「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

サファイヤ基板への結晶成長の核となる部分を、より簡便な方法によって提供すること。例文帳に追加

To provide a portion becoming a nucleus of crystal growth onto a sapphire substrate by a simpler method. - 特許庁

クランプ(12)は、組織の内部成長を促進するように、繊維で覆われていることが好ましい。例文帳に追加

The clamp (12) is preferably covered with fabric to promote tissue ingrowth. - 特許庁

すると、熱処理によりバルク部に形成されたＢＭＤ層がこのスリップの成長を抑制する。例文帳に追加

Then, a BMD layer formed on the bulk portion by the heat treatment suppresses the growth of the slip. - 特許庁

次に、Ｇａの原料ガスの供給を再開し、上層部１３ｃを成長させる。例文帳に追加

Then, the material gas of Ga is again supplied, the upper layer portion 13c is formed. - 特許庁

成長期のバストの変形に追従し、かつカップ部のずり上がりを防止する。例文帳に追加

To provide a garment with cup parts following change in shape of the wearer's bust in a stage of her growth, and preventing the cup part from sliding up. - 特許庁

次に、絶縁層がトレンチの底部及び側壁に重なる状態で成長される。例文帳に追加

Next, an insulating layer is grown overlapping on the bottom and the sidewall of the trench. - 特許庁

さらに、エピタキシャル成長層１７を形成し（ｄ）、所定部分を除去する（ｅ）。例文帳に追加

Furthermore, an epitaxial growth layer 17 is formed and a specified part is removed therefrom. - 特許庁

次に暴露したガラス部分6からFIB-CVD遮光膜8を成長させてハーフトーン欠陥を修正する。例文帳に追加

The FIB-CVD light shielding film 8 is then grown from the exposed glass part 6 to repair the halftone defect. - 特許庁

次いで、前記分離層４に沿って前記亀裂を成長させ、前記複合部材を完全に分離する。例文帳に追加

Next, the crack is grown along the isolation layer 4 so as to separate the compound member completely. - 特許庁

その後、除去された領域に対して選択成長技術により外壁部６ｂを形成する。例文帳に追加

Thereafter, an outer wall 6b is formed through a selective growth technology in the region where the side wall is removed. - 特許庁

本発明の薄膜形成装置では、成長室１は基板３１を内部にて保持可能である。例文帳に追加

The thin film forming apparatus is equipped with a growth chamber 1 which is capable of holding the substrate 31 inside. - 特許庁

なお、ここでいう支配的とは、大部分がその形態で結晶成長している状態をいう。例文帳に追加

Here, 'dominantly' means that most of the crystal grows in this form. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層１４は、マスク２１の開口部からファセット構造を形成させながら成長させる。例文帳に追加

The layer 14 is grown while a facet structure is formed from the opening of a mask 21. - 特許庁

部分結晶成長層１４は、キャップ層２６に比して、非常に小さいエッチングレートを有する。例文帳に追加

The layer 14 has a very small etching rate in comparison with that of a cap layer 26. - 特許庁

続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。例文帳に追加

Subsequently, a GaN crystal 13 is epitaxially grown on the side surfaces 11a of the grooves 11 (Fig.1(b)). - 特許庁

続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。例文帳に追加

Subsequently, a GaN crystal 13 is epitaxially grown on the side surfaces 11a of the grooves 11 (Fig.1(c)). - 特許庁

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。例文帳に追加

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets. - 特許庁

内圧充填時や高速走行時におけるトレッド部の径成長を均一化する。例文帳に追加

To equalize diameter growth of a tread part in an internal pressure filling time or a high-speed traveling. - 特許庁

経済成長が続く中国では、その沿海部に産業の地理的集中が進んでいる。例文帳に追加

China’s economic growth, for example, has been accompanied by the physical concentration of industry along the coast. - 経済産業省

中国では、最終財輸入の急回復を誘導しているのは、内陸部の経済成長である。例文帳に追加

In China, the source of the rapid recovery of final product imports is the economic growth in inland areas. - 経済産業省

他方、こうした投資主導での内陸部の経済成長は、資本効率の低下にもつながっている。例文帳に追加

Investment-led economic growth in inland areas has resulted in a decline of capital efficiency rates. - 経済産業省

部品素材分野と成長分野の生産拠点等への国内立地補助の創設例文帳に追加

Establishment of a subsidy program for the construction of the production bases for component and raw materials and growth areas - 厚生労働省

基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。例文帳に追加

The semiconductor base is constituted so that a crystal growth may occur only from an upper part of the convex part 11. - 特許庁

成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。例文帳に追加

In the ground board that is used for the method of manufacturing a semiconductor by immersing the ground board with a growing surface in the melt solution and growing the semiconductor on the ground board, a crystal growing surface S1 of the ground board includes a groove extending from a forward portion in an immersing direction to a rear direction. - 特許庁

このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。例文帳に追加

At this time, since the seed crystal 30 is not fixed to an external member of a susceptor 50 including a chamber 80 etc., the seed crystal 30 can be moved up and down freely in the growth apparatus 1 along with the crystal growth, thereby largely reducing the stress exerted on the grown crystal. - 特許庁

反応析出物が発生する部位において、高融点材料からなる棒状部材１６を結晶成長開始時から連続的に公転させることにより、反応析出物が成長する以前に反応析出物を下方に落下除去させたり、その成長自体が抑制されるようにする。例文帳に追加

At a position where the reaction deposit is generated, a rod-like member 16 formed from a high melting point material is revolved continuously from the time when growth of the crystal is started so that the reaction deposit is allowed to fall downward and removed before the deposit grows or the growth itself of the deposit is suppressed. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

真空に保持できる結晶成長室２と、この結晶成長室２内に結晶材料用の原料を供給する原料供給部３と、結晶成長室２内に設けられ、下地用半導体基板Ｗを支持する支持部４とを備える。例文帳に追加

The crystal growing apparatus is provided with a crystal growth chamber 2 which can be kept to a vacuum state, material supplying sections 3 for supplying a crystal material into the crystal growth chamber 2, and a supporting section 4 which is installed inside the crystal growth chamber 2 to support the semiconductor substrate W for a basic material. - 特許庁

オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部（４）および凹部（３）を有する構造化された成長面（２）を備えた成長基板（１）と、 − この成長面（２）にデポジットされるアクティブ層列（５）と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加

The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁

チャネル形成領域の形成に用いられるシリコン膜は、結晶成長の起点部から成長した略単結晶のシリコン結晶粒からなり、チャネル形成領域２６の長さ方向（図示のＬ方向）は前記結晶成長の起点部から放射状の方向に配置されている。例文帳に追加

A silicon film used for forming the channel forming region 26 is composed of nearly single-crystal silicon crystal grains grown from a crystal growth starting point and the lengthwise direction (L direction in the figure) of the region 26 is disposed in a radial direction from the crystal growth starting point. - 特許庁

そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材６の融液溜め８に貯溜されている融液を成長室３内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板１のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加

The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

気相成長法によって窒化物単結晶体を種結晶１に成長させて単結晶体をバルク状に作製する窒化物単結晶体の製造方法であって、種結晶１が角錐台形状部１ａを有し、角錐台形状部１ａに窒化物単結晶体を成長させる。例文帳に追加

In the method of producing a nitride single crystal on a seed crystal 1 by a vapor phase growth to produce the single crystal to a bulk shape, the seed crystal 1 has a truncated pyramid-shaped part 1a, and the nitride single crystal is grown on the truncated pyramid-shaped part 1a. - 特許庁

信頼度成長曲線補正部５４は、特定テスト工数の数が２個未満の場合、信頼度成長曲線を表すグラフを出力し、特定テスト工数の数が２個以上の場合、矯正関数についてのグラフを出力するように、信頼度成長曲線表示部５８を制御する。例文帳に追加

The correction part 54 controls the display part 57 so as to output, when the number of specific test man-hour is less than 2, a graph showing a reliability development curve, and output, when the number of specific test man-hour is two or more, a graph for the correction function. - 特許庁

成長基板が載置される搭載領域を有するサセプタ装置は、搭載領域を分割して得られた区分領域の各々に配されかつ各々が成長基板に対向する熱輻射面を有し、成長基板の厚さ方向に可動である複数の熱輻射部からなる搭載部を有する。例文帳に追加

The susceptor device having a mounting region for mounting a growth substrate is provided with a mounting section consisting of a plurality of heat radiation parts disposed, respectively, in division areas obtained by dividing the mounting region, each having a heat radiation surface facing the growth substrate, and movable in the thickness direction of the growth substrate. - 特許庁

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。例文帳に追加

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D. - 特許庁

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion. - 特許庁

また、本発明のマイクロ／ナノデバイス・システムの製造方法は、基体に分子を供給して成長部を形成し、前記成長部の少なくとも一部を他の支持体に移植する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

Further, a method for manufacturing the micro and nano-device system includes a stage of forming a growth part by supplying molecules to a base body and transplanting at least a portion of the growth part to another base. - 特許庁

この基板を用いて気相成長した場合、原料ガスが凹部１２及びその近傍に十分至らず、凸部１１の上方部からしか結晶成長が起こらない。例文帳に追加

At vapor-growth with the substrate, a material gas does not fully reach a recessed part 12 and its vicinity, causing a crystal growth only from the upper part of a protruding part 11. - 特許庁

母型部材の母光学面を含む表面において電鋳を成長させる工程と、母型部材の外周面に基づいて、成長した電鋳部材を加工する工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises a stage wherein electroforming is grown in the surface comprising a matrix optical face of a matrix member, and a stage wherein the grown electroforming member is worked based on the outer circumferential face of the matrix member. - 特許庁

さらに、成長終了後の雰囲気ガス中での冷却時には、基板保持部７および回転体３の回転を停止して、蓋部１６で成長室６の開口部１５を閉鎖する。例文帳に追加

When the apparatus is cooled in atmospheric gas after growing, the rotation of the substrate supporting part 7 and the rotary body 3 is stopped and the opening part 15 of the growing chamber 6 is closed by the cap part 16. - 特許庁

埋め込み成長部を形成する工程において、結晶の成長を、開口部の側壁面から進行し、且つ開口部を除く領域の表面から進行し難い条件により行う。例文帳に追加

In the step of forming the embedding growth part, crystal growth is carried out on the condition that it progresses from the sidewall surface of the opening part and hardly progresses from the surface of the regions other than the opening part. - 特許庁

これにより、サイドウォール１７２の一部が溝部３１０にくい込んだ状態で形成され、その後のＬＯＣＯＳ膜１８０の成長工程で、トップバーズビーク部１８２の成長を抑制できる。例文帳に追加

Thus, the sidewall 172 is formed in a state in which it partly penetrates the groove 310, and the growth of a top bird's beak part 182 can be suppressed in the subsequent growth step of a LOCOS film 180. - 特許庁

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。例文帳に追加

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness. - 特許庁

このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。例文帳に追加

At this time, a portion 14 of the crystal growth vessel 7 is brought into contact with the inner wall of the heater member 6 so that a supplied raw material gas can not pass through between the crystal growth vessel 7 and the heater member 6. - 特許庁

基板保持部材と流路構成部材底部の相対位置関係を精度よく合わせることで、被処理基板表面に均一性の膜を気相成長させる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition system by which a uniform film is vapor-deposited on the surface of the substrate to be treated by matching the relative positional relation between a substrate holding member and the bottom part of a flow passage composing member with high precision. - 特許庁