「結晶回折格子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

セルロースＩ結晶化度（％）＝〔（Ｉ_22.6−Ｉ_18.5）／Ｉ_22.6〕×１００ （１）〔式中、Ｉ_22.6は格子面（００２面）の回折強度を示し、Ｉ_18.5はアモルファス部の回折強度を示す。例文帳に追加

Cellulose I crystallinity (%)= [(I_22.6-I_18.5)/I_22.6]×100 (1). - 特許庁

セルロースＩ型結晶化度（％）＝〔（Ｉ_22.6−Ｉ_18.5）／Ｉ_22.6〕×１００ （１）〔Ｉ_22.6は、Ｘ線回折における格子面（００２面）（回折角２θ＝２２．６°）の回折強度、及びＩ_18.5は、アモルファス部（回折角２θ＝１８．５°）の回折強度を示す〕例文帳に追加

Cellulose I type crystallinity degree (%)=[(I_22.6-I_18.5)/I_22.6]×100 (1) [wherein I_22.6 represents the diffraction intensity of lattice plane (plane 002) (diffraction angle 2θ=22.6°) and I_18.5 represents the diffraction intensity of amorphous part (diffraction angle 2θ=18.5°) in X-ray diffraction]. - 特許庁

セルロースＩ型結晶化度（％）＝〔（Ｉ_22.6−Ｉ_18.5）／Ｉ_22.6〕×１００ （１）〔式中、Ｉ_22.6は、Ｘ線回折における格子面（００２面）（回折角２θ＝２２．６°）の回折強度、及びＩ_18.5は、アモルファス部（回折角２θ＝１８．５°）の回折強度を示す。例文帳に追加

In the process for producing the low crystalline cellulose, a residual component obtained by removing water from the cellulose-containing raw material has the cellulose content of ≥20 mass%, and the cellulose-containing raw material is treated with a grinding aid to reduce the cellulose I crystallinity to ≤33%. - 特許庁

セルロースＩ型結晶化度（％）＝〔（Ｉ_22.6−Ｉ_18.5）／Ｉ_22.6〕×１００〔Ｉ_22.6は、Ｘ線回折における格子面（回折角２θ＝２２．６°）の回折強度、及びＩ_18.5は、アモルファス部（回折角２θ＝１８．５°）の回折強度を示す〕例文帳に追加

The cellulose I type crystallinity (%)=[(I_22.6-I_18.5)/I_22.6]×100 wherein, I_22.6 is a diffracted intensity of a lattice plane (angle of diffraction 2θ= 22.6°) in X-ray diffraction; and I_18.5 is a diffracted intensity of an amorphous portion (angle of diffraction 2θ= 18.5°). - 特許庁

ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の格子溝を精度良く機械加工すること例文帳に追加

To provide a manufacturing method for machining highly-accurate blaze type diffraction grating grooves composed of CdTe or CdZnTe crystal material. - 特許庁

フォトニック結晶を用いた回折素子９は、電磁波を周期的に分割する周期Ｌの回折格子１１と、回折格子１１と接する入射側媒体および出射側媒体とを備える。例文帳に追加

A diffraction device 9 using the photonic crystal is equipped with a diffraction grating 11 for periodically dividing electromagnetic waves, and an input medium and an output medium, which contact the diffraction grating 11. - 特許庁

その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となる。例文帳に追加

Consequently, this constitution can suppress the offset of the diffraction efficiency of the diffraction grating formed inside the electro-optic crystal so as to provide the appropriate optical modulation by the diffraction grating. - 特許庁

光取り出し向上用回折格子やプラズモニック多結晶などに適用でき、光の回折に起因するカラーシフトを低減可能な回折格子基板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a diffraction grating substrate which is applicable to a diffraction grating, a plasmonic polycrystal, or the like for improving light extraction, and reduces color shift due to light diffraction. - 特許庁

偏波保持光ファイバのコアの周囲はフォトニック結晶構造クラッドで囲まれており、このクラッドには回折格子が備えられており、この回折格子の格子間隔は、光をコアに閉じ込める間隔となっている。例文帳に追加

The periphery of the core of the polarized wave maintaining optical fiber is encircled by a photonic crystal structure cladding member, a diffraction grating is provided in the clad member, and the grating interval of the diffraction grating is set to the interval, by which light is confined into the core. - 特許庁

この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のＴｉＯもしくはＴｉＮの回折点（２００）と同じ位置にＸ線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。例文帳に追加

Each crystal has crystallinity that shows the diffraction peak of X-rays at a position same as the diffraction point (200) of TiO or TiN with a face-centered cubic lattice structure. - 特許庁

母結晶と(結晶格子の)つながった析出微粒子による回折効果の大部分は、母結晶斑点のゆがみまたは移動に関係している(と結びつけて考えられる)。例文帳に追加

Most diffraction effects with small precipitate particles, which are coherent to the matrix, are associated with the distortion or displacement of the matrix spots.  - 科学技術論文動詞集

表面が基板のある結晶面に対して分かった角度である単結晶基板を選択することにより、基板の異方性エッチングにより、特定の結晶面に対応する反射表面を有する回折格子の溝を形成できる。例文帳に追加

Diffraction grating grooves 110 having the reflection surface corresponding to a specific crystal plane is formed by the anisotropic etching of a substrate by selecting a single crystal substrate with a known angle to the crystal plane, on the surface of which the substrate exists. - 特許庁

像が入射ビームと1つの回折ビームで形成されるとき、その像は結晶格子の直接的な像として視覚化されるであろう。例文帳に追加

When an image is formed by the incident beam and one diffracted beam, the image may be visualized as a direct image of a crystal lattice.  - 科学技術論文動詞集

非常に大きな単純立方晶系の結晶からの回折図形で、われわれは、薄いプレート(平板)の厚さが約5格子間隔であると推論する。例文帳に追加

In the diffraction pattern from a very large, simple cubic crystal, we deduce that thickness of thin plates is approximately 5 lattice spacings.  - 科学技術論文動詞集

格子像で(結晶の)不完全を明らかにするコントラスト条件が、通常の回折コントラスト技法でのコントラスト条件と比較される。例文帳に追加

The contrast conditions for revealing imperfections in the lattice image are compared with those for the normal diffraction contrast technique.  - 科学技術論文動詞集

知られている格子間隔dの結晶について、特定の波長λのX線は、良く知られているブラッグの式で与えられる角度θで回折される。例文帳に追加

For a crystal of known lattice spacing d, X-rays of a specific wavelength λ will be diffracted at an angle θ given by the well-known Bragg equation.  - 科学技術論文動詞集

単結晶ダイヤモンド切削刃具及びその製造方法、並びにＸ線タルボ干渉計用回折格子の製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL DIAMOND CUTTING TOOL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING DIFFRACTION GRATING FOR X-RAY TALBOT INTERFEROMETER - 特許庁

半導体レーザ素子１は、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７と発光層としての活性層５とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser element 1 includes a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating and an active layer 5 as a light emitting layer. - 特許庁

Ｘ線回折における格子面のピーク強度が（２２２）＜（４００）である新規な結晶構造を有するα−Ｍｎ_２Ｏ_３を用いる。例文帳に追加

The α-Mn_2O_3 has a new crystal structure in which peak intensity of lattice planes in X-ray diffraction satisfies (222)<(400). - 特許庁

この光学素子のフォトニック結晶はプリズム構造、もしくはブレーズ状回折格子構造に加工する。例文帳に追加

The photonic crystal for the optical element is processed into a prism structure or a blazed grating structure. - 特許庁

テラヘルツ波発生装置２は、励起光源１０、透過型回折格子３２、可変結像光学系６１および非線形光学結晶７０を備える。例文帳に追加

The terahertz wave generating device 2 includes a pump source 10, a transmission type diffraction grating 32, a variable image forming optical system 61, and a nonlinear optical crystal 70. - 特許庁

複数の針状結晶体２２は、回折格子として機能し、臨界角度以上の角度で前記針状結晶配列体２１と、針状結晶配列体２１から光が放射される側の媒体との界面に入射する光の、＋１次または−１次の回折光を出射することができる。例文帳に追加

A plurality of the capillary crystal bodies 22 function as a diffraction grating and can emit a plus primary or a minus primary diffracted light of the light entering into the interface in an angle not less than the critical angle between the body 21 and the media at the side with a light from the body 21 emitted. - 特許庁

半導体ウェーハの電気的特性を測定する一方、該半導体ウェーハの主表面に、半導体結晶格子により回折現象を起こしうる一定波長の入射線ビームを入射させたときの、該半導体単結晶基板からの特定結晶面に由来する回折線の測定を行ない、該回折線の測定情報と電気的特性との関係（回折線／特性関係）を決定する。例文帳に追加

Electric characteristics of a semiconductor wafer are measured, while measuring diffracted rays derived from a prescribed crystal face from a semiconductor single crystal substrate when incident beams of fixed wavelength which cause a diffraction phenomenon due to a semiconductor crystal lattice are incident on a main surface of the semiconductor wafer, and a relation (diffracted rays/characteristic relationship) between measurement information of the diffracted rays and the electric characteristics is determined. - 特許庁

画像解析部１８は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。例文帳に追加

The image analysis section 18 Fourier-transforms the crystal lattice image to acquire a diffraction spot image, and corrects the magnification, aspect ratio, and distortion of the image so that the position of the diffraction spot of the diffraction spot image matches with the position of a theoretical diffraction spot. - 特許庁

フォトニック結晶構造光ファイバにおいて、この光ファイバのクラッド部のフォトニックバンドギャップ構造を有する回折格子の格子間隔が２種類以上の回折格子によって構成することにより、各回折格子が有する異なる波長閉じ込め範囲を合わせて、伝送可能な波長帯域を拡大する。例文帳に追加

In the optical fiber having a photonic crystal structure, the diffraction grating having the photonic band gap structure in the clad of the optical fiber is composed of gratings having two or more kinds of diffraction grating intervals so that the transmittable wavelength band is enlarged by adding the different ranges of wavelength confinement possessed by the respective gratings. - 特許庁

回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects. - 特許庁

セルロースＩ結晶化度（％）＝〔(Ｉ_22.6−Ｉ_18.5)/Ｉ_22.6〕×１００〔Ｉ_22.6は格子面（００２面）の回折強度、及びＩ_18.5はアモルファス部の回折強度を示す。例文帳に追加

Provided are (1) the method for producing the cellulose particles wherein the ratio [(an average particle diameter of cellulose particles)/(an average particle diameter of the low crystallinity cellulose raw material)] is 0.7 or less, and (2) the method for producing the cellulose particles wherein the average particle diameter of the cellulose particles is 50 μm or less. - 特許庁

下部クラッド層１２とフォトニック結晶周期構造体２１の屈折率が異なっており、結晶格子における低屈折率材料が占める割合である占有率が、２次回折効率及び１次回折効率ともに大きい占有率である。例文帳に追加

Refractive indexes of the lower clad layer 12 and the photonic crystal period structure 21 are different from each other, and an occupation rate that is a rate occupied by a low refractive index material in a crystal lattice is large for both of secondary diffraction efficiency and primary diffraction efficiency. - 特許庁

この状態で、回折格子２４を介して基体１０に特定波長の光（例えば、紫外線）２６を照射し、基体１０に所定の間隔をあけて格子状に屈折率変化部を形成し、フォトニック結晶１０’を得る。例文帳に追加

The substrate 10 is irradiated with the light (for example, UV rays) 26 of the specific wavelength through the diffraction grating 24 in this state, by which the refractive index changing sections are formed like a grid apart prescribed intervals in the substrate 10 and the photonic crystal 10' is obtained. - 特許庁

ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。例文帳に追加

To provide a method and system for measuring lattice distortion that can improve accuracy in lattice distortion measurement of nanobeam electronic diffractometry to measure stress/lattice distortion of local domain in crystalline sample with a high degree of precision. - 特許庁

走査透過型電子顕微鏡像をデジタル化しコンピュータに取り込み、デジタル２次元フーリエ変換をすることによって回折パターンを形成し、回折パターン中の一又は複数の回折スポット位置を求め、理想的な結晶構造の場合の回折点の位置と比較することで、結晶格子の歪みを検出する。例文帳に追加

Scanning transmission type electronography is digitalized to be taken in a computer and subjected to digital two-dimensional Fourier transform to form a diffraction pattern and one or a plurality of diffraction spot positions in the diffraction pattern are calculated to be compared with the position of a diffraction point in the case of an ideal crystal structure to detect the strain of a crystal lattice. - 特許庁

チタンを含有し、結晶構造がペロブスカイトからなり、平均結晶粒子径が１μｍ以下の誘電体粉末において、Ｘ線回折によるｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比ｃ／ａが１．００９以上であり、特に、周期律表第２ａ族元素を含む。例文帳に追加

The dielectric powder containing titanium, having a crystal structure of a perovskite, and having an average particle size of not greater than 1 μm has a ratio c/a of a c-axis lattice parameter to an a-axis lattice parameter by X-ray diffraction of not less than 1.009, and particularly includes a group 2a element of the periodic table. - 特許庁

回折格子を形成する半導体層とその下の半導体層とを、異なるＶ族元素を含む半導体材料によって形成する場合に、回折格子を埋め込む層の結晶性を向上させ、これにより、高電流注入効率で、高信頼性の光半導体装置を実現する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device with high efficiency in current injection and high reliability by improving the crystallinity of a layer for embedding a diffraction grating when forming a semiconductor layer forming the diffraction grating and a semiconductor layer below it by semiconductor materials including different group V elements. - 特許庁

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。例文帳に追加

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element. - 特許庁

本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated. - 特許庁

これら第１、第２のホログラム書き込み光がフォトリフラグティブ結晶１中で交差する交差位置に自動生成される回折格子のうち選択設定位置（例えば図１のＡ点）を除く位置の回折格子を、ホログラム消去光の入力部５から入力するホログラム消去光により消去し、選択設定位置に回折格子を生成する。例文帳に追加

Diffraction gratings on positions except for a selectively set position (for example a point A in the figure) out of diffraction gratings auto-generated on an intersection where the first and second hologram write-in light beams intersect in the photorefractive crystal 1 are erased with a hologram erase light beam inputted from a hologram erase light input section 5 and a diffraction grating is generated on the selectively set position. - 特許庁

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。例文帳に追加

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve. - 特許庁

この測定処理によって得られた回折線強度の方位分布又は回折パターンの数値化データを用い、特定の結晶相と特定の格子面指数によって生じている回折線の強度成分を、数値処理によってそれ以外の背景強度成分から分離する。例文帳に追加

An intensity component of a diffraction line generated by a specific crystal phase and a specific lattice plane index is separated from other background intensity components by numerical processing by using numerical data of the azimuth distribution of the diffraction line intensity acquired by the measurement processing or a diffraction pattern. - 特許庁

周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第１電極３３３は電気光学結晶基板３３１に対して傾斜して配置されており、上記制御によりブラッグ回折光ＢＬまたは０次光を出射する。例文帳に追加

Respective first electrode 333 is arranged obliquely with respect to the electro-optical crystalline substrate 331, and that the diffraction gratings produced inside the periodically polarization-reversed structure satisfy the Bragg conditions of diffraction, and Bragg diffracted beam BL or the 0-th order beam is emitted. - 特許庁

本発明のＴＭＰＢ結晶は、モノクロメーターを通したλ＝１．５４１８Åの銅放射線で得られるＸ線粉末回折パターンで格子面間隔にピークを有する２−メチル−２−トリアゾリルメチルペナム−３−カルボン酸ジフェニルメチルエステルの結晶である。例文帳に追加

The TMPB substance of the present invention is a crystal of 2-methyl-2-triazolylmethylpenam-3-carboxylic acid diphenylmethyl ester having peaks in lattice face intervals in X-ray diffraction pattern of powder obtained with copper radioactive ray of λ=1.5418 angstrom passed through a monochromater. - 特許庁

本発明のＴＡＺＢ結晶は、モノクロメーターを通したλ＝１．５４１８Åの銅放射線で得られるＸ線粉末回折パターンで格子面間隔にピークを有する２−メチル−２−トリアゾリルメチルペナム−３−カルボン酸１，１−ジオキシドジフェニルメチルエステルの結晶である。例文帳に追加

The TMPB substance of the present invention is a crystal of 2-methyl-2-triazolylmethylpenam-3-carboxylic acid 1,1dioxidodiphenylmethyl ester having peaks in lattice face intervals in X-ray diffraction pattern of powder obtained with copper radioactive ray of λ=1.5418 angstrom passed through a monochromater. - 特許庁

（１００）面を主面とするＩｎＰ基板１を用いた分布帰還型半導体レーザに設ける回折格子の側面の結晶面を（１００）面から〔０１−１〕方向或いは〔０１１−〕方向のいずれかの方向に傾斜した結晶面、即ち、「Ｂ面」で構成する。例文帳に追加

The crystal surface at the side surface of the diffraction grating provided to the distributed feedback semiconductor laser using an InP substrate 1 having the plane (100), as the main plane is formed of the crystal plane inclined in any direction of the [01-1] direction and [011-] direction from the plane (100). - 特許庁

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が１５０ｎｍ以下であり、かつ前記結晶粒子のＸ線回折パターンから求められる格子定数（ａ、ｂ、ｃ）の積で表されるユニットセル当りの体積Ｖが０．０６４３ｎｍ^３以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The crystal grain consisting mainly of barium titanate is characterized in that the average particle diameter is ≤150 nm and the volume V per unit cell which is expressed by the product of lattice constants (a, b, c) determined by an X-ray diffraction pattern of the crystal grain, is ≤0.0643 nm^3. - 特許庁

試料に電子線を収束させて照射し、ディスク状の回折図形を得る収束電子回折法において、透過ディスク内に現れたHOLZラインの交点間の距離から、結晶の格子定数６つ（a、b、c、α、β、γ）全てを10nm以下の微小領域から測定することを可能にする。例文帳に追加

In this convergence electron diffraction method for acquiring a disc-shaped diffraction figure, by making electron beams converge and irradiate to a sample, all of six (a, b, c, α, β, γ) lattice constants of a crystal can be measured from the microregion smaller than 10 nm, from the distance between the intersection points of HOLZ line appearing in a transmission disc. - 特許庁

CBED図形よりもむしろ点状の回折図形からブラベー格子の型、単位胞の大きさおよび結晶系を決定するコンピュータプログラムを書くことが可能である。例文帳に追加

It is possible to write a computer program which will determine the Bravais lattice type, unit-cell dimensions, and crystal system from a spot diffraction pattern rather than a CBED pattern.  - 科学技術論文動詞集