「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。例文帳に追加

A processed substrate on the surface of which a metal catalyst layer is formed is prepared (process 1), oxygen plasma treatment is given to the metal catalyst layer (process 2), the surface of the metal catalyst layer is activated by giving hydrogen containing plasma treatment to the metal catalyst layer after the oxygen plasma treatment (process 3), and then a carbon nanotube film is formed on the metal catalyst layer by plasma CVD (process 5). - 特許庁

シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、 前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。例文帳に追加

A formation method of a silicone oxide film comprises a step of depositing a polysilicon film on a substrate and a step of forming the silicon oxide film on the surface of the polysilicon film by exposing the surface of the polysilicon film to an atomic oxygen O* formed by exciting a plasma with a microwave to a mixed gas composed of a gas including oxygen and an inert gas mainly composed of a Kr gas. - 特許庁

本発明に係る表面改質された無機化合物微粒子は、無機化合物微粒子の表面の金属原子に、酸素原子を介して、下記一般式（１）：｛式中、Ｒ^1〜Ｒ^5は、水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、有機シリル基又は有機シロキシ基を示し、Ｒ^1〜Ｒ^5は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ^6は２価の連結基を示し、ａ≧１であり、そしてＳｉ^*で表されるケイ素原子の３つの結合手の内の少なくとも１つは、酸素原子を介して無機化合物微粒子の表面の金属原子と結合している。例文帳に追加

In the inorganic compound microparticles whose surface is modified, a group represented by formula (1) is bonded to a metal atom on the surface of the inorganic compound microparticle through an oxygen atom. - 特許庁

被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法を提供する。例文帳に追加

This treatment method forms an insulating film on the surface of a substrate to be treated according to oxidizing and nitriding treatment and comprises steps of nitriding the surface of the substrate to be treated by irradiating the substrate to be treated with plasma containing nitrogen atoms, and oxidizing the nitrided surface of the substrate to be treated by irradiating the nitrided surface with plasma containing oxygen atoms. - 特許庁

導電性基体上に順次形成された光導電層と表面層とを有する電子写真用感光体において、光導電層は珪素原子を主成分として含有する非晶質層であり、表面層は、アルミニウム原子、亜鉛原子、酸素原子、及び窒素原子を含有する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor includes a photoconductive layer and a surface layer successively formed on a conductive support, wherein the photoconductive layer is an amorphous layer containing silicon atoms as an essential component, and the surface layer contains aluminum atoms, zinc atoms, oxygen atoms and nitrogen atoms. - 特許庁

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。例文帳に追加

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target. - 特許庁

シリコン単結晶から切り出されたシリコン基板表面にシリコンエピタキシャル層が成膜堆積されたエピタキシャルウェーハであって、 前記シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ とされてなる。例文帳に追加

The epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed by deposition on a surface of a silicon substrate cut out from a silicon single crystal, and an oxygen concentration of a surface of the silicon epitaxial layer ranges from 1.0×10^17 to 12×10^17 atoms/cm^3. - 特許庁

電解コンデンサのリード線８は、無酸素銅線等の基材９の表面に接触するようにスズ（Ｓｎ）と銅（Ｃｕ）との合金メッキ層１０が形成され、さらに、その合金メッキ層の表面に接触するようにスズメッキ層１１が形成されている。例文帳に追加

In a lead wire 8 of an electrolytic capacitor, an alloy plating layer 10 of tin (Sn) and copper (Cu) is formed to touch the surface of a base material 9 of an oxygen-free copper wire, or the like, and a tin plating layer 11 is formed to touch the surface of the alloy plating layer. - 特許庁

これにより、電極パッド部１１８，１１９と絶縁層５１の表面との接触部分にできる隙間や、電極パッド部２３２と第２基層１２３の表面との接触部分にできる隙間を覆うことができ、その隙間から酸素や水がセンサ素子１０内に侵入するのを防止できる。例文帳に追加

The clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad parts 118, 119 and the insulation layer 51, and the clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad part 232 and the second base layer 123 are thereby covered to prevent the oxygen or water from being intruded into the sensor element 10 from the clearance. - 特許庁

シリコンウェーハ１１の表面から酸素イオンを注入した後、シリコンウェーハをアニール処理してウェーハ表面から所定の深さに埋込みシリコン酸化層１２を形成するＳＯＩ基板１０の製造方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SOI substrate 10, a buried silicon oxide layer 12 is formed in a silicon wafer 11 at a prescribed depth from the surface of the wafer 11 by annealing the wafer after oxygen ions are implanted into the wafer 11 from the surface of the wafer 11. - 特許庁

コップ状の酸素イオン導電性固体電解質体１１の内表面に基準電極１２を、外表面に検出用電極１３を形成して、被測定ガス中の特定ガス成分を検出するためのガス濃度検出素子１とする。例文帳に追加

A reference electrode 12 is formed on the inside surface of a cup-shaped oxygen ion-conductive solid electrolyte body 11, a detecting electrode 13 is formed on its outer surface, and the gas-concentration detecting element 1 used to detect a specific gas component in a gas to be measured is formed. - 特許庁

アルカリ含有ガラス基板の表面に、アルカリ防止性能を有する酸化珪素膜、金属イオン拡散防止性能を有する酸化錫膜、及び錫とリンと酸素を主成分とする複合酸化物からなり、表面抵抗値が１．０×１０^8〜１．０×１０^16Ω／□の絶縁性薄膜を積層する。例文帳に追加

A silicon oxide film having alkali preventing performance, a tin oxide film having the performance of preventing diffusion of metal ions, and an insulating thin film consisting of a double oxide essentially comprising tin, phosphorus and oxygen and having 1.0×10^8 to 1.0×10^16 Ω/unit square surface resistance are layered on the surface of an alkali-containing glass substrate. - 特許庁

平板状の酸素イオン伝導体の相対する一方の表面に陽極が、他方の表面に陰極が形成され、前記陰極に塩基性物質が担持され、前記陽極と前記陰極に導線が接続されて閉回路を形成したことを特徴とする排気ガス浄化用リアクターである。例文帳に追加

This reactor for purifying waste gas features that an anode is formed on one side surface of a flat board-like oxygen ion conductor and a cathode is formed on the other side surface thereof both of which are opposed to each other, a basic substance is deposited on the cathode, a lead wire is connected with the anode and the cathode and a closed circuit is formed. - 特許庁

本発明の表面改質方法は、プラズマ生成装置８０内で酸素プラズマを生成し、基板ホルダ３１とプラズマ生成装置３の間に交流電圧を印加し、プラズマ中に含まれるイオンや中性分子、中性原子をＩＴＯ薄膜１３表面に照射する。例文帳に追加

This surface modifying method for an ITO thin film is a method, wherein an oxygen plasma is produced in a plasm-producing unit 80, an alternating-current voltage is applied between a substrate holder 31 and the unit 80 and ions, neutral molecules and neutral atoms, which are contained in a plasma, are radiated on the surface of an ITO thin film 13. - 特許庁

導電性基体上に感光層を有する電子写真感光体を、最表面層が１種類以上の架橋構造を有する樹脂を含有し、最表面層の２５℃における酸素透過率が１５００ｆｍ／ｓ・Ｐａ以下である構成とする。例文帳に追加

In the electrophotographic photoreceptor including a photosensitive layer on a conductive substrate, a top layer contains one or more kinds of resins including a bridged structure and oxygen permeability on the top layer at 25°C is 1500 fm/sPa or less. - 特許庁

内皮細胞増殖性材料は、基材３１の表面に形成され、炭素が互いに結合して形成された膜本体３２と、膜本体３２の表面に形成され、膜本体３２を形成する炭素と結合した窒素及び酸素とを有するプラズマ処理層３２Ａとを備えている。例文帳に追加

The endothelial cell-proliferative material has a membrane body 32 formed on the surface of a base material 31, and formed by bonding carbons to each other, and a plasma treated layer 32A formed on the surface of the membrane body 32, and having nitrogen and oxygen bonded to the carbon forming the membrane body 32. - 特許庁

酸素を含む雰囲気下に２００〜６００℃で金属基材の表面を加熱処理し、ついで該表面上にアミノ基を有するシランカップリング剤、その部分加水分解物、又はそれらの混合物からなるプライマーを塗布してプライマー層を形成し、ついで該プライマー層上にフッ素樹脂の被膜を形成する、金属基材表面にフッ素樹脂の被膜の形成方法。例文帳に追加

A forming method of the coating film of fluororesin on the metal substrate surface, wherein the surface of the metal substrate is thermally processed at 200 to 600°C in an atmosphere containing oxygen, a primer layer is then formed by applying primer including a silane coupling agent having an amino group, its partial hydrolysate or a mixture of these compounds onto the surface, and subsequently, the coating film of fluororesin is formed on the primer layer. - 特許庁

また、炭素材料の表面に、酸素原子または窒素原子を含む官能基を０．１ｍｅｑ／ｇ以上１０．０ｍｅｑ／ｇ以下の範囲で備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A functional group containing oxygen atoms or nitrogen atoms is present in a range of 0.1-10.0 meq/g on the surface of the carbon material. - 特許庁

本発明は、ニッケル、銅又は銀を含む基体表面のための処理液であって、０．０１ｇ／Ｌ以上の三価クロムと０．０１ｇ／Ｌ以上のリンの酸素酸を含み、かつ六価クロムを含まない前記処理液を提供する。例文帳に追加

The treatment liquid for a substrate surface containing nickel, copper or silver contains ≥0.01 g/L trivalent chromium and ≥0.01 g/L oxyacid of phosphorus and no hexavalent chromium. - 特許庁

この前処理には、酸素、窒素および酸化窒素のうちのいずれか１種類を含むガスに紫外線または電磁波を照射し、そのガスを、２００℃以下の温度に加熱された基板表面に供給する処理が含まれる。例文帳に追加

The pretreatment includes treatment for making ultraviolet rays or electromagnetic waves irradiated to a gas containing one of oxygen, nitrogen, and nitrogen oxide for supplying the gas onto the surface of the substrate being heated to 200°C or lower. - 特許庁

酸化チタン微粒子を含む硬化被膜を有するプラスチックレンズ基材表面に酸素ラジカル処理を施したのち、蒸着法により反射防止膜を形成させてプラスチックレンズを製造する。例文帳に追加

The plastic lens is manufactured by forming the antireflection film by a vapor deposition method after performing oxygen radical treatment to the surface of the base material of the plastic lens which has the hardening coating film containing the titanium oxide particulates. - 特許庁

多孔性導電基材とその上に疎水性表面を有するダイアモンド粒子と触媒粒子を形成させた酸素還元用ガス拡散陰極。例文帳に追加

The oxygen reducing gas diffusion cathode comprises a porous conductive base material, a diamond particle having a hydrophobic surface and the catalyst particle which are formed on the porous conductive base material. - 特許庁

インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。例文帳に追加

A thick insulator region, which is formed by an oxygen-ion injection process, is formed on a surface of a semiconductor substrate under a winding-shaped strip of conductive film configuring an inductance element. - 特許庁

酸素原子は、シリコン基板１１の界面からシリコン酸化窒化膜１７の表面まで途切れること無く、且つ、その濃度が膜厚方向に対し一定範囲内でほぼ均一に或いは緩やかに分布している。例文帳に追加

Oxygen atoms are distributed uniformly or gently in concentration in the gate insulating film 12 within a certain range in the thickness direction of the film continuously from its interface with the silicon substrate to the top surface. - 特許庁

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。例文帳に追加

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface. - 特許庁

被洗浄基板表面で、オゾン含有溶液とアルカリ溶液を接触させ、オゾン含有溶液中の溶存オゾンを分解して活性酸素種を発生させる。例文帳に追加

Oxygen active species are generated by bringing the ozone- containing solution into contact with an alkaline solution on the surface of the substrate to be cleaned and decomposing the ozone dissolved in the ozone- containing solution. - 特許庁

酸化チタン微粒子を主体とする光触媒膜２の表面の少なくとも一部に酸素を介して金属酸化物基を結合して改質することもできる。例文帳に追加

Further, the surface of the photocatalyst film 2 can be reformed by binding a metal oxide group through oxygen to at least a portion of its surface mainly comprising titanium oxide fine particles. - 特許庁

支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer bonded to the supporting substrate is irradiated with the pulsed laser beam in an atmosphere containing an inert gas such as nitrogen and oxygen so that the surface thereof is made rough. - 特許庁

（ａ）半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも２種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。例文帳に追加

(a) On the surface of an insulator containing oxygen formed on a semiconductor substrate, a copper alloy film containing at least two kinds of metal element other than copper is formed. - 特許庁

更に、第２は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。例文帳に追加

Further, secondly, a thick insulation region is formed by the oxygen ion implantation technique onto a semiconductor substrate below the winding belt-like conductive film that makes up the inductance element. - 特許庁

酸素のプラズマに弗素を含む硅素化合物ガスと水素を含む硅素化合物ガスとを混合させて導入し、気相成長を利用して基板４０の表面に弗素を含む酸化硅素薄膜を作成する。例文帳に追加

The fluorine containing silicon oxide thin film is formed on a surface of a substrate 40 using a vapor phase growth process by introducing a mixture of oxygen plasma, fluorine containing silicon compound gas, and hydrogen containing silicon compound gas. - 特許庁

標準電極３は、酸素イオン導電性を有する一端閉管の固体電解質９と、その内部の混合粉末からなる基準極１１と、固体電解質の外表面のコーティング層１９からなる。例文帳に追加

A standard electrode 3 comprises a solid electrolyte 9 of a pipe having one closed end having oxygen ion conductivity, a reference electrode 11 comprising mixed powder filled inside, and a coating layer 19 on the outer surface of the solid electrolyte. - 特許庁

基板上に、多結晶シリコンを少なくとも表面に有する半導体層を形成する工程、および、前記半導体層の上に励起酸素種を適用して絶縁層を形成する工程を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method has a process for forming the semiconductor layer, having polycrystalline silicon on the surface on a substrate and a process for forming the insulating layer on the semiconductor layer, by applying exciting oxygen species. - 特許庁

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、錫と珪素と酸素を主成分とする複合酸化物膜からなる、少なくとも１層の薄膜を含む絶縁性金属イオン拡散防止膜２を有するガラス物品。例文帳に追加

The glass article has an insulative metal ion diffusion-preventing film including at least one thin film comprising a composite oxide film mainly containing tin, silicone and oxygen on the surface of an alkali-containing glass substrate 1. - 特許庁

ＴＥＡと酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法等の気相成長法の適用により、炭化珪素基板の表面上に酸化アルミニュームの膜を堆積する。例文帳に追加

Applying a vapor growth method such as the CVD or the like with a TEA and an oxygen gas as raw materials deposits an oxide aluminum film on the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁

ニオブ２８％、炭素６１％及び酸素１１％の原子割合を有する立方晶ニオブオキシカーバイドであって、基体表面に立方晶ニオブオキシカーバイド被覆層を形成させて超硬材料とする。例文帳に追加

A cubic niobium oxycarbide contains 28% niobium, 61% carbon and 11% oxygen in its atomic ratio. - 特許庁

最小の多孔性と酸素含有量と、表面領域における残留圧縮応力と、特にこの双方によってもたらされる改良された耐熱衝撃性とを備える焼結チタニウム基炭窒化物合金を提供する。例文帳に追加

To provide a sintered titanium base carbonitride alloy having the minimum porous oxygen content, residual compressive stress in a surface area, and particularly improved thermal shock resistance brought in by both of them. - 特許庁

また、制御装置１３が、基板１４を酸化チャンバＦ４に搬送し、タンタル層１６の表面全体を酸素ラジカルに晒してタンタル層１６を酸化する。例文帳に追加

The control device 13 conveys the substrate 14 into the oxidation chamber F4 and exposes the entire surface of the tantalum layer 16 to oxygen radicals to oxidize the tantalum layer 16. - 特許庁

ゲート絶縁膜２として酸素イオン導電能力を有する酸化物を用いるとともに、前記ゲート絶縁膜２の堆積時に、半導体基板１から前記ゲート絶縁膜２の表面にかけて正の電位勾配を設ける。例文帳に追加

An oxide having an oxygen ion conduction power is employed as a gate insulation film 2 and a positive potential gradient is provided from a semiconductor substrate 1 to the surface of the gate insulation film 2 at the time of depositing the gate insulation film 2. - 特許庁

酸素の影響を受けることなく硬化性に優れ、さらにその塗膜が、耐擦傷性、耐溶剤性、耐水性および表面平滑性に優れるプラスチック基板を被覆するための硬化型組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a hardening type composition for coating a plastic plate which excels in hardenability without undergoing the influence of oxygen and whose coating film excels in scratch resistance, solvent resistance, water resistance, and surface smoothness. - 特許庁

ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマＣＶＤ法により、基板の表面にＩＴＯの被膜を形成する構成とした。例文帳に追加

An ITO coat is formed on a surface of a substrate by a plasma- activated chemical vapor deposition method using gasified indium oxide, gasified stannic chloride, and gaseous oxygen as raw materials. - 特許庁

真空蒸着によって基板表面に反射防止膜を形成後、酸素もしくはアルゴンを導入してプラズマ処理を行い、その後、フッ素含有有機ケイ素化合物を真空蒸着して防汚層を形成する。例文帳に追加

After an antireflection film is formed on a substrate surface by vacuum vapor deposition, oxygen or argon is introduced to carry out plasma treatment, and then a stain proof layer is formed by vacuum vapor deposition of a fluorine-containing organic silicon compound. - 特許庁

基材１０の表面には、シリカなどの中間層１２を介し、酸素サイトにＮが置換した構造を有するＴｉ−Ｏ−Ｎなどの光触媒層１４が形成されている。例文帳に追加

There is formed a photocatalyst layer 14 having a structure of a N-substituted oxygen site such as Ti-O-N and the like via an intermediate layer 12 such as silica on a surface of a base material 10. - 特許庁

半導体基板の表面を酸化膜で保護しつつ、金属酸化物薄膜形成時に酸化膜の酸素を還元して成膜を行うことで、高品質な金属酸化物薄膜を得る。例文帳に追加

To provide a high-quality metal oxide thin film by protecting the surface of a semiconductor substrate by an oxide film, and forming a film by reduction of oxygen of the oxide film at the time of forming the metal oxide thin film. - 特許庁

金属チタンを基板の表面に気相蒸着させるとともに、酸素のクラスターイオンビームを加速して蒸着域に照射することを特徴とする。例文帳に追加

Metal titanium is vapor-deposited on the surface of a substrate, and further, a cluster ion beam of oxygen is accelerated and is applied to the vapor-deposited region. - 特許庁