「成長部」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

高温でＡｌＮ単結晶ブール８を生成するための物理的気相輸送成長炉システム内部の結晶成長セットアップが、ＡｌＮ原材料７及び成長するＡｌＮ結晶ブール８を含むのに効果的な坩堝６を含む。例文帳に追加

A crystal growth setup within a physical vapor transport growth furnace system for producing an AlN monocrystal boule 8 at high temperatures includes a crucible 6 effective to contain an AlN source material 7 and a growing AlN crystal boule 8. - 特許庁

多値コード画像割り当て部１６０４は、各アフィン変換前の成長コアに対し、アフィン変換前の成長コアに近接する少なくとも１つのアフィン変換後の成長コアの第１のコード情報に基づき、第２のコード情報を割り当てる。例文帳に追加

A multi-value code image allocating part 1604 allocates second code information to the growth cores before the affine transformation based upon first code information of at least one growth core after the affine transformation close to a growth core before the affine transformation. - 特許庁

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate. - 特許庁

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。例文帳に追加

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked. - 特許庁

シリコン単結晶基板Ｗにエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｇと、エピタキシャル成長工程Ｇの後に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部１を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ２と、を有する。例文帳に追加

The method includes: a growth process G of growing an epitaxial layer on a silicon single crystal substrate W; and a mirror chamfering polishing process D2 of mirror polishing a chamfering part 1 on a peripheral edge of the silicon single crystal substrate after the epitaxial growth process G. - 特許庁

保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor phase deposition method, capable of uniformizing the surface temperature of a substrate as compared with the conventional art when performing a film formation treatment by using the vapor phase deposition method for the substrate as a processing object to be held by a holding member. - 特許庁

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth. - 特許庁

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head. - 特許庁

このときの分断位置を、タイヤ幅方向最外側の最外側主溝９よりもタイヤ幅方向内側にし、外側ベルト層片１３Ｂの径成長抑制効果を高めてショルダ部の径成長を抑制し、径成長をタイヤ幅方向で均一化する。例文帳に追加

The dividing position at the time is made the tire width direction inside of an outermost side main groove 9 at the tire width direction outermost side, the radial growth of the shoulder part is suppressed by enhancing a radial growth suppressing effect of the outside belt layer piece 13B, and the radial growth is made uniform in the tire width direction. - 特許庁

次に、ＷのＣＶＤ成長において、ＳｉＨ_４とＷＦ_６を交互に供給する化学気相成長法で第１のＷ膜１０４を成長後、第１にＷ膜上にＷＦ_６の水素還元にて第２のＷ膜１０６を成膜し、開口部を埋め込む。例文帳に追加

In CVD growth of W, after a first W film 104 is grown by chemical vapor deposition method where SiH_4 and WF_6 are alternately supplied, a second W film 106 is formed on top of the first W film by hydrogen reduction of WF_6 to fill up the opening. - 特許庁

複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。例文帳に追加

The method is provided with an arranging process for arranging a plurality of seed substrates 10 by shifting the seed substrates 10 to the side part side 11, and a growing process for growing a crystal Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) by hydride vapor phase epitaxy. - 特許庁

本発明は、気相成長装置をクリーニングする際に、気相成長装置を損傷するおそれの多いクリーニング操作中の真空ポンプの自己発熱を低減させて、気相成長装置の耐用寿命を改善し、また、安価なシール用部材の使用を可能とすることを目的としている。例文帳に追加

To improve the durability life of a vapor phase epitaxial growth device by reducing self-heat generation of a vacuum pump during a cleaning operation of the vapor phase epitaxial growth device where the vapor phase epitaxial growth device has a high risk of damage, and to make it possible to use an inexpensive sealing member. - 特許庁

横方向成長法によるＧａＮ層が種結晶層の絶縁層で覆われていない露出した側面からのみ成長するために、ＧａＮ層の横方向成長が非対称性になるので、会合部３２は、種結晶層と絶縁層の境界付近からＧａＮ層の厚さ方向に形成される。例文帳に追加

Since the GaN layer is grown by lateral growth method only from the exposed side face not covered with the insulation layer of the nuclide crystal layer, the GaN layer is grown asymmetrically in the lateral direction, and an association part 32 is formed in the thickness direction of the GaN layer from the vicinity of boundary of the nuclide crystal layer and the insulation layer. - 特許庁

本発明の液相成長装置１は、反応管３と、不純物を含むプロセスガスＧを成長反応室９内に流出させるガス供給部２と、プロセスガスＧの成長反応室９内における流量を規制する通口１０が形成されているバッフル４とを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面のマスク４を除かずに、側面を核として、マスク４上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

Thus without removing the mask 4 and with using the side of the steps as nuclei, a second group III nitride-based compound semiconductor 32 which dose not grow in epitaxially on the mask 4 can be grown upward with filling up the steps by longitudinal and lateral epitaxial growth. - 特許庁

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。例文帳に追加

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6. - 特許庁

単結晶成長装置の周辺に単結晶の成長に不可欠な大きな装置が存在して、計測装置のような周辺機器類を設置することができない場合でも、チャンバ内部の監視、観察、計測などを可能とする単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a single crystal capable of performing the monitoring, observing, measuring, etc., of the interior of a chamber even when a large apparatus indispensable to the growth of the single crystal is present in the periphery of the apparatus for growing the single crystal and peripheral devices such as a measuring device cannot be installed. - 特許庁

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head. - 特許庁

また、種結晶として、上記のＡｌＮ結晶の成長方法により得られたＡｌＮ結晶２の少なくとも一部である第２のＡｌＮ種結晶１を準備し、この第２のＡｌＮ種結晶１を用いて昇華法によりＡｌＮ結晶２を成長させるＡｌＮ結晶の成長方法。例文帳に追加

In an alternative method for growing the AlN crystal, the AlN crystal 2 is grown through the sublimation method by using a second AlN seed crystal 1 as a seed crystal, wherein the second AlN seed crystal 1 is at least a portion of the AlN crystal 2 obtained through the method for growing the AlN crystal. - 特許庁

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。例文帳に追加

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon. - 特許庁

保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase deposition apparatus capable of uniformizing the surface temperature of a substrate as compared with the conventional art when performing the film deposition by using the vapor-phase deposition method for the substrate as an object to be treated held by a holding member, and to provide a vapor-phase growth method. - 特許庁

マスク部材Ｍ１を付けたままで、埋込選択エピタキシャル成長法により、第１の埋込選択成長層であるパッド膜１２を形成し、引き続き、第２の埋込選択成長層であるｐ型のアノード側領域１３形成する。例文帳に追加

By subjecting the structure with the mask member M1 to selective embedding epitaxial growth, a pad film 12 is formed as a first selective embedded growth layer, and subsequently a p-type anode side region 13 as a second selective embedded growth layer are formed. - 特許庁

各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

インドの経済成長をけん引しているサービス産業について、各セクター別の経済成長への寄与度を分析すると、2000 年度以降、ごく一部の例外を除き、一貫して各セクターが成長に寄与しており、特に、商業、運輸、通信、ビジネス向けサービスなどの寄与が大きい（第1-4-14 図）。例文帳に追加

The service sector is powering growth of the Indian economy. An analysis of the contributions to economic growth of the various industries reveals that every industry, with some rare exceptions, has consistently contributed to growth since FY2000, especially commerce, transportation, telecommunications, and business-oriented services (Figure 1-4-14). - 経済産業省

軟骨の成長または修復を必要とする被験体の部位に投与される、非タンパク質分解的活性化トロンビンレセプターのアゴニストを含有してなる該部位の軟骨の成長または修復を刺激するための医薬組成物。例文帳に追加

The medicinal composition administered to a site of a subject requiring the growth or restoration of the cartilage, contains an agonist of a non-proteolytically activated thrombin receptor and is used for stimulating the growth or restoration of the cartilage at such the site. - 特許庁

エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。例文帳に追加

The substrate is a substrate for epitaxial growth 1 in which a chamfering part 3 is partially on the rear face 1b side opposite to a front face 1a of the substrate 1 which is subjected to epitaxial growth. - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The seed crystal for growing the silicon carbide single crystal has grooves 12 on the crystal growth surface 15 and has characteristically a silicon carbide epitaxial thin film 13 on the surface 15 other than the grooves 12. - 特許庁

赤外線放射温度計６は成長室１の外部に配置され、かつビューポート５を介して成長室１内部の基板３１の温度を測定可能である。例文帳に追加

An infrared radiation thermometer 6 is arranged outside the growth chamber 1, and the temperature of the substrate 31 located inside the growth chamber 1 can be measured through the viewport 5. - 特許庁

再成長したアンドープＧａＮ半導体層１０５及びｎ＋型ＧａＮコンタクト半導体層１０６は横方向に成長した部分であり、開口部の面積よりも電極のコンタクト面積を大きくできる。例文帳に追加

The regrown undoped GaN semiconductor layer 105 and the n^+-type GaN contact semiconductor layer 106 form a portion grown in a longitudinal direction, thus making a contact area of an electrode more enlarged than the area of the opening. - 特許庁

その後、この基板に例えばＧａＮ系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部１１の上方部から専ら結晶成長させることで第１の半導体層２を形成する。例文帳に追加

After that, a feed gas for semiconductor crystal growth such as a GaN-family compound semiconductor is supplied to the substrate, and crystal growth is simply carried out from the upper part of the projection part 11, thus forming a first semiconductor layer 2. - 特許庁

その後、溝２に対して酸化処理を実施することにより、シリコン酸化膜３の側部３Ｗの成長を抑制しつつ、シリコン酸化膜３の底部３Ｂ付近及びその付近を選択的に成長させることができる。例文帳に追加

Thereafter, by oxidizing the groove 2, an adjacent portion to a bottom portion 3B of the silicon oxide film 3 and a portion neighboring the adjacent portion can be selectively developed with a side portion 3W of the silicon oxide film 3 being restrained from developing. - 特許庁

または、酸化物成長ステップの間、酸化物が、トレンチ壁よりもトレンチ底部で早く、かつ、薄く成長できるように、トレンチ底部がアモルファス化され、トレンチ壁が単結晶シリコンとして残される。例文帳に追加

In another embodiment, the bottom of the trench is grown amosphous and the walls of the trench are left as singly-crystal silicon so that the oxide may be grown much faster and thicker on the bottom than on the walls during an oxide growth step. - 特許庁

成長過程のパイナップルとその頂頭葉との間の首部にリングを嵌挿しておき、その後のパイナップルと頂頭葉の成長によって、リングが首部から離脱不能な状態にする。例文帳に追加

The ring is fitted to a neck part between a pineapple being in process of growth and its top leaves, so that the ring cannot be detached from the neck part because of following growth of the pineapple and top leaves. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition. - 特許庁

コア４１は成長して波長選択性ミラー３０に達し、一部は反射された光に沿ってコア４１ｒｆとして下方向に、一部は透過した光に沿ってコア４１ｔｈとして右方向に成長を続けた（４．Ｂ）。例文帳に追加

The core 41 grows to reach the wavelength selective mirror 30, with a part continued to grow along the reflected light downward as a core 41rf, and with a part along the transmitted light to the right as a core 41th (4.B). - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。例文帳に追加

On a diamond heteroepitaxial film grown on the substrate of a different kind of single crystal, one or a plurality of convex parts are formed and diamond is grown in step-flow fashion from the convex parts as a starting point. - 特許庁

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。例文帳に追加

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage. - 特許庁

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。例文帳に追加

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method. - 特許庁

ＧａＮよりなる下層部１３ａを成長させ、成長温度（１０２０℃）は保持しつつＧａの原料ガスの供給を３分間停止して下層部１３ａの表面をエッチングする。例文帳に追加

An lower layer portion 13a consisting of GaN is grown, a growing temperature (1,020°C) is being kept, supply of material gas of Ga is stopped for 3 minutes, and the surface of the lower layer portion 13a is etched. - 特許庁

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。例文帳に追加

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter. - 特許庁

気相成長炭素繊維が、１〜３００分間振動ミル解砕されたことが好ましく、気相成長炭素繊維の含有量が、ゴム成分１００質量部に対して、１〜３０質量部であることが好ましい。例文帳に追加

The vapor-grown carbon fibers are preferably crushed in the vibration mill for 1-300 minutes, and the content of the vapor-grown carbon fibers is preferably 1-30 pts.mass based on 100 pts.mass of the rubber component. - 特許庁

成長時に膜厚分布を生じたとしても、成長中断を挿入すれば、膜厚が厚い部分におけるエッチング速度が、膜厚が薄い部分におけるエッチング速度を上回り、これを解消する方向に寄与する。例文帳に追加

When the growth is interrupted, the etching rate at a thicker portion becomes higher than that at a thinner portion and the thickness distribution is eliminated, even if the distribution occurs during the course of the selective growth. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

胚軸を子葉上部にて切断し、成長点を摘心し、摘心した成長点部から複数の一葉一節体を調製し、各一葉一節体からあらためて発根させる。例文帳に追加

By cutting the hypocotyl at the upper part of the cotyledon and picking-off the growing points, and preparing a multiple number of one leaf and one knot bodies from the picked-off growing points, the rooting is performed as anew from each of the one leaf and one knot bodies. - 特許庁