を切り出さないと判断する場合、種結晶を切断して除去する。例文帳に追加

If the part growing in the X-axis direction is judged not to be cut out, a seed crystal is cut and removed. - 特許庁

カーボンナノチューブなどの成長部をより微細な間隔で規則正しく配列させることができる微細構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a fine structure capable of regularly arranging growth sections such as carbon nano-tubes in a finer interval. - 特許庁

このほか、中東諸国では、糖尿病や肥満の増加を背景に、保健医療産業が新たな成長部門として注目されている。例文帳に追加

In addition, in the Middle East, the health and medical service industry is gaining attention as a growing sector due to the increasing diabetic patients and obese people. - 経済産業省

マスク層３間のストライプ状の開口部から縦方向選択成長部７１が形成され、さらにこの縦方向選択成長部７１からの横方向選択エピタキシャル成長によってストライプ形状のＧａＮ系化合物半導体層７２が形成される。例文帳に追加

A longitudinal direction selective growth 71 is formed from a stripe-like opening between the mask layers 3, and a GaN based compound semiconductor layer 72 in a stripe shape is formed by lateral direction selective epitaxial growth from the longitudinal direction selective growth 71. - 特許庁

本発明のVCSEL（１０）は、第１光学反射体（１４）の横に隣接する垂直成長部（３８）と、第１光学反射体（１４）の一部の上にある窒化物半導体材料を含む横方向成長部（４０）とを有するベース領域（１６）を備える。例文帳に追加

A VCSEL (10) comprises a base region (16) having a vertical growth (38) laterally adjacent a first optical reflector (14), and a lateral growth (40) including a nitride semiconductor material vertical over at least a portion of the first optical reflector (14). - 特許庁

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。例文帳に追加

This prevents cracks from occurring, suppresses creep-up growth from a bottom side growth part of the trench region to restrain the film thickness of a side face growth part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element formed with a nitride semiconductor growth layer having excellent surface flatness at a high yield. - 特許庁

原料が収容された石英容器をソース充填部１２が成長部より常に高温となるように、ソース充填部１２を９００℃、成長部１３を８５０℃に設定し、１００時間の熱処理を行なうことにより、β−ＦｅＳｉ_2を成長させた。例文帳に追加

The quartz vessel in which the raw materials are housed is heat treated for 100 hours by setting a source packed section 12 at 900°C and a growth section 13 at 850°C in such a manner that the source packed section 12 attains the temperature higher than the temperature of the growth section at all times, by which β-FeSi2 is grown. - 特許庁

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。例文帳に追加

This prevents cracks from being generated, suppresses creep-up growth from a bottom side grown part of the trench region to suppress the increase of the film thickness of a side grown part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element with a nitride semiconductor grown layer having good surface flatness at a high yield. - 特許庁

隣り合うシストゲート電極３３によって挟まれた半導体基板１の領域の表面上を充填するようにシリコンエピタキシャル成長部１３が形成されている。例文帳に追加

A silicon epitaxial growth 13 is formed to fill the front surface of region of the semiconductor substrate 1 sandwiched by the adjacent assist gate electrodes 33. - 特許庁

その結果、成長部の水素ガス濃度を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。例文帳に追加

As a result, the hydrogen gas concentration in the growth can quickly be changed, so that the crystal composition ratio x in the growing crystal can quickly and precisely be set at the desired value. - 特許庁

種結晶貼付部材１２と種結晶貼付部材１２の突出部１２ａの周囲を囲む多結晶成長部材１３とによって蓋材１１が構成される黒鉛製るつぼ１を用意する。例文帳に追加

A graphite-made crucible 1 whose lid 11 comprises a seed crystal- adhering member 12 and a polycrystal growth member 13 surrounding the periphery of the projected portion 12a of the seed crystal-adhering member 12 is prepared. - 特許庁

透明導電膜からなる光起電力素子用基板において、その表面に成長した異常成長部を、酸またはアルカリ溶液でのエッチングにより、溶解した光起電力素子用基板。例文帳に追加

In the substrate for photovoltaic elements made of a transparent conductive film, an abnormal growth section growing on the surface is dissolved by etching with an acid or an alkali solution. - 特許庁

この組成物は、ケラチン物質、特に皮膚、唇、および/または身体表面成長部のケアおよび/またはメイクアップ製品として用いることができる。例文帳に追加

The composition may be used as a care and/or make-up product for the keratin materials, in particular the skin, the lips and/or the superficial body growths. - 特許庁

多結晶シリコン層６ｂを種として選択成長された選択成長部６ｃがシリコン酸化膜８、９上に突出して張り出して形成される。例文帳に追加

A selective growth portion 6c which is selectively grown with a polycrystalline silicon layer 6b as a seed is formed protruding and overhanging silicon oxide films 8 and 9. - 特許庁

その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。例文帳に追加

Since the concentration (partial pressure ratio) of the hydrogen gas in a growth part is quickly varied as a result, the crystal composition value x in the crystals to be grown is quickly and correctly set to a desired value. - 特許庁

たとえ感光体表面に球状突起と呼ばれる異常成長部分が存在しても、それが画像上に現れず、画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing electrophotographic photoreceptor by which abnormally grown portions known as a spherical protrusion is prevented from appearing on images even if such portion exists on the surface of the photoreceptor and image defects are thereby considerably reduced, an electrophotographic photoreceptor manufactured by the same, and an electrophotographic device. - 特許庁

光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。例文帳に追加

The optical waveguide is formed at an interval with the abnormal growth portion 14a while including the forbidden bandwidth increase portion 14b at the front end face 20A. - 特許庁

感光体製造工程で光導電層にできる異常成長部分の成長を抑制させて、それが画像上に現れず画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor capable of suppressing growth of abnormally grown parts formed in a photoconductive layer in a photoreceptor manufacturing process, thereby drastically improving image defects because an image is not affected by the abnormally grown parts. - 特許庁

また、自然核による結晶が発生しにくい低過飽和溶液を用いて結晶成長を行うことができ、成長部位以外での結晶成長（雑晶）を抑制することができる。例文帳に追加

Furthermore, the crystal can be grown by using a low supersaturation solution in which the crystal is hardly generated by a natural nucleus, and the growth of a crystal (impurity crystal) at a position other than the crystal growth part can be suppressed. - 特許庁

本発明は、感光体表面に球状突起２０３と呼ばれる異常成長部分が存在しても、それが画像上に現れず、画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electrophotographic photoreceptor which prevents abnormally grown portions known as spherical protrusions 203 from appearing on images even if such portions exist on the surface of the photoreceptor and which can markedly improve image defects. - 特許庁

埋め込み成長部を形成する工程において、結晶の成長を、開口部の側壁面から進行し、且つ開口部を除く領域の表面から進行し難い条件により行う。例文帳に追加

In the step of forming the embedding growth part, crystal growth is carried out on the condition that it progresses from the sidewall surface of the opening part and hardly progresses from the surface of the regions other than the opening part. - 特許庁

本発明は、顔と人体両方の頭皮を含む皮膚、唇または身体表面成長部分、例えば、髪、まつげ、眉毛もしくは爪等をメイクアップまたはケアするための化粧品組成物に関する。例文帳に追加

To obtain a cosmetic composition for making up or caring for the skin of both a face and a human body, including the scalp, lips or growing parts on the surface of the human body, for example, hair, eyelashes, eyebrows, nails. - 特許庁

多結晶シリコン部分４７ｂを堆積分離構造４６上から除去する平坦化工程を行なった後、エピタキシャル成長部分４７ａに形成されたチャネル領域を有する少なくとも１つのユニポーラトランジスタを形成する。例文帳に追加

After a flattening step of removing the polycrystal silicon 47b from the deposited isolation structure 46, at least one unipolar transistor including a channel region formed in the epitaxial growth 47a is formed. - 特許庁

これにより、炭化珪素単結晶４が成長すると共に、多結晶成長部材１３の表面１３ｃに炭化珪素単結晶４と同等の高さとなる多結晶６が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁

発達した経済においては、教育システムは、若者が経済の成長部門で働く準備をするための重要な役割を果たします。そこでは、仕事がより知識集約的です。例文帳に追加

In the more developed economies, where jobs are more knowledge intensive, the education system plays a critical role in preparing the young for jobs in the growing sectors of the economy. - 厚生労働省

その後、窒化ガリウム粒子成長部３０において、予備反応管２１内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部１０から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。例文帳に追加

The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

窒化ガリウム結晶核生成部１０で、ガリウム蒸気とアンモニアガスとを化学的に反応させて窒化ガリウム結晶核を生成した後、この窒化ガリウム結晶核を窒化ガリウム粒子成長部３０に窒素キャリアガスなどによって輸送する。例文帳に追加

Gallium vapor is chemically reacted with ammonia gas to produce a crystal nucleus of gallium nitride in the zone 10 for producing a crystal nucleus of gallium nitride, and then the crystal nucleus of gallium nitride is transported by a nitrogen carrier gas and the like to the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

Ｓｉ基板４１の主面を複数の素子領域に区分する分離領域上に堆積分離構造４６を形成した後、素子領域上にエピタキシャル成長部分４７ａを成長させるとともに堆積分離構造４６上に多結晶シリコン部分４７ｂを形成する。例文帳に追加

A deposited isolation structure 46 is formed on an isolation region wherein a principal surface of an Si substrate 41 is divided into a plurality of device regions, an epitaxial growth 47a is then grown on the device regions, and a polycrystal silicon 47b is formed on the deposited isolation structure 46. - 特許庁

シードブロック成長部１２８は、領域成長の起点となるシードブロックの隣接ブロックについて、該シードブロックと統合するか否かの判定を繰り返し、画像フレームを近似した動きをする背景ブロック群とそれ以外のブロック群とに分割する。例文帳に追加

A seed block growth part 128 repeatedly determines whether or not a block adjacent to a seed block serving as a starting point for area growth should be combined with the seed block, to segment the image frame into a group of background blocks characterized by approximate movements and the other group of blocks. - 特許庁

ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先だって、第１半導体部１９のエッチング端面１９ａ上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に形成された異常成長部２５の少なくとも一部をエッチングによって除去する。例文帳に追加

In advance of growth of an active layer 27 for an EA modulator, at least part of deposition, namely an abnormal growth portion 25 formed at the growth of the first optical confinement layer 23, on an etching edge face 19a of a first semiconductor portion 19 is removed by etching. - 特許庁

光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。例文帳に追加

To reduce the parasitic capacitance of the electrode pad of an element where a mesa stripe including an optical waveguide layer is buried by a semi-insulating InP based embedding layer having an upper surface consisting of a flat portion, an inclining portion and a fine growth portion and the electrode pad is formed on the embedding layer 4. - 特許庁

各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

所定の成長条件で制御された成長部へ、所定の原料を供給して所定の外径の化合物半導体単結晶を成長させる成長ステップと、所定の外径の化合物半導体単結晶を所定の熱処理（アニール）温度まで加熱して内部の歪を除去する歪除去ステップとを含むものとする。例文帳に追加

This production method comprises a growth step for supplying a prescribed raw material to a growth section controlled so as to be maintained under prescribed conditions, to grow a compound semiconductor single crystal having a prescribed outer diameter, and a strain removal step for heating the grown compound semiconductor signal crystal having the prescribed out diameter to a prescribed heat treatment (annealing) temperature, to remove strain inside the single crystal. - 特許庁

そして、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部２４を、複合基板５０の発光層成長準備層の第二主表面ＭＰ２に対し、各単位準備層８外の領域での層成長を成長抑制用空隙１１により抑制しつつエピタキシャル成長させることにより、各単位準備層８上に発光層単位成長部１３を形成する。例文帳に追加

Light emitting layers 24 of AlGaInP are epitaxially grown on the second main surface MP2 of the light layer growth preparation layer of the complex board 50, while layer growth in regions other than the unit preparation layers 8 is inhibited by the growth inhibiting gaps 11, for the formation of a light emitting layer unit growth section 13 on each of the unit preparation layers 8. - 特許庁

特に生産力人口の減少を目前とした我が国においては、今後、生産要素である労働投入量は大きな伸びを期待できないことから、①新産業の創出につながる生産性やニーズの高い成長部門への経済資源の自律的なシフトを推進していくこと、②イノベーションの活性化を行い、これによってイノベーションと需要の好循環を果たしていかなければならない。例文帳に追加

Particularly given the encroaching decline in productive population, it would be unrealistic to expect a major increase in the production factor of labor input. Japan’s task is therefore to (1) promote a self-sustaining shift of economic resources to growth areas with high productivity and high need toward the creation of new business and (2) stimulate innovation to lock in a virtuous cycle of innovation and demand. - 経済産業省

長尺状の非磁性支持体１の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された膜厚５５ｎｍ以下の磁性層３を有し、磁性層３の長手方向断面カラム構造における磁性微粒子３ａの成長方向の、非磁性支持体１の長手方向に対する法線との為す角度をθとし、磁性層初期成長部分における平均角度をθｉとし、磁性層成長終端部分における平均角度をθｆとしたとき、下記の関係を有する磁気記録媒体１０を提供する。例文帳に追加

A magnetic layer 3 of a film thickness of ≤ 55 nm is formed on one main surface of a long non-magnetic base material 1 by a vacuum thin film deposition technique. - 特許庁