「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

基板表面に、その上の正常なエピタキシャル成長を阻害するような結晶欠陥を格子状に設け、正常なエピタキシャル膜を小区画に分割して成長させて、内部応力を解放する。例文帳に追加

Crystal defects for inhibiting normal epitaxial growing on a surface of a substrate are provided onto the surface of the substrate in a grating form so as to grow normal epitaxial films on the small divided regions, thereby releasing the occurrence of an internal stress. - 特許庁

そして、生成されたIII族金属と窒素は、メッシュ１４を通して結晶成長容器１２の下部のＮａ融液１７に供給され、Ｎａ融液１７中で反応し、ＧａＮの結晶が成長する。例文帳に追加

And the produced group III metal and nitrogen are supplied to Na molten liquid 17 in the lower part of the crystal growth container 12 through a mesh 14, and reacted in the Na molten liquid to make GaN crystal grown up. - 特許庁

有機金属化学気相成長法によりＸＢ_２（Ｘ＝Ｚｒ，Ｔｉ）基板上に窒化物半導体層を成長させた後、ＸＢ_２（Ｘ＝Ｚｒ、Ｔｉ）と窒化物半導体層の一部を除去する。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer is grown on an XB_2(X = Zr, Ti) substrate by the organic metal chemical vapor deposition method, and then the XB_2(X = Zr, Ti) and the nitride semiconductor layer are partly removed. - 特許庁

成長後に反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去することを目的とし、反応炉内に高流速の不活性ガスを基板上流部より噴出し、その後成長シーケンスを開始する。例文帳に追加

Inert gas having high velocity is jetted out into a reactor from a substrate upstream section before a growth sequence is started, thus removing residual gas and particles in the reactor after growth. - 特許庁

結晶の成長高さが所定高さ以上になっても、成長結晶のガイド部材との接触面が炭化することがない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal which does not carbonize the contacting surface with a guide member of a grown crystal, even when the growth height of the crystal becomes a predetermined height or above. - 特許庁

次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部から半導体膜を横方向成長させてマスクを覆う貫通転位遮断層を形成する。例文帳に追加

Next, a semiconductor film is laterally grown from a non-mask part, which is not covered with the mask on the substrate for growth, to form a through dislocation blocking layer covering the mask. - 特許庁

多結晶シリコン層６ｂを種として選択成長された選択成長部６ｃがシリコン酸化膜８、９上に突出して張り出して形成される。例文帳に追加

A selective growth portion 6c which is selectively grown with a polycrystalline silicon layer 6b as a seed is formed protruding and overhanging silicon oxide films 8 and 9. - 特許庁

次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor film is laterally grown using the buffer layer as a starting point, and a lateral growth layer for covering the mask is formed while cavities are formed on the upper part of the mask. - 特許庁

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、横方向成長を利用し欠陥の集中する接合部を基板全体に分散させる。例文帳に追加

In the method in which a nitride semiconductor is grown on the substrate, bonding parts in which defects are concentrated are dispersed to the whole substrate by using its growth in the transverse direction. - 特許庁

炭素原料ガスの分解される効率を高め、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする触媒部材を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst member which improves the decomposition efficiency of a carbon material gas and improves the growth rate of a carbon nanotube, and thereby enables the continuous growth of a high-quality carbon nanotube. - 特許庁

その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。例文帳に追加

Since the concentration (partial pressure ratio) of the hydrogen gas in a growth part is quickly varied as a result, the crystal composition value x in the crystals to be grown is quickly and correctly set to a desired value. - 特許庁

（ｆ）成長基板の外周部の内側領域に、レーザビームが照射されない未照射領域を設けながら、レーザビームを照射し、成長基板を半導体膜から剥離除去する。例文帳に追加

(F) The growth substrate is peeled off the semiconductor film with laser beam irradiation while providing a not-irradiated region which is not irradiated with the laser beams in an inner region of the outer peripheral part of the growth substrate. - 特許庁

上記成長マスク１２の成長穴１２aの内周側かつサファイア基板１１側に、サファイア基板１１側に向かって内径が小さくなるように絞り部１０を形成する。例文帳に追加

A narrowed part 10 is formed on the inner-peripheral side of the growth hole 12a of the growth mask 12 and on the side of the sapphire substrate 11 so that the inner diameter is reduced toward the side of the sapphire substrate 11. - 特許庁

位相データ生成部105は、ライン上のドットの成長方向を示し、成長方向が所定のライン数ごとに変化するパターンを示す位相データを生成する。例文帳に追加

A phase data generating section 105 generates phase data representing a pattern which indicates a growing direction of a dot on the line and in which the growing direction changes for every predetermined number of lines. - 特許庁

原料の重みや落下による容器底部の破損を抑制することができる結晶成長用縦型容器及び結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a vertical vessel for growing a crystal with which breakage of the bottom part of the vessel due to the weight or falling of a raw material can be suppressed and to provide a method of growing the crystal. - 特許庁

そして標示部３ｐを目安に根菜類の種蒔きを行い、成長する直根を直根成長溝Ｍａに沿わせることで、形状や品質に優れた牛蒡等を栽培することができる。例文帳に追加

Thus, the Arctium lappa, or the like, having excellent shapes and qualities can be cultivated. - 特許庁

屈曲指数＝Ｌｘ÷Ｄ （１） Ｌｘ：気相成長炭素繊維の屈曲していない直線部分の長さ Ｄ：気相成長炭素繊維の直径例文帳に追加

Flexing index=Lx/D (1), where Lx is a length of a linear (un-flexed) portion of the vapor phase-grown carbon fiber and D is a diameter of the vapor phase-grown carbon fiber. - 特許庁

半導体ウェハ面の一部に微小な隆起ドット状のマーク（Ｍ′）を形成し、同マーク（Ｍ′）を含むウェハ面の全体をエピタキシャル処理による成長層を成長させて本発明のドットマーク（Ｍ）を形成する。例文帳に追加

After a very small raised dot-like mark M' is formed on part of the surface of the semiconductor wafer, this dot mark (M) is formed by epitaxially growing a layer on the whole surface of the wafer including the mark (M'). - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

A second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown by transverse epitaxy to bury the stepped parts, and can also be grown upward thereafter, wherein the upper face of the upper steps and the side faces of the steps are utilized as the nuclei for the growth. - 特許庁

シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を０〜８ｒｐｍとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。例文帳に追加

The method of growing the silicon single crystal comprises adjusting the rotation speed of a seed crystal to 0 to 8 rpm after growing the constant diameter part of the silicon single crystal, and then cutting the silicon single crystal off from the melt in the dislocation-free state. - 特許庁

ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a hydride vapor phase growth method capable of controlling the number of precipitation of GaP by a material gas to a member other than a substrate in an HVPE growth device. - 特許庁

下方へ変位しようとする可動部材３１が気泡４０の上流側への成長を抑制することにより、その分下流側への成長が促進され、吐出効率が向上する。例文帳に追加

As the growing of the bubble 40 toward the upstream side is suppressed by the movable member 31 that tends to be deformed downward, the growing of the bubble toward the downstream side is accelerated by an extent of the restriction, thereby improving the ejecting efficiency. - 特許庁

天然物からなる神経成長因子産生誘導剤、並びに天然物からなる神経成長因子産生誘導成分が含まれた食品及び医薬部外品を提供することである。例文帳に追加

To obtain an agent composed of a natural substance and effective for inducing the production of nerve growth factors, and provide a food and a quasi-drug containing a component composed of a natural substance and effective for inducing the production of nerve growth factors. - 特許庁

樹木等の成長物の成長による破断を確実に回避するとともに、部品点数の削減によるコストダウン及び装着作業の容易化を図り、また、鳥獣害防止効果をより高める。例文帳に追加

To provide a cover for a growing-type plant surely prevented from being broken due to growth of the growing-type plant such as a tree, and reducing costs through reduction in the number of parts, simplifying attaching operations, and improved in bird and animal injury preventive effects. - 特許庁

段差の上段の上面３１ａ及び側面３１ｂを核として、GaN３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

The GaN layer 32 is laterally epitaxially grown with upper and side surfaces 31a and 31b of upper parts of the step differences as nuclei to bury the step differences, and thereafter it can also be grown upwards. - 特許庁

基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase epitaxial growth apparatus and a vapor-phase epitaxial growth method, by which a flow rate of a raw material gas on a surface of a substrate can be regulated partially and also entirely on the surface of the substrate continuously. - 特許庁

シャワープレートにカバープレートを設ける場合に、隙間部分における反応生成物の生成によるシャワープレートとカバープレートとの固着を防止し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which can prevent fixing of a cover plate with a shower plate from occurring due to a reaction product produced in a gap part, when the cover plate is provided on the shower plate, and to provide a vapor deposition method therefor. - 特許庁

感光体製造工程で光導電層にできる異常成長部分の成長を抑制させて、それが画像上に現れず画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor capable of suppressing growth of abnormally grown parts formed in a photoconductive layer in a photoreceptor manufacturing process, thereby drastically improving image defects because an image is not affected by the abnormally grown parts. - 特許庁

シート部３２は、シート厚さ方向に存在する材料が限られているため、焼成などにより粒成長すると、シート面方向に結晶粒子が成長する。例文帳に追加

Since a material present in the thickness direction of the sheet portion 32 is limited, crystal grains grow in the sheet plane direction when crystal grains grow by baking. - 特許庁

関連設定記憶部５４は、利用者の成長段階に応じて当該コンピュータシステムの機能を利用できる範囲を変化させるために、機能とその機能を利用可能な成長段階との関連の設定を記憶する。例文帳に追加

A relevancy setting storing part 54 stores relevancy setting between functions and the stage of growth of a user in which the user can use those functions so that the scope of the usability of those functions of a computer system can be changed according to the stage of growth of the user. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分の上方にも成長させることができる。例文帳に追加

A second nitride-based III group compound semiconductor layer 32 can be grown even to an upper region above the steps by epitaxially growing in horizontal directions by utilizing the upper face and the side faces of each upper part of the steps for the nuclei. - 特許庁

基板１０上に、第１工程において露出していた基板部分（領域Ｂ）を成長起点として窒化物半導体１４を成長させる（第３工程）。例文帳に追加

The nitride semiconductor 14 is made to start growing from the exposed region (region B) of the substrate which is provided in the first process and serves as a starting point (third process). - 特許庁

こうして、成長時には、回転棒１３によって基板保持部７と回転体３とを回転し、回転リング１７によって成長融液の攪拌を促進する。例文帳に追加

Thus, a substrate supporting part 7 and the rotary body 3 are rotated by the rotary rod 13 and stirring of a growing molten liquid is accelerated by the rotating rings 17 at time of growing. - 特許庁

これにより、選択成長層５の厚さをより正確に測定することができ、選択成長層５の一部を除去するときに、第１の炭化珪素エピタキシ層２が除去される量を極めて少なくすることができる。例文帳に追加

As a result, the thickness of the selective growth layer 5 can be accurately measured and when part of the selective growth layer 5 is removed, the amount of removal of the first silicon carbide epitaxial layer 2 can be made highly small. - 特許庁

III族窒化物半導体３は散在するバッファ層２には縦方向にエピタキシャル成長し、バッファ層２の存在しない基板１上部においては横方向にエピタキシャル成長する。例文帳に追加

A III group nitride semiconductor 3 is epitaxially grown in a vertical direction to the dispersed buffer layer 2, and is epitaxially grown in a lateral direction in an upper part of the substrate 1 in which the buffer layer 2 does not exist. - 特許庁

すなわち、半導体結晶成長用基板本体１１の側面１２および半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の最外周から２ｍｍまでの部分に保護膜１４を形成する。例文帳に追加

That is, the protective film 14 is formed on the side face 12 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal and in a portion from the outermost circumference to 2 mm inside on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal. - 特許庁

第１の好適でない成長層内に開口をエッチングして、この開口が、第１の好適でない成長層を通ってシーディング表面まで下方に延び、これによって、シーディング表面の一部を露出させるようにする。例文帳に追加

An opening is made in the first unpreferable growth layer by etching, such that the opening extends downward through the first unpreferable growth layer to the shading surface, thus exposing a part of the shading surface. - 特許庁

この伸長された筒状部３がきのこＭの成長案内用のガイドとなり、従来のような煩わしい紙巻作業を行なうこと無くきのこの成長方向の規制が簡単な作業によって可能となる。例文帳に追加

The extended cylindrical part 3 functions as the guide for growth of the mushroom M, and enable the simple operation for regulating the growing directions of the mushroom free from the troublesome paper winding operation. - 特許庁

基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus which does not make an electric current flow between a thin film having grown on a substrate and a thin film having grown on a camber prevention member even when the thin films are joined. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段（元基板1の凹部）上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。例文帳に追加

Using the upper surface and the side face at the upper stage of level difference as nuclei, GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction and the upper part of the lower stage of level difference (recess of the original substrate 1) is filled before GaN 32 is also grown epitaxially above. - 特許庁

体毛の成長あるいは発育を抑制する安全性が高い体毛成長抑制のための医薬品、医薬部外品あるいは化粧料等の外用組成物を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a highly safe, hair growth-inhibiting external composition such as a medicine, an unregulated drug and a cosmetic for inhibiting the development or growth of the hair. - 特許庁

従来よりも単結晶成長用原料の温度制御が容易となり、単結晶の品質が向上し、単結晶の中心部分を大きく成長させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for manufacturing a single crystal that enables easier temperature control of a raw material for the growth of the single crystal and can give a single crystal having better quality and a larger central part than conventional ones. - 特許庁

減圧式の非選択エピタキシャル成長法により、ベース開口部８の内壁を覆うようにシリコン酸化膜７の全面に半導体膜、ここではＳｉＧｅ／ＳｉＧｅＣ膜９を成長する。例文帳に追加

By a low pressure non-selective epitaxial deposition method, a semiconductor film that is an SiGe/SiGeC film 9 in this case is grown on the entire surface of a silicon oxide film 7 so that the inner wall of a base opening 8 is covered. - 特許庁

結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。例文帳に追加

A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion. - 特許庁

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材の型材２の表面を集束イオンビーム加工した際に、気相成長炭素繊維の部分で加工効率が低下し、型材２の加工面が凹凸になる。例文帳に追加

When the surface of the mold material 2 being a composite material of the vapor-phase growth carbon fiber and the glassy carbon is worked with a focused ion beam, a working efficiency is fallen at the vapor-phase growth carbon fiber and then the worked face of the mold material 2 becomes uneven. - 特許庁